JPS62281239A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPS62281239A JPS62281239A JP62124983A JP12498387A JPS62281239A JP S62281239 A JPS62281239 A JP S62281239A JP 62124983 A JP62124983 A JP 62124983A JP 12498387 A JP12498387 A JP 12498387A JP S62281239 A JPS62281239 A JP S62281239A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〈産業上の利用分野〉
この発明は、内部磁気シールドがシャドーマスク・フレ
ームに取り付けられた陰極線管に関する〇〈発明の背景
〉 シャドーマスクを有する代表的な陰極線管（ＣＲＴ ）
には、陰極発光スクリーンが走査される際に電子ビーム
の軌道に対する磁界の影響を低減するための磁気シール
ドが設けられている。特に、シャドーマスク上のあらゆ
る点において、電子ビームの入射角は設計値からあまり
ずれてはならず、然もなければ電子ビームがスクリーン
上の意図する着地位置から逸れることになる。磁気シー
ルドは、外部磁気シールドとしてＣＲＴの外側が、内部
磁気シールドとしてＣＲＴの内側に設けることが出来る
。
ームに取り付けられた陰極線管に関する〇〈発明の背景
〉 シャドーマスクを有する代表的な陰極線管（ＣＲＴ ）
には、陰極発光スクリーンが走査される際に電子ビーム
の軌道に対する磁界の影響を低減するための磁気シール
ドが設けられている。特に、シャドーマスク上のあらゆ
る点において、電子ビームの入射角は設計値からあまり
ずれてはならず、然もなければ電子ビームがスクリーン
上の意図する着地位置から逸れることになる。磁気シー
ルドは、外部磁気シールドとしてＣＲＴの外側が、内部
磁気シールドとしてＣＲＴの内側に設けることが出来る
。
内部磁気シールドは、通常０．１０〜Ｏ，１８ｎの冷間
圧延鋼で形成され、弾力性のある締め付はビンによって
シャドーマスク・フレームに固定されている。シャドー
マスク・フレームはスプリングにょつて支持され、この
スプリングは、ＣＲＴの長方形のカラス製フエースプレ
ート・パネルから内（ｉｌｌへ伸ヒる取付スタッドに係
合している。ＣＲＴの組立時ニオいて、内部磁気シール
ドは、フエースプレート・パネルの側壁がフリット・シ
ーリング［ｊつでＣＲＴのガラス製フアネルに取り付け
られる段階の前にシャドーマスク・フレームに取り付け
られる。内部磁気シールドは、フアネルの形状に適合し
且つこれに出来るだけ近接するように設計されるが、ガ
ラス製フアネルの内側表面上に設けられた導電性コーテ
ィングとの摩擦を避けるためにフアネルに接触させるべ
きでない。
圧延鋼で形成され、弾力性のある締め付はビンによって
シャドーマスク・フレームに固定されている。シャドー
マスク・フレームはスプリングにょつて支持され、この
スプリングは、ＣＲＴの長方形のカラス製フエースプレ
ート・パネルから内（ｉｌｌへ伸ヒる取付スタッドに係
合している。ＣＲＴの組立時ニオいて、内部磁気シール
ドは、フエースプレート・パネルの側壁がフリット・シ
ーリング［ｊつでＣＲＴのガラス製フアネルに取り付け
られる段階の前にシャドーマスク・フレームに取り付け
られる。内部磁気シールドは、フアネルの形状に適合し
且つこれに出来るだけ近接するように設計されるが、ガ
ラス製フアネルの内側表面上に設けられた導電性コーテ
ィングとの摩擦を避けるためにフアネルに接触させるべ
きでない。
シールド効果を得るために、磁気シールドが適所におい
て完全に消磁される。この消磁処理は、磁気シールドを
振幅が次第に減少する交流電流によって付勢されるコイ
ルからの磁界にさらすことに行われる。消磁は通常アン
ペア・ターンで表わされるが、内部磁気ンールドに対す
る代表的な消磁ｕ 、 １５００アンペア・ターンであ
る。この処理は、磁気シールド中の磁気領域を効果的に
榊しい方向に向は且つこれを磁化されたままにしておく
効果を持ち・これによって磁気シールド中の磁界が無く
なる。消磁コイルは一般に受像機中に設けられ、受像機
がターンオンされる度に、このコイルに流れる交流電流
が高い値から零へ自動的に低減される。これによって、
磁界状況の変化に起因する色純度及び白の均一性の劣下
が防止される。この消磁処理の後、電子ビームが意図す
る着地位置からどれだけ近い距離で陰極発光スクリーン
を衝撃するかが消磁回復の効果を表し、この距離は不整
合誤差用のマイクロメータによって測定される。
て完全に消磁される。この消磁処理は、磁気シールドを
振幅が次第に減少する交流電流によって付勢されるコイ
ルからの磁界にさらすことに行われる。消磁は通常アン
ペア・ターンで表わされるが、内部磁気ンールドに対す
る代表的な消磁ｕ 、 １５００アンペア・ターンであ
る。この処理は、磁気シールド中の磁気領域を効果的に
榊しい方向に向は且つこれを磁化されたままにしておく
効果を持ち・これによって磁気シールド中の磁界が無く
なる。消磁コイルは一般に受像機中に設けられ、受像機
がターンオンされる度に、このコイルに流れる交流電流
が高い値から零へ自動的に低減される。これによって、
磁界状況の変化に起因する色純度及び白の均一性の劣下
が防止される。この消磁処理の後、電子ビームが意図す
る着地位置からどれだけ近い距離で陰極発光スクリーン
を衝撃するかが消磁回復の効果を表し、この距離は不整
合誤差用のマイクロメータによって測定される。
同量の消磁電流を用いる場合、外部磁気シールドが追加
されたＣＲＴに対する消磁回復は、内部磁気シールドし
か持たないＣＲＴに対する消磁回復に比べて通常良好で
ある。しかし、外部磁気シールドを設けることによって
製造コストが上がる。従って、内部磁気シールドのみを
用いてひけをとらない程度の色純度を得るためには、内
部磁気シールド固有の消磁回復を改良する必要がある。
されたＣＲＴに対する消磁回復は、内部磁気シールドし
