JPS6231825B2 - - Google Patents
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- JPS6231825B2 JPS6231825B2 JP57128681A JP12868182A JPS6231825B2 JP S6231825 B2 JPS6231825 B2 JP S6231825B2 JP 57128681 A JP57128681 A JP 57128681A JP 12868182 A JP12868182 A JP 12868182A JP S6231825 B2 JPS6231825 B2 JP S6231825B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- electrode pad
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- semiconductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体ウエハの試験方法に係り、
特に半導体ウエハと電気特性試験用探針(以下プ
ローブと称す)の接合方法に関するものである。
特に半導体ウエハと電気特性試験用探針(以下プ
ローブと称す)の接合方法に関するものである。
第1図および第2図は半導体ウエハを試験する
従来の半導体試験装置の概略図であり、図におい
て1は固定ステージ、2は固定ステージ1上に取
り付けられた第1ガイドレール、3はこの第1ガ
イドレール2上をX軸方向(第1図において左右
方向)に案内される第1可動ステージ、4はこの
第1可動ステージ3上に取り付けられた第2ガイ
ドレール、5は第2ガイドレール4上をY軸方向
に案内される第2可動ステージ、6はこの第2可
動ステージ5上に設けられ回転角度調整が出来、
かつ第2可動ステージ5と共にX―Y方向に自在
に案内されるチヤツクトツプ、7はこのチヤツク
トツプ6上に載置固定され、試験される半導体ウ
エハ、7aは半導体ウエハ7上に多数形成された
半導体素子、7bは半導体素子7a上に複数形成
された電極パツド、8は中心部に開口部8aを有
し前記固定ステージ1上の対向位置に設けられた
テストヘツド、9はこのテストヘツド8の下面に
取り付けられ、テストヘツド8の開口部8aと同
心円の開口部9aを有するアダプターカード、1
0はこのアダプターカード9の開口部に回転可能
な状態にセツトされたドーナツ盤状絶縁基板から
成るプローブカード、11はこのプローブカード
10の絶縁基板上に一端が植設され他端が中央の
開口部10aにおいて前記電極パツド7bのパタ
ーンに対応した配置となるように装着された複数
のプローブ、12は前記プローブカード10の回
転角度を調整するための角度調整用つまみ、13
は前記プローブ11の先端部と電極パツド7bを
同時に観察するために前記テストヘツド8の開口
部の上部に設けられた顕微鏡、14は前記チヤツ
クトツプ6上に載置回定された半導体ウエハ7の
載置方向とチヤツクトツプ6の移動位置を記憶お
よび制御する制御部である。
従来の半導体試験装置の概略図であり、図におい
て1は固定ステージ、2は固定ステージ1上に取
り付けられた第1ガイドレール、3はこの第1ガ
イドレール2上をX軸方向(第1図において左右
方向)に案内される第1可動ステージ、4はこの
第1可動ステージ3上に取り付けられた第2ガイ
ドレール、5は第2ガイドレール4上をY軸方向
に案内される第2可動ステージ、6はこの第2可
動ステージ5上に設けられ回転角度調整が出来、
かつ第2可動ステージ5と共にX―Y方向に自在
に案内されるチヤツクトツプ、7はこのチヤツク
トツプ6上に載置固定され、試験される半導体ウ
エハ、7aは半導体ウエハ7上に多数形成された
半導体素子、7bは半導体素子7a上に複数形成
された電極パツド、8は中心部に開口部8aを有
し前記固定ステージ1上の対向位置に設けられた
テストヘツド、9はこのテストヘツド8の下面に
取り付けられ、テストヘツド8の開口部8aと同
心円の開口部9aを有するアダプターカード、1
0はこのアダプターカード9の開口部に回転可能
な状態にセツトされたドーナツ盤状絶縁基板から
成るプローブカード、11はこのプローブカード
10の絶縁基板上に一端が植設され他端が中央の
開口部10aにおいて前記電極パツド7bのパタ
