JPS62297749A - ガラス転移温度測定法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は半導体封止樹脂のガラス転移温度の電気的測定
方法に関する。

従来の技術 以下図面を参照しながら、上述した従来のガラス転移温
度測定法の一例について説明する。

第３図は従来のガラス転移温度測定法の熱膨張線図を示
すものである。第３図においてσは熱膨張による伸びで
あり、Ｔは温度である。Ｔ　はガラス転移温度である。

従来のガラス転移温度測定は、ｄ１１１定用に造られた
試験片の熱膨張による伸びσを測定し上記の第３図の様
な熱膨張線図を作成し、その変曲点温度、すなわちガラ
ス転移温度Ｔ９　を求めるものである。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の様なｉｏ＋ｊ定法では、伸びσを機
械的に測定する為に、正確に測定出来る様に、特別な試
験片を作成する必要があり、その試験片の作成条件が必
ずしも実際の成形（封止）条件と一致する保証が々い。

さらに精密な測定装置を必要とする、という問題点を有
していた。

本発明はこのような従来の問題点を解消するものであり
、電気的にガラス転移温度を測定するものである。

問題点を解決するだめの手段 前記問題点を解決するだめに本発明は樹脂内部に封入さ
れた半導体素子の電気的特性値の温度特性を測定し、前
記温度特性の変曲点を求め、前記変曲点を前記樹脂のガ
ラス転移温度とするガラス転移温度測定法を提供する。

作　　用 本発明のガラス転移温度測定法は、電気的に測定するた
め、通常に樹脂封止された半導体製品を加工することな
くそのまま試験片として使用できる。従って試験片の成
形条件は実際の成形条件そのものであり、実情に合った
正確な測定ができる。

また電気的に容易に測定できる。

実施例 以下、本発明の一実施例のガラス転移温度測定法につい
て、図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明の第１の実施例におけるガラス転移温度
測定法の電気特性の測定装置を示すものである。

第１図に示すように、樹脂１に封入されたトランジスタ
２のベース３とエミッタ４の間に電源６により、一定電
流ＩＢを流し、このときのベース３とエミッタ４の間の
電圧ｖＢＥを電圧計８により測定する。この電圧ｖＢＥ
は半導体チップ表面と樹脂の間の熱応力により変化する
。

第２図は、上記測定装置により測定した電圧ｖＢＥと温
度Ｔとの関係すなわちｖＢＥの温度特性を示すものであ
り、ガラス転移温度Ｔ９に変曲点が現われる。従って上
記電圧ｖＢＥの温度特性の変曲点を求めることにより目
的の樹脂のガラス転移温度が測定できる。

発明の効果 以上のように本発明のガラス転移温度測定法は、樹脂内
部に封入された半導体の電気特性を調べることにより、
特別な試験片及び測定装置を必要とせずにしかも、ガラ
ス転移温度を測定すべき樹脂の実使用状態にて測定でき
る為、実状に合った正確なガラス転移温度が測定できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における半導体素子の温度電
気特性の測定装置の回路図、第２図は温度電気特性の一
例を示す特性図、第３図は従来のガラス転移温度測定法
における樹脂の熱膨張線図の一例を示す特性図である。 １・・・・・・樹脂、２・・・・・・トランジスタ、３
・・・・・・ペース、４・・・・・・エミッタ、５・・
山・コレクタ、６・・・・・・電源、７・・・・・・電
流計、８・・・・・・電圧計、ＩＢ・・・・・・ペース
電流、ｖＢＥ・・・・・・ペース・エミッタ間電圧、σ
・・・・・・樹脂の熱伸長量、Ｔ・・・・・・温度。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂内部に封入された半導体素子の電気的特性値
   の温度特性を測定し、前記温度特性の変曲点を求め、前
   記変曲点を前記樹脂のガラス転移温度とするガラス転移
   温度測定法。
2. （２）半導体素子の電気的特性値が半導体ＰＮ接合の順
   方向電流を所定値にする前記ＰＮ接合間の電圧である特
   許請求の範囲第１項記載のガラス転移温度測定法。
3. （３）半導体ＰＮ接合がトランジスタのベース・エミッ
   タ間接合である特許請求の範囲第２項記載のガラス転移
   温度測定法。