JPS62271401A - 感湿抵抗体 - Google Patents
感湿抵抗体Info
- Publication number
- JPS62271401A JPS62271401A JP61113676A JP11367686A JPS62271401A JP S62271401 A JPS62271401 A JP S62271401A JP 61113676 A JP61113676 A JP 61113676A JP 11367686 A JP11367686 A JP 11367686A JP S62271401 A JPS62271401 A JP S62271401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance value
- humidity
- mol
- change
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 8
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGJOEKWQDUBAIZ-IBOSZNHHSA-N CoASH Chemical compound O[C@@H]1[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H](COP(O)(=O)OP(O)(=O)OCC(C)(C)[C@@H](O)C(=O)NCCC(=O)NCCS)O[C@H]1N1C2=NC=NC(N)=C2N=C1 RGJOEKWQDUBAIZ-IBOSZNHHSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（童業上の利用分野）
本発明は、磁器組成物の表面に１対の電極を設けた感湿
抵抗体に関する。
抵抗体に関する。
（従来の技術）
湿度の変化に伴なう電気抵抗値の変化を利用して湿度を
検知する感湿抵抗体として、従来、例えばＦｅ３Ｏ４＋
ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ｍｇ０ｒ２０３−Ｔｉ０２等の金
属酸化物から成る磁器組成物音用いた感湿抵抗体が知ら
れる。この磁器組成物を用いた感湿抵抗体は、磁器組成
物の対向する２つの主面にそれぞれＰＬ 、 Ａｕ 、
ＲｕＯ２等から成る多孔質電極を形成するか、あるい
は１つの主面に対向する１対の櫛歯状の電極を形成する
などして構成される。
検知する感湿抵抗体として、従来、例えばＦｅ３Ｏ４＋
ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ｍｇ０ｒ２０３−Ｔｉ０２等の金
属酸化物から成る磁器組成物音用いた感湿抵抗体が知ら
れる。この磁器組成物を用いた感湿抵抗体は、磁器組成
物の対向する２つの主面にそれぞれＰＬ 、 Ａｕ 、
ＲｕＯ２等から成る多孔質電極を形成するか、あるい
は１つの主面に対向する１対の櫛歯状の電極を形成する
などして構成される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のこれらの感湿抵抗体は、常温常湿
下に放置した時、抵抗値の経時変化が太きく、また結露
等によって感湿抵抗体の表面に水滴が付着したり、水が
濡れたりすると、それ以後抵抗値が初期値に戻らず、不
可逆的な変化を示す等湿度検知の精度が低いという問題
があった。
下に放置した時、抵抗値の経時変化が太きく、また結露
等によって感湿抵抗体の表面に水滴が付着したり、水が
濡れたりすると、それ以後抵抗値が初期値に戻らず、不
