JPS6227448B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6227448B2 JPS6227448B2 JP20960281A JP20960281A JPS6227448B2 JP S6227448 B2 JPS6227448 B2 JP S6227448B2 JP 20960281 A JP20960281 A JP 20960281A JP 20960281 A JP20960281 A JP 20960281A JP S6227448 B2 JPS6227448 B2 JP S6227448B2
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- Japan
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- hall
- composition ratio
- elements
- rare earth
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/372—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in magnetic thin films
- G11B5/374—Integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホール効果型磁気ヘツドに係り、ホー
ル効果型磁気ヘツドの例えば２個のホール素子を
構成する磁性膜を、同一種類の希土類元素と遷移
元素とのアモルフアス合金で構成し、さらにこの
磁性膜によつて構成される一方のホール素子の構
成元素の組成比を補償組成比より大きく、かつ他
方のホール素子の構成元素の組成比を補償組成比
より小さくしておくことにより、出力電圧の大き
なホール効果型磁気ヘツドを極めて簡単に作れる
ようになるホール効果型磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。
ル効果型磁気ヘツドの例えば２個のホール素子を
構成する磁性膜を、同一種類の希土類元素と遷移
元素とのアモルフアス合金で構成し、さらにこの
磁性膜によつて構成される一方のホール素子の構
成元素の組成比を補償組成比より大きく、かつ他
方のホール素子の構成元素の組成比を補償組成比
より小さくしておくことにより、出力電圧の大き
なホール効果型磁気ヘツドを極めて簡単に作れる
ようになるホール効果型磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。
ホール素子を用いたホール効果型再生用磁気ヘ
ツドにおいて、ホール素子の構成材料が決まる
と、そのホール出力電圧及び極性は自動的に決ま
つたものとなるので、ホール出力電圧を大きくす
るにはホール素子を複数個用いなければならな
い。しかし、ホール素子を複数個用いた場合にお
いて、各ホール素子によるホール出力電圧の極性
を同じにするには、各ホール素子に印加される磁
場が同一方向の場合には、電流方向も同一でなけ
ればならず、各ホール素子に流される電流源が同
一の場合には各ホール素子を接続する配線が複雑
になり、従来の薄膜パターニング技術ではその接
続配線作業が困難で、製造能率は極めて低いもの
となる。尚、各ホール素子にホール電流を同一方
向に並列接続して流す場合には、各ホール素子の
接続配線数が増加し、それだけ面倒で製造能率は
さらに低いものとなる。
ツドにおいて、ホール素子の構成材料が決まる
と、そのホール出力電圧及び極性は自動的に決ま
つたものとなるので、ホール出力電圧を大きくす
るにはホール素子を複数個用いなければならな
い。しかし、ホール素子を複数個用いた場合にお
いて、各ホール素子によるホール出力電圧の極性
を同じにするには、各ホール素子に印加される磁
場が同一方向の場合には、電流方向も同一でなけ
ればならず、各ホール素子に流される電流源が同
一の場合には各ホール素子を接続する配線が複雑
になり、従来の薄膜パターニング技術ではその接
続配線作業が困難で、製造能率は極めて低いもの
となる。尚、各ホール素子にホール電流を同一方
向に並列接続して流す場合には、各ホール素子の
接続配線数が増加し、それだけ面倒で製造能率は
さらに低いものとなる。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下
その実施例について説明する。
その実施例について説明する。
まず、本発明の具体的実施例について説明する
前に、複数個例えば２個のホール素子を構成する
アモルフアス合金磁性膜について述べる。本発明
において用いられるアモルフアス合金磁性膜は、
スパツタ法、蒸着法等の手段によつて作られ得る
が、今仮に二元蒸着法を用いて構成するとする
と、例えば第１図ａに示す如く、例えばFe又は
Co等の遷移金属をＡの蒸着源より基板１上に蒸
着させ、又例えばGd又はTb等の希土類金属をＢ
の蒸着源より基板１上に蒸着させると、基板１上
には希土類金属と遷移金属のアモルフアス合金よ
りなる所定パターン形状の垂直磁化膜２が構成さ
れる。
前に、複数個例えば２個のホール素子を構成する
アモルフアス合金磁性膜について述べる。本発明
において用いられるアモルフアス合金磁性膜は、
スパツタ法、蒸着法等の手段によつて作られ得る
が、今仮に二元蒸着法を用いて構成するとする
と、例えば第１図ａに示す如く、例えばFe又は
Co等の遷移金属をＡの蒸着源より基板１上に蒸
着させ、又例えばGd又はTb等の希土類金属をＢ
の蒸着源より基板１上に蒸着させると、基板１上
には希土類金属と遷移金属のアモルフアス合金よ
りなる所定パターン形状の垂直磁化膜２が構成さ
れる。
この垂直磁化膜２のαとβ間の例えばGdのFe
に対する濃度勾配はαとβ間においては第１図ｂ
の実線で示すようなものとなり、そして第１図ｂ
の一点鎖線で示されるような垂直磁化膜のαとβ
間におけるその抗磁力はGdの組成比が小さくな
るにつれて一点鎖線Ｃで示すように大きくなり、
そして補償組成比を境として抗磁力は一点鎖線
C′で示すように減少していき、この補償組成比
の両側においては垂直磁化膜によつて構成される
ホール素子２′と２″のホール出力電圧が同一ホー
ル電流方向及び同一磁場方向に対して逆極性を示
すものとなる。すなわち、上記のようにして１回
の蒸着で作られた例えば略コ字状の磁性薄膜は、
その両端部においてホール出力電圧の極性が逆な
ホール効果を有する素子となつている。
に対する濃度勾配はαとβ間においては第１図ｂ
の実線で示すようなものとなり、そして第１図ｂ
の一点鎖線で示されるような垂直磁化膜のαとβ
