JPS6232158A - 導電性ペ−スト - Google Patents

導電性ペ−スト

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JPS6232158A
JPS6232158A JP17101885A JP17101885A JPS6232158A JP S6232158 A JPS6232158 A JP S6232158A JP 17101885 A JP17101885 A JP 17101885A JP 17101885 A JP17101885 A JP 17101885A JP S6232158 A JPS6232158 A JP S6232158A
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JP
Japan
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resin
conductive paste
electrically conductive
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epoxysilane
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JP17101885A
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Teru Okunoyama
奥野山 輝
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Kyocera Chemical Corp
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Toshiba Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、半導体装置の組立て(アセンブリ)などに使
用される導電性ペーストに関し、更に詳しくは、半導体
ベレット大型化とナヒンブリ工程短縮化に対応でき、配
線の腐食断線がなく接着性にも優れた、′高速硬化の導
電性ペーストに関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 金属薄板(リードフレーム)上の所定部分にIC,LS
I等の半導体ペレットを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。 従来よ
り、この接続方法としては、ベレットのシリコン面をリ
ードフレーム上の金メツキ面に加熱圧着するというAu
−8iの共晶法が主流であった。 しかし、近年の貴金
属、特に金の高騰を契機として、樹脂モールド半導体装
置では、Au3i共品法から、半田を使用する方法、導
電性ペースト(接着剤)を使用する方法等に急速に移行
しつつある。
しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されている
が、半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食
断線の原因となる可能性が指摘されている。 一方、導
電性ペースト(接着剤)を使用する方法では、通常銀粉
末を配合したエポキシ樹脂が用いられ、約10年程前か
ら一部実用化されてきたが、信頼性の面でAu−3iの
共晶合金を生成させる共晶法に比較して満足すべきもの
が1りられなかった。 導電性ペースト(接着剤)を使
用する場合は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長所
を有しているがその反面、樹脂やその硬止剤が半導体素
子接着用として作られたものでないために、アルミニウ
ム電極の腐食を促進し断線不良の原因となる場合が多く
、素子の信頼性はAl1−3i共晶法に比べて劣ってい
た。 ざらに近年、IC/LSIやLED等の半導体ベ
レットの大型化に伴い、ベレットクラックの発生や接着
力の低下が問題となっており、またアッセンブリ工程の
短縮化を1指して、高速硬化できる導電性ペーストの開
発が強く要望されていた。
[発明の目的] 本発明の目的は、上記の事情・欠点に鑑みてなされたも
ので、半導体ベレットの大型化、アッセンブリ工程の短
縮化に対応するとともに、配線の腐食前線がなく、接着
性や耐加水分解性に優れ、ボイドの発生がない高速硬化
性の導電性ペーストを提供しようとするものである。
[発明の概要] 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、後述する組成の導電性ペーストが接着性、耐
加水分解性に優れ、ボイドの発生しない高速硬化性であ
ることを見いだし本発明を完成するに至ったものである
。 即ち本発明は(A>ポリバラヒドロキシスチレンと
エポキシ樹脂からなる変性樹脂、 (B)エポキシシラン系単官能モノマー、(C)ノルボ
ネン環を有する樹脂および(Dollt性粉末 を金粉末とを特徴とする導電性ペーストである。
本発明に用いるポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ
樹脂からなる変性樹脂のポリバラヒドロキシスチレンは
次式で示される樹脂である。
このような樹脂としては、例えばマルゼンレジンM(丸
善石油社製、商品名)がある。 この樹脂は、分子量が
3000〜8000で水m基当吊が約120のものであ
る。
また変性樹脂に用いるエポキシ樹脂としては、工業生産
されており、かつ本発明に効果的に使用し得るものとし
て、例えば次のようなビスフェノール類のジエボキシド
がある。 シェル化学社製、エピコート827,828
,834.1001゜1002.1004,1007.
1009、ダウケミカル社製、DER330,331,
332゜334.335,336,337,660゜6
61.662,667.668,669、チバガイギー
社製、アラルダイ1〜GY250.260゜280.6
071.6084.6097゜6099、JONES 
 DABNEY社製EPI−REZ510,5101、
大日本インキ化学工業社製、エビクロン810.100
0.1010゜3010(いずれも商品名)や旭電化社
!uEPシリーズがある。 ざらにエポキシ樹脂として
、平均エポキシ基数3以上の、例えばノボラック・エポ
キシ樹脂を使用することにより、熱時(350℃)の接
着強度を更に向上させることができる。 これらのノボ
ラック・エポキシ樹脂としては分子8500以上のもの
が適している。 このようなノボラック・エポキシ樹脂
で工業生産されているものとしては、例えば次のような
ものがある。 チバガイギー社製、アラルダイ、トEP
N1138゜1139、ECN1273.1280.1
299、ダウケミカル社製、DEN431.438、シ
ェル化学社製、エピコート152,154、ユニオンカ
ーバイト社製、ERR−0100,ERRB−0447
、ERLB−0488、日本化薬社製EOCNシリーズ
等がある。
本発明に用いる(B)エポキシシラン系単官能モノマー
としては、例えばβ−(3,4エポキシシクロヘキシル
)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロビ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブロビルメチ
ルジ土トキシシラン等が挙げられ、これらは単独又は2
種以上混合して用いる。 ポリパラヒドロキシスチレン
とエポキシ樹脂およびエポキシシラン系単官能モノマー
とは当量付近で配合される。 配合割合が当量付近を大
きくはずれると、いずれかが硬化時に未反応となって、
熱時の接着強度や加熱減量が多くなり好ましくない。
本発明に用いる(C)ノルボネン環を有する樹脂として
は、石油樹脂などがあり、石油の05〜C3留分から得
られる汎用の樹脂である。 例えば市販されているセロ
キサイド4000 (ダイセル社製、商品名)、タッキ
ロール1000(住友化学工業社製、商品名)フィント
ン1500゜1000.1300 (日本ゼオン社製、
商品名)が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合し
て用いる。 ノルボネン環を有する樹脂の配合割合は、
ポリバラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂からなる変
性樹脂とエポキシシラン系単官能モノマーの合計量に対
して0.5〜15重号%配合することが望ましい。 配
合量が0.5重量%未満の場合は、接着強度の向上に効
果がなく、また15重間%を超えると反応性が劣る傾向
にあり好ましくない。
本発明に用いる(A>ポリバラヒドロキシスチレンとエ
ポキシ樹脂とらなる変性樹脂、(B)エポキシシラン系
単官能モノマー、(C)ノルボネン環を有する樹脂を配
合する場合は、単に各成分と溶剤を加えて溶解混合させ
るが、最初に変性樹脂をエポキシシラン系単官能モノマ
ーに溶解させた後、ノルボネン環を有する樹脂を混合さ
せる事が望ましい。 また変性樹脂は、ポリバラヒドロ
キシスチレンとエポキシ樹脂とを単に溶解混合してもよ
いし、必要に応じて加熱反応により相互に部分的な結合
をさせたものでもよく、これらの変性樹脂の共通の溶剤
に溶解することにより作業粘度を改善することができる
。 また必要であれば硬化触媒を使用してもよい。 こ
こで用いる粘度調整用の溶剤類としては、ジオキサン、
ヘキサノン、ベンゼン、トルエン、ソルベントナフサ、
工業用ガソリン、酢m tロソルブ、エチルセロソルブ
、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルピトールア
セテート チルアセトアミド、N−メチルピロリドン等が挙げられ
、これらは単独又は2種以上の組合せで使用する。
本発明に用いる(D)導電性粉末としては、例えば銀粉
末等が使用される。
本発明の導電性ペーストは、ポリバラヒドロキシスチレ
ンとエポキシ樹脂からなる変性樹脂、エポキシシラン系
単官能モノマ−、ノルボネン環を有する樹脂を含むが、
必要に応じて消泡剤、カップリング剤その他の添加剤を
加えることができる。
本発明の導電性ペーストは、常法に従い上述した変性樹
脂、エポキシシラン系単官能モノマ−、ノルボネン環を
有する樹脂および導電性粉末を十分混合した後、更に例
えば三本ロールによる混練処理し、その後減圧脱泡して
製造される。 こうして製造した導電性ペーストを用い
て半導体ベレットとリードフレームを接着した後、ワイ
A7ボンデイングを行い、次いで半導体ベレットを封止
してIC及びLSIを製造する。 こうして得られた半
導体装置は、200℃で導電性ペーストを加熱硬化させ
てもリードフレーム面上に汚染がなく、接着力は半導体
ベレット接着の場合必要な0.5klJ/mIl12の
値以上、ワイヤボンディング強度も同じく 4〜5gの
値以上の強度を19ることかできる。
[発明の実施例] 次に本発明を実施例によって説明するが本発明はこれら
の実施例によって限定されるものではない。 実施例及
び比較例に.おいて「部」とは特に説明のない限り「重
皇部」を意味する。
実施例 1 エポキシ樹脂のEP4400 (層重化社製、商品名)
7.6部、パラヒドロキシスチレンのマルゼンレジンM
(丸善石油社製、商品名)5.6部、ノルボネン環を有
する樹脂のセロキサイド4000(ダイセル社製、商品
名)0.2部、γーグリシドキシプロビルトリメトキシ
シラン10.4部、ジエチレングリコールジエチルエー
テル4.0部を100℃で1時間溶解反応を行い、粘稠
な褐色の樹脂を得た。 この樹脂27.8部に触媒とし
て2PHz−CN(四国化成工業社製、商品名)  0
.006部と銀粉末70部とを混合して導電性ペースト
(A)を製造した。
実施例 2 エポキシ樹脂のEP4400(前出)7.6部、バラヒ
ドロキシスチレンのマルゼンレジンM(前出)5.6部
、セロキサイド4000 (前出)1.0部、β−(3
,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン10.4部、ジエチレングリコールジエチルエーテル
4.0部を100℃で1時間溶解反応を行い粘稠な褐色
の樹脂を得た。 この樹脂21.8部に触媒として2P
H2−CN(前出)0.006部と銀粉末70部を混合
して導電性ペースト(B)を製造した。
実施例 3 エポキシ樹脂のEP4400 (前出)7.6部、バラ
ヒドロキシスチレンのマルゼンレジンM(前出)5.6
部、セロキサイド4000 (前出)1.5部、γ−グ
リシドキシプロピルメチルジェトキシシラン10.4部
、ジエチレングリコールジエチルエーテル4.0部を1
00℃、 1時間溶解反応を行い、黄色の粘稠な樹脂を
得た。 この樹脂27.8部に触媒とて2PH2−CN
 (前出)  0.006部と銀粉末70部とを加えて
十分混合して導電性ペースト(C)を製造した。
比較例 市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型半導体用導電性ペー
スト(D)を入手した。
実施例1〜3113よび比較例で得た導電性ペースト(
A)、(B)、(C)および (D)を用いて半導体ベレットとリードフレームを接着
硬化した。 これらについて接着強度、ボイドの有無、
加水分解性c1イオンの試験を行った。 その結果を第
1表に示したが、本発明の顕著な効果を確認することが
できた。
第1表 *1 :銀メッキを施したリードフレーム(4270イ
)上に4mm X4mmのシリコン素子を接着し、それ
ぞれの温度でプッシュプルゲージを用いて測定した。
*2 :導電性ペーストを第1表の接着条件で硬化させ
た後に100メツシユに粉砕して180℃×2時間加熱
抽出を行ったCIイオンのmo[発明の効果] 本発明の導電性ペーストは、飛散溶剤が少ないためにボ
イドの発生がなく、接着性、特に熱時の接着性に優れ、
耐加水分解性も優れており、配線金屈の腐食による断線
等の不良や水分によるリーク電流の不良などもなく、ま
た高速硬化するペーストである。 この導電性ペースト
を使用すれば信頼性の高い大型ベレットの半導体装置を
製造することができ、かつアッセンブリ工程も大幅に短
縮でき工業上大変有益なものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (A)ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂
    からなる変性樹脂、 (B)エポキシシラン系単官能モノマー、 (C)ノルボネン環を有する樹脂および (D)導電性粉末 を含むことを特徴とする導電性ペースト。
JP17101885A 1985-08-05 1985-08-05 導電性ペ−スト Granted JPS6232158A (ja)