可逆的な変化を示す等湿度検知の精度が低いという問題
があった。
（問題点を解決するための手段〕
本発明は、従来の前記のような問題を解消する感湿抵抗
体を提供することをその目的とするもので、Ｔ ｉ Ｏ
２が９９．８０ ｍａｔ ％ 〜７８．１９ ｍｏｊ
％と、Ｌｉ２Ｏが０．１３ ｍｏｌ％〜１０．０３ ｍ
ｏｌ ％と、ＳｉＯ２が０．０６ ｍａｌ ％ 〜１２
．８６ ｍｏｌ％とから成ルａ 器Ｍ Ｅｉ物に、対向
する一対の電極を設けたことを特徴とする特 （作用） 感湿抵抗体として用いられる多孔質体であるＴｉＯ２は
、水滴が付着したり、水に濡れると、それ以後抵抗値が
初期値に戻らず、不可逆的変化を示しく以下これを耐水
性が悪いという）、低い相対湿度における初期抵抗値が
大きく、また、湿度の変化に対する抵抗値の変化が小さ
く、更に抵抗値の経時変化が大きい。
体を提供することをその目的とするもので、Ｔ ｉ Ｏ
２が９９．８０ ｍａｔ ％ 〜７８．１９ ｍｏｊ
％と、Ｌｉ２Ｏが０．１３ ｍｏｌ％〜１０．０３ ｍ
ｏｌ ％と、ＳｉＯ２が０．０６ ｍａｌ ％ 〜１２
．８６ ｍｏｌ％とから成ルａ 器Ｍ Ｅｉ物に、対向
する一対の電極を設けたことを特徴とする特 （作用） 感湿抵抗体として用いられる多孔質体であるＴｉＯ２は
、水滴が付着したり、水に濡れると、それ以後抵抗値が
初期値に戻らず、不可逆的変化を示しく以下これを耐水
性が悪いという）、低い相対湿度における初期抵抗値が
大きく、また、湿度の変化に対する抵抗値の変化が小さ
く、更に抵抗値の経時変化が大きい。
このＴｉＯ□を基材にしてＬ１□０を配合すると、低い
相対湿度における初期抵抗値が低下すると共に湿度の変
化に伴なう抵抗値の変化が犬きくなる。またＴｉＯ２に
Ｌ１□０と共に３ｉ０２を配合すると、抵抗値の経時変
化が小さくなるとともに耐水性が良くなる。
相対湿度における初期抵抗値が低下すると共に湿度の変
化に伴なう抵抗値の変化が犬きくなる。またＴｉＯ２に
Ｌ１□０と共に３ｉ０２を配合すると、抵抗値の経時変
化が小さくなるとともに耐水性が良くなる。
かくてＴ ｉ Ｏ２が９９．８０ ｍａｔ ％ 〜７８
．１９ ｍｏｌ％と、Ｌｉ２Ｏが０．１３ ｍｏｌ％〜
１０．１３ ｍａｔ％と、ＳｉＯ２が０．０６ ｍｏｌ
％〜１２．８６ ｍｏ１％とから成る磁器組成物によれ
ば、従来のＴｉＯ２に比して、低い相対湿度における抵
抗値が低く（３０％ＲＨ時の抵抗値が９．ＯＸ １０Ω
以下）、相対湿度の変化に伴なう抵抗値の変化が大きく
、耐水性に優れ、また抵抗値の経時変化が小さくなる。
．１９ ｍｏｌ％と、Ｌｉ２Ｏが０．１３ ｍｏｌ％〜
１０．１３ ｍａｔ％と、ＳｉＯ２が０．０６ ｍｏｌ
％〜１２．８６ ｍｏ１％とから成る磁器組成物によれ
ば、従来のＴｉＯ２に比して、低い相対湿度における抵
抗値が低く（３０％ＲＨ時の抵抗値が９．ＯＸ １０Ω
以下）、相対湿度の変化に伴なう抵抗値の変化が大きく
、耐水性に優れ、また抵抗値の経時変化が小さくなる。
（実施例）
実施例１〜１４
それぞれ純度９９ ％の原材料を用い、 ＴｉＯ２粉末
９Ｂｙ 、 Ｌｉ２Ｏ粉末１．Ｏｙ 、ＳｉＯ２粉末１
．０．全エタノール２００ ｃｃとともにゼールミルに
入れ、１５時間混合し、この混合物をゼールミルから蒸
発皿に取り出し、９０℃の温度でエタノールを蒸発させ
て混合粉末とし、この混合粉末にノ々インダ２５チ濃度
のポリビニールアルコールを１５２加えて摺潰機で攪拌
し、造粒し、１００メツシユの篩を通過させたものを、
加圧成型機でｉｔ／４の圧力で直径１２輯φ、厚さ０．
５ ｍのディスク状に成型した。次いで該成型体を２０