間におけるその抗磁力はGdの組成比が小さくな
るにつれて一点鎖線Ｃで示すように大きくなり、
そして補償組成比を境として抗磁力は一点鎖線
C′で示すように減少していき、この補償組成比
の両側においては垂直磁化膜によつて構成される
ホール素子２′と２″のホール出力電圧が同一ホー
ル電流方向及び同一磁場方向に対して逆極性を示
すものとなる。すなわち、上記のようにして１回
の蒸着で作られた例えば略コ字状の磁性薄膜は、
その両端部においてホール出力電圧の極性が逆な
ホール効果を有する素子となつている。
そこで、上記のようにしてホール出力電圧の極
性が逆なホール素子を２個有する垂直磁化膜２
を、磁気コア３，３′によつて構成される各リア
ギヤツプ４，４′に配したホール効果型磁気ヘツ
ドは、記録媒体からの磁場は各ホール素子２′，
２″に同一方向にかかり、又垂直磁化膜２の両端
に電源を接続して電流ｉを流すと、各ホール素子
２′，２″を直列に接続して取り出したホール出力
電圧ＶHは２個のホール出力電圧が合成されたも
のとなり、大きな出力電圧が得られる。
性が逆なホール素子を２個有する垂直磁化膜２
を、磁気コア３，３′によつて構成される各リア
ギヤツプ４，４′に配したホール効果型磁気ヘツ
ドは、記録媒体からの磁場は各ホール素子２′，
２″に同一方向にかかり、又垂直磁化膜２の両端
に電源を接続して電流ｉを流すと、各ホール素子
２′，２″を直列に接続して取り出したホール出力
電圧ＶHは２個のホール出力電圧が合成されたも
のとなり、大きな出力電圧が得られる。
そして、上記のように構成されたホール効果型
磁気ヘツドは、各ホール素子に電流を流す電源は
１個であつても各ホール素子のホール出力電圧の
極性が逆であるので各ホール素子の接続は極めて
簡単であり、特別な配線を施す必要はなく、又ホ
ール出力電圧の取り出しに複雑な配線を施す必要
もない。
磁気ヘツドは、各ホール素子に電流を流す電源は
１個であつても各ホール素子のホール出力電圧の
極性が逆であるので各ホール素子の接続は極めて
簡単であり、特別な配線を施す必要はなく、又ホ
ール出力電圧の取り出しに複雑な配線を施す必要
もない。
尚、第２図中、５はフロントギヤツプ、６はコ
ンデンサーである。
ンデンサーである。
上述の如く、本発明に係るホール効果型磁気ヘ
ツドは、磁極間に設けた複数のホール素子を同一
種類の希土類元素と遷移元素とのアモルフアス合
金磁性膜で構成し、これら複数のホール素子のう
ち或るホール素子は希土類元素の遷移元素に対す
る組成比を補償組成比より大きく、かつ前記ホー
ル素子の隣りのホール素子は希土類元素の遷移元
素に対する組成比を補償組成比より小さく構成し
たので、出力電圧の大きなものとなり、しかもこ
の出力電圧の大きなものを得る為の各ホール素子
の接続は極めて簡単なものとなり、製造能率よく
作ることができる等の特長を有する。
ツドは、磁極間に設けた複数のホール素子を同一
種類の希土類元素と遷移元素とのアモルフアス合
金磁性膜で構成し、これら複数のホール素子のう
ち或るホール素子は希土類元素の遷移元素に対す
る組成比を補償組成比より大きく、かつ前記ホー
ル素子の隣りのホール素子は希土類元素の遷移元
素に対する組成比を補償組成比より小さく構成し
たので、出力電圧の大きなものとなり、しかもこ
の出力電圧の大きなものを得る為の各ホール素子
の接続は極めて簡単なものとなり、製造能率よく
作ることができる等の特長を有する。
第１図ａは本発明に係るホール効果型磁気ヘツ
ドに用いるアモルフアス合金磁性膜の製造の説明
図、同図ｂはこのアモルフアス合金磁性膜の特性
説明図、第２図は本発明に係るホール効果型磁気
ヘツドの１実施例の説明図である。 ２′，２″……ホール素子、３，３′……磁気コ
ア、４，４′……リアギヤツプ。
ドに用いるアモルフアス合金磁性膜の製造の説明
図、同図ｂはこのアモルフアス合金磁性膜の特性
説明図、第２図は本発明に係るホール効果型磁気
ヘツドの１実施例の説明図である。 ２′，２″……ホール素子、３，３′……磁気コ
ア、４，４′……リアギヤツプ。
Claims (1)
- １ 磁極間に設けた複数のホール素子を同一種類
の希土類元素と遷移元素とのアモルフアス合金磁
性膜で構成し、これら複数のホール素子のうち或
るホール素子は希土類元素の遷移元素に対する組
成比を補償組成比より大きく、かつ前記ホール素
子の隣りのホール素子は希土類元素の遷移元素に
対する組成比を補償組成比より小さく構成したこ
とを特徴とするホール効果型磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20960281A JPS58114323A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ホ−ル効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20960281A JPS58114323A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ホ−ル効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114323A JPS58114323A (ja) | 1983-07-07 |
| JPS6227448B2 true JPS6227448B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=16575524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20960281A Granted JPS58114323A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ホ−ル効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468656U (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-17 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP20960281A patent/JPS58114323A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468656U (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58114323A (ja) | 1983-07-07 |
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