JPS623238B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、導電性被膜に関し、とくに導電性
基体上に設けた永久的なはんだ接合性パラジウム
―ニツケル合金に係る。 〔従来技術及びその問題点〕 一般に金めつきは、電気接触部の腐食を防ぎ、
かつはんだ接合性を維持し、また低荷重での低電
気接触抵抗を維持することができるので、これら
の目的を達成するために使用されている。しか
し、金めつきは大変高価である。そこでパラジウ
ム―ニツケル合金などの低コストのものが代用材
料として研究されている。例えば米国特許
4100039では、導電性基体上にパラジウム―ニツ
ケル合金を形成する方法を提案している。しかし
公知のパラジウム―ニツケル合金は耐食性層を低
コストで形成できるが、はんだ接合性が低下しし
かも標準低荷重での電気接触抵抗が高い問題があ
つた。 〔発明の構成〕 本発明者は、以下に示す導電性基体被覆用のパ
ラジウム―ニツケル電気めつき被膜が基体を腐食
から保護し、かつ永久的なはんだ接合性を有し、
更に低荷重での電気接触抵抗を下げるということ
を見出した。この被膜は、厚さ約0.1〜1.5μｍの
電気めつき合金層で、約46〜82原子％のパラジウ
ムと約18〜54原子％のニツケルからなり、ニツケ
ル、黄銅、銅又は燐青銅などの導電性基体に付着
している。そして更にこの層の上に約96〜100原
子％の金属パラジウムと約０〜４原子％のニツケ
ルとからなる表面層を連続的に被覆している。こ
の表面層は約20オングストローム（約９〜10原子
層）よりも薄い。 〔発明の詳細な説明〕 この発明の被膜を作るには、まず燐青銅ワイヤ
などの基体をめつき浴中で電気めつきする。ここ
で、めつき浴は、パラジウム（）アンミンクロ
リドを10〜18g／、ニツケルアンミンスルフエ
ートを５〜11g／、ビニルスルフオン酸ナトリ
ウム、アリルスルフオン酸ナトリウム又は四級化
ピリジンなどの光輝剤を少量、更に硫酸アンモニ
ウム又は塩化アンモニウムを30〜50g／含むも
のである。 この電気めつきは、処理条件が温度約35℃〜55
℃、PH約7.5〜９、電流密度約５〜25A／ｄm2
で、ワイヤを浸漬中に活発に撹拌する。そして厚
さ0.1〜1.5μｍのパラジウム―ニツケル被膜を形
成する。この被膜は、46〜82原子％のパラジウム
と残部ニツケルの組成である。 本発明者は、このようにして得られたパラジウ
ム―ニツケル表面層を硫酸又は塩酸で処理するこ
とにより、この上部に非常に薄い金属パラジウム
96〜100原子％とニツケル４〜０原子％の連続し
た層が形成されることを見出した。このパラジウ
ム富化表面層の厚さは20Å又はそれ以下で、これ
は約９〜10原子層に相当する。 この連続した薄膜は、硫酸又は塩酸で処理して
形成された96〜100％の純パラジウムであり、厚
さは高々20Åであるが、このものを電気めつき法
あるいは気相めつき法によつて多結晶金属表面に
めつきすることは全くできない。即ち20Åのめつ
き被膜を電気めつき又は気相めつきで作ろうとす
ると、原子が弧立した島のようなめつきがなさ
れ、本発明の酸処理で作られるような連続した層
は形成されない。電気めつき又は気相めつきで作
られる最初の連続薄膜は150〜1000Åの厚さであ
り、本発明で作られる20Åのものとは対称的であ
る。 第１図及び第３図は、酸処理したパラジウム―
ニツケル合金表面の基本組成をプロツトしたもの
である。これによれば、工場事務所環境で時効し
たパラジウム―ニツケル合金表面（第２図参照）
とは明らかに異なる。 本発明の処理をせず時効したものの表面は、ニ
ツケルイオンNi2+と場合によつてはパラジウムイ
オンPd2+を含み、これらは酸化物及び塩化物と
して存在している。これらの表面層は、経時的に
変化してはんだ接合性試験に合格せず、低接触荷
重において高い電気接触抵抗を示す。これに対し
この発明の酸処理したものは、96〜100原子％の
金属パラジウム（Pd0）と少量（０〜４原子％）
の金属ニツケルとからなる。従つて酸処理した表
面層は、優れたはんだ接合性を示し、電気接触抵
抗が低い（10グラム標準押圧力で2mΩより小さ
い）。 この発明に係る非常に薄い連続したパラジウム
富化層は、酸化によるイオン化がなされにくく、
安定している。また合金内部のニツケルが表面に
拡散し難く、この点でも安定している。このよう
な安定性は、電子部品が受ける次のような各種時
効処理によつても、特性が変化しないことから明
らかとなる。 工業事務所及び保管倉庫環境での28ケ月以内又
はそれを越える期間の暴露試験。 電子部品証明用の米軍規格202、方法208で記載
される促進化蒸気時効。 所定の電子部品使用者が行つている空気中での
昇温時効。 非処理のパラジウム―ニツケル合金被膜では、
時効処理中に著しい化学的性質及び性能の変化が
みられ、はんだ接合性及び電気性能が悪くなつて
いることがわかつた。 一方この発明では、酸処理、即ち電着パラジウ
ム―ニツケル皮膜を室温の硫酸濃度20容量％の静
水溶液に30秒間浸漬して本発明の特異な皮膜を作
り、そしてこの処理後、皮膜を完全にゆすぎ、乾
燥する酸処理を行なつた。 この発明では、濃度１〜100容量％の硫酸を使
