JPS62274760A - 電子アセンブリの製造方法 - Google Patents

電子アセンブリの製造方法

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JPS62274760A
JPS62274760A JP11718387A JP11718387A JPS62274760A JP S62274760 A JPS62274760 A JP S62274760A JP 11718387 A JP11718387 A JP 11718387A JP 11718387 A JP11718387 A JP 11718387A JP S62274760 A JPS62274760 A JP S62274760A
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JP
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net
nets
pads
signal
waveform
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JP11718387A
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English (en)
Inventor
ジョセフ ピーター サヴッキ
ニコラス アーサー テネケットジェス
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AT&T Corp
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American Telephone and Telegraph Co Inc
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Publication date
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    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/3193Tester hardware, i.e. output processing circuits with comparison between actual response and known fault free response
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/2805Bare printed circuit boards

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 発明の技術分野 本発明は上に複数の微細相互接続が形成される基板を含
む電子アセンブリ、より詳細には、この電子アセンブリ
を製造するときに使用されるテスト方法に関する。
発明の技術的背景 さらに高い性能の電子アセンブリの実現を追求して、集
積回路の非常に高密度の相互接続を達成するための各種
のアプローチが試みられている。1つの周知のアプロー
チにおいては、リソグラフィツク的に描かれた微細導線
の高密度パターンが基板上に形成される。
そして、このパターンが基板上に相互接続パターンの部
分と電気的に接触するように搭載される複数の集積回路
チップを相互接続するために使用される。
この周知の相互接続基板は所定のパターンにて基板の周
辺に沿って位置する複数の入力/出力パッドに接続され
た複数の接近して位置する導線を含む。これに加えて、
これら導線は基板の表面の内側部分全体に分散するパッ
ドにも延びる。より具体的には、これら内側パットは、
チップが相互接続パターンに取り付けられる所定の領域
に位置する。チップ上のボンディング パッドは、例え
ば、標準のフェース ダウン半田ボンディング技術(f
ace−down solder−bonding t
echniques)を使用して相互接続基板上のこれ
ら内側パッドに取り付けられるように設計される。
実際には、上に説明の基板相互接続パターンは導線から
成り、パッドは典型的には複数のいわゆる相互接続ネッ
トから成る。ネットは2つあるいはそれ以上のパッド間
の連続した電気接続から構成される。個々のネットは他
の全てのネットから電気的に絶縁される。
基板相互接続パターンを完全にテストし、必要であれば
、チップがこれらに取り付けられる前にこれらを修理す
ることが重要である。
パターン内の個々のネットについて、パッド間の連続性
をテストする必要がある。従って、2つ以上のパッドを
持つ個々のネットは、通常、連続性をチェックするため