０℃／１１ｒの温度勾配で１０００℃まで昇温し、この
温度で１時間保温して２００℃／ｈ ｒの勾配で降温し
、室温で取り出して１０５ｍφ、厚さ０．４四の多孔質
なディスク状の磁器素体を得たのち、このディスク状磁
器素体の両生面のはｙ全面に市販の酸化ルテニウム導電
ペーストをスクリーン印刷し、 ７００ ｃ＝で１０
分間焼き付けて電極を形成し、感湿抵抗体を得た。
９Ｂｙ 、 Ｌｉ２Ｏ粉末１．Ｏｙ 、ＳｉＯ２粉末１
．０．全エタノール２００ ｃｃとともにゼールミルに
入れ、１５時間混合し、この混合物をゼールミルから蒸
発皿に取り出し、９０℃の温度でエタノールを蒸発させ
て混合粉末とし、この混合粉末にノ々インダ２５チ濃度
のポリビニールアルコールを１５２加えて摺潰機で攪拌
し、造粒し、１００メツシユの篩を通過させたものを、
加圧成型機でｉｔ／４の圧力で直径１２輯φ、厚さ０．
５ ｍのディスク状に成型した。次いで該成型体を２０
０℃／１１ｒの温度勾配で１０００℃まで昇温し、この
温度で１時間保温して２００℃／ｈ ｒの勾配で降温し
、室温で取り出して１０５ｍφ、厚さ０．４四の多孔質
なディスク状の磁器素体を得たのち、このディスク状磁
器素体の両生面のはｙ全面に市販の酸化ルテニウム導電
ペーストをスクリーン印刷し、 ７００ ｃ＝で１０
分間焼き付けて電極を形成し、感湿抵抗体を得た。
この感湿抵抗体を湿度発生装置を具備した恒温恒湿層中
に入れ２５℃における相対湿度の３ＭＲ，Ｈ，〜９０チ
几、Ｈ０の範囲を２０チＲ，、Ｈ，間隔で抵抗を測定し
た。このときの相対湿度の変化に伴う抵抗の変化を図面
に煮６で示した。また下表には３０％Ｒ，Ｈ，及び９０
チＲ，Ｈ，の抵抗値をＡ６で示した。３０Ｓ Ｌ Ｈに
おける抵抗値は５．２ Ｘ １０５Ωであった。
に入れ２５℃における相対湿度の３ＭＲ，Ｈ，〜９０チ
几、Ｈ０の範囲を２０チＲ，、Ｈ，間隔で抵抗を測定し
た。このときの相対湿度の変化に伴う抵抗の変化を図面
に煮６で示した。また下表には３０％Ｒ，Ｈ，及び９０
チＲ，Ｈ，の抵抗値をＡ６で示した。３０Ｓ Ｌ Ｈに
おける抵抗値は５．２ Ｘ １０５Ωであった。
感湿抵抗体の抵抗値は、該感湿抵抗体にｌ ）Ｇ（ｚ
。
。
１ｖの交流電圧を印加し、市販のＬＯＲ計を用いて測定
した。
した。
次いで、この感湿抵抗体を常温の水道水中に１時間浸漬
した後１１０℃で３０分間乾燥することを１サイクルと
して５サイクル行なった後、３０ Ｓ Ｒ，Ｈ，時及び
９０％ＦＬ、 Ｈ，時の抵抗値を測定した。３０％Ｒ，
Ｈ，及び９０％几、Ｈ０の抵抗値はそれぞれ下表に示す
ように、５．３Ｘ１０Ω及び３月×１０３Ωで、水中に
浸漬前の５．２ Ｘ １０５Ω及び３．９ ｘ １ｏ３
Ωと比べてほとんど変化がなかった。
した後１１０℃で３０分間乾燥することを１サイクルと
して５サイクル行なった後、３０ Ｓ Ｒ，Ｈ，時及び
９０％ＦＬ、 Ｈ，時の抵抗値を測定した。３０％Ｒ，
Ｈ，及び９０％几、Ｈ０の抵抗値はそれぞれ下表に示す
ように、５．３Ｘ１０Ω及び３月×１０３Ωで、水中に
浸漬前の５．２ Ｘ １０５Ω及び３．９ ｘ １ｏ３
Ωと比べてほとんど変化がなかった。
また、この感湿抵抗体を冷暖房施設によって空調されて
いる室に５０００時間放置した後３０％ＬＨ及び９０
Ｓ Ｒ，Ｈにおける抵抗値を測定した。
いる室に５０００時間放置した後３０％ＬＨ及び９０
Ｓ Ｒ，Ｈにおける抵抗値を測定した。
その抵抗値は下表に示すように５．３ Ｘ １０５Ω及
び４、ＯＸ １０’Ωで初期のそれぞれの濃度における
抵抗値に比べてほとんど変化がなかった。
び４、ＯＸ １０’Ωで初期のそれぞれの濃度における
