JPS6229015A - 透明導電性フイルムの製造方法 - Google Patents
透明導電性フイルムの製造方法Info
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- JPS6229015A JPS6229015A JP16909185A JP16909185A JPS6229015A JP S6229015 A JPS6229015 A JP S6229015A JP 16909185 A JP16909185 A JP 16909185A JP 16909185 A JP16909185 A JP 16909185A JP S6229015 A JPS6229015 A JP S6229015A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は透明導電性フィルムの製造方法に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術）
最近、高分子フィルムやガラス板等の基板表面にｒ ｒ
＋ｚ Ｏｘ、５ｎＯｘ、Ｚｎ０ｘ等を主とした金ＦＡ酸
化物を透明導電性の薄口９として積層したものが、タッ
チスイッチや太陽電池等各種の電極に用いられるように
なってきた。金属酸化物は化学小論的には絶縁物である
が、適度の酸欠状態により導電性を示す性質を利用した
のが、この透明導電性簿膜である。
＋ｚ Ｏｘ、５ｎＯｘ、Ｚｎ０ｘ等を主とした金ＦＡ酸
化物を透明導電性の薄口９として積層したものが、タッ
チスイッチや太陽電池等各種の電極に用いられるように
なってきた。金属酸化物は化学小論的には絶縁物である
が、適度の酸欠状態により導電性を示す性質を利用した
のが、この透明導電性簿膜である。
ところで、基体として高分子フィルムを用い、反応性蒸
着法やイオンブレーティング法等により透明導電性のＢ
ＨＩ４を形成するには、高分子フィルムの種類にもよる
が、高分子フィルムをあまり高い温度に加熱せずに行な
う。
着法やイオンブレーティング法等により透明導電性のＢ
ＨＩ４を形成するには、高分子フィルムの種類にもよる
が、高分子フィルムをあまり高い温度に加熱せずに行な
う。
〈発明が解決しにうとする問題点）
そのために、形成された薄膜は、通常、（浅域的耐久性
が低い欠点があった。また、機械的耐久性を向上するた
めに、薄膜形成後に、熱処］！！！等の後工程を行なっ
ているが、工程が増し、製造時間が長くなる欠点があつ
Ｉζ。
が低い欠点があった。また、機械的耐久性を向上するた
めに、薄膜形成後に、熱処］！！！等の後工程を行なっ
ているが、工程が増し、製造時間が長くなる欠点があつ
Ｉζ。
本発明は、以上の欠点を改良し、薄Ｉ１９の機械的強度
を向上しうるとともに、製造時間を短縮しうる透明Ｓ電
性フィルムの製造方法の提供を目的とするものである。
を向上しうるとともに、製造時間を短縮しうる透明Ｓ電
性フィルムの製造方法の提供を目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の目的を達成するために、高分子フィル
ムの表面に透明導電性の薄膜を形成する透明導電性フィ
ルムの製造方法において、透明導電性の薄膜形成時に、
高分子フィルムのその薄膜形成面に高温の活性化ガスを
吹き付けることを特徴とする透明導電性フィルムの製造
方法を提供するものである。
ムの表面に透明導電性の薄膜を形成する透明導電性フィ
ルムの製造方法において、透明導電性の薄膜形成時に、
高分子フィルムのその薄膜形成面に高温の活性化ガスを
吹き付けることを特徴とする透明導電性フィルムの製造
方法を提供するものである。
（作用）
本発明によれば、高分子フィルム表面に薄膜を形成しな
がら、この薄膜形成面に高温の酸素や窒素等の活性化ガ
スを吹き付けているために、ｉｔ膜を適当な温度に加熱
でき、成膜中に金属の結晶化と反応を促進でき、熱処理
等の後処理を必要としない、機械的強度の高い薄膜を形
成できる。
がら、この薄膜形成面に高温の酸素や窒素等の活性化ガ
スを吹き付けているために、ｉｔ膜を適当な温度に加熱
でき、成膜中に金属の結晶化と反応を促進でき、熱処理
等の後処理を必要としない、機械的強度の高い薄膜を形
成できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
高分子フィルム１としては厚さ１００μ乳のポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを用いる。この高分子フィル
ム１を供給ローラ２から送り出し、円筒状のキャン３の
周側面を走行させ、最後に巻取ローラ４で巻き取る。キ
ャン３の温度は一り℃〜常温に保持されている。キャン
３の真下には蒸発源５が配設され、この蒸発源５にはＩ
ｎ−８ｎ合金（Ｓｎの含有ｆｆ１５ ｗｔ％）からなる
蒸発材料が収納され、キャン３を走行中の高分子フィル
ム１に蒸発源５から蒸発した１ｎ−３ｎ合金を蒸着し、
薄膜を形成する。キャン３と蒸発源５との間には高周波
コイル６が配設されていて、２００ （Ｗ）のパワーが
加えられており、これにより、蒸発源５から蒸発した１
ｎ−３ｎ合金をイオン化して高分子フィルムに蒸着する
。１膜の成膜速度は１５Ａ／ｓ、ＩＱ厚は約５００Ａと
する。そして、高分子フィルム１のＷＩ膜形成面近傍に
は、石英ガラスからなるガス導入管７が設けられていて
、薄膜形成面に圧力５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ稈度の酸素か
らなる活性化ガスを吹き付ける。ガス導入管７の根本部
分には冷却バイブ８が設けられ、先端部分には抵抗加熱
コイル９が設けられ、この抵抗加熱コイル９により加熱