用することができる。硫酸の濃度が１容量％に近
づくほど、処理時間を長くしなければならない。
例えば硫酸濃度１容量％の静水溶液で電着パラジ
ウム―ニツケルを処理する場合、室温で30分必要
である。 撹拌を行なうことにより処理溶液中において既
得の運転休止時間に関し重要な効果を得ることが
できる。10容量％硫酸に電着パラジウム―ニツケ
ル被膜を浸漬した場合、活発な撹拌を行なえば、
室温で0.4秒で処理を行なうことができる。 20容量％の塩酸静溶液に電着パラジウム―ニツ
ケルを浸漬した場合、室温で30秒処理することに
より所望の被膜を得ることができる。 しかし全ての酸が有効というものではない。例
えば20容量％の硝酸水溶液、50容量％の氷酢酸及
び50容量％の燐酸で処理した場合、本発明のもの
とは異なるものが表面に形成されてしまう。 Ｘ線光電分光（XPS）技術及び化学分析用電子
分光（ESCA）を用いてパラジウム―ニツケル合
金皮膜表面の化学分析を行なつた。XPS分析は、
軟Ｘ線を当てた時その表面で原子から放出される
軌道電子結合エネルギーを測定することにより、
おこなう。放射した軌道光電子の結合エネルギー
から、元素の存在だけでなく元素の原子価状態を
もわかる。従つてパラジウム―ニツケル合金表面
をXPSで分析すれば、金属又は零原子価状態の元
素（Pd゜及びNi0）の原子％とともに酸化物、塩
化物として化合物中にある陽イオン原子価状態の
元素（Pd2+及びNi2+）をも知ることができる。 ここで行なつたXPSの試験条件は次の通りであ
る。 Ｘ線放射の種類：MgK（1253.6eV） 加速電圧 ：15kV 設定チユーブ電力：300ワツト 最大強さの1/2でのビーム幅：4.5μｍ 開始角度 ：50゜ この発明の試料につきXPSで表面の化学組成を
算出したところ金属元素成分のみが見出された。
パラジウム―ニツケル合金の表面につき、金属成
分の原子％を決めるには、以下の光電結合エネル
ギーを用いた。 元素成分 指定電子軌道 結合エネルギーeV Pd0 3d5/2 335 Pd2+ 3d5/2 339 Ni0 2p3/2 852 Ni2+ 2p3/2 855 パラジウム―ニツケル合金被膜をXPS分析する
と、ニツケルの領域は表面から約20オングストロ
ーム（Å）を越えた深さに広がつている。この理
由は、ニツケル電子2p3/2はこれよりも深いとこ
ろから励起されるが、このエネルギーは被膜から
放出されるに十分なエネルギーではないためであ
る。パラジウム―ニツケル合金の表面下20Åの所
は、約９〜10原子層に相当する。電着パラジウム
―ニツケル合金被膜の厚さは0.1〜1.5μｍであ
り、これは1000〜15000Åに相当する。XPSは、
パラジウム―ニツケル合金被膜の表面における薄
膜領域の化学分析に最適であり、このことから、
電気コネクター機器に用いる際最も重要な被膜特
性であるはんだ接合性及び電気接触抵抗を検出す
ることができる。 XPS化学分析では、所定試料につき最初の表面
からの距離の関数としては金属元素成分を分析す
る。第１段階では、最初のＸ＝０〜20Åの表面層
につきXPS分析する、次いでアルゴンイオンスパ
ツタリングで材料を所定厚剥し、各剥離工程ごと
にXPS分析を行なう。最初の表面から剥離される
厚さは12.5，25，50及び100Åと次第に厚くな
る。いずれの場合も分析する領域は表面から20Å
の深さである。従つて第１図乃至第３図で示す
XPSの各プロツトは、表面下20Åの位置、換言す
れば最初の表面から32.5，45，70及び120の距離
である。第１図はXPSによる分析の代表例を示
す。 パラジウム―ニツケル合金表面をアルゴンスパ
ツタで剥離する条件は、次の通りである。 イオン源：アルゴンガス イオン加速電圧：4kV これらの条件とスパツタリング電流を精度よく
コントロールすると、パラジウム―ニツケル合金
被膜を22Å／分の剥離速度で再現性よく均一にス
パツタすることができる。 酸処理前のパラジウム―ニツケル被膜にはその
表面に相当量のPd2+とNi2+とがあり、はんだ付け
によるぬれ性を阻害する。このことは、80％はん
だ被覆によつてのみ明らかとされる。工業的に認
められる標準はんだ接合性は、はんだ被覆が少な
くとも95％でなければならない。アルフア611や
809などのはんだフラツクスを室温で用いても、
Pd2+又はNi2+を減少し又は除去して金属とするこ
とはできず。このため、はんだ接合性は改善され
ない。 以下実施例につき説明する。各実施例はワイヤ
又はデイスク状の銅合金基体に対してなされたも
ので、この基体は通常の前処理を行なつた後通常
の硫酸ニツケルめつき処理により純粋ニツケルを
電着している。ニツケルの下地は銅がめつき浴で
汚染されるのを防ぐものであるが、この発明では
とくに必要とするものではない。 実施例では、明記したものを除き、20容量％の
硫酸溶液に30秒間室温で浸漬したものである。 実施例 １ 以下の浴組成及びめつき条件で、ニツケルめつ
き銅合金ワイヤ基体上に厚さ0.9μｍのパラジウ
ム―ニツケル合金を電着した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート
10g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.4g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 37℃ PH 8.9 電流密度 25A／ｄm2 溶液の撹拌 活発 ワイヤの電着パラジウム―ニツケル合金は、81
原子％のパラジウムと19原子％のニツケルとが含
まれていた。次いでめつき試料を表に従つて処
理した。
基体上に設けた永久的なはんだ接合性パラジウム
―ニツケル合金に係る。 〔従来技術及びその問題点〕 一般に金めつきは、電気接触部の腐食を防ぎ、
かつはんだ接合性を維持し、また低荷重での低電
気接触抵抗を維持することができるので、これら
の目的を達成するために使用されている。しか
し、金めつきは大変高価である。そこでパラジウ
ム―ニツケル合金などの低コストのものが代用材
料として研究されている。例えば米国特許
4100039では、導電性基体上にパラジウム―ニツ
ケル合金を形成する方法を提案している。しかし
公知のパラジウム―ニツケル合金は耐食性層を低
コストで形成できるが、はんだ接合性が低下しし
かも標準低荷重での電気接触抵抗が高い問題があ
つた。 〔発明の構成〕 本発明者は、以下に示す導電性基体被覆用のパ
ラジウム―ニツケル電気めつき被膜が基体を腐食
から保護し、かつ永久的なはんだ接合性を有し、
更に低荷重での電気接触抵抗を下げるということ
を見出した。この被膜は、厚さ約0.1〜1.5μｍの
電気めつき合金層で、約46〜82原子％のパラジウ
ムと約18〜54原子％のニツケルからなり、ニツケ
ル、黄銅、銅又は燐青銅などの導電性基体に付着
している。そして更にこの層の上に約96〜100原
子％の金属パラジウムと約０〜４原子％のニツケ
ルとからなる表面層を連続的に被覆している。こ
の表面層は約20オングストローム（約９〜10原子
層）よりも薄い。 〔発明の詳細な説明〕 この発明の被膜を作るには、まず燐青銅ワイヤ
などの基体をめつき浴中で電気めつきする。ここ
で、めつき浴は、パラジウム（）アンミンクロ
リドを10〜18g／、ニツケルアンミンスルフエ
ートを５〜11g／、ビニルスルフオン酸ナトリ
ウム、アリルスルフオン酸ナトリウム又は四級化
ピリジンなどの光輝剤を少量、更に硫酸アンモニ
ウム又は塩化アンモニウムを30〜50g／含むも
のである。 この電気めつきは、処理条件が温度約35℃〜55
℃、PH約7.5〜９、電流密度約５〜25A／ｄm2
で、ワイヤを浸漬中に活発に撹拌する。そして厚
さ0.1〜1.5μｍのパラジウム―ニツケル被膜を形
成する。この被膜は、46〜82原子％のパラジウム
と残部ニツケルの組成である。 本発明者は、このようにして得られたパラジウ
ム―ニツケル表面層を硫酸又は塩酸で処理するこ
とにより、この上部に非常に薄い金属パラジウム
96〜100原子％とニツケル４〜０原子％の連続し
た層が形成されることを見出した。このパラジウ
ム富化表面層の厚さは20Å又はそれ以下で、これ
は約９〜10原子層に相当する。 この連続した薄膜は、硫酸又は塩酸で処理して
形成された96〜100％の純パラジウムであり、厚
さは高々20Åであるが、このものを電気めつき法
あるいは気相めつき法によつて多結晶金属表面に
めつきすることは全くできない。即ち20Åのめつ
き被膜を電気めつき又は気相めつきで作ろうとす
ると、原子が弧立した島のようなめつきがなさ
れ、本発明の酸処理で作られるような連続した層
は形成されない。電気めつき又は気相めつきで作
られる最初の連続薄膜は150〜1000Åの厚さであ
り、本発明で作られる20Åのものとは対称的であ
る。 第１図及び第３図は、酸処理したパラジウム―
ニツケル合金表面の基本組成をプロツトしたもの
である。これによれば、工場事務所環境で時効し
たパラジウム―ニツケル合金表面（第２図参照）
とは明らかに異なる。 本発明の処理をせず時効したものの表面は、ニ
ツケルイオンNi2+と場合によつてはパラジウムイ
オンPd2+を含み、これらは酸化物及び塩化物と
して存在している。これらの表面層は、経時的に
変化してはんだ接合性試験に合格せず、低接触荷
重において高い電気接触抵抗を示す。これに対し
この発明の酸処理したものは、96〜100原子％の
金属パラジウム（Pd0）と少量（０〜４原子％）
の金属ニツケルとからなる。従つて酸処理した表
面層は、優れたはんだ接合性を示し、電気接触抵
抗が低い（10グラム標準押圧力で2mΩより小さ
い）。 この発明に係る非常に薄い連続したパラジウム
富化層は、酸化によるイオン化がなされにくく、
安定している。また合金内部のニツケルが表面に
拡散し難く、この点でも安定している。このよう
な安定性は、電子部品が受ける次のような各種時
効処理によつても、特性が変化しないことから明
らかとなる。 工業事務所及び保管倉庫環境での28ケ月以内又
はそれを越える期間の暴露試験。 電子部品証明用の米軍規格202、方法208で記載
される促進化蒸気時効。 所定の電子部品使用者が行つている空気中での
昇温時効。 非処理のパラジウム―ニツケル合金被膜では、
時効処理中に著しい化学的性質及び性能の変化が
みられ、はんだ接合性及び電気性能が悪くなつて