ーンに対応した配置となるように装着された複数
のプローブ、12は前記プローブカード10の回
転角度を調整するための角度調整用つまみ、13
は前記プローブ11の先端部と電極パツド7bを
同時に観察するために前記テストヘツド8の開口
部の上部に設けられた顕微鏡、14は前記チヤツ
クトツプ6上に載置回定された半導体ウエハ7の
載置方向とチヤツクトツプ6の移動位置を記憶お
よび制御する制御部である。
この様に構成された半導体試験装置において、
電極パツド7bとプローブ11の接合方法は次の
様に行なわれる。
電極パツド7bとプローブ11の接合方法は次の
様に行なわれる。
まず、チヤツクトツプ6上に載置された特性試
験を行なうべき1枚目の半導体ウエハ7は、制御
部14の制御のもとにチヤツクトツプ6に固定さ
れあらかじめ定められた方向に載置角度の修正が
行なわれた後、載置位置から第1および第2のガ
イドレール2,4に案内されてプローブカード1
0の真下の調整位置に移動する。次に顕微鏡13
により、プローブ11と半導体ウエハ7上に形成
されたもののいずれか1つの半導体素子7aの電
極パツド7bを観察して姿勢調整を行なう。この
姿勢調整はチヤツクトツプ6を第1および第2の
ガイドレール2,4上をX―Y方向に移動させ、
プローブ11の各々の先端の真下に電極パツド7
bが各々対向する様にする。次に定められた方向
にセツトされた電極パツド7bに対しプローブ1
1の角度ずれがある場合には、角度調整用つまみ
12によつてプローブカード10を回転させ、プ
ローブ11の角度を電極パツド7bに合わせる。
この時、プローブカード10の角度調整によつて
生じたプローブ11と電極パツド7bのX―Y方
向のずれは、再度チヤツクトツプ6を調整して電
極パツド7bをプローブ11に対向させる様に位
置合せを行なう。このチヤツクトツプ6のX―Y
方向への調整とプローブカード10の角度調整
は、各電極パツド7bと各プローブ11が一対一
に対向するまで繰り返す。この様にして半導体ウ
エハ7上に多数形成された半導体素子7aの1つ
に関する電極パツド7bとプローブ11との姿勢
調整、つまり対向位置合せが完了した後、チヤツ
クトツプ6を上昇させ、プローブ11と電極パツ
ド7bとを接合させ、所望の特性試験を行なうも
のである。この様にして、半導体ウエハ7の1つ
の半導体素子7aの特性試験終了後同様にしてこ
の半導体ウエハ7上の半導体素子7a群のX―Y
方向の配列位置をもつて記憶させた制御部14の
制御のもとに個々の半導体素子7aの電極パツド
7bとプローブ11との位置合せは順番に行なわ
れ、その都度チヤツクトツプ6が上方に動き接合
も自動的に行なわれるものである。
験を行なうべき1枚目の半導体ウエハ7は、制御
部14の制御のもとにチヤツクトツプ6に固定さ
れあらかじめ定められた方向に載置角度の修正が
行なわれた後、載置位置から第1および第2のガ
イドレール2,4に案内されてプローブカード1
0の真下の調整位置に移動する。次に顕微鏡13
により、プローブ11と半導体ウエハ7上に形成
されたもののいずれか1つの半導体素子7aの電
極パツド7bを観察して姿勢調整を行なう。この
姿勢調整はチヤツクトツプ6を第1および第2の
ガイドレール2,4上をX―Y方向に移動させ、
プローブ11の各々の先端の真下に電極パツド7
bが各々対向する様にする。次に定められた方向
にセツトされた電極パツド7bに対しプローブ1
1の角度ずれがある場合には、角度調整用つまみ
12によつてプローブカード10を回転させ、プ
ローブ11の角度を電極パツド7bに合わせる。
この時、プローブカード10の角度調整によつて
生じたプローブ11と電極パツド7bのX―Y方
向のずれは、再度チヤツクトツプ6を調整して電
極パツド7bをプローブ11に対向させる様に位
置合せを行なう。このチヤツクトツプ6のX―Y
方向への調整とプローブカード10の角度調整
は、各電極パツド7bと各プローブ11が一対一
に対向するまで繰り返す。この様にして半導体ウ
エハ7上に多数形成された半導体素子7aの1つ
に関する電極パツド7bとプローブ11との姿勢
調整、つまり対向位置合せが完了した後、チヤツ
クトツプ6を上昇させ、プローブ11と電極パツ
ド7bとを接合させ、所望の特性試験を行なうも
のである。この様にして、半導体ウエハ7の1つ
の半導体素子7aの特性試験終了後同様にしてこ
の半導体ウエハ7上の半導体素子7a群のX―Y