された高温の活性化ガスを薄膜形成面に吹き付ける。な
お、キャン３の下部付近には、蒸発物があまり広い角度
で高分子フィルム１に蒸着しないようにマスク１０が設
けられている。
ンテレフタレートフィルムを用いる。この高分子フィル
ム１を供給ローラ２から送り出し、円筒状のキャン３の
周側面を走行させ、最後に巻取ローラ４で巻き取る。キ
ャン３の温度は一り℃〜常温に保持されている。キャン
３の真下には蒸発源５が配設され、この蒸発源５にはＩ
ｎ−８ｎ合金（Ｓｎの含有ｆｆ１５ ｗｔ％）からなる
蒸発材料が収納され、キャン３を走行中の高分子フィル
ム１に蒸発源５から蒸発した１ｎ−３ｎ合金を蒸着し、
薄膜を形成する。キャン３と蒸発源５との間には高周波
コイル６が配設されていて、２００ （Ｗ）のパワーが
加えられており、これにより、蒸発源５から蒸発した１
ｎ−３ｎ合金をイオン化して高分子フィルムに蒸着する
。１膜の成膜速度は１５Ａ／ｓ、ＩＱ厚は約５００Ａと
する。そして、高分子フィルム１のＷＩ膜形成面近傍に
は、石英ガラスからなるガス導入管７が設けられていて
、薄膜形成面に圧力５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ稈度の酸素か
らなる活性化ガスを吹き付ける。ガス導入管７の根本部
分には冷却バイブ８が設けられ、先端部分には抵抗加熱
コイル９が設けられ、この抵抗加熱コイル９により加熱
された高温の活性化ガスを薄膜形成面に吹き付ける。な
お、キャン３の下部付近には、蒸発物があまり広い角度
で高分子フィルム１に蒸着しないようにマスク１０が設
けられている。
上記の方法により製造した透明導電性フィルムと、従来
の方法により製造したものとについて、薄膜表面をガー
ゼにより１００ｇ／ａＩの圧力で１００回Ｊｌりした後
および打鍵テストを行なった後の表面抵抗値の増加率を
測定したところ表の通りの結果が得られた。
の方法により製造したものとについて、薄膜表面をガー
ゼにより１００ｇ／ａＩの圧力で１００回Ｊｌりした後
および打鍵テストを行なった後の表面抵抗値の増加率を
測定したところ表の通りの結果が得られた。
従来例１は活性化ガスの吹き付けを省略している以外は
本発明実施例と同一条件で製造され、従来例２は従来例
１の製造方法にざらに熱処理を行なう方法により製造さ
れたものである。
本発明実施例と同一条件で製造され、従来例２は従来例
１の製造方法にざらに熱処理を行なう方法により製造さ
れたものである。
表
この表から明らかな通り、本発明によれば従来例に比べ
、ガーゼによる摩擦の場合には１１５以下、打鍵テス１
〜の場合には１／２以下になっている。
、ガーゼによる摩擦の場合には１１５以下、打鍵テス１
〜の場合には１／２以下になっている。
なお、本発明の製造条件は、上記実施例に限定されるこ
とな（、例えば高分子フィルムとしてはポリエチレンや
ポリプロピレン等のフィルムを用いてもよく、また蒸発
材料としてはｒｎｚＯＸや５ｎＯｘ、ＴｉＯｘ、 ｚｎ
Ｏｘ等を、活性化ガスとしては窒素等を用いてもよい。
とな（、例えば高分子フィルムとしてはポリエチレンや
ポリプロピレン等のフィルムを用いてもよく、また蒸発
材料としてはｒｎｚＯＸや５ｎＯｘ、ＴｉＯｘ、 ｚｎ
Ｏｘ等を、活性化ガスとしては窒素等を用いてもよい。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば、薄膜を形成中その面にａ
渇の活性化ガスを吹き付けているために、機械的耐久性
の高い薄膜を形成でき、かつ熱処理等の後処理を必要と
しないため製造時間を短縮しつる透明導電性フィルムの
製造方法が１７られる。
渇の活性化ガスを吹き付けているために、機械的耐久性
の高い薄膜を形成でき、かつ熱処理等の後処理を必要と
しないため製造時間を短縮しつる透明導電性フィルムの
製造方法が１７られる。
図は本発明の実施に用いられる装置内部の正面図を示す
。 １・・・高分子フィルム、 ７・・・ガス導入管、９・
・・抵抗加熱コイル。
。 １・・・高分子フィルム、 ７・・・ガス導入管、９・
・・抵抗加熱コイル。
Claims (1)
- （１）高分子フィルムの表面に透明導電性の薄膜を形成
する透明導電性フィルムの製造方法において、透明導電
性の薄膜形成時に、高分子フィルムのその薄膜形成面に
高温の活性化ガスを吹き付けることを特徴とする透明導
電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909185A JPS6229015A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909185A JPS6229015A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229015A true JPS6229015A (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=15880153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16909185A Pending JPS6229015A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229015A (ja) |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16909185A patent/JPS6229015A/ja active Pending
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