か持たないＣＲＴに対する消磁回復に比べて通常良好で
ある。しかし、外部磁気シールドを設けることによって
製造コストが上がる。従って、内部磁気シールドのみを
用いてひけをとらない程度の色純度を得るためには、内
部磁気シールド固有の消磁回復を改良する必要がある。
〈発明の概要〉
この発明による陰極線管は、側壁に沿ってフアネルに結
合されたフエースプレート・パネルとフアネルの内側表
面に近接して設けられた内部磁気シールドとを有する。
合されたフエースプレート・パネルとフアネルの内側表
面に近接して設けられた内部磁気シールドとを有する。
この内部磁気シールドは、陰極線管の中央軸に垂直に配
置され且つ上記側壁に隣接して支持されているシャドー
マスク・フレームの後方部分にこの内部磁気シールドの
一方の端部にそって接続されている。有孔シャドーマス
クが上記後方部分と反対側のシャドーマスク・フレーム
の前方部分にシャドーマスクの端縁部に沿って接続され
ている。中央軸の方向に、内部磁気シールドの上記一方
の端部が、シャドーマスク・フレームの実質的全体に沿
ってシャドーマスクの反応する部分にオーバラップして
いる。
置され且つ上記側壁に隣接して支持されているシャドー
マスク・フレームの後方部分にこの内部磁気シールドの
一方の端部にそって接続されている。有孔シャドーマス
クが上記後方部分と反対側のシャドーマスク・フレーム
の前方部分にシャドーマスクの端縁部に沿って接続され
ている。中央軸の方向に、内部磁気シールドの上記一方
の端部が、シャドーマスク・フレームの実質的全体に沿
ってシャドーマスクの反応する部分にオーバラップして
いる。
この発明によって、消磁処理後の不整合誤差を著しく改
善する内部磁気シールドが得られる。
善する内部磁気シールドが得られる。
く推奨実施例の詳しい説明〉
第１図には、フエースプレート・パネル１２カコの側壁
１６に沿ってノアネル１４Ｖｃ接合された陰極線管（Ｃ
ＲＴ） １０が示されている。陰極ルミネセンス・スク
リーン１８がフエースプレート・パネル１２の内側表面
に設けられる。導電性コーティング２０が、フアネル１
４の内側表面２２上に設けられており、ＣＴＲ１０の陽
極として作用する。側壁１６に近接した一方の端部２６
を有する従来技術の内部磁気シールド２４が、ＣＲＴＩ
Ｏ内に設けられており、フアネル１４の内側表面２２に
沿って後方へ伸びている。内部磁気シールド２４は、点
線２で示されるＣＲＴ １０の中央軸に対して垂直に配
置されたシャドーマスク・フレーム３０の後方部分２日
に端部２６に沿って接続されている。内部磁気シールド
２４ハ弾力性のある締め付はピン３２によってシャドー
マスク・フレーム３ｏニ固定されており、締め付はビン
３２ハ内部磁気シールド２４とシャドー、マスク・フレ
ーム３０の両方に設けられた整列した突に挿入されてい
る。シャドーマスク・フレーム３０［、フエースプレー
ト・パネル１２から内側に伸びる取付スタッド３４によ
って側壁１６ｖｃ隣接して支持されている。フエースプ
レート・パネル１２の側壁１６が大体長方形の形状であ
るため、代表的な内部磁気シールド２４は４つの角部’
ｔＭっている０ 多くの孔を有するシャドーマスク３６が、第１図に示さ
れるように後方部分２８と反対側のシャドーマスク・フ
レーム３０の前方部分４０にシャドーマスク３６の端縁
部３８に沿って接続されている。内部磁気シールド２４
に加えて、シャドーマスク３６自身もＣＲＴＩＯの総合
シールド作用に大きく貢献している。
１６に沿ってノアネル１４Ｖｃ接合された陰極線管（Ｃ
ＲＴ） １０が示されている。陰極ルミネセンス・スク
リーン１８がフエースプレート・パネル１２の内側表面
に設けられる。導電性コーティング２０が、フアネル１
４の内側表面２２上に設けられており、ＣＴＲ１０の陽
極として作用する。側壁１６に近接した一方の端部２６
を有する従来技術の内部磁気シールド２４が、ＣＲＴＩ
Ｏ内に設けられており、フアネル１４の内側表面２２に
沿って後方へ伸びている。内部磁気シールド２４は、点
線２で示されるＣＲＴ １０の中央軸に対して垂直に配
置されたシャドーマスク・フレーム３０の後方部分２日
に端部２６に沿って接続されている。内部磁気シールド
２４ハ弾力性のある締め付はピン３２によってシャドー
マスク・フレーム３ｏニ固定されており、締め付はビン
３２ハ内部磁気シールド２４とシャドー、マスク・フレ
ーム３０の両方に設けられた整列した突に挿入されてい
る。シャドーマスク・フレーム３０［、フエースプレー
ト・パネル１２から内側に伸びる取付スタッド３４によ
って側壁１６ｖｃ隣接して支持されている。フエースプ
レート・パネル１２の側壁１６が大体長方形の形状であ
るため、代表的な内部磁気シールド２４は４つの角部’
ｔＭっている０ 多くの孔を有するシャドーマスク３６が、第１図に示さ
れるように後方部分２８と反対側のシャドーマスク・フ
レーム３０の前方部分４０にシャドーマスク３６の端縁
部３８に沿って接続されている。内部磁気シールド２４
に加えて、シャドーマスク３６自身もＣＲＴＩＯの総合
シールド作用に大きく貢献している。
シャドーマスク３６ば、代表的にｆｉｏ、１５ｆｆノ４
さの冷間圧延鋼から形成され、シャドーマスク・フレー
ム３０に溶接されている。シャドーマスク３６ハ、第１
図に示されるようにシャドーマスク・フレーム３０の内
側に溶接してもよいし、外側に溶接して成される。Ｍ工
ＦＡ 、！ｍ ＭＯＦＡのいずれを用いても、第１図の
間隔Ｇで示されるような小さな間隙が、シャドーマスク
・フレーム３００周辺に沿う内部磁気シールド２４の端
部２６とシャドーマスク３６の端縁部３８との間に生じ
る。以＠に述べたように、シャドーマスク・フレーム３
０もまた内部磁気シールド２４と材料は異なるが磁気材
料で形成されている念め間隙Ｇに沿ってシールド作用を
呈する。
さの冷間圧延鋼から形成され、シャドーマスク・フレー
ム３０に溶接されている。シャドーマスク３６ハ、第１
図に示されるようにシャドーマスク・フレーム３０の内
側に溶接してもよいし、外側に溶接して成される。Ｍ工
ＦＡ 、！ｍ ＭＯＦＡのいずれを用いても、第１図の
間隔Ｇで示されるような小さな間隙が、シャドーマスク