方向の配列位置をもつて記憶させた制御部14の
制御のもとに個々の半導体素子7aの電極パツド
7bとプローブ11との位置合せは順番に行なわ
れ、その都度チヤツクトツプ6が上方に動き接合
も自動的に行なわれるものである。
また、前記対向位置合せ完了時のチヤツクトツ
プ6のX―Y位置を制御部14に記憶させておく
ことにより、同じロツトの2枚目以後の半導体ウ
エハ7に関しても、チヤツクトツプ6上に載置し
て制御部14を作動させるだけで自動的に電極パ
ツド7bとプローブ11との対向位置合せと接合
が行なわれるものである。
プ6のX―Y位置を制御部14に記憶させておく
ことにより、同じロツトの2枚目以後の半導体ウ
エハ7に関しても、チヤツクトツプ6上に載置し
て制御部14を作動させるだけで自動的に電極パ
ツド7bとプローブ11との対向位置合せと接合
が行なわれるものである。
しかるに、この装置にあつては顕微鏡13を介
してプローブ11とその下に見える電極パツド7
bを同時に観察しながら位置合せを行つているも
のであるので、最近とみに高集積度化される半導
体素子7aに関しては不都合が生じてきた。例え
ば100個以上の電極パツド7bを有する半導体素
子7aの出現により、プローブ11としてはそれ
に相応する100本以上のものが必要となり、前記
従来方法による顕微鏡13を用いた観察ではこれ
ら多数のプローブ11に視野を防げられてその下
にある電極パツド7bを観察することが出来ず。
従つて電極パツド7bとプローブ11との対向位
置合せが出来ない欠点があつた。
してプローブ11とその下に見える電極パツド7
bを同時に観察しながら位置合せを行つているも
のであるので、最近とみに高集積度化される半導
体素子7aに関しては不都合が生じてきた。例え
ば100個以上の電極パツド7bを有する半導体素
子7aの出現により、プローブ11としてはそれ
に相応する100本以上のものが必要となり、前記
従来方法による顕微鏡13を用いた観察ではこれ
ら多数のプローブ11に視野を防げられてその下
にある電極パツド7bを観察することが出来ず。
従つて電極パツド7bとプローブ11との対向位
置合せが出来ない欠点があつた。
この発明は上記欠点に鑑み成されたもので、半
導体ウエハとプローブを互いにずれた調整位置に
置き、この半導体ウエハに形成された半導体素子
の「主面を第1のTVカメラで撮影するととも
に、プローブの先端側からその接触部を第2の
TVカメラで撮影し、」この各々の像を同一画面上
に重ねて表示しながら、半導体素子の電極パツド
の像とプローブの接合面の像を合致させる相対的
な姿勢調整をして、多数の電極パツドを有する半
導体素子の電極パツドとプローブとの位置合せを
容易ならしめることを目的とするものである。
導体ウエハとプローブを互いにずれた調整位置に
置き、この半導体ウエハに形成された半導体素子
の「主面を第1のTVカメラで撮影するととも
に、プローブの先端側からその接触部を第2の
TVカメラで撮影し、」この各々の像を同一画面上
に重ねて表示しながら、半導体素子の電極パツド
の像とプローブの接合面の像を合致させる相対的
な姿勢調整をして、多数の電極パツドを有する半
導体素子の電極パツドとプローブとの位置合せを
容易ならしめることを目的とするものである。
以下にこの発明の一実施例を、第3図および第
4図に示す半導体試験装置の概略図に基づいて説
明すると、図において15はテストヘツド8の側
面に取り付けられ、半導体ウエハ7上に形成され
た半導体素子7aの電極パツド7bを調整位置に
おいて撮影するためのチツプ撮影用テレビカメ
ラ、16はプローブ11真下の位置に形成された
固定ステージ1の開口部1aの下部に取り付けら
れ、この開口部1aを介してプローブ11が半導
体素子7aの電極パツド7bに接合する部分、つ
まり先端部分のみを鮮明に撮影するプローブ撮影
用テレビカメラ、17はこのプローブ撮影用テレ
ビカメラ16の接眼レンズ、18はこの接眼レン
ズ17に描かれたモニタ用クロスラインであり、
第1ガイドレール2および第2ガイドレール4と
平行関係にあり、半導体素子7aおよびプローブ
11が平行関係に保たれているのを見る指標とな
るものである。19は前記チツプ撮影用テレビカ
メラ15とプローブ撮影用テレビカメラ16の
各々で映された電極パツド7bとプローブ11の
像を同一画面上に重ねて表示するモニタテレビで
ある。
4図に示す半導体試験装置の概略図に基づいて説
