JPS6228609B2 - - Google Patents

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JPS6228609B2
JPS6228609B2 JP54064548A JP6454879A JPS6228609B2 JP S6228609 B2 JPS6228609 B2 JP S6228609B2 JP 54064548 A JP54064548 A JP 54064548A JP 6454879 A JP6454879 A JP 6454879A JP S6228609 B2 JPS6228609 B2 JP S6228609B2
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JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
wave device
surface acoustic
plane
input
Prior art date
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Expired
Application number
JP54064548A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5526796A (en
Inventor
Furanshisu Ruuisu Mairon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UK Secretary of State for Defence
Original Assignee
UK Secretary of State for Defence
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Filing date
Publication date
Application filed by UK Secretary of State for Defence filed Critical UK Secretary of State for Defence
Publication of JPS5526796A publication Critical patent/JPS5526796A/ja
Publication of JPS6228609B2 publication Critical patent/JPS6228609B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02551Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
    • GPHYSICS
    • G10MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
    • G10KSOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G10K11/00Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
    • G10K11/36Devices for manipulating acoustic surface waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表面音響波(SAW)装置に関する
ものである。 このような装置は通常平らな表面上に入出力イ
ンターデイジタル・コーム(櫛形)変換器を備え
た圧電(例えば水晶)基板を持つている。電気信
号は入力変換器によつて表面音響波に変換され、
これがトラツクに沿い出力変換器の方に移動し、
ここで表面波が電気信号に逆変換される。この装
置は、フイルタ、デイレイライン又はフイードバ
ツク・エレメントとして発振器などに、変換器の
長さ形状及び音響波トラツクの長さを適当に配置
することによつて、使うことができる。発振器に
於けるSAW装置の使用については
「Ultrasonic」誌1974年第115ないし123頁に記載
されている。 シングルポートレゾネータと言われているもう
1つのSAW装置が、入力兼用出力変換器の二重
目的に、金属ストリツプ又はグループから成る2
個の反射アレイ間に配置して、使用されている。 すべての音響波装置について、水晶を精確に切
り且つ磨き、また変換器を精確に整合させて、基
板の方向及び音響伝播方向を結晶軸と相対的に定
めることが必要である。 水晶を使用した従来の音響波装置は通常いわゆ
るSTプレーン(伝播がX−軸に平行)を使用
し、従つて温度変化の効果(例えば周波数の変動
及び温度になるデイレイ)が最少限に抑えられ
る。 本発明によれば、表面音響装置は平らな表面を
持つ水晶基板を備え、この表面は、入力兼出力変
換器装置を載せ音響波を平らな平面の中又は上の
トラツクに沿つて送りまた受ける。この場合、こ
の平らな表面はY軸のまわりにZ平面からプラス
又はマイナス41゜ないし47゜だけ回転した平面内
にあり、トラツクはY軸から61゜ないし67゜整合
とし、61゜ないし67゜整合の方向は、トラツクが
結晶のマイナー・ロンボヘドラル(菱面体)面に
ほぼ直角である。 入力兼出力変換装置はワンポートレゾネータに
於けるように単一の変換器でもよいし、デイレイ
ライン又はツーポートレゾネータに於けるように
別個の入力変換器及び出力変換器であつてもよ
い。2個以上の変換器を、英国特許第1372235号
明細書にあるような反射アレイ構造又はカプラー
と共に使うこともできる。 以上本発明をその実施例について添付図を用い
て詳細に説明する。 第1図に示すように、結晶1は、x軸、y軸、
z軸、通常1101、0111、1011で示されるメ
ージヤー・ロンボヘドラル面2,3,4を持つて
いる。3個のマイナー・ロンボヘドラル面5,
6,21は1011、1101、0111で示す。X平
面は2110で示しこれは(定義上)X軸に直角な
平面図である。 結晶に隣接して、Y軸のまわりにX平面から+
及び−46゜だけ回転した即ちZ(又はXY)平面
(XY平面はX軸及びY軸を含む平面である)から
−及び+44゜だけ回転した2個の平面7,8があ
る。これらの平面7,8上に音響伝播のベクトル
が横たわつている。これらのベクトル
はY軸に64゜で交り、また2個のマイナー・ロン
ボヘドラル面1101、1011に対してほぼ直角を