・フレーム３００周辺に沿う内部磁気シールド２４の端
部２６とシャドーマスク３６の端縁部３８との間に生じ
る。以＠に述べたように、シャドーマスク・フレーム３
０もまた内部磁気シールド２４と材料は異なるが磁気材
料で形成されている念め間隙Ｇに沿ってシールド作用を
呈する。
第２図には、消磁回復を著しく改善するオーバラップ内
部磁気シールド４２が示されている。消磁処理後の不整
合誤差が、中央軸Ｚの方向にシャドーマスク・フレーム
３０の実質的全体に沿って内部で可成り改善されること
が判った。内部磁気シールド４２の端部４４ハ、前方に
伸延して、シャドーマスク・フレーム３０の角部全除く
側面に沿ってシャドーマスク３６の端縁部３８にオーバ
ラップしていることが望ましい。第２図は、シャドーマ
スク３６がシャドーマスク・フレーム３ｏの内側に接続
されたＭ工ＦＡＩＩ（造を示している。内部磁気シール
ド４２がシャドーマスク・フレーム３ｏの外側に接続さ
れているため、シャドーマスク３６及び内部磁気シール
ド４２は第２図に示されているように互いにオーバラッ
プしているが実際には接触していない。
部磁気シールド４２が示されている。消磁処理後の不整
合誤差が、中央軸Ｚの方向にシャドーマスク・フレーム
３０の実質的全体に沿って内部で可成り改善されること
が判った。内部磁気シールド４２の端部４４ハ、前方に
伸延して、シャドーマスク・フレーム３０の角部全除く
側面に沿ってシャドーマスク３６の端縁部３８にオーバ
ラップしていることが望ましい。第２図は、シャドーマ
スク３６がシャドーマスク・フレーム３ｏの内側に接続
されたＭ工ＦＡＩＩ（造を示している。内部磁気シール
ド４２がシャドーマスク・フレーム３ｏの外側に接続さ
れているため、シャドーマスク３６及び内部磁気シール
ド４２は第２図に示されているように互いにオーバラッ
プしているが実際には接触していない。
第３図ＶＣは、ＭＯＦＡ構造に組み込まれたオーバラッ
プ内部磁気シールド４２の別の実施例が示されている。
プ内部磁気シールド４２の別の実施例が示されている。
この磁気／−ルド４２は、同様にシャドーマスク・フレ
ーム３ｏの外側に接続されているため、実際にはシャド
ーマスク３６に接触しているが、このような接触はこの
発明の効果を得るために′必要であるという訳ではない
。
ーム３ｏの外側に接続されているため、実際にはシャド
ーマスク３６に接触しているが、このような接触はこの
発明の効果を得るために′必要であるという訳ではない
。
内部磁気シールド４２の端部４４はまた、Ｍ工ＦＡとＭ
ＯＦＡ （７）いずれの購造であっても、シャドーマス
ク・フレーム３０の内側に沿って伸延してンヤドーマス
ク３６にオーバラップしてもよい。内部磁気シールド４
２は必ずしも一体形成された単体から成る必要はない。
ＯＦＡ （７）いずれの購造であっても、シャドーマス
ク・フレーム３０の内側に沿って伸延してンヤドーマス
ク３６にオーバラップしてもよい。内部磁気シールド４
２は必ずしも一体形成された単体から成る必要はない。
内部磁気シールド４２のオーバラップ部分は、特に内部
磁気シールド４２がシャドーマスク・フレーム３０の内
側に沿って伸延する場合、実際上２つ以北の部分から成
ってもよい。
磁気シールド４２がシャドーマスク・フレーム３０の内
側に沿って伸延する場合、実際上２つ以北の部分から成
ってもよい。
この発明では、内部磁気シールド４２の端部４４がシャ
ドーマスク３６の対応する端縁部３８に実際にオーバラ
ップしていることが重要である。この場合のオーバラッ
プする長さは、中央軸Ｚの方向に少＆＜、！＝モシャド
ーマスク・フレーム３ｏの厚すの２倍であるべきであり
、これにより十分な磁気結合が得られそれ故消磁回復が
改善される。また、内部磁気シールド４２の端部４４は
、第２図及び第３図に示されるように、実質的にシャド
ーマスク・フレーム３０の前部にまで伸延しているのが
望ましい。
ドーマスク３６の対応する端縁部３８に実際にオーバラ
ップしていることが重要である。この場合のオーバラッ
プする長さは、中央軸Ｚの方向に少＆＜、！＝モシャド
ーマスク・フレーム３ｏの厚すの２倍であるべきであり
、これにより十分な磁気結合が得られそれ故消磁回復が
改善される。また、内部磁気シールド４２の端部４４は
、第２図及び第３図に示されるように、実質的にシャド
ーマスク・フレーム３０の前部にまで伸延しているのが
望ましい。
下の表は、この発明の磁気シールド技術を含む異なる種
類の磁気ンールド技術全用いたＲＣＡ ２ＴＶＳＰ型の
陰極線管（ＣＲＴ）で行われた実験から得られた不整合
誤差のデータ逍を示している。表の第１行は、外部磁気
シールド及び従来技術の内部磁気シールドを使用したＣ
ＲＴ ２表わしている。第２行け、外部磁気シールドを
用いず従来技術の内部磁気シールドのみを使用したＣＲ
Ｔを表わしている。
類の磁気ンールド技術全用いたＲＣＡ ２ＴＶＳＰ型の
陰極線管（ＣＲＴ）で行われた実験から得られた不整合
誤差のデータ逍を示している。表の第１行は、外部磁気
シールド及び従来技術の内部磁気シールドを使用したＣ
ＲＴ ２表わしている。第２行け、外部磁気シールドを
用いず従来技術の内部磁気シールドのみを使用したＣＲ
Ｔを表わしている。
第３行は、この発明のオーバラップ内部磁気シールド全
使用したＣＲＴ ｆ表わしている。各行には、フエース
プレート・パネルの対角線、長軸及び短軸の端部とパネ
ルの中央部とにおける不整合誤差全垂直Ｙ Ｐｉｌｌ
、中央Ｚ軸及びＸ軸の方向に相対的磁界をそれぞｎ １
ｏｏｍａ、 ２５０ｍＧ汲びｚ５０ｍｅ変化させた後に
測定したものが示されている。これらのデ−タ値から判
るように、オーバラップ内部磁気シールド（第３行）を
使用した場合、不整合誤差が従来技術の内部磁気シール
ド（第２行）を使用した場合に比べて著しく改善されて
いる。中央Ｚ＠方向における２５ｏｍＧの磁界変化に対
して・オーバラップ内部磁気シールド分使用した場合・
外部磁気シールド（第１行）全使用した場合に得られる
ものに比べてづらに良好な消磁回復時間が得られる。
使用したＣＲＴ ｆ表わしている。各行には、フエース
プレート・パネルの対角線、長軸及び短軸の端部とパネ