に複数回におよぶプローブ操作を必要とする。さらに1
個々のネットについて、付近のネット、あるいはパワー
あるいはアース導線との間に短絡がないかテストするこ
とが必要とされる。これはさらに追加のプローブ操作を
要求する。このようなテストによって、相互接続パター
ン内の欠陥の性質及び場合によっては欠陥の概ねの位置
が決定される。
ただし、上に説明の方法は高密度微細相互接続基板に対
して使用された場合、非常に手間のかかる作業となる。
従って、従来のテスト方法は相互接続基板を含む電気ア
センブリの総コストを大きく押し上げる要因となる。
このため、相互接続基板をテストするためのより効果的
な方法を考案するための努力が払われている。 これら
努力は、成功した場合、向上された低コストの電子アセ
ンブリを提供することに大きく貢献することは明らかで
ある。
発明の概要 つまり、本発明は電子アセンブリを製造するためのより
コスト効率の高い方法を提供することを目的とする。よ
り詳細には、本発明は電子アセンブリ内に含まれる相互
接続基板をテストするための改良された方法を提供する
ことを目的とする。
要約すると、本発明のこれら及びその他の目的は本発明
の一例としての実施態様において実現されるが、 この
実施態様においては、その上に複数の相互接続ネットを
持つ基板が比較的高速度にてテストされる。本発明によ
ると、個々のネットはテスト プローブにて一度接触さ
れるのみである。所定のテスト波形が個々のネットの1
つのパッドに加えられる。次に、ネットからプローブさ
れたパッドに反射される波形が前もって測定された良好
な対応するネットから、あるいは良好なネットを表わす
設計情報から得られる反射波形と比較される。これから
個々のネット内の欠陥の性質(例えば、開路、短絡)及
び位置がすみやかに決定される。より具体的には、個々
が2つあるいはそれ以上のパッド間の連続した電気接続
から構成され、要素を基板上に選択されたパッドと電気
的に接触するように搭載する前にそれらの電気的なテス
トを必要とする複数のネットを含む相互接続基板を含む
゛電子アセンブリを製造する方法に関する。より具体的
には、本発明による方法においてはテスト信号が、ネッ
トの状態を表わす信号がパッドに反射されるように1個
々のネットの1つのパッドのみに加えられ、反射信号が
テスト下の良好なネットを表わす標準信号と比較される
本発明は以下の詳細な説明を図面を参照しながら読むこ
とによって一層明白となるものである。
実施例 第1図には一例としての相互接続基板が示され、以下に
詳細に説明される。本発明の原理は、特にこのタイプの
基板の製造に有効である。ただし、本発明の原理は電子
アセンブリ内に含まれる他のさまざまな相互接続基板に
も応用できることは明白である。
第1図に示される一例としての相互接続基板は、例えば
、約500 マイクロ メートル(μm)のZ方向の厚
さを持つシリコンから成るウェーハ10から構成される
。−例として、ウェーハ10は一片が約10センチメー
トル(cm)の正方形とされる。
当分野において周知の標準の方法によって、リングラフ
イック的に描かれたX−及びY −信号導線を含む多重
レベル金属化パターンが第1図のウェーハ10上に形成
される。図面を不要に複雑にするのを避けるため、第1
図には、これら複数の導線の一部のみが示される。
第1図に示される一例としての特定の実施態様において
は、ウェーハ10の周辺に複数の導電ポンディングパッ
ド12が位置する。
これに加えて、セットの導電ポンディングパッド、例え
ば、セットの14から17として示されるボンディング
 パッドが示される相互接続基板の内側部分全体に位置
する。第1図には、これら複数の内側及び周辺パッドの
一部のみが示される。個々のセットの内側パッドは、そ
の後取り付けられる集積回路チップ上の対応するメーテ
ィング パッドとコンタクトするように設計される。点
線、例えば、パッド14から17のまわりの点線18は
後に取り付けられる集積回路チップの輪郭を示す。 こ
の取り付けは、例えば、従来のフェース ダウン半田ボ
ール結合技術(face−down 5older−b
all bondingtechniques)を使用
して行なわれる。
第1図に示されるタイプの相互接続基板はさらに典型的
には1例えば、当分野において周知のように平坦な部材
から成るアース及びパワー導、W(図示なし)を含む。
−例としてこれら平坦な導線、並びに前述のX−及びY
−信号導線及びボンディング パッドは、典型的には、
適当な金属、例えば、アルミニウムあるいは銅から作ら
れる。導線を電気的に絶縁するために、従来のインタレ
ベル誘電体(interlevel dielectr
ics)が使用される。
第1図に示されるように、X一方向セグメント21及び