いることがわかつた。 一方この発明では、酸処理、即ち電着パラジウ
ム―ニツケル皮膜を室温の硫酸濃度20容量％の静
水溶液に30秒間浸漬して本発明の特異な皮膜を作
り、そしてこの処理後、皮膜を完全にゆすぎ、乾
燥する酸処理を行なつた。 この発明では、濃度１〜100容量％の硫酸を使
用することができる。硫酸の濃度が１容量％に近
づくほど、処理時間を長くしなければならない。
例えば硫酸濃度１容量％の静水溶液で電着パラジ
ウム―ニツケルを処理する場合、室温で30分必要
である。 撹拌を行なうことにより処理溶液中において既
得の運転休止時間に関し重要な効果を得ることが
できる。10容量％硫酸に電着パラジウム―ニツケ
ル被膜を浸漬した場合、活発な撹拌を行なえば、
室温で0.4秒で処理を行なうことができる。 20容量％の塩酸静溶液に電着パラジウム―ニツ
ケルを浸漬した場合、室温で30秒処理することに
より所望の被膜を得ることができる。 しかし全ての酸が有効というものではない。例
えば20容量％の硝酸水溶液、50容量％の氷酢酸及
び50容量％の燐酸で処理した場合、本発明のもの
とは異なるものが表面に形成されてしまう。 Ｘ線光電分光（XPS）技術及び化学分析用電子
分光（ESCA）を用いてパラジウム―ニツケル合
金皮膜表面の化学分析を行なつた。XPS分析は、
軟Ｘ線を当てた時その表面で原子から放出される
軌道電子結合エネルギーを測定することにより、
おこなう。放射した軌道光電子の結合エネルギー
から、元素の存在だけでなく元素の原子価状態を
もわかる。従つてパラジウム―ニツケル合金表面
をXPSで分析すれば、金属又は零原子価状態の元
素（Pd゜及びNi0）の原子％とともに酸化物、塩
化物として化合物中にある陽イオン原子価状態の
元素（Pd2+及びNi2+）をも知ることができる。 ここで行なつたXPSの試験条件は次の通りであ
る。 Ｘ線放射の種類：MgK（1253.6eV） 加速電圧 ：15kV 設定チユーブ電力：300ワツト 最大強さの1/2でのビーム幅：4.5μｍ 開始角度 ：50゜ この発明の試料につきXPSで表面の化学組成を
算出したところ金属元素成分のみが見出された。
パラジウム―ニツケル合金の表面につき、金属成
分の原子％を決めるには、以下の光電結合エネル
ギーを用いた。 元素成分 指定電子軌道 結合エネルギーeV Pd0 3d5/2 335 Pd2+ 3d5/2 339 Ni0 2p3/2 852 Ni2+ 2p3/2 855 パラジウム―ニツケル合金被膜をXPS分析する
と、ニツケルの領域は表面から約20オングストロ
ーム（Å）を越えた深さに広がつている。この理
由は、ニツケル電子2p3/2はこれよりも深いとこ
ろから励起されるが、このエネルギーは被膜から
放出されるに十分なエネルギーではないためであ
る。パラジウム―ニツケル合金の表面下20Åの所
は、約９〜10原子層に相当する。電着パラジウム
―ニツケル合金被膜の厚さは0.1〜1.5μｍであ
り、これは1000〜15000Åに相当する。XPSは、
パラジウム―ニツケル合金被膜の表面における薄
膜領域の化学分析に最適であり、このことから、
電気コネクター機器に用いる際最も重要な被膜特
性であるはんだ接合性及び電気接触抵抗を検出す
ることができる。 XPS化学分析では、所定試料につき最初の表面
からの距離の関数としては金属元素成分を分析す
る。第１段階では、最初のＸ＝０〜20Åの表面層
につきXPS分析する、次いでアルゴンイオンスパ
ツタリングで材料を所定厚剥し、各剥離工程ごと
にXPS分析を行なう。最初の表面から剥離される
厚さは12.5，25，50及び100Åと次第に厚くな
る。いずれの場合も分析する領域は表面から20Å
の深さである。従つて第１図乃至第３図で示す
XPSの各プロツトは、表面下20Åの位置、換言す
れば最初の表面から32.5，45，70及び120の距離
である。第１図はXPSによる分析の代表例を示
す。 パラジウム―ニツケル合金表面をアルゴンスパ
ツタで剥離する条件は、次の通りである。 イオン源：アルゴンガス イオン加速電圧：4kV これらの条件とスパツタリング電流を精度よく
コントロールすると、パラジウム―ニツケル合金
被膜を22Å／分の剥離速度で再現性よく均一にス
パツタすることができる。 酸処理前のパラジウム―ニツケル被膜にはその
表面に相当量のPd2+とNi2+とがあり、はんだ付け
によるぬれ性を阻害する。このことは、80％はん
だ被覆によつてのみ明らかとされる。工業的に認
められる標準はんだ接合性は、はんだ被覆が少な
くとも95％でなければならない。アルフア611や
809などのはんだフラツクスを室温で用いても、
Pd2+又はNi2+を減少し又は除去して金属とするこ
とはできず。このため、はんだ接合性は改善され
ない。 以下実施例につき説明する。各実施例はワイヤ
又はデイスク状の銅合金基体に対してなされたも
ので、この基体は通常の前処理を行なつた後通常
の硫酸ニツケルめつき処理により純粋ニツケルを
電着している。ニツケルの下地は銅がめつき浴で
汚染されるのを防ぐものであるが、この発明では
とくに必要とするものではない。 実施例では、明記したものを除き、20容量％の
硫酸溶液に30秒間室温で浸漬したものである。 実施例 １ 以下の浴組成及びめつき条件で、ニツケルめつ