ルの中央部とにおける不整合誤差全垂直Ｙ Ｐｉｌｌ
、中央Ｚ軸及びＸ軸の方向に相対的磁界をそれぞｎ １
ｏｏｍａ、 ２５０ｍＧ汲びｚ５０ｍｅ変化させた後に
測定したものが示されている。これらのデ−タ値から判
るように、オーバラップ内部磁気シールド（第３行）を
使用した場合、不整合誤差が従来技術の内部磁気シール
ド（第２行）を使用した場合に比べて著しく改善されて
いる。中央Ｚ＠方向における２５ｏｍＧの磁界変化に対
して・オーバラップ内部磁気シールド分使用した場合・
外部磁気シールド（第１行）全使用した場合に得られる
ものに比べてづらに良好な消磁回復時間が得られる。
表
シャドーマスク・フレーム３０が消磁処理の際に比較的
高い磁気抵抗を呈し、これによって磁気シールド作用に
間隙が生じてＣＲＴＩＯにおける不整合誤差が悪化する
と仮説されている。消磁処理後のこの不整合誤差は、内
部磁気シールド４２の端部４４をシャドーマスク・フレ
ーム３ｏの実質的全体に沿ってシャドーマスク３６の端
縁部３８にオーバラップさせることによって可成り改善
されることが判った。内部磁気シールド４２の持つこの
改善された消磁回復によって、同様な動作状態で、従来
技術の内部磁気シールドでは得られない←÷４色純度の
レベルが得られる。従って、費用のかかる外部磁気シー
ルド全使用せずに済み且つ満足のいく結果が得られる。
高い磁気抵抗を呈し、これによって磁気シールド作用に
間隙が生じてＣＲＴＩＯにおける不整合誤差が悪化する
と仮説されている。消磁処理後のこの不整合誤差は、内
部磁気シールド４２の端部４４をシャドーマスク・フレ
ーム３ｏの実質的全体に沿ってシャドーマスク３６の端
縁部３８にオーバラップさせることによって可成り改善
されることが判った。内部磁気シールド４２の持つこの
改善された消磁回復によって、同様な動作状態で、従来
技術の内部磁気シールドでは得られない←÷４色純度の
レベルが得られる。従って、費用のかかる外部磁気シー
ルド全使用せずに済み且つ満足のいく結果が得られる。
第１図は従来技術の内部磁気シールドが組み込まれた陰
極線管の断面図、第２図はこの発明に従うオーバラップ
内部磁気シールドの実施例の断面図・第３図はこの発明
に従うオーバラップ内部磁気シ−ルドの別の実施例の断
面図である。 １０・・・陰衝管、ユ２・・・フエースプレート・パネ
ル、１４・・・フアネル、１６・・・フエースプレート
・パネル１２の側壁、２２・・・フアネル１４の内側表
面、２日・・・シャドーマスク・フレーム３ｏの後方部
分、３ｏ・・・シャドーマスク・フレーム、３６・・・
シャドーマスク、３８・・・シャドーマスク３６の端縁
部、４゜・・・シャドーマスク・フレーム３ｏの前方部
分、４２・・・内部磁気シールド、４４・・・内部磁気
シールド４２の一方の端部。 特許畠願人 アールシーニー シー・ポレーショ
ン代 理 人 清 水 哲 ほか
２名第２（２） 第３口 手続補１１−書（梢必〕 昭和６２年８月５日 特許庁長官 小 川 邦 人 殿、＋＋ １、事件の表示 １１１順昭６２−１２４９８３号 ２、発明の名称 陰極線管 ：３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラーフラサ３０名 称
（７５７） アールシーニー コーポレーション４、
代理人 住 所 郵便番号 ６５１ 住所 同 上 パ−ン５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」の
各欄。 ６、補正の内容 明細書を別紙のとおり補正する（補正の対象の欄に記載
した來項以外は内容に変更なし）。 添附書類 補正明細書 以 上 補正明細書 １、発明の名称 陰極線管 ２、特許請求の範囲 ３、発明の詳細な説明 〈産業上の利用分野〉 この発明は、内部磁気シールドがシャドーマスク・フレ
ームに取り付けられた陰極線管に関する。 〈発明の背景〉 シャドーマスクを有する代表的な陰極線管（ＣＲＴ）に
は、陰極線発光スクリーンが走査される際に電子ビーム
の軌道に対する磁界の影響を低減するだめの磁気シール
ドが設けられている。特に、シャドーマスク上のあらゆ
る点における電子ビームの入射角は設計値からあまりず
れてはならず、さもなければ電子ビームがスクリーン上
の意図するランディング位置からずれることになる。 磁気シールドは、外部磁気シールドとしてＣＲＴの外側
に、あるいは内部磁気シールドとしてＣＲＴの内側に設
けることが出来る。 内部磁気シールドは、通常０．１０〜０ 、１８ａｖの
冷間圧延鋼で形成され、りｉ力性のある固定ピンによっ
てシャドーマスク・フレームに固定されている。 シャドーマスク・フレームはスプリングによって支持さ
れ、このスプリングは、ＣＲＴの長方形のガラス製フェ
ースブ１／−ト・パネルから内側へ伸びる取付スタッド
に係合している。ＣＲＴの組立時において、内部磁気シ
ールドは、フエースプレート・パネルの側壁をフリット
・シーリングによってＣＲＴのガラス製フアネルに取り
付ける前にシャドーマスク・フレームに取り付けられる
。内部磁気シールドは、フアネル内に嵌合し且つこれに
出来るだけ近接するように設計されるが、このシールド
とガラス製フアネルの内面上に設けられた導電性コーテ
ィングとの摩擦を避けるためにフアネルに接触させては
ならない。 シールド効果を得るために、磁気シールドの設置個所に
おいて完全に消磁されねばならない。この消磁処理は、
磁気シールドを、振幅が次第に減少する交番ＴＬ流によ
って付勢されるコイルからの磁界にさらすことに行われ
る。消磁は通常アンペア・ターンで表わされるが、内８
′Ｉ！磁気シールドに対する消磁は、代表的には１５０
０アンペア・ターンである。この処理は、磁気シールド
中の磁区を実効的に新しい方向に向は且つ磁気シールド
中の磁界を打消すような磁化状態にその磁気シールドを
置く。消磁コイルは一般に受像機中、に組込まれ、受像
機がターンオンされる度に、このコイルに流れる交番電
流は高い値から零値へ自動的に減衰する。これによって
、磁界状況の変化に起因する色純度及び白の均一性の劣
化が防止される。この消厳処押後の、電子ビームが意図
するランディング位置からどれだけ近い距離で陰極線発
