JPS62276751A - 光放射電子管 - Google Patents
光放射電子管Info
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- JPS62276751A JPS62276751A JP12061286A JP12061286A JPS62276751A JP S62276751 A JPS62276751 A JP S62276751A JP 12061286 A JP12061286 A JP 12061286A JP 12061286 A JP12061286 A JP 12061286A JP S62276751 A JPS62276751 A JP S62276751A
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Landscapes
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［技術分野１
本発明は管体内部に封入した光放射気体を電子の衝突に
より励起させ、光を管体外へ放射する光放射電子管に関
するものである。
より励起させ、光を管体外へ放射する光放射電子管に関
するものである。
［背景技術］
従来技術として、たとえば、特開昭５７−１３０３６４
号公報に開示されたようなランプがある。
号公報に開示されたようなランプがある。
かかるランプは第５図に示すように管体１内を完全な真
空とするのではなく、例えば水銀蒸気が数ｍＴｏｏｒ程
度存在する低真空とし、熱電子放出型カソード２より放
出された電子を電界により加速すると共にアノード３を
電子通過性の形状にすることにより、電子の大半を背後
空間４°で紫外線放射気体である水銀蒸気に衝突させて
水銀を励起して紫外線放射を起こし、この紫外線を管体
１の内面に塗布せる蛍光体（紫外線励起型）に当て、所
望の可視光変換を行わせるものである。尚同図中５は直
流電源である。
空とするのではなく、例えば水銀蒸気が数ｍＴｏｏｒ程
度存在する低真空とし、熱電子放出型カソード２より放
出された電子を電界により加速すると共にアノード３を
電子通過性の形状にすることにより、電子の大半を背後
空間４°で紫外線放射気体である水銀蒸気に衝突させて
水銀を励起して紫外線放射を起こし、この紫外線を管体
１の内面に塗布せる蛍光体（紫外線励起型）に当て、所
望の可視光変換を行わせるものである。尚同図中５は直
流電源である。
ところでかかる従来例においては電子を背後空間４゛に
入射させるために、管体１内部の空間電荷の影響を除去
させる必要があった。そのためアノードには封入物質の
電離電圧以上の電位をかけ、管体１内をプラズマ状態に
しなければならず、その結果背後空間４゛内の電子エネ
ルギはｆ：ｔＳＧ図の口面線で示すようにかなり高く、
励起発光に最適な値（第６図のイ曲＃ｌ）からは大きく
ずれており、非常に発光効率が悪いという問題があった
。
入射させるために、管体１内部の空間電荷の影響を除去
させる必要があった。そのためアノードには封入物質の
電離電圧以上の電位をかけ、管体１内をプラズマ状態に
しなければならず、その結果背後空間４゛内の電子エネ
ルギはｆ：ｔＳＧ図の口面線で示すようにかなり高く、
励起発光に最適な値（第６図のイ曲＃ｌ）からは大きく
ずれており、非常に発光効率が悪いという問題があった
。
［発明の目的］
本発明は上記の欠点に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは管体内での電子のエネルギを低下させ、
より発光効率のよい光放射電子管を提供するにある。
とするところは管体内での電子のエネルギを低下させ、
より発光効率のよい光放射電子管を提供するにある。
［発明の開示］
本発明は内部に光放射気体が封入され、光放射に対して
透光性を有する管体の内部に熱電子放出型カソードと内
部が空洞のアノードを有し、該カソードとアメーーとの
位置関係が、アノードとカソードとの距離が電子平均自
由行程以下とし且つアノードとＷ壁との距離が上記電子
平均自由行程より十分に大きな距離となるようにカソー
ド及びアノードを夫々配設し、カソード近傍の管壁付近
に静磁界発生源を設けるとともに該静磁界発生源と上記
アノードに対して反対側の管壁付近に別の静磁７１Ｌ９
１生源を設けたことを特徴とするものであるゆ 以下本発明を実施例により説明する、 及（九 第１図は実施例の概略構成を示しており、透光性を有す
る、例えば球状の管体１内には水銀、セシウム、ナトリ
ウム等の光放射気体が封入され、管壁近傍には熱電子放
出型カソード２を配設するとともに、該カソード２に対
して対向するように環状のアノード３を配設し、更にカ
ソード２の近傍のＩＦ！壁外には静磁界発生ｒｊ、６を
配置し、更に７）−ド３に対して反対側に位置する管壁
外に別の静磁界発生源６を配置しである。ここでアノー
ド３の閉塞平面の中心１こ対して直交する線上に位置す
るカソード２からの距離をＬｏ、そしてアノード３のｒ
Ｍ泰平面の中心に対して直交する線上に位置する反力ソ
ード２側の管壁までの距離をＬとし、電子の平均的自由
工程をλとするとＬ゛≦λ（＜Ｌなる関係が成立するよ