明すると、図において15はテストヘツド8の側
面に取り付けられ、半導体ウエハ7上に形成され
た半導体素子7aの電極パツド7bを調整位置に
おいて撮影するためのチツプ撮影用テレビカメ
ラ、16はプローブ11真下の位置に形成された
固定ステージ1の開口部1aの下部に取り付けら
れ、この開口部1aを介してプローブ11が半導
体素子7aの電極パツド7bに接合する部分、つ
まり先端部分のみを鮮明に撮影するプローブ撮影
用テレビカメラ、17はこのプローブ撮影用テレ
ビカメラ16の接眼レンズ、18はこの接眼レン
ズ17に描かれたモニタ用クロスラインであり、
第1ガイドレール2および第2ガイドレール4と
平行関係にあり、半導体素子7aおよびプローブ
11が平行関係に保たれているのを見る指標とな
るものである。19は前記チツプ撮影用テレビカ
メラ15とプローブ撮影用テレビカメラ16の
各々で映された電極パツド7bとプローブ11の
像を同一画面上に重ねて表示するモニタテレビで
ある。
次にこの様に構成された半導体試験装置におい
て、半導体ウエハ7の電極パツド7bとプローブ
11との接合は次の様に行なわれる。
て、半導体ウエハ7の電極パツド7bとプローブ
11との接合は次の様に行なわれる。
まず、従来例と同じくチヤツクトツプ6上に載
置された特性試験を行なうべき1枚目の半導体ウ
エハ7は、制御部14の制御のもとにチヤツクト
ツプ6に固定され、あらかじめ定められた方向に
載置角度の調整が行なわれた後、載置位置からプ
ローブカード10の真下に移動する。次にチヤツ
クトツプ6をチツプ撮影用テレビカメラ15真下
の調整位置に移動させ、この位置においてチツプ
撮影用テレビカメラ15で撮影された半導体素子
7aの像と、プローブ撮影用テレビカメラ16で
撮影されたプローブ11の接触部側の像が重ねて
映し出されたモニタテレビ19を観察して相対的
な姿勢調整を行なう。この時、半導体素子7aと
プローブ11はそれぞれに焦点が合わされて撮影
されるので、モニタテレビ19には鮮明な像が映
るものである、プローブ11においては位置合せ
に必要となる半導体素子7aの電極パツド7bと
の接合面のみがモニタテレビ19に映されるので
相対的な姿勢調整には都合の良いものである。こ
の姿勢調整はチヤツクトツプ6を第1および第2
ガイドレール2,4上をX―Y方向に移動させ、
電極パツド7bの像がプローブ11の像に重なり
合うように位置調整を行なう。次に定められた方
向にセツトされた電極パツド7bに関する像に対
しプローブ11の像の角度ずれがある場合には、
角度調整用つまみ12によつてプローブカード1
0を回転させプローブ11の像の角度を電極パツ
ド7bの像に合わせる。プローブカード10の角
度調整によつて生じたプローブ11の像と電極パ
ツド7bの像のX―Y方向のずれは、再度チヤツ
クトツプ6を調整して電極パツド7bの像をプロ
ーブ11の像に重ね合わせる様に位置合せを行な
う。このチヤツクトツプ6のX―Y方向への調整
とプローブカード10の角度調整は、各電極パツ
ド7bの像と各プローブ11の像が第4図に示す
ように一対一に重なり合うまで繰り返す。この様
にしてチツプ撮影用テレビカメラ15で撮影され
た電極パツド7bの像とプローブ撮影用テレビカ
メラ16で撮影されたプローブ11の像を一対一
に重なり合せた時の両者の実離隔距離は、チツプ
撮影用テレビカメラ15とプローブ撮影用テレビ
カメラ16との離隔距離と同じである。従つてプ
ローブ11の像と電極パツド7bの像を合致させ
た時のチヤツクトツプ6の位置を基点とし、プロ
ーブ撮影用テレビカメラ16の方向へ上記離隔距
離分チヤツクトツプ6を平行移動すると、電極パ
ツド7bはプローブ11と一対一に対向する位置
に置かれる。チヤツクトツプ6を上昇させて、プ
ローブ11と電極パツド7bとを接合させた後、
半導体素子7aの特性試験を行なうものである。
これらモニタテレビ19の映像による相対的な姿
勢調整完了時のチヤツクトツプ6の位置、および
チツプ撮影用テレビカメラ15とプローブ撮影用
テレビカメラ16間の距離の記憶とチヤツクトツ
プ6の移動制御はすべて制御部14によつて行な
われる。従つて半導体ウエハ7上に多数形成され
た半導体素子7aの1つに関する電極パツド7b
の像とプローブ11の像とを合致させる相対的な
位置合せが完了した後、この半導体ウエハ7上の
半導体素子7a群のX―Y方向の配列位置と、上