23並びにY一方向セグメント22から成る信号導線2
0は周辺ボンディング パット12と内側ボンディング
 パッド14の間で延びる。−例として、導線20及び
示される他の導線は約10から20μm幅及び約2μm
のZ方向の厚さを持つ。これら信号導線は実際には互い
に10μm程度まで接近して位置する。個々のパッド1
2及び14並びに示される基板上の他の個々のパッドは
例えば、約100μmX100μmの大きさ及び約2μ
mの厚さを持つ。この特定の実施態様においては、周辺
パッド12の中心間距離は約200μmとされる。
従って、第1図に示される上に説明のこの特定のタイプ
の相互接続基板では、ウェーハ10の周辺に数十個のボ
ンディング パッド12が分散する。そして、これらパ
ッドの各々は信号導線、あるいは前述のパワーあるいは
アース導線の1つに電気的に接続される。
同様に、第1図に示される個々のチップ位置の所のボン
ディング パッドもこれら導線に接続される。現実的な
実施態様においては、第1図に示される特定の相互接続
基板設計内に約100個のチップ位置が含まれる。
前述のごとく、第1図に示されるような導線とパッドの
パターンは、複数のいわゆる相互接続ネットから構成さ
れるものとみなすことができる。個々のネットは2つあ
るいはそれ以上のパッド間の連続した電気的な相互接続
から成る。例えば、この特定の相互接続ネットの一部は
、上に説明の左上の周辺パッド12、信号導線セグメン
ト21から23及び内側パッド14を含むにのネットは
さらに信号導線セグメント26から32及び内側パッド
34及び36を含む。
第1図に示される多重相互接続ネットのテストは、通常
チップをウェーハ10に取り付ける前に遂行される。相
互接続ネットのサイズが小さく数が多いことからこの高
密度の相互接続パターンの欠陥、例えば、開路及び短絡
を系統的にテストすることは非常に大変なことであるこ
とが想像できる。
第1図の相互接続基板をテストするためには、さまざま
な方法が使用できる。例えば。
相互接続ネット内の信号導線の連続性はパッド間の導線
セグメントの直流導電率を順に測定することによって決
定できる。
つまり、上に説明の一例としてのネットにおいては、左
上の周辺パッド12と内側パット14の間に延びる導線
セグメントは、それぞれこれらパッドにテスト プロー
ブを当てることによってテストできる。このセグメント
の電気的な連続性が決定されたら1次に周辺パッド12
に当てられたプローブが内側パッド34に移動される。
こうして、導線セグメント26から30がチェックされ
る。その後、パッド14に当てられたプローブが内側パ
ッド36に移動され、これによって導線セグメント30
から32の連続性がチェックされる。
上に説明の3回のプローブ操作によって。
上に説明の特定のネットが内部に開路を持たないかテス
トされる。2つのパッド間に複数の直接接続を持つ他の
全ての個々のネットについても連続性テストのために複
数回におよぶプローブ操作が必要とされる。
これに加えて、第1図に示される相互接続基板内の個々
のネットは、短絡についてもチェックすることが必要で
ある。テスト下のネットとその付近の他のネットとの間
、あるいはテスト下のネットとパワーあるいはアース導
線との間にこの短絡が存在する可能性がある。
短絡のテストは、典型的には、1つのテスト プローブ
をテストされるネットの1つのパッドに当て、もう1つ
のテスト プローブを順にその付近のネット内に含まれ
るパッド並びにパワー及びアース導線に当てることによ
って達成される。このプローブ操作において、所定の最
低値以下の直流抵抗がみられたとき、短絡が存在すると
みなされる。
上に説明のテスト方法は、相互接続基板の個々のネット
に対して複数回におよぶプローブ操作を要求することが
わかる。従って、この方法は非常に手間と費用がかかる
。さらに、個々のネットのパッドあるいは導線にすり傷
などの致命的な損傷を与える確率はネットに対して遂行
されるプローブ操作の回数に正比例する。
本発明の原理によると、第1図に示されるような相互接
続基板が比較的高速度にてテストされる。より具体的に
は、テストは個々の相互接続ネットに対して1度のプロ
ーブ操作のみを必要とする。この方法によると、欠陥、
例えば、個々のネット内の開路、短絡及び他の不規則の
存在が簡単に発見できる。さらに、多くの場合、これに
よって欠陥の位置も固定できる。
第2図は、本発明による新規のテスト方法を実現するた
めに使用される一例としてのシステムの略図を示す。第
2図において、テストされる相互接続基板は上に説明の
第1図に示されるタイプのウェーハ1oから成る。図面
が不当に複雑となるのを回避するため、第2図には、ウ
ェーハ10上に含まれる複数のネットの中の1つのみが
実際に示される。示されるネットはパッド12,40.
