JPS6228461B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6228461B2 JPS6228461B2 JP10042582A JP10042582A JPS6228461B2 JP S6228461 B2 JPS6228461 B2 JP S6228461B2 JP 10042582 A JP10042582 A JP 10042582A JP 10042582 A JP10042582 A JP 10042582A JP S6228461 B2 JPS6228461 B2 JP S6228461B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- valve
- vacuum chamber
- film
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は連続酸化膜形成方法、詳しくは連続的
に酸化膜をスパツタリングにより成長する方法に
関する。
に酸化膜をスパツタリングにより成長する方法に
関する。
(2) 技術の背景
集積回路（IC）の製作に使われるメタルマス
ク（ハードマスク）は、ガラス基板上の純クロム
膜上に酸化クロム膜を形成するいわゆる低反射処
理が施される例が多い。
ク（ハードマスク）は、ガラス基板上の純クロム
膜上に酸化クロム膜を形成するいわゆる低反射処
理が施される例が多い。
例えばICの製作においてウエハ上にアルミニ
ウム（Al）の膜が形成されている場合、低反射
処理がなされず純クロムのみのパターンが形成さ
れたメタルマスクを通してウエハに照射された紫
外線はAlの反射率が高いためAlによつて反射さ
れ、この反射光がマスクの純クロム（Cr）に照
射される。クロムもまた反射率が高いから前記反
射光は純クロム膜によつて反射される。かくして
ウエハとメタルマスクとの間で内部反射が発生
し、その結果パターン精度が悪くなる。
ウム（Al）の膜が形成されている場合、低反射
処理がなされず純クロムのみのパターンが形成さ
れたメタルマスクを通してウエハに照射された紫
外線はAlの反射率が高いためAlによつて反射さ
れ、この反射光がマスクの純クロム（Cr）に照
射される。クロムもまた反射率が高いから前記反
射光は純クロム膜によつて反射される。かくして
ウエハとメタルマスクとの間で内部反射が発生
し、その結果パターン精度が悪くなる。
上記欠点を解決するために、純クロムの表面上
に酸化クロム（CrOx）の膜を第１図の断面図に
示されるように成長する。なお同図において、１
はガラス基板、２は純クロム膜、３は酸化クロム
膜を示し、通常純クロム膜２と酸化クロム膜３と
を合せたものの膜厚は0.1μｍ程度ときわめて薄
いものである。酸化クロム膜を形成する理由は、
酸化クロム膜の表面で反射する光と、ほぼ透明に
近い酸化クロム膜を透過し純クロム膜で反射され
る光との干渉により、ウエハの露光に用いる水銀
灯の波長帯で反射率を最も低く抑えることが可能
であるからで、酸化クロム膜を上記の如く用い反
射率を10％程度に低下しうることが確認されてい
る。
に酸化クロム（CrOx）の膜を第１図の断面図に
示されるように成長する。なお同図において、１
はガラス基板、２は純クロム膜、３は酸化クロム
膜を示し、通常純クロム膜２と酸化クロム膜３と
を合せたものの膜厚は0.1μｍ程度ときわめて薄
いものである。酸化クロム膜を形成する理由は、
酸化クロム膜の表面で反射する光と、ほぼ透明に
近い酸化クロム膜を透過し純クロム膜で反射され
る光との干渉により、ウエハの露光に用いる水銀
灯の波長帯で反射率を最も低く抑えることが可能
であるからで、酸化クロム膜を上記の如く用い反
射率を10％程度に低下しうることが確認されてい
る。
上記したメタルマスクの製作には第２図の配置
図に示される装置を用いる。なお同図以下におい
て、既に示された部分と同じものは同じ符号を付
して示す。同図において、１１はアルゴン
（Ar）ガスのガスボツクス、１２は酸素（O2）ガ
スのガスボツクス、１３はオートマスフローメー
タ（流量計）、１４と１５はバルブ１６は真空室
を示し、これらはパイプで連結されている。流量
計１３によりアルゴンガス、酸素ガスの一定量が
真空室１６に送られ、真空室１６内でスパツタリ
ングが行われ、バルブ１４，１５の開閉でガスの
切り換えをなす。
図に示される装置を用いる。なお同図以下におい
て、既に示された部分と同じものは同じ符号を付
して示す。同図において、１１はアルゴン
（Ar）ガスのガスボツクス、１２は酸素（O2）ガ
スのガスボツクス、１３はオートマスフローメー
タ（流量計）、１４と１５はバルブ１６は真空室