き銅合金ワイヤ基体上に厚さ0.9μｍのパラジウ
ム―ニツケル合金を電着した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート
10g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.4g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 37℃ PH 8.9 電流密度 25A／ｄm2 溶液の撹拌 活発 ワイヤの電着パラジウム―ニツケル合金は、81
原子％のパラジウムと19原子％のニツケルとが含
まれていた。次いでめつき試料を表に従つて処
理した。
【表】
所内時効
各表面後表面の化学的性質をXPS分析で調べ、
はんだ接合性を米国軍規格202、方法208で評価し
た。 工場事務所内環境で12ケ月時効処理した電着パ
ラジウム―ニツケル合金被膜は、その最初の表面
（Ｘ＝０〜20Å）がNi2+，Pd2+及びPd0の混合物か
らなつていた（表の試料1aのXPS分析参照）。
このものは、はんだ接合性浸漬試験においてはん
だ被覆量が被膜表面の95％未満であり、不適当で
あつた。時効処理したパラジウム―ニツケル合金
被膜を硫酸処理すると、純粋金属パラジウム
（Pd0）の連続層からなる表面を作り、はんだ接合
性試験では99％の被覆量であつた（試料1b参
照）。硫酸処理によりニツケルNi2+又はNi0が除去
されるので、100％の純粋金属パラジウム層が連
続して存在した。 硫酸処理により純粋金属パラジウム（Pd0）表
面層が形成されるが、これは工場事務所内環境で
の18ケ月の時効処理で変化しなかつた。パラジウ
ム―ニツケル合金被膜の内部から表面へニツケル
が拡散することがなく、又金属パラジウム
（Pd0）が酸化物（Pd2+）になることもなかつた
（試料1c参照）。試料1cの安定し連続した純粋な金
属パラジウム層は第１図のXPS化学分析に示すよ
うに厚さが20Åしかない。 実施例 ２ 実施例１と同じ方法でパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、第２表に示す処理を行なつ
た。
各表面後表面の化学的性質をXPS分析で調べ、
はんだ接合性を米国軍規格202、方法208で評価し
た。 工場事務所内環境で12ケ月時効処理した電着パ
ラジウム―ニツケル合金被膜は、その最初の表面
（Ｘ＝０〜20Å）がNi2+，Pd2+及びPd0の混合物か
らなつていた（表の試料1aのXPS分析参照）。
このものは、はんだ接合性浸漬試験においてはん
だ被覆量が被膜表面の95％未満であり、不適当で
あつた。時効処理したパラジウム―ニツケル合金
被膜を硫酸処理すると、純粋金属パラジウム
（Pd0）の連続層からなる表面を作り、はんだ接合
性試験では99％の被覆量であつた（試料1b参
照）。硫酸処理によりニツケルNi2+又はNi0が除去
されるので、100％の純粋金属パラジウム層が連
続して存在した。 硫酸処理により純粋金属パラジウム（Pd0）表
面層が形成されるが、これは工場事務所内環境で
の18ケ月の時効処理で変化しなかつた。パラジウ
ム―ニツケル合金被膜の内部から表面へニツケル
が拡散することがなく、又金属パラジウム
（Pd0）が酸化物（Pd2+）になることもなかつた
（試料1c参照）。試料1cの安定し連続した純粋な金
属パラジウム層は第１図のXPS化学分析に示すよ
うに厚さが20Åしかない。 実施例 ２ 実施例１と同じ方法でパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、第２表に示す処理を行なつ
た。
【表】
所内時効
2b 22ケ月の事務 99 0 1 0 100
所内処理及び
硫酸処理
処理後XPS化学分析で120Åの深さまで調べ、
複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。 これら試料のXPSによる分析結果を第２図及び
第３図に示す。事務所内時効試料（試料2a）は、
はんだ接合性が悪かつたものであるが、Ni2+と
Pd2+が相当量あり、第２図に示すように金属パ
ラジウム（Pd0）は62原子％しかなかつた。事務
所内時効後硫酸処理した試料2bにつきはんだ接
合性試験を行なつた。この処理で20Å厚の表面層
は第３図に示すように金属パラジウム（Pd0）が
99原子％あり、金属ニツケル（Ni0）は１原子％で
あつた。 実施例 ３ ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及び条
件で厚さ1.3μｍ、76原子％パラジウムと24原子
％ニツケルの組成のパラジウム―ニツケル被膜を
電着した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
18g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 10g／ アリルスルフオン酸ナトリウム 1.7g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 55℃ PH 8.7 電流密度 16A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表により処理した。