42及び43並びに信号導線44.46及び47から構
成される。
本発明によると、テストされる個々のネットの1つのパ
ッドとコンタクトするために先の鋭くとがったプローブ
が使用される。第2図に示されるように、例えば、直径
約10μmのチップを持つ導電プローブ50が、ウェー
ハ10上に含まれる前述のネットのパッド12に当てら
れる。
第2図のプローブ50は、プローブ50にリンク斜にニ
リ機械的に結合された標準のX−Y−Z微細位置決め器
52によってテストされるべき個々のネットのパッドに
順にコンタクトするように制御される。一方、微細位置
決め器の動作は、制御ユニット56からこれに加えられ
る電気信号によって決定される。1つの実施態様におい
ては、ユニット56は。
微細位置決め器52をプローブ5oが個々のネットのパ
ッドに順に当たるように動作するようにプログラムされ
たコンピュータから成る。実際には、プローブ5oが個
々のパッドと接触したままにとどまる時間は、例えば、
たった約20ミリ秒とされる。プローブ50が、あるパ
ッドと接触したある位置から別のネットの次のパッドと
接触したある位置に移動するために必要とされる時間は
、たった約60から80ミリ秒である。従って2000
個のネットを含む高密度微細相互接続基板であっても全
てのネットを順にプローブするのにたった約200秒で
すむ。
電気信号が標準の波形生成器及び受信器ユニット58か
らプローブ50(第2図)に加えられる。ユニット58
とプローブ58の間には1つのリードのみが明示される
が、実際には、もう1つのリードがユニット58と相互
接続基板の基準電位ポイントとの間に延びる。このポイ
ントは、例えば、相互接続基板内に含まれる前述のアー
ス導線上のポイントとされる。
理想的には、第2図のユニット58はパットにプローブ
50を介して第3図に示される急速な立上り時間を持つ
電圧波形60を加えるように設計される。しかし、ロー
ドディング及びその他の影響により、テストされるネッ
トのパッドに加えられる波形は、実際には理想のステッ
プ タイプの波形とだいぶずれる。実際に加えられる波
形については、後に第4図の説明との関連において述べ
られる。
第2図に示されるユニット58は、例えば従来の時間領
域反射率計を含む。典型的な時間領域反射率計が、ヒユ
ーレット パラカード社(Hewlett−Packa
rd  Co 、+) *  120ウエスト センチ
ユリ−ロード(120WestCentury Roa
d)、パラマス(Paramus)−ニューシャーシ(
Ne w Jersey) 、あるいはテクトロニクス
社(Tektronix co、+L 40  ギルレ
イン(40G11l Lane)、 ウッドブリッジ(
す00d−bridge)、ニューシャーシ(New 
Jersey)から(TDRプラグ−インを持つモデル
7104オシロスコープあるいはTDRオプションを持
つモデル8510ネツトワーク アナライザとして)市
販されている。
従来は1時間領域反射率計は海底ケーブルあるいは長距
離伝送システム内で使用されるタイプの地上回線をテス
トするのに使用されてきた。ただし、時間領域反射率計
をここに説明のタイプの高密度微細相互接続基板のテス
トとの関連で使用しているあるいは使用を示唆している
例はない。このようなタイプの基板のテストには、時間
がかかるにもかかわらず、これ以外のテスト方法、例え
ば、前述のテスト方法が使用されてきた。時間領域反射
率計を複数の相互接続ネットを含む微細電子アセンブリ
に使用することに着眼し、大きな向上を達成したのは本
発明が初めてである。
これは周知の方法を以前はこの種のテスト方法が使用で
きるとは考えも及ばなかったタイプのアセンブリに応用
するという概念に基づく。従来の方法を想像もつかなか
った微細電子アセンブリに応用することによって、これ
まで満足できる解決法がどうしても見つからなかった厄
介な問題が一挙に解決するに至った。
ステップ波形を理想化された無欠陥の導線に加えると、
第3図に実線62にて示されるタイプの反射波が得られ
る。導線に沿ったある点に開路、つまり、切断が存在す
ると、反射波内に正に向かうスパイクが発生する。この
スパイクが、第3図に点線64によって示される。第3
図の横軸上に示されるスパイク64の発生時間は、テス
ト下の導線内の開路部分からステップ波を加えたポイン
トまでの距離に正比例する。従って、第3図の横軸はテ