光スクリーンを衝愁するかの程度（残留不整合をミクロ
ン単位でａｌｌｌ定した値）が、消磁による回復効果を
表わす。 同州の消磁電流を使用した場合、外部磁気シールドが追
加されたＣＲＴの消磁による回復は、一般に、内部磁気
シールドしか持たないＣＲＴの消磁による回復に比べて
良好である。しかし、外部磁気シールドを設けると製造
コストが上がるので、内部磁気シールドのみを用いて同
程度の色純度を１１）るためには、内部磁気シールド固
有の消磁による回復効果を改良する必要がある。 〈発明の概要〉 この発明による陰極線管は、（１１ｍ壁に沿ってフアネ
ルに結合されたフェースプレート−パネルとフアネルの
内面に近接して配置された内部磁気シールドとを有する
。この内部磁気シールドは、陰極線管の中心軸に垂直に
配置され且つ上記側壁に隣接して支持されているシャド
ーマスク令フレームの後方部にこの内部磁気シールドの
一方の端部にそって接続されている。有孔シャドーマス
クが上記後方部と反対側のシャドーマスク−フレームの
前方部にそのシャドーマスクの端縁部に沿って接続され
ている。内部磁気シールドの上記一方の端部が、シャド
ーマスク・フレームの実質的全周にわたってシャドーマ
スクの対応する部分と中心軸方向にオーバラップしてい
る。 この発明によれば、消磁処理後の残留不整合誤差を著し
く改善する内部磁気シールドが得られる。 く推奨実施例の詳細な説明〉 第１図には、フエースプレート・パネル１２がこの側壁
１６に沿ってフアネル１４に接合された陰極線管（ＣＩ
’ｌＴ） １０が示されている。陰極線発光スクリーン
１８がフエースプレート・パネル１２の内面上に設けら
れる。導電性コーティング２０が、フアネル１４の内面
２２上に設けられており、ＣＲＴＩＯの陽極として作用
する。側壁１６に近接した一方の端部２６を有する従来
技術の内部磁気シールド２４が、ＣＲＴＩＯ内に設けら
れており、フアネル１４の内面２２に沿って後方へ伸び
ている。磁気シールド２４は゛、点線Ｚで示されている
ＣＲＴＩＯの中心軸に対して垂直に配置されたシャドー
マスク・フレーム３０の後方ｍ ２８に端部２６に沿っ
て接続されている。磁気シールド２４は弾力性のある固
定ピン３２によってシャドーマスク・フレーム３０に固
定されており、固定ピン３２は磁気シールド２４とシャ
ドーマスク・フレーム３０の双方に幣夕呵して設けられ
た穴に挿入されている。 シャドーマスターフレーム３０は、フエースプレート・
パネル１２から内側に突出する取付スタッド３４によっ
て側＋１１６に隣接して支持されている。フエースプレ
ート・パネル１２の側壁１６がほぼ長方形の形状である
ため、代表的な内部磁気シールド２４は４つの角部を持
っている。 多くの孔を有するシャドーマスク３６が、第１図に示さ
れるようにシャドーマスク−フレーム３０の後方部２８
と反対側の前方部４０に上記シャドーマスク３６の端縁
部３８に沿って接続されている。内部磁気シールド２４
に加えて、シャドーマスク３６自身もＣＲＴＩＯの総合
シールド作用に大きく寄与する。シャドーマスク３６は
、代表的にはＱ、１５ｍｍの厚さの冷間圧延鋼で形成さ
れ、シャドーマスク・フレーム３０に溶接されている。 シャドーマスク３６を、第１図に示すようにシャドーマ
スク・フレーム３０の内側に溶接してマスク内側フレー
ム構体（ＭＩＦＡ）を形成してもよいし、シャドーマス
ク・フレーム３０の外側に溶接してマスク外側フレーム
構体（ＭＯＦＡ）を形成してもよい、ＭＩＦＡとＭＯＦ
Ａのいずれを用いても、第１図の間隔Ｇで示されるよう
な小さな間隙が、シャドーマスク・フレーム３０の周辺
に沿う内部磁気シールド２４の端部２６とシャドーマス
ク３６の端縁部３８との間に生じる。前に述べたように
、シャドーマスク・フレーム３０もまた内？Ｂ 磁気シ
ールド２４と材料は異なるが磁気材料で形成されている
ため間隙Ｇに沿ってシールド作用を呈すると考えられる
。 第２図には、消磁による回復効果を著しく改善するオー
バラップ内部磁気シールド４２の一実施例が示されてい
る。消磁処理後の残留不整合誤差が、中心軸ｚの方向に
シャドーマスターフレーム３Ｑの実質的全周にわたって
内部磁気シールド４２の端部４４をシャドーマスク３６
の対応する端縁部３８にオーバラップさせることによっ
て可成り改善されることが判った。内部磁気シールド４
２の端部４４は、ＩＦ５方に伸延して、シャドーマスク
・フレーム３０の角部を除く側面に沿ってシャドーマス
ク３６の端縁部３８とオーバラップしていることが望ま
しい。第２図は、シャドーマスク３６がシャドーマスク
・フレーム３０の内側に接続されたＭＩ ＦＡ構造を示
している。内部磁気シールド４２がシャドーマスク・フ
レーム３０の外側に接続されているため、シャドーマス
ク３６及び内部磁気シールド４２は第２図に示されてい
るように互いにオーバラップしているが実際には接触し
ていない。 第３図には、ＭＯＦＡ構造に設けられたオーバラップ内
部磁気シールド４２の別の実施例が示されている。この
磁気シールド４２もまたシャドーマスク・フレーム３０
の外側に接続されているため、実際にはシャドーマスク
３６に接触しているが、このような接触はこの発明の効
果を得るために必ずしも必要ではない。 内部磁気シールド４２の端部４４はまた、ＭＩ ＦＡと
ＭＯＦＡのいずれの構造であっても、シャドーマスク・
フレーム３０の内側に沿って伸延してシャドーマスク３
６にオーバラップしてもよい。内部磁気シールド４２は
必ずしも一体成形された単体から成る必要はない。内部
磁気シールド４２のオーバラップ部分は、特に内部磁気
シールド４２がシャドーマスク・フレーム３０の内側に
沿って伸延する場合、実際上２個以上の部分から成って
もよい。 この発明では、内部磁気シールド４２の端部４４がシャ
ドーマスク３６の対応する端縁部３８に実際にオーパラ
−、プしていることが重要である。この場合のオーバラ
ップする長さは、中心軸Ｚの方向に少なくともシャドー
マスク・フレーム３０の厚さの２倍であるべきであり、
これにより十分な磁気結合が得られ、それ故消磁による
回復効果が改善される。また、内部磁気シールド４２の