抵抗値に比べてほとんど変化がなかった。
Ｔ ｉＯ２を９９．８〜７８．１９ ｍｏｌ％、Ｌｉ２
Ｏを１０．０３〜０．１３ ｍｏｌ ’４ 、ＳｉＯ２
ｋ １２．８６〜０．０６ ｍｏ１％の範囲で組成比
を変えて前記と同じ条件及び方法で感湿抵抗体を作成し
、相対湿度に対する抵抗値を前記と同じ条件で測定した
。
Ｏを１０．０３〜０．１３ ｍｏｌ ’４ 、ＳｉＯ２
ｋ １２．８６〜０．０６ ｍｏ１％の範囲で組成比
を変えて前記と同じ条件及び方法で感湿抵抗体を作成し
、相対湿度に対する抵抗値を前記と同じ条件で測定した
。
その測定結果を下表の煮１〜５，７〜１４として示した
。
。
これ等の試料の３０チＬ Ｈ，の抵抗値は２．ｌＸ１０
５〜９．ＯＸ １０５Ωの範囲にあり、水浸処理５サイ
クル後及び５０００時間経時後の各試料の３０％Ｌ Ｈ
及び９０％ＦＬ、 Ｈにおける抵抗値は、対応する湿度
における初期の抵抗値と比べてほとんど変化がなかった
。
５〜９．ＯＸ １０５Ωの範囲にあり、水浸処理５サイ
クル後及び５０００時間経時後の各試料の３０％Ｌ Ｈ
及び９０％ＦＬ、 Ｈにおける抵抗値は、対応する湿度
における初期の抵抗値と比べてほとんど変化がなかった
。
実施例１５
ＬｉＯとＳｉＯ２を除いた以外は実施例１〜１４と同じ
方法及び同じ条件で焼成したディスク状の多孔質のＴ
ｉ Ｏ２磁器素体を用意し、これとは別に、純度９９チ
のＬｉ２Ｏ粉末１０ ｆと、ＳｉＯ２粉末５Ｆと、ニト
ロセルローズ３チ濃度のメチルエチルケトン９ｔとを秤
量し、乳鉢で混練して、粘度１２０００ｃｐｓのペース
トを作成し、このペーストを該Ｔ ｉ Ｏ２磁器素体の
片主面のほぼ全面に２００メツシユのスクリーンを用い
て印刷した。
方法及び同じ条件で焼成したディスク状の多孔質のＴ
ｉ Ｏ２磁器素体を用意し、これとは別に、純度９９チ
のＬｉ２Ｏ粉末１０ ｆと、ＳｉＯ２粉末５Ｆと、ニト
ロセルローズ３チ濃度のメチルエチルケトン９ｔとを秤
量し、乳鉢で混練して、粘度１２０００ｃｐｓのペース
トを作成し、このペーストを該Ｔ ｉ Ｏ２磁器素体の
片主面のほぼ全面に２００メツシユのスクリーンを用い
て印刷した。
これを１２０℃で３０分間乾燥した後、空気中で３００
℃／ｈ ｒの昇温速度で９００℃まで昇温し、この温度
で１時間保温した後３００℃／ｈｒの降温速度で冷却し
た。
℃／ｈ ｒの昇温速度で９００℃まで昇温し、この温度
で１時間保温した後３００℃／ｈｒの降温速度で冷却し
た。
該ペースト組成の多くは該ＴｉＯ□磁器素体中に浸透し
ていた。この素体を発光分光分析した結果の組成比全下
表のＡ１５に示した。次いでこのディスク状磁器素体の
両主面のほぼ全面に市販の酸化ルテニウム導電ペースト
をスクリーン印刷して６００℃で３０分間供き付けて感
湿抵抗体を感湿抵抗体を得た。
ていた。この素体を発光分光分析した結果の組成比全下
表のＡ１５に示した。次いでこのディスク状磁器素体の
両主面のほぼ全面に市販の酸化ルテニウム導電ペースト
をスクリーン印刷して６００℃で３０分間供き付けて感
湿抵抗体を感湿抵抗体を得た。
これを実施例１〜１４と同じ方法及凭じ条件で測定した
結果を下表のＡ １５ Ｋ示す。これの相対湿度の変化
に伴なう抵抗変化特性を図面にＡ１５として示す。
結果を下表のＡ １５ Ｋ示す。これの相対湿度の変化
に伴なう抵抗変化特性を図面にＡ１５として示す。
下表及び図面に示すように３０ ％ Ｌ Ｈ，の抵抗値
は、２．５×１０５０，９０％Ｌ Ｈ，の抵抗値は３２
×１０３０、水浸処理５サイクル後の３０ ％ ＦＬ、
Ｈ，及び９０１ Ｒ，Ｈ，の抵抗値はそれぞれ２．６
Ｘ １０”Ω及び３．ＯＸ １０３Ω、 ５ｏｏｏ時