を示し、これらはパイプで連結されている。流量
計１３によりアルゴンガス、酸素ガスの一定量が
真空室１６に送られ、真空室１６内でスパツタリ
ングが行われ、バルブ１４，１５の開閉でガスの
切り換えをなす。
操作においては、アルゴンガスで純クロムをス
パツタリングしてガラス基板に付着し、スパツタ
リングを一時中断させ、酸素ガスを入れてからス
パツタリングを再開し、酸化クロムを純クロムの
上に付着させる。こうすることの理由は、酸素ガ
スのための流量計１３とバルブ１５の間のパイプ
内に酸素ガスが充満しており、バルブ１５を開け
ると一時的に真空室１６内の真空度が悪くなり、
スパツタリングを維持しえなくなるからである。
パツタリングしてガラス基板に付着し、スパツタ
リングを一時中断させ、酸素ガスを入れてからス
パツタリングを再開し、酸化クロムを純クロムの
上に付着させる。こうすることの理由は、酸素ガ
スのための流量計１３とバルブ１５の間のパイプ
内に酸素ガスが充満しており、バルブ１５を開け
ると一時的に真空室１６内の真空度が悪くなり、
スパツタリングを維持しえなくなるからである。
(3) 従来技術と問題点
前記したスパツタリングの一時的中断なく連続
して純クロムのスパツタリング中に酸素ガスが加
えられたとき、純クロム膜と酸化クロム膜との境
界はゆるやかに（漸進的）に純クロムから酸化ク
ロムに変る。このような膜をエツチングすると、
第１図に斜線４で示すようなテーパしたエツチン
グが進行し、かくして形成されたパターンを上か
ら見ると第３図に示す如き形状となる。
して純クロムのスパツタリング中に酸素ガスが加
えられたとき、純クロム膜と酸化クロム膜との境
界はゆるやかに（漸進的）に純クロムから酸化ク
ロムに変る。このような膜をエツチングすると、
第１図に斜線４で示すようなテーパしたエツチン
グが進行し、かくして形成されたパターンを上か
ら見ると第３図に示す如き形状となる。
ところが、上記したスパツタリングの一時的中
断があると、純クロム膜と酸化クロム膜の境界は
第１図の断面図に示す如く異質の２物質が重なつ
た如くにはつきりしたものとなる。かかる構成の
膜をエツチングすると、エツチング液が境界にし
み込んで、第４図の断面で示される構造が得られ
る。図にＰで示される幅がパターン幅であるが、
このパターン幅はガラス基板１の事後の処理の間
に損傷されて本来のパターンとは異なつたものと
なる事例が多い。また酸化クロム膜は図示の如く
ひさし状になつていて、低反射膜としての機能を
果しえない。
断があると、純クロム膜と酸化クロム膜の境界は
第１図の断面図に示す如く異質の２物質が重なつ
た如くにはつきりしたものとなる。かかる構成の
膜をエツチングすると、エツチング液が境界にし
み込んで、第４図の断面で示される構造が得られ
る。図にＰで示される幅がパターン幅であるが、
このパターン幅はガラス基板１の事後の処理の間
に損傷されて本来のパターンとは異なつたものと
なる事例が多い。また酸化クロム膜は図示の如く
ひさし状になつていて、低反射膜としての機能を
果しえない。
更に、最近のマスク製作においては、ウエハの
大口径化に伴いマスクも大型になり、従来のバツ
チ処理による複数個マスクの製作に代え、マスク
１枚毎の処理がなされ、かかる処理をライン作業
でなすについては１秒程度の時間の損失が問題と
される。ところで前述したスパツタリングの中断
があると、スパツタリングの再開のとき電圧調整
等にかなりの時間が浪費され、それがライン作業
の支障となるという問題もある。
大口径化に伴いマスクも大型になり、従来のバツ
チ処理による複数個マスクの製作に代え、マスク
１枚毎の処理がなされ、かかる処理をライン作業
でなすについては１秒程度の時間の損失が問題と
される。ところで前述したスパツタリングの中断
があると、スパツタリングの再開のとき電圧調整
等にかなりの時間が浪費され、それがライン作業
の支障となるという問題もある。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、IC製作に用
いるメタルマスクの表面に低反射処理を施すため
のガラス基板上の純クロム膜と酸化クロム膜の成
長において、これらの膜の成長のためのスパツタ
リングを中断することなく連続して行いうる方法
を提供するにある。
いるメタルマスクの表面に低反射処理を施すため
のガラス基板上の純クロム膜と酸化クロム膜の成
長において、これらの膜の成長のためのスパツタ
リングを中断することなく連続して行いうる方法
を提供するにある。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、アルゴンガ
スおよび酸素ガスを真空室に供給するパイプ系に