端部４４は、第２図及び第３図に示されるように、実質
的にシャドーマスク・フレーム３０の前部にまで伸延し
ているのが望ましい。 下の表は、この発明の磁気シールドを含む各種の形式の
磁気シールドを用いたＲＣＡ ２７Ｖ ＳＰ型の陰極
線管（ＣＲＴ）で行われた実験から得られた残留不整合
誤差のデータ値を示している。表の第１行は、外部磁気
シールド及び従来技術の内部磁気シールドを使用したＣ
ＲＴを表わしている。第２行は、外部磁気シールドを用
いず従来技術の内部磁気シールドのみを使用したＣＲＴ
を表わしている。第３行は、この発明のオーバラップ内
部磁気シールドを使用したＣＲＴを表わしている。各行
には、フエースプレート・パネルの対角線、長袖及び短
軸の端部とパネルの中央部とにおける残５り不整合誤差
のデータ値を垂直Ｙ軸、中央Ｚ軸及びＸ軸に沿う方向に
相対的磁界をそれぞれ１００ｎＧ 、 ２５０ｎＧ及び
２５０ｎＧ変化させた後に測定したものが示されている
。これらのデータ値から判るように、オーバラップ内部
磁気シールド（第３行）を使用した場合、残留不整合誤
差が、従来技術の内部磁気シールド（第２行）を使用し
た場合に比べて著しく改善されている。中央Ｚ軸方向に
おける２５０ｎＧの磁界変化に対して、オーバラップ内
部磁気シールドを使用した場合、外部磁気シールド（第
１行）を使用した場合に得られるものに比べてさらに良
好な消磁による回復時間が得られる。 表 シャドーマスク・フレーム３０が消磁処理の際に比較的
高い磁気抵抗を呈し、これによって磁気シールド作用に
間隙が生じてＣＲＴＩＯにおける残留不整合誤差が悪化
すると推測されている。消磁処理後のこの残留不整合誤
差は、内部磁気シールド４２の端部４４をシャドーマス
ク・フレーム３０の実質的全体に沿ってシャドーマスク
３６の端縁部３８とオーバラップさせることによって大
幅に改善されることが判った。内部磁気シールド４２の
持つこの改善された消磁回復効果によって、同様な動作
状態で、従来技術の内部磁気シールドでは得られない色
純度のレベルが得られ、従って、費用のかかる外部磁気
シールドを使用せずに済み且つ満足のいく結果が得られ
る。 ４、図面の簡単な説明 第１図は従来技術の内部磁気シールドが組み込まれた陰
極線管の断面図、第２図はこの発明に従うオーバラップ
内部磁気シールドの実施例の断面図、第３図はこの発明
に従うオーバラップ内部磁気シールドの別の実施例の断
面図である。 １０・・・陰極線管、１２・・・フエースプレート・パ
ネル、１４・・・フアネル、１６・・・フエースプレー
ト・パネル１２の側壁、２２・・・フアネル１４の内側
表面、２８・・・シャドーマスク・フレーム３０の後方
部、３０・・・シャドーマスク・フレーム、３６・・・
シャドーマスク、３８・・・シャドーマスク３６の端縁
部、４０・・・シャドーマスク・フレーム３０の前方部
、４２・・・内部磁気シールド、４４・・・内部磁気シ
ールド４２の一方の端部。
極線管の断面図、第２図はこの発明に従うオーバラップ
内部磁気シールドの実施例の断面図・第３図はこの発明
に従うオーバラップ内部磁気シ−ルドの別の実施例の断
面図である。 １０・・・陰衝管、ユ２・・・フエースプレート・パネ
ル、１４・・・フアネル、１６・・・フエースプレート
・パネル１２の側壁、２２・・・フアネル１４の内側表
面、２日・・・シャドーマスク・フレーム３ｏの後方部
分、３ｏ・・・シャドーマスク・フレーム、３６・・・
シャドーマスク、３８・・・シャドーマスク３６の端縁
部、４゜・・・シャドーマスク・フレーム３ｏの前方部
分、４２・・・内部磁気シールド、４４・・・内部磁気
シールド４２の一方の端部。 特許畠願人 アールシーニー シー・ポレーショ
ン代 理 人 清 水 哲 ほか
２名第２（２） 第３口 手続補１１−書（梢必〕 昭和６２年８月５日 特許庁長官 小 川 邦 人 殿、＋＋ １、事件の表示 １１１順昭６２−１２４９８３号 ２、発明の名称 陰極線管 ：３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラーフラサ３０名 称
（７５７） アールシーニー コーポレーション４、
代理人 住 所 郵便番号 ６５１ 住所 同 上 パ−ン５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」の
各欄。 ６、補正の内容 明細書を別紙のとおり補正する（補正の対象の欄に記載
した來項以外は内容に変更なし）。 添附書類 補正明細書 以 上 補正明細書 １、発明の名称 陰極線管 ２、特許請求の範囲 ３、発明の詳細な説明 〈産業上の利用分野〉 この発明は、内部磁気シールドがシャドーマスク・フレ
ームに取り付けられた陰極線管に関する。 〈発明の背景〉 シャドーマスクを有する代表的な陰極線管（ＣＲＴ）に
は、陰極線発光スクリーンが走査される際に電子ビーム
の軌道に対する磁界の影響を低減するだめの磁気シール
ドが設けられている。特に、シャドーマスク上のあらゆ
る点における電子ビームの入射角は設計値からあまりず
れてはならず、さもなければ電子ビームがスクリーン上
の意図するランディング位置からずれることになる。 磁気シールドは、外部磁気シールドとしてＣＲＴの外側
に、あるいは内部磁気シールドとしてＣＲＴの内側に設
けることが出来る。 内部磁気シールドは、通常０．１０〜０ 、１８ａｖの
冷間圧延鋼で形成され、りｉ力性のある固定ピンによっ
てシャドーマスク・フレームに固定されている。 シャドーマスク・フレームはスプリングによって支持さ
れ、このスプリングは、ＣＲＴの長方形のガラス製フェ
ースブ１／−ト・パネルから内側へ伸びる取付スタッド
に係合している。ＣＲＴの組立時において、内部磁気シ
ールドは、フエースプレート・パネルの側壁をフリット
・シーリングによってＣＲＴのガラス製フアネルに取り
付ける前にシャドーマスク・フレームに取り付けられる
。内部磁気シールドは、フアネル内に嵌合し且つこれに
出来るだけ近接するように設計されるが、このシールド
とガラス製フアネルの内面上に設けられた導電性コーテ
ィングとの摩擦を避けるためにフアネルに接触させては
ならない。 シールド効果を得るために、磁気シールドの設置個所に