スト下の導線に沿っての距離を直接に表わすものとみる
ことができる。
テスト下の導線に沿ったあるポイントの所に短絡が存在
する場合は、第3図の理想化された反射波内に負に向か
うスパイクが発生する。上と同様に、スパイク66の発
生時間は導線内の欠陥点からステップ波を加えたポイン
トまでの距離に正比例する。
ここに説明のタイプの実際の相互接続基板では1個々の
ネットは、通常、枝、パッド及び他の不連続を含み、こ
れによって反射波は第3図に示される理想化された曲線
より少し複雑になる。さらに、この基板上の複数の全て
ではないにしても多くのネットは、構造が互いに異なる
。従って、個々のネットが入力ステップ信号が加えられ
ると比較的複雑な特定の反射波にて応答する。
本発明の原理によると、テスト下のプローブされる個々
の相互接続ネットから反射された波形が欠陥を持たない
ネットを表わす波形と比較される。この後者の波形、つ
まり、標準波形は実際の良好な個々のネットから、ある
いは個々のネットの設計情報から得られる。
−例として、この標準波形が相互接続基板のネットがプ
ローブされる順にデジタル データ信号の形式にてユニ
ット68(第2図)に格納される。
これに加えて、テスト下の個々のネットから反射された
波形は、第2図の発生器及び受信器ユニット58によっ
て標準のコンバータユニット70に加えられる。ユニッ
ト70内において、個々の波形は当分野において周知の
従来の方法によってデジタル データ信号に変換される
。次に、標準ユニット72内で、それぞれ一連のポイン
トの反射波形を表わす一連のデジタル信号がユニット5
6の制御下においてデータ記憶ユニット68内に格納さ
れた対応するデジタル信号と1ポイントずつ比較される
。これら後者のデジタル信号はそれぞれ実際の良好なテ
スト下のネットと関連する標準波形上のポイントを表わ
す。
第2図に示されるユニット72によって遂行される1ポ
イントごとの比較によって、テスト下のネットから派生
される反射波形の特定のポイントと関連する標準波形の
対応するポイントとの間の差異の指標を得ることが可能
である。さらに、ユニット72は2つの比較されたポイ
ント間のデジタル信号に検出される差異が正であるか負
であるかの指標を与える。この指標は、結果的に、この
差異がテスト下のネットから派生される反射波形が正方
向のずれに起因するかあるいは負の方向のずれに起因す
るかを示す。従って、検出される差異の符号によって検
出された欠陥の性質(開路であるか短絡であるか)がわ
かる。さらに、欠陥信号を与える2つのポイントの比較
の発生時間は、テスト下のネット内の欠陥位置の直接的
な指標となる。
一例として、第2図の比較器ユニット72の出力は標準
のディスプレイ ユニット74に接続される。欠陥位置
の発見及び修理を楽にするため、ユニット74は、例え
ば、どのネットが現在テストされているか、検出された
欠陥の性質及び概ねの位置といった情報を表示するよう
に設計される。
ユニット74上に表示される欠陥情報は。
必要であれば、ユニット68内にも格納される。従って
、ある相互接続基板について−通りのテスト サイクル
が完結した時点において、ユニット68内に存在する場
合、テストされた複数のネットのどのネットに欠陥が存
在するかについての完全な情報が格納される。
次に、いくつのネットに欠陥があるか、及びそれら欠陥
の性質及び位置などの要因に基づいて基板に修理が必要
であるか否か決定される。
その後、チップ(及び/或いは他の電子要素)が、テス
トによって良好であることが決定された、あるいはテス
トの後に修理された基板上に搭載される。これら要素を
基板上の相互接続ネットに搭載、つまり、電気的に接続
するには、さまざまな方法、例えば、フェースダウン半
田ポールボンディング(face−down 5old
er−ball bonding)を使用することがで
きる。
第4図は、本発明の原理に従って遂行されるテスト サ
イクルの間に実際にR察されるさまざまな波形の一例を
示す。−例として、第4図の曲線76は、第2図に示さ
れる良好な特定の相互接続ネットに加えられ、これから
反射される標準の波形を表わす。上に説明の一例として
のテスト手順においては、標準波形76を表わすデジタ
ル データ信号が第2図のユニット68内に格納される
ここで、第2図に示される特定の相互接続ネット内に1
つの欠陥が存在するものと仮定する。より具体的には、