間経時後の３０チＲ，Ｈ，及び９０％Ｒ，Ｈ，の抵抗は
それぞれ２．５ Ｘ １０５Ω及び’３．３ Ｘ １０
３Ωで、水浸処理５サイクル後及び５０００時間経過後
の３０％Ｌ）（及び９０％Ｌ ）ｌにおける抵抗値は各
湿度における初期の抵抗値と比べてあまり変化が認めら
れなかった。
は、２．５×１０５０，９０％Ｌ Ｈ，の抵抗値は３２
×１０３０、水浸処理５サイクル後の３０ ％ ＦＬ、
Ｈ，及び９０１ Ｒ，Ｈ，の抵抗値はそれぞれ２．６
Ｘ １０”Ω及び３．ＯＸ １０３Ω、 ５ｏｏｏ時
間経時後の３０チＲ，Ｈ，及び９０％Ｒ，Ｈ，の抵抗は
それぞれ２．５ Ｘ １０５Ω及び’３．３ Ｘ １０
３Ωで、水浸処理５サイクル後及び５０００時間経過後
の３０％Ｌ）（及び９０％Ｌ ）ｌにおける抵抗値は各
湿度における初期の抵抗値と比べてあまり変化が認めら
れなかった。
実施例１６
実施例１５と同じ条件及び同じ方法で焼成した多孔質の
Ｔ ｉ Ｏ２磁器素体を用意し、これをＬ ｉ （ＯＨ
３Ｃｏｏ ）・２Ｈ２０１，２糠と５ｉ（０’２Ｈ５０
）４０．６８１とを１００−のエタノールに溶解した溶
液に浸漬し、１Ｏ−１Ｔｏｒｒ程度に減圧してＴｉＯ２
磁器素体の孔に該溶液全浸透させ、これを取シ出して９
０℃で３０分間乾燥し、９００℃で１時間加熱処理を施
した。
Ｔ ｉ Ｏ２磁器素体を用意し、これをＬ ｉ （ＯＨ
３Ｃｏｏ ）・２Ｈ２０１，２糠と５ｉ（０’２Ｈ５０
）４０．６８１とを１００−のエタノールに溶解した溶
液に浸漬し、１Ｏ−１Ｔｏｒｒ程度に減圧してＴｉＯ２
磁器素体の孔に該溶液全浸透させ、これを取シ出して９
０℃で３０分間乾燥し、９００℃で１時間加熱処理を施
した。
発光分光分析により得たこの素体の組成化を下表の墓１
６に示した。
６に示した。
次いでこの素体の両主面のほぼ全面に酸化ルテニウム導
電ペーストを塗布し、 ７００℃で１０分間焼きつけ
て感湿抵抗体を得た。
電ペーストを塗布し、 ７００℃で１０分間焼きつけ
て感湿抵抗体を得た。
この感湿抵抗体の相対湿度の変化に伴なう抵抗値の変化
を図面に示し、相対湿度３０％Ｒ，Ｈ。
を図面に示し、相対湿度３０％Ｒ，Ｈ。
と９０４ Ｒ，Ｈ，の抵抗値を下表の扁１６に示した。
水浸処理５サイクル後の３０％Ｌ Ｈ，及び９０チＲ，
Ｈにおける抵抗値及び５０００時間経過後の３０チ几、
Ｈｏにおける抵抗値は対応する湿度における抵抗値と比
較してほとんど変化が認められなかった。
Ｈにおける抵抗値及び５０００時間経過後の３０チ几、
Ｈｏにおける抵抗値は対応する湿度における抵抗値と比
較してほとんど変化が認められなかった。
尚、上記実施例では、ディスク状磁器素体を用いたが、
前記原材料にスクリーン印刷等に適したノζインダを加
えてペースト化し、例えばアルミナ基板等の上に該ペー
ストと、対向する一対の櫛形電極を積重ねて印刷して焼
成した感湿抵抗体でも同様の効果を示した。
前記原材料にスクリーン印刷等に適したノζインダを加
えてペースト化し、例えばアルミナ基板等の上に該ペー
ストと、対向する一対の櫛形電極を積重ねて印刷して焼
成した感湿抵抗体でも同様の効果を示した。
比較例１〜５
比較例１はＴ ｉ Ｏ２のみから成る従来のもので、下
表に示すように３０ ％ Ｌ Ｈ，における抵抗値が大
きく、水浸処理５サイクル後及び５０００時間経時後の
相対湿度における抵抗値が対応する相対湿度における抵
抗値に比べて大幅に変化している。
表に示すように３０ ％ Ｌ Ｈ，における抵抗値が大
きく、水浸処理５サイクル後及び５０００時間経時後の
相対湿度における抵抗値が対応する相対湿度における抵
抗値に比べて大幅に変化している。