2b 22ケ月の事務 99 0 1 0 100
所内処理及び
硫酸処理
処理後XPS化学分析で120Åの深さまで調べ、
複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べた。 これら試料のXPSによる分析結果を第２図及び
第３図に示す。事務所内時効試料（試料2a）は、
はんだ接合性が悪かつたものであるが、Ni2+と
Pd2+が相当量あり、第２図に示すように金属パ
ラジウム（Pd0）は62原子％しかなかつた。事務
所内時効後硫酸処理した試料2bにつきはんだ接
合性試験を行なつた。この処理で20Å厚の表面層
は第３図に示すように金属パラジウム（Pd0）が
99原子％あり、金属ニツケル（Ni0）は１原子％で
あつた。 実施例 ３ ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及び条
件で厚さ1.3μｍ、76原子％パラジウムと24原子
％ニツケルの組成のパラジウム―ニツケル被膜を
電着した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
18g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 10g／ アリルスルフオン酸ナトリウム 1.7g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 55℃ PH 8.7 電流密度 16A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表により処理した。
【表】
所内時効
3b 25ケ月の事務 100 0 0 0 98
所内時効及び
硫酸処理
処理後XPS化学分析を120Åの深さまで行な
い、複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 試料3aのものがはんだ接合性が悪いのに対し、
試料3bははんだ接合性が良かつた（合格品であ
つた）。 実施例 ４ ニツケルめつき銅合金円盤上に下記浴組成及び
めつき条件を用いて厚さ0.8μｍで70原子％パラ
ジウムと30原子％のニツケルからなるパラジウム
―ニツケル被膜を形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
11.8g／ Ni濃度 ニツケルクロリド 5.2g／ 四級化ピリジン 600ppm 塩化アンモニウム 30g／ めつき条件 温度 50℃ PH 8.5 電流密度 5A／ｄm2 液撹拌 活発 めつき試料を表にもとづいて処理した。
3b 25ケ月の事務 100 0 0 0 98
所内時効及び
硫酸処理
処理後XPS化学分析を120Åの深さまで行な
い、複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 試料3aのものがはんだ接合性が悪いのに対し、
試料3bははんだ接合性が良かつた（合格品であ
つた）。 実施例 ４ ニツケルめつき銅合金円盤上に下記浴組成及び
めつき条件を用いて厚さ0.8μｍで70原子％パラ
ジウムと30原子％のニツケルからなるパラジウム
―ニツケル被膜を形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
11.8g／ Ni濃度 ニツケルクロリド 5.2g／ 四級化ピリジン 600ppm 塩化アンモニウム 30g／ めつき条件 温度 50℃ PH 8.5 電流密度 5A／ｄm2 液撹拌 活発 めつき試料を表にもとづいて処理した。
【表】
所内時効
4b 28ケ月の事務 100 0 0 0 99
所内時効及び
硫酸処理
処理後、XPS化学分析を120Åの深さまで行な
い、また複数個の同一試料につきはんだ接合性を
調べた。 試料4aははんだ接合性が悪く、一方酸処理した
試料4bははんだ接合性が良く、合格品であつ
た。 実施例 ５ ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及びめ
つき条件で、厚さ0.8μｍで、55原子％パラジウ
ム及び45原子％ニツケルのパラジウム―ニツケル
被膜形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
10g／ Ni濃度 ニツケルクロリド 6g／ 四級化ビリジン 600ppm 塩化アンモニウム 30g／ めつき条件 濃度 50℃ PH 7.5 電流密度 5A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表により処理した。
4b 28ケ月の事務 100 0 0 0 99
所内時効及び
硫酸処理
処理後、XPS化学分析を120Åの深さまで行な
い、また複数個の同一試料につきはんだ接合性を
調べた。 試料4aははんだ接合性が悪く、一方酸処理した
試料4bははんだ接合性が良く、合格品であつ
た。 実施例 ５ ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及びめ