うに夫々の配置関係を定めている。つまり正特性放電が
得られるようにしである。
透光性を有する管体の内部に熱電子放出型カソードと内
部が空洞のアノードを有し、該カソードとアメーーとの
位置関係が、アノードとカソードとの距離が電子平均自
由行程以下とし且つアノードとＷ壁との距離が上記電子
平均自由行程より十分に大きな距離となるようにカソー
ド及びアノードを夫々配設し、カソード近傍の管壁付近
に静磁界発生源を設けるとともに該静磁界発生源と上記
アノードに対して反対側の管壁付近に別の静磁７１Ｌ９
１生源を設けたことを特徴とするものであるゆ 以下本発明を実施例により説明する、 及（九 第１図は実施例の概略構成を示しており、透光性を有す
る、例えば球状の管体１内には水銀、セシウム、ナトリ
ウム等の光放射気体が封入され、管壁近傍には熱電子放
出型カソード２を配設するとともに、該カソード２に対
して対向するように環状のアノード３を配設し、更にカ
ソード２の近傍のＩＦ！壁外には静磁界発生ｒｊ、６を
配置し、更に７）−ド３に対して反対側に位置する管壁
外に別の静磁界発生源６を配置しである。ここでアノー
ド３の閉塞平面の中心１こ対して直交する線上に位置す
るカソード２からの距離をＬｏ、そしてアノード３のｒ
Ｍ泰平面の中心に対して直交する線上に位置する反力ソ
ード２側の管壁までの距離をＬとし、電子の平均的自由
工程をλとするとＬ゛≦λ（＜Ｌなる関係が成立するよ
うに夫々の配置関係を定めている。つまり正特性放電が
得られるようにしである。
次に本発明光放射電子管の動作を第２図の原理図１こ基
づいて説明する。
づいて説明する。
まずカソード２と７）−ド３間に直流電圧を印加し、カ
ソード２を飛び出した電子は静磁界発生源６．６間の磁
力線（図において破線で示す）ｌこ巻き付きながらアノ
ード３の背後空間である発光空間４に入射し、そこで封
入しである光放射気体と衝突するまでその磁力線に沿っ
て往復運動をする。
ソード２を飛び出した電子は静磁界発生源６．６間の磁
力線（図において破線で示す）ｌこ巻き付きながらアノ
ード３の背後空間である発光空間４に入射し、そこで封
入しである光放射気体と衝突するまでその磁力線に沿っ
て往復運動をする。
従って静磁界発生源６．６の位置を変化させて磁力線の
分布を発光領域を自由に変化させることができろ。
分布を発光領域を自由に変化させることができろ。
次に電子の持つエネルギについて１１３図により説明す
ると、カソード２を飛び出した電子が例えば環状のアノ
ード３の閉塞平面を突き抜けるような軌跡αを通っｔこ
とすると、そのエネルギは７メ一ド電位、Ｅは？Ｉ！界
の強さ）であるから電子の持つエネルギはｅＶａよりも
低くなる。（なぜなる） 以上のように電子の得るエネルギがアノード電位Ｖａよ
りもかなり低くなって、例えば紫外線励起に適したエネ
ルギとなり、また磁力線による旋回運動よって一つの電
子が励起する割合が増加し、結果発光効率が増加し、あ
また磁力線の分布を変えることにより、任意の管体１の
形状内で均一発光を起こし得る。
ると、カソード２を飛び出した電子が例えば環状のアノ
ード３の閉塞平面を突き抜けるような軌跡αを通っｔこ
とすると、そのエネルギは７メ一ド電位、Ｅは？Ｉ！界
の強さ）であるから電子の持つエネルギはｅＶａよりも
低くなる。（なぜなる） 以上のように電子の得るエネルギがアノード電位Ｖａよ
りもかなり低くなって、例えば紫外線励起に適したエネ
ルギとなり、また磁力線による旋回運動よって一つの電
子が励起する割合が増加し、結果発光効率が増加し、あ
また磁力線の分布を変えることにより、任意の管体１の
形状内で均一発光を起こし得る。
火１」［虹
本実施例では第４図に示すように７う・７トな管体１を
用いたもので、カッ−１′２を管壁近傍に配置し、この
カソード２に近接するように環状のアノード３を設けて
、アノード３の両側側方に位置するｆｆ壁の外側近傍に
夫々同極の静磁界発生源６を配置してカスプ磁界をかけ
るようにしたもので、均一発光（しかも高効率）が行え
るようにしたものである。
用いたもので、カッ−１′２を管壁近傍に配置し、この
カソード２に近接するように環状のアノード３を設けて
、アノード３の両側側方に位置するｆｆ壁の外側近傍に
夫々同極の静磁界発生源６を配置してカスプ磁界をかけ
るようにしたもので、均一発光（しかも高効率）が行え
るようにしたものである。
尚上記静磁界発生源６としては永久磁石であっても励磁
フィルよりなる電磁石であっても勿論よい−中デ・膣ｎ
、＊の内１．４而１ご、η罪（−虎！−で２高宜六・慴
・キ体を塗布してもよい。
フィルよりなる電磁石であっても勿論よい−中デ・膣ｎ
、＊の内１．４而１ご、η罪（−虎！−で２高宜六・慴
・キ体を塗布してもよい。
［発明の効果］
本発明は上述のように構成し内部に光放射気体が封入さ
れ、光放射に対して透光性を有する管体の内部に熱電子
放出型カソードと内部が空洞のアノードを有し、該カン
ーーとアノードとの位置関係が、７メードとカソードと
の距離が電子平均自由行程以下とし且つアノードと管壁
との距離が土泥電子平均自由行程より大きな距離となる
よう１こカソード及びアノードを夫々配設し、カンード
近傍の管壁付近に静磁界発生源を設けるとともに該静磁
界発生源と上記アノードに対して反対側の管壁付近に別