記相対位置と対向位置の距離とを記憶させた制御
部14の制御のもとに個々の半導体素子7aの電
極パツド7bとプローブ11との対向位置合せは
順番に行なわれ、その都度チヤツクトツプ6が上
方に動き接合も自動的に行なうことができるの
で、半導体ウエハ7に形成された全ての半導体素
子7aの試験を自動的に行なえるものである。ま
た、前記相対的な姿勢調整完了時のチヤツクトツ
プ6の位置を記憶した制御部14の制御のもと
に、同じロツトの2枚目以後の半導体ウエハ7に
関してもチヤツクトツプ6上に載置して制御部1
4を作動させるだけで自動的に電極パツド7bと
プローブ11との対向位置合せと接合が行なわれ
るものである。
置された特性試験を行なうべき1枚目の半導体ウ
エハ7は、制御部14の制御のもとにチヤツクト
ツプ6に固定され、あらかじめ定められた方向に
載置角度の調整が行なわれた後、載置位置からプ
ローブカード10の真下に移動する。次にチヤツ
クトツプ6をチツプ撮影用テレビカメラ15真下
の調整位置に移動させ、この位置においてチツプ
撮影用テレビカメラ15で撮影された半導体素子
7aの像と、プローブ撮影用テレビカメラ16で
撮影されたプローブ11の接触部側の像が重ねて
映し出されたモニタテレビ19を観察して相対的
な姿勢調整を行なう。この時、半導体素子7aと
プローブ11はそれぞれに焦点が合わされて撮影
されるので、モニタテレビ19には鮮明な像が映
るものである、プローブ11においては位置合せ
に必要となる半導体素子7aの電極パツド7bと
の接合面のみがモニタテレビ19に映されるので
相対的な姿勢調整には都合の良いものである。こ
の姿勢調整はチヤツクトツプ6を第1および第2
ガイドレール2,4上をX―Y方向に移動させ、
電極パツド7bの像がプローブ11の像に重なり
合うように位置調整を行なう。次に定められた方
向にセツトされた電極パツド7bに関する像に対
しプローブ11の像の角度ずれがある場合には、
角度調整用つまみ12によつてプローブカード1
0を回転させプローブ11の像の角度を電極パツ
ド7bの像に合わせる。プローブカード10の角
度調整によつて生じたプローブ11の像と電極パ
ツド7bの像のX―Y方向のずれは、再度チヤツ
クトツプ6を調整して電極パツド7bの像をプロ
ーブ11の像に重ね合わせる様に位置合せを行な
う。このチヤツクトツプ6のX―Y方向への調整
とプローブカード10の角度調整は、各電極パツ
ド7bの像と各プローブ11の像が第4図に示す
ように一対一に重なり合うまで繰り返す。この様
にしてチツプ撮影用テレビカメラ15で撮影され
た電極パツド7bの像とプローブ撮影用テレビカ
メラ16で撮影されたプローブ11の像を一対一
に重なり合せた時の両者の実離隔距離は、チツプ
撮影用テレビカメラ15とプローブ撮影用テレビ
カメラ16との離隔距離と同じである。従つてプ
ローブ11の像と電極パツド7bの像を合致させ
た時のチヤツクトツプ6の位置を基点とし、プロ
ーブ撮影用テレビカメラ16の方向へ上記離隔距
離分チヤツクトツプ6を平行移動すると、電極パ
ツド7bはプローブ11と一対一に対向する位置
に置かれる。チヤツクトツプ6を上昇させて、プ
ローブ11と電極パツド7bとを接合させた後、
半導体素子7aの特性試験を行なうものである。
これらモニタテレビ19の映像による相対的な姿
勢調整完了時のチヤツクトツプ6の位置、および
チツプ撮影用テレビカメラ15とプローブ撮影用
テレビカメラ16間の距離の記憶とチヤツクトツ
プ6の移動制御はすべて制御部14によつて行な
われる。従つて半導体ウエハ7上に多数形成され
た半導体素子7aの1つに関する電極パツド7b
の像とプローブ11の像とを合致させる相対的な
位置合せが完了した後、この半導体ウエハ7上の
半導体素子7a群のX―Y方向の配列位置と、上
記相対位置と対向位置の距離とを記憶させた制御
部14の制御のもとに個々の半導体素子7aの電
極パツド7bとプローブ11との対向位置合せは
順番に行なわれ、その都度チヤツクトツプ6が上
方に動き接合も自動的に行なうことができるの
で、半導体ウエハ7に形成された全ての半導体素
子7aの試験を自動的に行なえるものである。ま
た、前記相対的な姿勢調整完了時のチヤツクトツ
プ6の位置を記憶した制御部14の制御のもと
に、同じロツトの2枚目以後の半導体ウエハ7に
関してもチヤツクトツプ6上に載置して制御部1
4を作動させるだけで自動的に電極パツド7bと