比較例２〜５はいずれも、ＴｌＯ２が９９８０〜７８．
１９ ｍｏｌ％と、Ｌｉ２Ｏが０．１３〜１０．０３
ｍｏｌ％と、ＳｉＯ２が０．０６〜１２．８６ ｍｏｌ
％とから成る本発明の磁器組成物の組成比の範囲外のも
のである。
１９ ｍｏｌ％と、Ｌｉ２Ｏが０．１３〜１０．０３
ｍｏｌ％と、ＳｉＯ２が０．０６〜１２．８６ ｍｏｌ
％とから成る本発明の磁器組成物の組成比の範囲外のも
のである。
比較例２はＬ ｉ Ｏ２が０．１３ ｍｏｌ％より少な
い０．０５ｍｏｌ ％で、下表に示すように、初期の抵
抗値が高く、経時後及び水浸処理後の抵抗値は初期の抵
抗値と比べて著しく高く、また湿度の変化に伴なう抵抗
値の変化率が小さい。
い０．０５ｍｏｌ ％で、下表に示すように、初期の抵
抗値が高く、経時後及び水浸処理後の抵抗値は初期の抵
抗値と比べて著しく高く、また湿度の変化に伴なう抵抗
値の変化率が小さい。
比較例３は、Ｌ ｉ Ｏ２が１０．０３ ｍａｔ ％よ
り多い１２．００ ｍｏｌ、 ％で、経時後及び水浸処
理後の抵抗値は初期の抵抗値と比べて著しく高い。
り多い１２．００ ｍｏｌ、 ％で、経時後及び水浸処
理後の抵抗値は初期の抵抗値と比べて著しく高い。
比較例４は、ＳｉＯ２が０．０６ ｍｏｌ ％より少な
い０．０４ ｍｏ１％で、下表に示すように１経時後及
び水浸処理後の抵抗値が初期の抵抗値より著しく高い。
い０．０４ ｍｏ１％で、下表に示すように１経時後及
び水浸処理後の抵抗値が初期の抵抗値より著しく高い。
比較例５は、ＳｉＯ２が１２．８６ ｍｏｌ％より多い
１５．００ ｍｏｌ％で、経時後及び水浸処理後の抵抗
値が初期の抵抗値より著しく高く、また抵抗値の変化率
が小さい。
１５．００ ｍｏｌ％で、経時後及び水浸処理後の抵抗
値が初期の抵抗値より著しく高く、また抵抗値の変化率
が小さい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、従来のものに比し
て低湿度における抵抗値が低く、抵抗値の経時変化が小
さく、更に結露等によって表面に水滴が付着したシ、水
に濡れたシしてもそれ以後の抵抗値が初期の抵抗値から
余シ変らず、湿度検知の精度が高い感湿抵抗体が得られ
るという効果を有する。
て低湿度における抵抗値が低く、抵抗値の経時変化が小
さく、更に結露等によって表面に水滴が付着したシ、水
に濡れたシしてもそれ以後の抵抗値が初期の抵抗値から
余シ変らず、湿度検知の精度が高い感湿抵抗体が得られ
るという効果を有する。
図面は本発明の実施例と従来例（比較例１）の相対湿度
対抵抗値特性図である。 ０ ３０ ．４０ ５０ ６０７０ ８０９０ １Ｃ
Ｘ） Ｒ）ｔ’／。 相対湿度（２５で）
対抵抗値特性図である。 ０ ３０ ．４０ ５０ ６０７０ ８０９０ １Ｃ
Ｘ） Ｒ）ｔ’／。 相対湿度（２５で）
Claims (1)
- ＴｉＯ＿２が９９．８０ｍｏｌ％〜７８．１９ｍｏｌ％
と、Ｌｉ＿２Ｏが０．１３ｍｏｌ％〜１０．０３ｍｏｌ
％と、ＳｉＯ＿２が０．０６ｍｏｌ％〜１２．８６ｍｏ
ｌ％とから成る磁器組成物に、対向する一対の電極を設
