JPS62281424A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS62281424A JPS62281424A JP12480586A JP12480586A JPS62281424A JP S62281424 A JPS62281424 A JP S62281424A JP 12480586 A JP12480586 A JP 12480586A JP 12480586 A JP12480586 A JP 12480586A JP S62281424 A JPS62281424 A JP S62281424A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwaves
- plasma
- cavity
- plasma emission
- intensity
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
本発明はマイクロ波を用いたプラズマ処理装置において
。
。
プラズマ発光室内でのマイクロ波の強度の不均一性を解
決するため、 マイクロ波を四方から導入することにより、プラズマ発
光室内でのマイクロ波の強度を均一にしたものである。
決するため、 マイクロ波を四方から導入することにより、プラズマ発
光室内でのマイクロ波の強度を均一にしたものである。
本発明はプラズマ処理装置、特にマイクロ波を用いたプ
ラズマ処理装置に関する。
ラズマ処理装置に関する。
レジストをマスクにして下地を加工した後、不要となっ
たレジストを除去するために、酸素プラズマ中でアッシ
ング（灰化）したり、フレオンガス中のプラズマにより
等方性エツチングをしたりするために、プラズマ処理装
置が広く使用されている。
たレジストを除去するために、酸素プラズマ中でアッシ
ング（灰化）したり、フレオンガス中のプラズマにより
等方性エツチングをしたりするために、プラズマ処理装
置が広く使用されている。
このようなプラズマ処理装置の中には、所定のガス圧下
で高周波放電を行なわせる、高周波放電を用いたプラズ
マ処理装置に比し、短波長のマイクロ波（例えば２．４
５ ＧＨｚ ）を使用することによって、より高い電子
密度のため効率の良い放電を行ない、より高速のプラズ
マ処理が行なえる、マイクロ波を用いたプラズマ処理装
置が従来より知られている。
で高周波放電を行なわせる、高周波放電を用いたプラズ
マ処理装置に比し、短波長のマイクロ波（例えば２．４
５ ＧＨｚ ）を使用することによって、より高い電子
密度のため効率の良い放電を行ない、より高速のプラズ
マ処理が行なえる、マイクロ波を用いたプラズマ処理装
置が従来より知られている。
第２図（Ａ）及び（Ｂ）は従来のプラズマ処理装置の一
例の概略縦断側面図及びその概略平面図を夫々示す。図
において、マイクロ波発生源１により発生されたマイク
ロ波は、導波管２内を通って空洞３内に導入される。
例の概略縦断側面図及びその概略平面図を夫々示す。図
において、マイクロ波発生源１により発生されたマイク
ロ波は、導波管２内を通って空洞３内に導入される。
導波管２及び空洞３内には大気が存在しているが、プラ
ズマ発光室４内は真空とされており、それらの間はマイ
クロ波を透過する誘電体物質＜ＰＡえばセラミック）の
窓５によってシールドされている。
ズマ発光室４内は真空とされており、それらの間はマイ
クロ波を透過する誘電体物質＜ＰＡえばセラミック）の
窓５によってシールドされている。
プラズマ発光室４内にはガス導入口６より例えば酸素ガ
スが導入されており、このガス圧下において窓５を通し
て空洞３からプラズマ発光室４内へマイクロ波を導入す
ることにより、プラズマ発光室４内にはプラズマ７が発
生する。
スが導入されており、このガス圧下において窓５を通し
て空洞３からプラズマ発光室４内へマイクロ波を導入す
ることにより、プラズマ発光室４内にはプラズマ７が発
生する。
これにより、活性となったイオン等により、試料の一例
としてのウェー八８上のレジストが例えば除去される。
としてのウェー八８上のレジストが例えば除去される。
〔発明が解決しようとする問題点）
しかるに、上記の従来装置では、マイクロ波が一方向か
ら導入されるので、空洞３内の位置に応じてマイクロ波
の強度が異なってしまう。このため、プラズマ発光室４
内においてプラズマ７の発生密度に差ができ、ウェーハ
８に対して均一なレジスト除去処理ができなかったり、
処理能力が落ちたり、更にはウェー八８上において処理
速度が異なってしまうから、ウェーハ８の材質、感度等
によってはレジストが存在しない部分に照射損傷が生じ
る場合があるなどの種々の問題点があった。
ら導入されるので、空洞３内の位置に応じてマイクロ波