プローブ11との対向位置合せと接合が行なわれ
るものである。
なお、上記実施例において、電極パツド7bと
プローブ11との相対的な姿勢調整の前にプロー
ブ撮影用テレビカメラ16で映されたプローブ1
1の像をモニタ用クロスライン18の像と角度を
合わせることにより、もともとこのモニタ用クロ
スライン18と平行となるように載置角度の修正
が行なわれた半導体ウエハ7上の半導体素子7a
との平行関係が最初に設定されることとなり、電
極パツド7bの像とプローブ11の像の重ね合せ
はチヤツクトツプ6のX―Y方向移動のみの簡単
な操作で済むものである。また上記実施例ではプ
ローブ11の接触部側と対向した位置に直接プロ
ーブ撮影用テレビカメラ16が設けられた半導体
試験装置を用いたが、上記対向位置に反射鏡を設
け、この反射鏡に映つたプローブ11の像を間接
的に撮影するプローブ撮影用テレビカメラ16が
設けられた半導体試験装置でも同様の効果が得ら
れるものである。
プローブ11との相対的な姿勢調整の前にプロー
ブ撮影用テレビカメラ16で映されたプローブ1
1の像をモニタ用クロスライン18の像と角度を
合わせることにより、もともとこのモニタ用クロ
スライン18と平行となるように載置角度の修正
が行なわれた半導体ウエハ7上の半導体素子7a
との平行関係が最初に設定されることとなり、電
極パツド7bの像とプローブ11の像の重ね合せ
はチヤツクトツプ6のX―Y方向移動のみの簡単
な操作で済むものである。また上記実施例ではプ
ローブ11の接触部側と対向した位置に直接プロ
ーブ撮影用テレビカメラ16が設けられた半導体
試験装置を用いたが、上記対向位置に反射鏡を設
け、この反射鏡に映つたプローブ11の像を間接
的に撮影するプローブ撮影用テレビカメラ16が
設けられた半導体試験装置でも同様の効果が得ら
れるものである。
この発明は、以上述べた様に半導体ウエハとプ
ローブを互いにずれた調整位置に置き、この調整
位置において半導体ウエハ上に形成された電極パ
ツドとプローブの接触部側をそれぞれ別々に撮影
し、この各々の像を同一画面上に重ねて表示し
て、電極パツドとプローブの像を一致させる相対
的な姿勢調整を行なつた後に、半導体ウエハとプ
ローブを対向位置に置き、電極パツドとプローブ
とを接合させる方法をとつたので、対向した位置
で姿勢調整を行なうことが不可能となる多数の電
極パツドを有した半導体ウエハと、これに対応し
た多数の探針との姿勢調整が簡単に行なえるとい
う効果が得られるものである。
ローブを互いにずれた調整位置に置き、この調整
位置において半導体ウエハ上に形成された電極パ
ツドとプローブの接触部側をそれぞれ別々に撮影
し、この各々の像を同一画面上に重ねて表示し
て、電極パツドとプローブの像を一致させる相対
的な姿勢調整を行なつた後に、半導体ウエハとプ
ローブを対向位置に置き、電極パツドとプローブ
とを接合させる方法をとつたので、対向した位置
で姿勢調整を行なうことが不可能となる多数の電
極パツドを有した半導体ウエハと、これに対応し
た多数の探針との姿勢調整が簡単に行なえるとい
う効果が得られるものである。
第1図は従来の半導体試験装置の概略図、第2
図は第1図における顕微鏡観察図、第3図はこの
発明の一実施例に用いられる半導体試験装置の概
略図、第4図は第3図のテレビモニタ映像図であ
る。 図において、7は半導体ウエハ、7bは電極パ
ツド、10はプローブカード、11はプローブ、
15はチツプ撮影用テレビカメラ、16はプロー
ブ撮影用テレビカメラ、19はモニタテレビであ
る。なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分
を示す。
図は第1図における顕微鏡観察図、第3図はこの
発明の一実施例に用いられる半導体試験装置の概
略図、第4図は第3図のテレビモニタ映像図であ
る。 図において、7は半導体ウエハ、7bは電極パ
ツド、10はプローブカード、11はプローブ、
15はチツプ撮影用テレビカメラ、16はプロー
ブ撮影用テレビカメラ、19はモニタテレビであ
る。なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一主面に多数の電極を有する半導体ウエハ
と、上記電極に対応する複数の探針を有する測定
具とを接合する方法において、 上記半導体ウエハと測定具とを対向位置から互
いにずれた調整位置に位置せしめ、 該各調整位置にて、上記半導体ウエハの電極を