おいて、真空室への前記ガスの供給、停止のため
に開閉される真空室側バルブとガスの流量計の中
間において、前記バルブと流量計の間のパイプ内
に充満するガスを常時排気し、スパツタリングを
なすときは前記排気を停止し、前記バルブを開い
て真空室にアルゴンガスまたは酸素ガスを供給す
る方法を提供することによつて達成される。
スおよび酸素ガスを真空室に供給するパイプ系に
おいて、真空室への前記ガスの供給、停止のため
に開閉される真空室側バルブとガスの流量計の中
間において、前記バルブと流量計の間のパイプ内
に充満するガスを常時排気し、スパツタリングを
なすときは前記排気を停止し、前記バルブを開い
て真空室にアルゴンガスまたは酸素ガスを供給す
る方法を提供することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によつて詳述する。
第５図に本発明の方法の実施する装置の配置を
示す。第２図に示した装置の場合と同様に、１１
はアルゴンガスのガスボツクス、１２は酸素ガス
のガスボツクス、１３は流量計、１４と１５は真
空室側のバルブ、１６はその内部でスパツタリン
グが実施される真空室を示す。
示す。第２図に示した装置の場合と同様に、１１
はアルゴンガスのガスボツクス、１２は酸素ガス
のガスボツクス、１３は流量計、１４と１５は真
空室側のバルブ、１６はその内部でスパツタリン
グが実施される真空室を示す。
本発明の方法を実施するためには、バルブ１５
と流量計１３、バルブ１４と流量計１３との間に
それぞれＴ字管１７，１８を接続し、Ｔ字管１
７，１８はそれぞれバルブ１９，２０を介してロ
ータリポンプ２１に連結され、ロータリポンプ２
１から矢印Ｅの方向に排気する。通常の状態では
バルブ１９と２０は開かれていて、バルブ１５と
流量計１３、バルブ１４と流量計１３の間のパイ
プは真空に保たれる。
と流量計１３、バルブ１４と流量計１３との間に
それぞれＴ字管１７，１８を接続し、Ｔ字管１
７，１８はそれぞれバルブ１９，２０を介してロ
ータリポンプ２１に連結され、ロータリポンプ２
１から矢印Ｅの方向に排気する。通常の状態では
バルブ１９と２０は開かれていて、バルブ１５と
流量計１３、バルブ１４と流量計１３の間のパイ
プは真空に保たれる。
スパツタリングをするときは、バルブ１９，２
０を閉じ、先ずバルブ１４を開き、真空室１６に
アルゴンガスを送り、アルゴンガス雰囲気中で純
クロムのスパツタリングを行い純クロム膜２をガ
ラス基板１上に成長する。
０を閉じ、先ずバルブ１４を開き、真空室１６に
アルゴンガスを送り、アルゴンガス雰囲気中で純
クロムのスパツタリングを行い純クロム膜２をガ
ラス基板１上に成長する。
次いで酸化クロム膜を成長するには、バルブ１
５を開いて真空室１６に酸素ガスを送り、酸化ク
ロムを既に形成された純クロム膜上に成長して酸
化クロム膜３を形成する。かくすることによつ
て、徐々に変化する境界でもつて純クロム膜２と
酸化クロム膜３が連続して形成される。
５を開いて真空室１６に酸素ガスを送り、酸化ク
ロムを既に形成された純クロム膜上に成長して酸
化クロム膜３を形成する。かくすることによつ
て、徐々に変化する境界でもつて純クロム膜２と
酸化クロム膜３が連続して形成される。
マスクの１枚ずつの処理においてもバツチ処理
においても、上記の工程を繰り返し実施すればよ
く、スパツタリングは中断されることなく連続し
て行うことができる。上記の方法で形成したマス
クは第３図を参照して説明したマスクと同様であ
つて、従来技術において経験された欠点は認めら
れなかつた。
においても、上記の工程を繰り返し実施すればよ
く、スパツタリングは中断されることなく連続し
て行うことができる。上記の方法で形成したマス
クは第３図を参照して説明したマスクと同様であ
つて、従来技術において経験された欠点は認めら
れなかつた。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の方法によ
るときは、スパツタリングを中止することなく純
クロム膜と酸化クロム膜の形成が可能となるの
で、マスク製作の歩留りが改善されるだけでな
く、製作されるマスクの信頼性を高めるに効果大
である。
るときは、スパツタリングを中止することなく純
クロム膜と酸化クロム膜の形成が可能となるの
で、マスク製作の歩留りが改善されるだけでな
く、製作されるマスクの信頼性を高めるに効果大
である。
第１図は従来のスパツタリング装置の配置を示
す図、第２図は第１図の装置で形成されるメタル
マスクの断面図、第３図は良好なメタルマスクの
パターンの平面図、第４図は従来技術により作ら
れるマスクパターの断面図、第５図は本発明の方
法を実施するための連続スパツタリング装置の断