おいて完全に消磁されねばならない。この消磁処理は、
磁気シールドを、振幅が次第に減少する交番ＴＬ流によ
って付勢されるコイルからの磁界にさらすことに行われ
る。消磁は通常アンペア・ターンで表わされるが、内８
′Ｉ！磁気シールドに対する消磁は、代表的には１５０
０アンペア・ターンである。この処理は、磁気シールド
中の磁区を実効的に新しい方向に向は且つ磁気シールド
中の磁界を打消すような磁化状態にその磁気シールドを
置く。消磁コイルは一般に受像機中、に組込まれ、受像
機がターンオンされる度に、このコイルに流れる交番電
流は高い値から零値へ自動的に減衰する。これによって
、磁界状況の変化に起因する色純度及び白の均一性の劣
化が防止される。この消厳処押後の、電子ビームが意図
するランディング位置からどれだけ近い距離で陰極線発
光スクリーンを衝愁するかの程度（残留不整合をミクロ
ン単位でａｌｌｌ定した値）が、消磁による回復効果を
表わす。 同州の消磁電流を使用した場合、外部磁気シールドが追
加されたＣＲＴの消磁による回復は、一般に、内部磁気
シールドしか持たないＣＲＴの消磁による回復に比べて
良好である。しかし、外部磁気シールドを設けると製造
コストが上がるので、内部磁気シールドのみを用いて同
程度の色純度を１１）るためには、内部磁気シールド固
有の消磁による回復効果を改良する必要がある。 〈発明の概要〉 この発明による陰極線管は、（１１ｍ壁に沿ってフアネ
ルに結合されたフェースプレート−パネルとフアネルの
内面に近接して配置された内部磁気シールドとを有する
。この内部磁気シールドは、陰極線管の中心軸に垂直に
配置され且つ上記側壁に隣接して支持されているシャド
ーマスク令フレームの後方部にこの内部磁気シールドの
一方の端部にそって接続されている。有孔シャドーマス
クが上記後方部と反対側のシャドーマスク−フレームの
前方部にそのシャドーマスクの端縁部に沿って接続され
ている。内部磁気シールドの上記一方の端部が、シャド
ーマスク・フレームの実質的全周にわたってシャドーマ
スクの対応する部分と中心軸方向にオーバラップしてい
る。 この発明によれば、消磁処理後の残留不整合誤差を著し
く改善する内部磁気シールドが得られる。 く推奨実施例の詳細な説明〉 第１図には、フエースプレート・パネル１２がこの側壁
１６に沿ってフアネル１４に接合された陰極線管（ＣＩ
’ｌＴ） １０が示されている。陰極線発光スクリーン
１８がフエースプレート・パネル１２の内面上に設けら
れる。導電性コーティング２０が、フアネル１４の内面
２２上に設けられており、ＣＲＴＩＯの陽極として作用
する。側壁１６に近接した一方の端部２６を有する従来
技術の内部磁気シールド２４が、ＣＲＴＩＯ内に設けら
れており、フアネル１４の内面２２に沿って後方へ伸び
ている。磁気シールド２４は゛、点線Ｚで示されている
ＣＲＴＩＯの中心軸に対して垂直に配置されたシャドー
マスク・フレーム３０の後方ｍ ２８に端部２６に沿っ
て接続されている。磁気シールド２４は弾力性のある固
定ピン３２によってシャドーマスク・フレーム３０に固
定されており、固定ピン３２は磁気シールド２４とシャ
ドーマスク・フレーム３０の双方に幣夕呵して設けられ
た穴に挿入されている。 シャドーマスターフレーム３０は、フエースプレート・
パネル１２から内側に突出する取付スタッド３４によっ
て側＋１１６に隣接して支持されている。フエースプレ
ート・パネル１２の側壁１６がほぼ長方形の形状である
ため、代表的な内部磁気シールド２４は４つの角部を持
っている。 多くの孔を有するシャドーマスク３６が、第１図に示さ
れるようにシャドーマスク−フレーム３０の後方部２８
と反対側の前方部４０に上記シャドーマスク３６の端縁
部３８に沿って接続されている。内部磁気シールド２４
に加えて、シャドーマスク３６自身もＣＲＴＩＯの総合
シールド作用に大きく寄与する。シャドーマスク３６は
、代表的にはＱ、１５ｍｍの厚さの冷間圧延鋼で形成さ
れ、シャドーマスク・フレーム３０に溶接されている。 シャドーマスク３６を、第１図に示すようにシャドーマ
スク・フレーム３０の内側に溶接してマスク内側フレー
ム構体（ＭＩＦＡ）を形成してもよいし、シャドーマス
ク・フレーム３０の外側に溶接してマスク外側フレーム
構体（ＭＯＦＡ）を形成してもよい、ＭＩＦＡとＭＯＦ
Ａのいずれを用いても、第１図の間隔Ｇで示されるよう
な小さな間隙が、シャドーマスク・フレーム３０の周辺
に沿う内部磁気シールド２４の端部２６とシャドーマス
ク３６の端縁部３８との間に生じる。前に述べたように
、シャドーマスク・フレーム３０もまた内？Ｂ 磁気シ
ールド２４と材料は異なるが磁気材料で形成されている
ため間隙Ｇに沿ってシールド作用を呈すると考えられる
。 第２図には、消磁による回復効果を著しく改善するオー
バラップ内部磁気シールド４２の一実施例が示されてい
る。消磁処理後の残留不整合誤差が、中心軸ｚの方向に
シャドーマスターフレーム３Ｑの実質的全周にわたって
内部磁気シールド４２の端部４４をシャドーマスク３６
の対応する端縁部３８にオーバラップさせることによっ
て可成り改善されることが判った。内部磁気シールド４
２の端部４４は、ＩＦ５方に伸延して、シャドーマスク
・フレーム３０の角部を除く側面に沿ってシャドーマス
ク３６の端縁部３８とオーバラップしていることが望ま
しい。第２図は、シャドーマスク３６がシャドーマスク
・フレーム３０の内側に接続されたＭＩ ＦＡ構造を示
している。内部磁気シールド４２がシャドーマスク・フ
レーム３０の外側に接続されているため、シャドーマス
ク３６及び内部磁気シールド４２は第２図に示されてい
るように互いにオーバラップしているが実際には接触し
ていない。 第３図には、ＭＯＦＡ構造に設けられたオーバラップ内
部磁気シールド４２の別の実施例が示されている。この
磁気シールド４２もまたシャドーマスク・フレーム３０
の外側に接続されているため、実際にはシャドーマスク
３６に接触しているが、このような接触はこの発明の効
果を得るために必ずしも必要ではない。 内部磁気シールド４２の端部４４はまた、ＭＩ ＦＡと
ＭＯＦＡのいずれの構造であっても、シャドーマスク・