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JPS6232158A true JPS6232158A (ja) 1987-02-12
JPH0212509B2 JPH0212509B2 (ja) 1990-03-20

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5156771A (en) * 1989-05-31 1992-10-20 Kao Corporation Electrically conductive paste composition
US5158708A (en) * 1989-12-01 1992-10-27 Kao Corporation Conductive paste and conductive coating film

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5229800A (en) * 1975-09-01 1977-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Apparatus for detecting effluence of slag in molten metal
JPS60260663A (ja) * 1984-06-06 1985-12-23 Toshiba Chem Corp 導電性ペ−スト
JPS6213473A (ja) * 1985-07-12 1987-01-22 Toshiba Chem Corp 導電性ペ−スト

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5229800A (en) * 1975-09-01 1977-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Apparatus for detecting effluence of slag in molten metal
JPS60260663A (ja) * 1984-06-06 1985-12-23 Toshiba Chem Corp 導電性ペ−スト
JPS6213473A (ja) * 1985-07-12 1987-01-22 Toshiba Chem Corp 導電性ペ−スト

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5156771A (en) * 1989-05-31 1992-10-20 Kao Corporation Electrically conductive paste composition
US5158708A (en) * 1989-12-01 1992-10-27 Kao Corporation Conductive paste and conductive coating film

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