の強度が異なってしまう。このため、プラズマ発光室４
内においてプラズマ７の発生密度に差ができ、ウェーハ
８に対して均一なレジスト除去処理ができなかったり、
処理能力が落ちたり、更にはウェー八８上において処理
速度が異なってしまうから、ウェーハ８の材質、感度等
によってはレジストが存在しない部分に照射損傷が生じ
る場合があるなどの種々の問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みて創作されたものであり、マイ
クロ波強度をプラズマ発光室内で均一にするようにした
プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
クロ波強度をプラズマ発光室内で均一にするようにした
プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明のプラズマ処理装置は、空洞及び窓を通してマイ
クロ波をプラズマ発光室に導入してプラズマを発生し、
プラズマ発光室内の試料に対して所定の処理を行なうプ
ラズマ処理装置において、空洞に対して四方向からマイ
クロ波を導入するよう構成したものである。
クロ波をプラズマ発光室に導入してプラズマを発生し、
プラズマ発光室内の試料に対して所定の処理を行なうプ
ラズマ処理装置において、空洞に対して四方向からマイ
クロ波を導入するよう構成したものである。
マイクロ波は導波管によって案内されて窓の上方にある
空洞に導入され、更にこれよりマイクロ波を透過する物
質で作製された窓を通して真空のプラズマ発光室に導入
される。
空洞に導入され、更にこれよりマイクロ波を透過する物
質で作製された窓を通して真空のプラズマ発光室に導入
される。
プラズマ発光室には所定のガスが所定圧力で導入されて
いるため、と記のマイクロ波の導入によってプラズマが
発生する。
いるため、と記のマイクロ波の導入によってプラズマが
発生する。
ここで、上記のマイクロ波は空洞の四方向から空洞内に
入力されるため、マイクロ波の強度は空洞内及びプラズ
マ発光室内において略均−となる（実施例〕 以下、本発明の一実施例について説明するに、第１図（
８）は本発明装置の一実施例の概略平面図で、第１図（
Ａ）は第１図（Ｂ）中のプラズマ発光室４付近の縦断側
面図を示す。第１図（Ａ）。
入力されるため、マイクロ波の強度は空洞内及びプラズ
マ発光室内において略均−となる（実施例〕 以下、本発明の一実施例について説明するに、第１図（
８）は本発明装置の一実施例の概略平面図で、第１図（
Ａ）は第１図（Ｂ）中のプラズマ発光室４付近の縦断側
面図を示す。第１図（Ａ）。
（Ｂ）中、第２図（△）、（Ｂ）と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。第１図（Ｂ）にお
いて、第１のマイクロ波発生源１０と第２のマイクロ波
発生源１１とは夫々同一周波数、同一強度のマイクロ波
を夫々同時に発生出力する。第１のマイクロ波発生源１
０よりのマイクロ波は導波管１２ａ及び１２ｂを別々に
通して空洞１４内に導入される。
一符号を付し、その説明を省略する。第１図（Ｂ）にお
いて、第１のマイクロ波発生源１０と第２のマイクロ波
発生源１１とは夫々同一周波数、同一強度のマイクロ波
を夫々同時に発生出力する。第１のマイクロ波発生源１
０よりのマイクロ波は導波管１２ａ及び１２ｂを別々に
通して空洞１４内に導入される。
また、これと同時に第２のマイクロ波発生源１１により
発生されたマイクロ波は、導波管１３ａ及び１３ｂを別
々に通して空洞１４内に導入される。
発生されたマイクロ波は、導波管１３ａ及び１３ｂを別
々に通して空洞１４内に導入される。
空１ｉｉ１１４は第１図（Ａ＞に示す如く、窓５の上、
方に設けられである。また、導′ｆ！１．管１２ａ
と１２ｂとは相対向して空洞１４に接続されである。更
に、導波管１３ａと１３ｂとは互いに相対向して空洞１
４に接続され、かつ、窓５の表面に平行な平面上におい
て導波管１２ａと１２ｂとを結ぶ空洞１４内の仮想直線
に対して導波管１３ａと１３ｂとを結ぶ空洞１４内の仮
想直線が直交する如（に設けられである。
方に設けられである。また、導′ｆ！１．管１２ａ
と１２ｂとは相対向して空洞１４に接続されである。更
に、導波管１３ａと１３ｂとは互いに相対向して空洞１
４に接続され、かつ、窓５の表面に平行な平面上におい
て導波管１２ａと１２ｂとを結ぶ空洞１４内の仮想直線
に対して導波管１３ａと１３ｂとを結ぶ空洞１４内の仮
想直線が直交する如（に設けられである。
上記の構成とすることにより、空洞１４内には導波管１
２ａ、１２ｂ、１３ａ及び１３ｂにより別々に案内され
たマイクロ波が、四方向から夫々導入されることになる
。
２ａ、１２ｂ、１３ａ及び１３ｂにより別々に案内され