面図である。 １…ガラス基板、２…純クロム膜、３…酸化ク
ロム膜、１１…アルゴンガスガスボツクス、１２
…酸素ガスガスボツクス、１３…オートマスフロ
ーメータ（流量計）、１４，１５，１９，２０…
バルブ、１６…真空室、１７，１８…Ｔ字管、２
１…ロータリポンプ。
す図、第２図は第１図の装置で形成されるメタル
マスクの断面図、第３図は良好なメタルマスクの
パターンの平面図、第４図は従来技術により作ら
れるマスクパターの断面図、第５図は本発明の方
法を実施するための連続スパツタリング装置の断
面図である。 １…ガラス基板、２…純クロム膜、３…酸化ク
ロム膜、１１…アルゴンガスガスボツクス、１２
…酸素ガスガスボツクス、１３…オートマスフロ
ーメータ（流量計）、１４，１５，１９，２０…
バルブ、１６…真空室、１７，１８…Ｔ字管、２
１…ロータリポンプ。
Claims (1)
- １ 真空室にアルゴンガスを流量計、次いでバル
ブを介しパイプを通して供給し当該真空室内で純
クロムのスパツタリングを行なつて基板上に純ク
ロム膜を形成し、引続き前記真空室に流量計と次
いでバルプを介しパイプを通して酸素を供給する
ことにより酸化クロムを前記純クロム膜上に付着
させるスパツタリング方法において、前記流量計
とバルブとの間のパイプ部分は常時排気して真空
に保ち、スパツタリングを行う際には前記パイプ
部分の排気を止め、真空室に通じる前記バルブを
開いてアルゴンガスとそれに続く酸素ガスの供給
を行なつて前記スパツタリングを連続的に実施す
ることを特徴とする連続酸化膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100425A JPS58216246A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 連続酸化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100425A JPS58216246A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 連続酸化膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216246A JPS58216246A (ja) | 1983-12-15 |
| JPS6228461B2 true JPS6228461B2 (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=14273605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100425A Granted JPS58216246A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 連続酸化膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04145673A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Nec Corp | 積層セラミック圧電素子 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353260A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反応性スパツタ装置 |
| JP3565163B2 (ja) * | 2000-12-20 | 2004-09-15 | ヤマハ株式会社 | 酸化膜形成法と磁気トンネル接合素子の製法 |
| JP6230184B2 (ja) * | 2013-10-10 | 2017-11-15 | 株式会社アルバック | 成膜装置、成膜方法及び金属酸化物薄膜の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP57100425A patent/JPS58216246A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04145673A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Nec Corp | 積層セラミック圧電素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58216246A (ja) | 1983-12-15 |
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