なしており、これら両面の法線は破線9,10で
示す。 前述のように、水晶カツトは1個の特定の組の
XYZ軸に関係付けられている。しかし水晶はトリ
ゴナル(三方晶系)であるので、3個のイクイバ
レントXY軸を持ち、Z軸は単一である。前述の
カツトは、3組のY軸のうちの任意の組のまわり
に±46゜の適当な回転を行なつて得られる。或る
場合には、このことは第3のマイナー・ロンボヘ
ドラルド面0111、即ちこの面から法線22にほ
ぼ平行なに直角な伝播を含んでいる。 第2図に示すデイレイライン装置12は、前述
の平面の1つに横たわるようにカツトし磨いた平
らな面14を持つ水晶の基板を備えている。平面
14の上には、前述のように整合したトラツク
又は ,17に沿い間隔を隔てた2個のイン
ターデイジタル変換器15,16がある。変換器
の長さ、フインガペヤーの数、変換器間スペーシ
ングは、所要の装置応答、例えば英国特許第
1451326号明細書に記載されているシングルモー
ド発振器を提供するように選択する。表面波の反
射は、基板の端部18,19に角度付けをするこ
とによつて、減らす。増幅器20に変換器を接続
すれば、主にデイレイライン装置12によつて定
まる性能を備えたフイードバツクループが得られ
る。入力変換器15及び出力変換器16の働きは
可逆的である。本発明は発振器に限定されたもの
ではなく、温度上の安定が必要とされるすべての
SAW装置用として使うことができる。 第3図は、第2図に示すような発振器の周波数
が、1連の異なる結晶カツトに対して装置温度と
共にどのように変化するかを示しており、この場
合カツトは、Y軸(即ち前述の 又は )に
対して64゜で伝播する45゜、46゜、47゜回転のX
カツトである。44゜カツト(及び更に低いカツト
角度)は、低い温度値に於てゼロの温度係数を持
つ。破線で示すものは、STカツトの水晶装置に
対するグラフを比較のために掲げたものである。 以上詳述した装置に対しては、SAWの速度は
約3317米/秒である。ビームステアリング
(SAWトラツク偏差)は、ベクトルがあまり変
らなければ即ち64゜値から1゜以下ならば、1/2
゜以下である。このビームステアリングは平らな
面の整合の変化にはあまり敏感ではないので、整
合は、第3図に示すような所望の性能を選ぶよう
に変えることができる。重くメタライズした変換
器の存在は第3図に示す値に影響を及ぼす。その
理由はこれらの成績は主に自由表面に対するもの
であるからであるが、周知の技法によつて修正を
決定することができる。 装置の寿命も、前述のようなカツトを以つてす
れば、表面の汚染がSTカツトの水晶よりも影響
が少ないようであるので、よく改善されたことを
示している。 第4図は、第2図のデイレイラインに反射スト
リツプから成る2個のアレイ24,25を追加し
たものに類似のツーポートレゾネータを示す。こ
れは結果的にはデイレイラインよりも高いQ装置
である。レゾネータについては、1975年I.E.E.E
ウルトラソニツク・シンポジウムI.E.E.E
Cat.75CH(944−4SU)ページ290の報告にF.G.
Marshall氏が述べている。 温度的安定の改善のための音響波装置について
は、1978年ウルトラソニツク・シンポジウムの報
告I.E.E.E Cat.78 CH1344 1SUに於てT.I.
Brwning及びM.F.Lewisの両氏が述べている。こ
こでは単一の基板上に電気的に並列に接続した2
個又は2個以上の音響トラツクが使われている。
主トラツクは前述のような先天的に良好な温度的
安定を持つ方向に整合してあるが、副トラツクは
異つた温度系数を提供するように整合されてい
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は結晶軸を規定する各種結晶平面を持つ
水晶結晶を示し、第2図は表面音響波デイレイラ
イン測置を示し、第3図は或る表面整合範囲に対
する温度対周波数の関係を示し、第4図はツーポ
ートの表面音響波レゾネータを示す。 12……デイレイライン装置、14……平面、
15,16……インターデイジタル・コーム(櫛
形)変換器、18,19……基板端部、20……
増幅器、24,25……反射アレイ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 平らな表面を持ち、この平らな表面の中又は
    上のトラツクに沿つて音響波を送り且つ受ける入
    力兼出力変換器装置をこの平らな表面に載せるよ
    うにした水晶基板を備えた表面音響波装置に於
    て、平らな表面をY軸のまわりにz平面からプラ
    ス又はマイナス41゜ないし47゜だけ回転した平面
    内に置くと共にトラツクをY軸から61゜ないし67
    ゜整合とし、61゜ないし67゜整合の方向をトラツ
    クが結晶のマイナー・ロンボヘドラル面に対して
    ほぼ直角であるように定めたことを特徴とする表
    面音響波装置。 2 平らな表面をY軸のまわりにプラス又はマイ
    ナス44゜ないし47゜だけ回転した平面内に置くよ
    うにした特許請求の範囲1に記載の表面音響波装
    置。 3 トラツク整合を63゜と65゜との間にした特許
    請求の範囲1に記載の表面音響波装置。 4 トラツクの両端に反射アレイ24,25を配
    置した特許請求の範囲1に記載の表面音響波装
    置。 5 入力兼出力変換器装置を形成する単一のイン
    ターデイジタル・コーム変換器を使つた特許請求
    の範囲4に記載の表面音響波装置。 6 入力兼出力変換器装置を形成する2個のイン
    ターデイジタル・コーム変換器15,16を使つ
    た特許請求の範囲1又は4に記載の表面音響波装
    置。
JP6454879A 1978-05-24 1979-05-24 Surface acoustic wave device Granted JPS5526796A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB2207578 1978-05-24
GB7917144A GB2026804B (en) 1978-05-24 1979-05-17 Surface acoustic wave devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5526796A JPS5526796A (en) 1980-02-26
JPS6228609B2 true JPS6228609B2 (ja) 1987-06-22