つき条件で、厚さ0.8μｍで、55原子％パラジウ
ム及び45原子％ニツケルのパラジウム―ニツケル
被膜形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
10g／ Ni濃度 ニツケルクロリド 6g／ 四級化ビリジン 600ppm 塩化アンモニウム 30g／ めつき条件 濃度 50℃ PH 7.5 電流密度 5A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表により処理した。
【表】
効及び工場環
境で28ケ月事
務所内時効
5b 5aの時効処理 100 0 0 0 99
及び硫酸処理
処理後XPS化学分析で120Åの深さまで調べ、
かつ複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 試料5aははんだ接合性が悪いのに対し、酸処理
した試料5bははんだ接合性が良く合格品であつ
た。 実施料 ６ ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及びめ
つき条件で厚さ1.3μｍで46原子％パラジウム及
び54原子％ニツケルの組成のパラジウム―ニツケ
ル被膜を形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 11g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 2.8g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 48℃ PH 8.0 電流密度 8.7A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表で処理した。
境で28ケ月事
務所内時効
5b 5aの時効処理 100 0 0 0 99
及び硫酸処理
処理後XPS化学分析で120Åの深さまで調べ、
かつ複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 試料5aははんだ接合性が悪いのに対し、酸処理
した試料5bははんだ接合性が良く合格品であつ
た。 実施料 ６ ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及びめ
つき条件で厚さ1.3μｍで46原子％パラジウム及
び54原子％ニツケルの組成のパラジウム―ニツケ
ル被膜を形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 11g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 2.8g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 48℃ PH 8.0 電流密度 8.7A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表で処理した。
【表】
気時効
6b 米軍規格によ 98 0 0 2 100
る蒸気時効及
び硫酸処理
処理後、XPS化学分析で120Åの深さまで調べ
かつ複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 試料6aは、はんだ接合性が不良であつたが、酸
処理した試料6bは良好で、合格品であつた。 実施例 ７ ニツケルめつき銅合金ワイヤに下記浴組成及び
めつき条件で厚さ0.9μｍで81原子％パラジウム
と19原子％ニツケルの組成のパラジウム―ニツケ
ル合金被膜を形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 10g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.4g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 濃度 37℃ PH 8.9 電流密度 25A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料に表の処理を行なつた。
6b 米軍規格によ 98 0 0 2 100
る蒸気時効及
び硫酸処理
処理後、XPS化学分析で120Åの深さまで調べ
かつ複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 試料6aは、はんだ接合性が不良であつたが、酸
処理した試料6bは良好で、合格品であつた。 実施例 ７ ニツケルめつき銅合金ワイヤに下記浴組成及び
めつき条件で厚さ0.9μｍで81原子％パラジウム
と19原子％ニツケルの組成のパラジウム―ニツケ
ル合金被膜を形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 10g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.4g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 濃度 37℃ PH 8.9 電流密度 25A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料に表の処理を行なつた。
