JPS6231213A - 弾性表面波共振子 - Google Patents

弾性表面波共振子

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Publication number
JPS6231213A
JPS6231213A JP16981585A JP16981585A JPS6231213A JP S6231213 A JPS6231213 A JP S6231213A JP 16981585 A JP16981585 A JP 16981585A JP 16981585 A JP16981585 A JP 16981585A JP S6231213 A JPS6231213 A JP S6231213A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
wave resonator
wave
elastic body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16981585A
Other languages
English (en)
Inventor
Takemitsu Takema
武馬 威光
Norio Hosaka
憲生 保坂
Takashi Shiba
芝 隆志
Jun Yamada
純 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6231213A publication Critical patent/JPS6231213A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利月分野〕 本発明は弾性表面波共振子に係り、特にその特性の向上
に好適な弾性表面波共振子に関する@〔発明の背景〕 従来の弾性表面波共振子は特開57−11520号−公
報に記載のように圧電基板上にくし型電極及びその両側
にグレーティング反射器を有する構成で従来のバルク振
動子に比べ高周波帯の共振子として有効である。しかし
この構成ではグレーティング反射器で弾性表面波?反射
する時その表面波エネルギーの一部がバルク波に変換さ
れるために低損失化及び高Q化を妨げていた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は高周波帯で低損失及びQ値を向上させた
弾性表面波共振子を提共することにある。
〔発明の概要〕
従来技術による弾性表面波共振子ではグレーティング反
射器を用いて、弾性表面波を反射させその反射波がある
特定の周波数同位相となるようグレーティング反射器を
配置することで発振ピークを得ていた。しかしこの方法
ではグレーティング反射器で弾性表面波ご反射させる時
その一部がバルク波に変換されるためその分の損失は改
善できなかった。本発明は上記欠点を改善するため弾性
表面波の伝搬経路をループ構造とした。この構造を用い
るこ2で弾性表面波。
をグレーティング反射器を用いずに閉じ込めることが可
能となる。そのため弾性表向波が伝搬路を繰り返し伝搬
する時ある特定の周波数と同位相となるように伝搬路長
を決めてやれば共振子となる。この時この共振子は弾性
表面波を用いているため、高層変化に有利で、かつ従来
欠点であった弾性表面波のグレーティングによるバルク
波変換損がないため、より低損失、高Qの特性を有する
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。円柱
形弾性体1の側面上ZnOEE電薄M2をスパッタによ
り形成し、その圧電薄膜上にくし型電極3をアルミニウ
ムを材料としてホトレジエツチング法を用いて作成した
。円柱形弾性体の半径rは発振周波数の波長を為とする
とMλ r=7yr(ただしMは1以上の整数、πは円周率) の関係と満足するものである。尚、共振周波数は10[
]MH2を選んだ。
本実施例によれば弾性表面波が円柱形弾性体側面一ヒを
伝搬しているため1弾性表面波は同一伝搬路を繰り返し
伝搬することになりエネルギーの閉じ込めが行われる。
そして(1)式の関係がら波長λの波が同位相で加わる
ためその波長の周波数で共振が起こる。
本発明では従来の共振子にあったグレーティング反射器
でのバルク波への変換損がないため低損失化及びQ値の
向上の効果がある。
また他の実施例として第2図に示T円柱形弾性体の代わ
りに円柱形圧電体4を用いその側面上にくし型電極を伝
搬路全面に形成したものが考えられる。くし型電極を伝
搬路全面に形成する理由を以下に述べる。弾性表面波伝
搬路を1としたとき発振周波数fは(3)式から求まる
。(3)式より ヱ=Lλ−(1) γ=fλ より f= J、L・−(3) (Lは自然数、νは弾性表面波音速) 発振周波数は7□周波数ごとにあることになり不用な発
振ピークが存在Tる。この不用な発振ピークな抑圧する
ため第3図に示すくし型電極の周波数特性の減衰極5?
上記不用な発振ピークと一致させたのがこの実施例であ
る。減衰極周波数f′は に存在する、よって一致させる条件は fo−2より −、仁 N−7゜ ()0は所望ピーク周波数の波長)となりこ
の条件よりくし型電極を伝搬路全体に形成する必要があ
る。この実施例の周波数特性を第5図に、また第1図に
示した実施例の周波数特性を第4図に示す。これ?見て
もわかるように第4図であった不要な発振ピークが第5
図では抑圧されていることがわかる。なお測定条件は入
出力ともシリーズの50Ω系で行なった。
また同程度の周波数帯で比較すると従来のグレーティン
グ反射器を用いた共振子の損失が約3(LB、負荷Qが
4500なのに対し、本発明の共振子の損失は約2dB
 、負荷Qは6000と損失で約i dE。
Qで1.3倍程度と向上している。また基板に応力を加
えることで発振周波数が変化するため、ピーク周波数の
微調整や弾性表面波デバイス企甫いたV、C,Q、への
応用にも本発明は有効である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、従来の共振子にあったグレーティング
反射器のバルク波変換損がないため低損失及びQ値の向
上に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例2示す構成図、第2図は本発
明の他の実施例を示す構成図)第6図はくし型電極の周
波数特性を示す特性図、第4図は第1図の実施例の周波
数特性な示す特性図、第5図は第2図の実施例の周波数
特性3示す特性図である。 1・・・円柱形弾性体 2・・・ZnO圧電薄膜 3・・・くし型電極 4・・・円柱形圧電体

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)弾性表面波共振子において所望のピーク周波数の波
    長をλ_0とした時、曲率半径がλ_0より十分に大き
    な弾性体基板において弾性体基板上全面または一部に圧
    電薄膜を形成するか、または上記弾性体基板を圧電体基
    板とし、基板上に少なくとも一個以上のくし型電極を形
    成した構造において、弾性表面波伝搬路長lを上記λ_
    0の整数倍とした事を特徴とする弾性表面波共振子。 2)前記弾性表面波共振子においてピッチλ_0/2の
    くし型電極を伝搬路全体に渡って設置した特許請求の範
    囲第1項記載の弾性表面波共振子。 3)前記弾性表面波共振子において、基板に固定または
    変動可能な応力を加えることができる構造とした特許請
    求の範囲第1項記載の弾性表面波共振子。
JP16981585A 1985-08-02 1985-08-02 弾性表面波共振子 Pending JPS6231213A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023134334A (ja) * 2022-03-14 2023-09-27 株式会社Gaianixx 素子、電子デバイス、電子機器及びシステム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2023134334A (ja) * 2022-03-14 2023-09-27 株式会社Gaianixx 素子、電子デバイス、電子機器及びシステム

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