Family

ID=26255706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6454879A Granted JPS5526796A (en) 1978-05-24 1979-05-24 Surface acoustic wave device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4247835A (ja)
EP (1) EP0005953B1 (ja)
JP (1) JPS5526796A (ja)
CA (1) CA1115791A (ja)
GB (1) GB2026804B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5797214A (en) * 1980-12-08 1982-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transducer for surface wave
WO1982003511A1 (en) * 1981-04-06 1982-10-14 Prod Corp Gte Surface acoustic wave filter
EP0097642A1 (en) * 1981-12-14 1984-01-11 Gte Products Corporation Acoustical wax on a surface wave device
US4450420A (en) * 1982-01-13 1984-05-22 Gte Products Corporation Surface acoustic wave filter
US4400640A (en) * 1982-05-17 1983-08-23 Motorola Inc. Temperature stable cuts of quartz
EP0172811A4 (en) * 1984-02-21 1987-01-10 Gte Prod Corp SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER HAVING A TRIANGULAR CONFIGURATION.
DE3606214A1 (de) * 1986-02-26 1987-08-27 Siemens Ag Halterung des substratplaettchens eines oberflaechenwellen-bauelementes
US4670680A (en) * 1986-07-29 1987-06-02 R. F. Monolithics, Inc. Doubly rotated orientations of cut angles for quartz crystal for novel surface acoustic wave devices
JPH0998061A (ja) * 1995-07-24 1997-04-08 Canon Inc Sawマッチドフィルタ及びこれを用いた受信装置及び通信システム
US7786827B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-31 Epson Toyocom Corporation Surface acoustic wave device, transmitter, and transceiver

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3818382A (en) * 1970-10-20 1974-06-18 Raytheon Co Surface wave delay line structures having reduced temperature coefficient of delay time
GB1378578A (en) * 1972-04-06 1974-12-27 Plessey Co Ltd Temperature compensated acoustic surface wave resonator
US3995240A (en) * 1974-12-23 1976-11-30 Hazeltine Corporation Temperature compensated surface wave device

Also Published As

Publication number Publication date
GB2026804A (en) 1980-02-06
CA1115791A (en) 1982-01-05
EP0005953A1 (en) 1979-12-12
EP0005953B1 (en) 1982-05-26
US4247835A (en) 1981-01-27
JPS5526796A (en) 1980-02-26
GB2026804B (en) 1982-09-08

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