1つの導線44のポイント78の所に開路、つまり、切
断が存在するものと仮定する。この欠陥を持つネットを
テストすることによって得られる波形が第4図において
参照番号80によって示される。
前述のごとく、この波形80が第2図のユニット58に
よってコンバータ ユニット70に加えられ、ここで波
形8oを表わすデジタル データ信号が生成される。
第4図の波形76と80の上に説明のデジタル データ
信号の比較がユニット72(第2図)内で遂行される。
この波形間の差異が第4図の波形82によってグラフ的
に示される。
第4図のto  からtL  までの期間は、波形76
と80は概ね同一である。従って、差異波形82はこの
期間は平坦、つまりゼロ差異部分を構成する。波形80
のポイント83において、波形80は標準波形76から
正の方向にずれ始める。従って、差異波形82の対応す
るポイント84の所で、波形82は良好なネットとテス
ト下の欠陥ネットの間に差異が存在することを示し始め
る。ポイント84の所のこの平坦でない差異信号の最初
の発生は概ねtl の直後である。前述のごとく、この
最初の発生はまた最初にテスト信号が加えられたパッド
12からの欠陥(開路)の位置も示す。
もう1つの例として、第2図に示される特定の相互接続
ネット内に1つの異なるタイプの欠陥が存在するものと
仮定する。より具体的には、1つの導線46のポイント
85の所に他のネットあるいはパワーあるいはアース導
線への短絡が存在するものと仮定する3この欠陥ネット
をテストすることによって得られる波形が、第4図に参
照番号86によって示される。前述のごとく、この波形
86が第2図のユニット58によってコンバータ ユニ
ット70に加えられ、ここで波形86を表オ〕すデジタ
ル データ信号が生成される。
第4図の波形76と86のこのデジタルデータ信号の比
較がユニット72(第2図)内で遂行される。これら波
形の差異が第4図の波形87によってグラフ的に示され
る。
第4図のto  からし2 までの期間は、波形76と
86は概ね同一である。従って、差異波形87はこの期
間は平坦、つまりゼロ差異部分を構成する。波形86の
ポイント88において、波形86は標準波形76からの
負の方向へのずれを開始する。結果として、差異波形8
7上の対応するポイント89の所で、波形87は良好な
ネットとテスト下の欠陥ネットとの間に差異が存在する
ことを示し始める。ポイント89の所のこの平坦でない
差異信号の最初の発生は、概ねt2 の直後に起こる。
また、この最初の発生は最初にテスト信号が加えられた
パッド12から欠陥(短絡)までの距離の位置も示す。
上に説明の方法及び構成は単に本発明の原理を解説する
ためのものであり、当業者においては、本発明の精神及
び範囲から逸脱することなく、他のさまざまな変形を考
案できることは明白である。
【図面の簡単な説明】
第1図は9本発明の原理が応用されるタイプの相互接続
基板の正面図を示し: 第2図は、本発明の原理に従って相互接続基板をテスト
するように設計された一例としてのシステムの略図を示
し;そして 第3図及び第4図は、第2図のシステムの動作モードを
説明するために選ばれた代表的な波形を示す。 (主要部分の符号の説明) ネット ・・・・・・ 12.40.42.43.44
.46.47相Tc接続基板 ・・・・・・ fO パッド ・・・・・・ 12.40.42.43テスト
信号  ・・・・・・ 76 ネツトの状態を表わす信号 (反射信号) ・・・・ 76.80.86FIG、1 FIG、2 を 重圧 晴間(跨難) ヒ ト 「 O 劇%ra (’2巨鎚ン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数のネット(例えば、12、40、42、43、
    44、46、47)を含む相互接続基板(つまり、10
    )から成る電子アセンブリを製造する方法において、個
    々のネットが2つあるいはそれ以上のパッド(つまり1
    2、40、42、43)の連続した電気接続を持ち、こ
    のネットが該基板上に要素を選択されたパッドと電気的
    に接触するように搭載する前に電気的にテストされ、該
    方法が個々のネットの1つのパッド(つまり12)のみ
    にテスト信号(つまり、76)を加え、これによって該
    ネットの状態を表わす信号(つまり、76、80あるい