けたことを特徴とする感湿抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61113676A JPS62271401A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 感湿抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61113676A JPS62271401A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 感湿抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62271401A true JPS62271401A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14618342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61113676A Pending JPS62271401A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 感湿抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62271401A (ja) |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61113676A patent/JPS62271401A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5951721B2 (ja) | 厚膜組成物 | |
| JPS6038802B2 (ja) | 電気抵抗器およびその製造 | |
| KR0130831B1 (ko) | 후막 레지스터 조성물(thick film resistor composition) | |
| JPH0822714A (ja) | 導電ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック部品 | |
| US4693843A (en) | Resistance paste | |
| JPH09264866A (ja) | 炭酸ガスセンサ及びその製造方法 | |
| JPS5840801A (ja) | 湿度センサ素子とその製造法 | |
| JPS6214921B2 (ja) | ||
| JPS62279602A (ja) | 感湿セラミツク抵抗素子 | |
| JPH08186004A (ja) | 抵抗材料、それを用いた抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JPS6318841B2 (ja) | ||
| JPS5945964A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JPS58180001A (ja) | 厚膜感湿抵抗体 | |
| JP2853040B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用電極ペースト | |
| JPS5947702A (ja) | 感湿素子の製造方法 | |
| JPS6077167A (ja) | 感湿素材及び感湿素子 | |
| JPH058841B2 (ja) | ||
| JPS6229101A (ja) | 感湿抵抗体 | |
| JPS6059705A (ja) | サ−ミスタ材料 | |
| JPH05264494A (ja) | 感湿素子 | |
| JPS587041B2 (ja) | 相対湿度用感湿抵抗素子 | |
| JPH04206504A (ja) | 厚膜抵抗体組成物およびその製法 | |
| JPS62279601A (ja) | 感湿セラミツク抵抗素子 | |
| JPS594102A (ja) | 感湿素子 | |
| JPH0376562B2 (ja) |