フレーム３０の内側に沿って伸延してシャドーマスク３
６にオーバラップしてもよい。内部磁気シールド４２は
必ずしも一体成形された単体から成る必要はない。内部
磁気シールド４２のオーバラップ部分は、特に内部磁気
シールド４２がシャドーマスク・フレーム３０の内側に
沿って伸延する場合、実際上２個以上の部分から成って
もよい。 この発明では、内部磁気シールド４２の端部４４がシャ
ドーマスク３６の対応する端縁部３８に実際にオーパラ
−、プしていることが重要である。この場合のオーバラ
ップする長さは、中心軸Ｚの方向に少なくともシャドー
マスク・フレーム３０の厚さの２倍であるべきであり、
これにより十分な磁気結合が得られ、それ故消磁による
回復効果が改善される。また、内部磁気シールド４２の
端部４４は、第２図及び第３図に示されるように、実質
的にシャドーマスク・フレーム３０の前部にまで伸延し
ているのが望ましい。 下の表は、この発明の磁気シールドを含む各種の形式の
磁気シールドを用いたＲＣＡ ２７Ｖ ＳＰ型の陰極
線管（ＣＲＴ）で行われた実験から得られた残留不整合
誤差のデータ値を示している。表の第１行は、外部磁気
シールド及び従来技術の内部磁気シールドを使用したＣ
ＲＴを表わしている。第２行は、外部磁気シールドを用
いず従来技術の内部磁気シールドのみを使用したＣＲＴ
を表わしている。第３行は、この発明のオーバラップ内
部磁気シールドを使用したＣＲＴを表わしている。各行
には、フエースプレート・パネルの対角線、長袖及び短
軸の端部とパネルの中央部とにおける残５り不整合誤差
のデータ値を垂直Ｙ軸、中央Ｚ軸及びＸ軸に沿う方向に
相対的磁界をそれぞれ１００ｎＧ 、 ２５０ｎＧ及び
２５０ｎＧ変化させた後に測定したものが示されている
。これらのデータ値から判るように、オーバラップ内部
磁気シールド（第３行）を使用した場合、残留不整合誤
差が、従来技術の内部磁気シールド（第２行）を使用し
た場合に比べて著しく改善されている。中央Ｚ軸方向に
おける２５０ｎＧの磁界変化に対して、オーバラップ内
部磁気シールドを使用した場合、外部磁気シールド（第
１行）を使用した場合に得られるものに比べてさらに良
好な消磁による回復時間が得られる。 表 シャドーマスク・フレーム３０が消磁処理の際に比較的
高い磁気抵抗を呈し、これによって磁気シールド作用に
間隙が生じてＣＲＴＩＯにおける残留不整合誤差が悪化
すると推測されている。消磁処理後のこの残留不整合誤
差は、内部磁気シールド４２の端部４４をシャドーマス
ク・フレーム３０の実質的全体に沿ってシャドーマスク
３６の端縁部３８とオーバラップさせることによって大
幅に改善されることが判った。内部磁気シールド４２の
持つこの改善された消磁回復効果によって、同様な動作
状態で、従来技術の内部磁気シールドでは得られない色
純度のレベルが得られ、従って、費用のかかる外部磁気
シールドを使用せずに済み且つ満足のいく結果が得られ
る。 ４、図面の簡単な説明 第１図は従来技術の内部磁気シールドが組み込まれた陰
極線管の断面図、第２図はこの発明に従うオーバラップ
内部磁気シールドの実施例の断面図、第３図はこの発明
に従うオーバラップ内部磁気シールドの別の実施例の断
面図である。 １０・・・陰極線管、１２・・・フエースプレート・パ
ネル、１４・・・フアネル、１６・・・フエースプレー
ト・パネル１２の側壁、２２・・・フアネル１４の内側
表面、２８・・・シャドーマスク・フレーム３０の後方
部、３０・・・シャドーマスク・フレーム、３６・・・
シャドーマスク、３８・・・シャドーマスク３６の端縁
部、４０・・・シャドーマスク・フレーム３０の前方部
、４２・・・内部磁気シールド、４４・・・内部磁気シ
ールド４２の一方の端部。
Claims (1)
- （１）側壁に沿つてフアネルに接合されたフエースプレ
ート・パネルと、上記フアネルの内側表面に近接して配
置された内部磁気シールドと、多数の孔を有するシャド
ーマスクと、シャドーマスク・フレームとを有する陰極
線管であつて、上記内部磁気シールドは、上記陰極線管
の中央軸に垂直に配置され且つ上記側壁に隣接して支持
された上記シャドーマスク・フレームの後方部分に上記
内部磁気シールドの一方の端部に沿つて接続されており
、上記シャドーマスクは上記後方部分と反対側の上記シ
ャドーマスク・フレームの前方部分に上記シャドーマス
クの端縁部に沿つて接続されており、さらに、 上記内部磁気シールドの上記端部が上記中央軸の方向に
上記シャドーマスク・フレームの実質的全体に沿つて上
記シャドーマスクの対応する端縁部にオーバラップして
いる陰極線管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US867033 | 1986-05-27 | ||
| US06/867,033 US4694216A (en) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Cathode-ray tube having an internal magnetic shield |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281239A true JPS62281239A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH053099B2 JPH053099B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=25348935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124983A Granted JPS62281239A (ja) | 1986-05-27 | 1987-05-21 | 陰極線管 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4694216A (ja) |
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