    は86)が該パッドに反射されるようにするステップ、
    及び 該反射信号(つまり、76、80あるいは86)をテス
    トされるネットと対応する良好なネットを表わす標準信
    号(つまり、76)と比較するステップを含むことを特
    徴とする電子アセンブリの製造方法。 2、特許請求の範囲第1項に記載の方法において、テス
    ト信号が該ネットにプローブ(つまり、50)を介して
    加えられ、該方法がさらに該プローブ(つまり、50)
    をプログラムされた手順に従ってテストされるべき個々
    のネットの選択されたパッドに順に接触するように移動
    するステップを含むことを特徴とする製造方法。 3、特許請求の範囲第2項に記載の方法において、さら
    に テストされるネットと対応する良好なネットを代表する
    セットの標準信号を格納するステップ、 該格納された標準信号を該プログラムされた手順と調和
    するように比較器ユニット(つまり、72)に加えるス
    テップ、及び同時に該比較器ユニット(つまり、72)
    にテストされるべきネットのパッドに接触することによ
    って得られる一連の反射信号を加えるステップを含むこ
    とを特徴とする製造方法。 4、特許請求の範囲第3項に記載の方法において、 該格納されたセットの信号が該標準信号を表わすデジタ
    ルデータ信号から成り、該方法がさらに 該反射信号を該比較器ユニット(つまり、72)に加え
    る前にそのデジタルデータ信号形式に変換するステップ
    を含むことを特徴とする製造方法。 5、特許請求の範囲第4項に記載の方法において、さら
    に 該比較器ユニット(つまり、72)の一連の出力を表示
    することによって、反射信号と対応する標準信号との間
    に差異が存在する場合には、その差異が視覚的に示され
    るようにするステップを含むことを特徴とする製造方法
JP11718387A 1986-05-16 1987-05-15 電子アセンブリの製造方法 Pending JPS62274760A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1286724C (en) * 1986-03-27 1991-07-23 Richard Ralph Goulette Method and apparatus for monitoring electromagnetic emission levels
US5513188A (en) * 1991-09-10 1996-04-30 Hewlett-Packard Company Enhanced interconnect testing through utilization of board topology data
US5266901A (en) * 1992-05-29 1993-11-30 International Business Machines Corp. Apparatus and method for resistive detection and waveform analysis of interconenction networks
DE19541307C2 (de) * 1995-11-06 2001-09-27 Atg Test Systems Gmbh Verfahren zum Prüfen von elektrischen Leiteranordnungen und Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens
JP5244990B1 (ja) * 2012-03-01 2013-07-24 株式会社東芝 不良検出装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2514902A1 (fr) * 1981-10-20 1983-04-22 Cables De Lyon Geoffroy Delore Procede de mesure de l'impedance d'une prise de terre et dispositif en faisant application

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