第1のテレビカメラで撮影するとともに、上記各
探針の先端側からその接触部を第2のテレビカメ
ラで撮影し、 上記各映像を共通の画面上に重ねて表示しなが
ら上記半導体ウエハと測定具の相対的な姿勢調整
を行うことを特徴とする半導体ウエハの試験方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128681A JPS5917260A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体ウエハの試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128681A JPS5917260A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体ウエハの試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917260A JPS5917260A (ja) | 1984-01-28 |
| JPS6231825B2 true JPS6231825B2 (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=14990799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128681A Granted JPS5917260A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体ウエハの試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917260A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0680717B2 (ja) * | 1984-04-09 | 1994-10-12 | 株式会社日立製作所 | 検査装置 |
| JPS622250U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JP2636857B2 (ja) * | 1987-11-04 | 1997-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及び液晶パネル用プローブ装置 |
| JPH0719825B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1995-03-06 | 山形日本電気株式会社 | プロービング装置 |
| JP4740405B2 (ja) | 2000-11-09 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置合わせ方法及びプログラム記録媒体 |
| JP4908138B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2012-04-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | プローブ検査装置 |
| US20080212078A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-09-04 | Suss Micro Tec Test Systems Gmbh | Arrangement and method for focusing a multiplane image acquisition on a prober |
| CN113053765A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-06-29 | 常州雷射激光设备有限公司 | 一种用于半导体二极管芯片的检测设备 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57128681A patent/JPS5917260A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917260A (ja) | 1984-01-28 |
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