たマイクロ波が、四方向から夫々導入されることになる
。
これにより、マイクロ波の強度は空洞１４内において略
均−となるため、窓５を通してプラズマ発光室４内に導
入されたマイクロ波はプラズマ発光室４内においてもそ
の強度が略均−となる。よって、プラズマ発光室４内で
発生されたプラズマ１５は第１図（Ａ）に示す如く均一
な分布で発生し、ウェーハ８に対して均一なプラズマ処
理を行なえる。
均−となるため、窓５を通してプラズマ発光室４内に導
入されたマイクロ波はプラズマ発光室４内においてもそ
の強度が略均−となる。よって、プラズマ発光室４内で
発生されたプラズマ１５は第１図（Ａ）に示す如く均一
な分布で発生し、ウェーハ８に対して均一なプラズマ処
理を行なえる。
上述の如く、本発明によれば、プラズマ発光室内におけ
るマイクロ波の強度を均一にできるから、試料に対して
均一性の良いアッシングやエツチングができ、よってレ
ジストが存在しない部分に照射損傷を生じさせてしまう
ことを大幅に低減することができ、デバイス製造に特に
有効である等の特長を有するものである。
るマイクロ波の強度を均一にできるから、試料に対して
均一性の良いアッシングやエツチングができ、よってレ
ジストが存在しない部分に照射損傷を生じさせてしまう
ことを大幅に低減することができ、デバイス製造に特に
有効である等の特長を有するものである。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は夫々本発明装置の一実施例の概
略縦断側面図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）は夫々従来のプラズマ処理装置の
一例の概略縦断面図及び平面図である。 図において、 ４はプラズマ発光室、 ５は窓、 ６はガス導入口、 ８はウェーハ、 １０は第１のマイクロ波発生源、 １１は第２のマイクロ波発生源、 １２ａ、１２ｂ、 １３ａ、１３ｂは導波管、１４は空
洞、 １５はプラズマである。 （Ａ） （Ｂ） 第１図 （Ａ） （Ｂ） 第２図
略縦断側面図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）は夫々従来のプラズマ処理装置の
一例の概略縦断面図及び平面図である。 図において、 ４はプラズマ発光室、 ５は窓、 ６はガス導入口、 ８はウェーハ、 １０は第１のマイクロ波発生源、 １１は第２のマイクロ波発生源、 １２ａ、１２ｂ、 １３ａ、１３ｂは導波管、１４は空
洞、 １５はプラズマである。 （Ａ） （Ｂ） 第１図 （Ａ） （Ｂ） 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導波管を通つて空洞に入来したマイクロ波を、窓を通し
て真空のプラズマ発光室に導入して所定ガス圧下でプラ
ズマを発生し、該プラズマ発光室内の試料に対して所定
の処理を行なうプラズマ処理装置において、 前記空洞（１４）に対して四方向からマイクロ波を導入
するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12480586A JPS62281424A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12480586A JPS62281424A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281424A true JPS62281424A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14894558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12480586A Pending JPS62281424A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294491A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-05 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12480586A patent/JPS62281424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294491A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-05 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
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