の静磁界発生源を設けたので、磁力線による旋回運動よ
って一つの電子が励起する割合が増加し、又電子の得る
エネルギがアノード電位よりもかなり低くなって発光効
率が増加するという効果を奏し、２つの静磁界発生源の
位置を変えて磁力線の分布を変えることができるから発
光領域を任意に変化させることができるという効果を奏
する。
れ、光放射に対して透光性を有する管体の内部に熱電子
放出型カソードと内部が空洞のアノードを有し、該カン
ーーとアノードとの位置関係が、７メードとカソードと
の距離が電子平均自由行程以下とし且つアノードと管壁
との距離が土泥電子平均自由行程より大きな距離となる
よう１こカソード及びアノードを夫々配設し、カンード
近傍の管壁付近に静磁界発生源を設けるとともに該静磁
界発生源と上記アノードに対して反対側の管壁付近に別
の静磁界発生源を設けたので、磁力線による旋回運動よ
って一つの電子が励起する割合が増加し、又電子の得る
エネルギがアノード電位よりもかなり低くなって発光効
率が増加するという効果を奏し、２つの静磁界発生源の
位置を変えて磁力線の分布を変えることができるから発
光領域を任意に変化させることができるという効果を奏
する。
第１図は本発明の実施例１の概略構成図、第２図、ｆ：
ＩＳ３図は本発明の実施例の動作原理説明図、第４図は
本発明の実施例２の概略構成図、第５図は従来例の概略
構成図、第６図は同上の説明図であり、１は管体、２は
カソード、３はアノード、６は静磁界発生源である。 代理人 弁理士 石 １）長 七 第（図 第２図 第３図 第４図
ＩＳ３図は本発明の実施例の動作原理説明図、第４図は
本発明の実施例２の概略構成図、第５図は従来例の概略
構成図、第６図は同上の説明図であり、１は管体、２は
カソード、３はアノード、６は静磁界発生源である。 代理人 弁理士 石 １）長 七 第（図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）内部に光放射気体が封入され、光放射に対して透
光性を有する管体の内部に熱電子放出型カソードと内部
が空洞のアノードを有し、該カソードとアノードとの位
置関係が、アノードとカソードとの距離が電子平均自由
行程以下とし且つアノードと管壁との距離が上記電子平
均自由行程より大きな距離となるようにカソード及びア
ノードを夫々配設し、カソード近傍の管壁付近に静磁界
発生源を設けるとともに該静磁界発生源と上記アノード
に対して反対側の管壁付近に別の静磁界発生源を設けた
ことを特徴とする光放射電子管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120612A JPH0685315B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 光放射電子管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120612A JPH0685315B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 光放射電子管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276751A true JPS62276751A (ja) | 1987-12-01 |
| JPH0685315B2 JPH0685315B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=14790554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61120612A Expired - Lifetime JPH0685315B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 光放射電子管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685315B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120608A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Suido Kiko Kk | 懸濁液の濁質除去方法及び装置 |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61120612A patent/JPH0685315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120608A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Suido Kiko Kk | 懸濁液の濁質除去方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685315B2 (ja) | 1994-10-26 |
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