【表】
時間の蒸気時
効
処理後、XPS化学分析で深さ120Åまで調べ、
かつ複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 酸処理した試料は、いずれも95％の最小はんだ
接合性規準を満足していた。また米軍規格に従つ
て硫酸処理後に蒸気処理したものはパラジウム富
化成分が変化せず、はんだ接合性に変りはなかつ
た。 実施例 ８ ニツケルめつき銅合金ワイヤーに下記浴組成及
びめつき条件で厚さ0.9μｍのパラジウム―ニツ
ケル合金被膜を電着形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 10g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.4g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 37℃ PH 8.9 電流密度 25A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表で処理した。
効
処理後、XPS化学分析で深さ120Åまで調べ、
かつ複数個の同一試料につきはんだ接合性を調べ
た。 酸処理した試料は、いずれも95％の最小はんだ
接合性規準を満足していた。また米軍規格に従つ
て硫酸処理後に蒸気処理したものはパラジウム富
化成分が変化せず、はんだ接合性に変りはなかつ
た。 実施例 ８ ニツケルめつき銅合金ワイヤーに下記浴組成及
びめつき条件で厚さ0.9μｍのパラジウム―ニツ
ケル合金被膜を電着形成した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 10g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 1.4g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 37℃ PH 8.9 電流密度 25A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表で処理した。
【表】
処理
処理後、XPS化学分析で深さ120Åまで調べ、
かつ複数の試料につきはんだ接合性を調べた。 試料8aははんだ接合性が悪かつたが、硫酸処理
したものはいずれも良好で合格品であつた。 試料8c及び8dは、酸濃度による表面の特徴の
ちがいを示している。試料8cは100容量％硫酸濃
度で30秒間処理したもので、はんだ接合性の基準
をパスしていた。試料8dは１容量％の硫酸濃度
で30秒間処理したもので、許容しうるはんだ接合
性を示していた。 実施例 ９ 実施例８の方法でパラジウム―ニツケル電着ワ
イヤーを用意し、これに表の処理を行つた。
処理後、XPS化学分析で深さ120Åまで調べ、
かつ複数の試料につきはんだ接合性を調べた。 試料8aははんだ接合性が悪かつたが、硫酸処理
したものはいずれも良好で合格品であつた。 試料8c及び8dは、酸濃度による表面の特徴の
ちがいを示している。試料8cは100容量％硫酸濃
度で30秒間処理したもので、はんだ接合性の基準
をパスしていた。試料8dは１容量％の硫酸濃度
で30秒間処理したもので、許容しうるはんだ接合
性を示していた。 実施例 ９ 実施例８の方法でパラジウム―ニツケル電着ワ
イヤーを用意し、これに表の処理を行つた。
【表】
ケ月時効
9b 工場環境で24 92 0 0 08 85
ケ月時効及び
室温で30秒間
50〓H３PO４処理
処理後、複数個の同一試料につきXPS化学分析
で深さ120Åまで調べ、はんだ接合性を調べた。
この結果、いずれもはんだ接合性が不良であつ
た。 実施例 10 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤーを用意し、これを表で処理した。
9b 工場環境で24 92 0 0 08 85
ケ月時効及び
室温で30秒間
50〓H３PO４処理
処理後、複数個の同一試料につきXPS化学分析
で深さ120Åまで調べ、はんだ接合性を調べた。
この結果、いずれもはんだ接合性が不良であつ
た。 実施例 10 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤーを用意し、これを表で処理した。
【表】
ケ月時効及び
室温で30秒間
50〓氷酢酸処
理
処理後複数の同一試料につきXPS化学分析で
120Åの深さまで調べ、かつはんだ接合性を調べ
た。 実施例 11 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、これを表XIで処理した。
室温で30秒間
50〓氷酢酸処
理
処理後複数の同一試料につきXPS化学分析で
120Åの深さまで調べ、かつはんだ接合性を調べ
た。 実施例 11 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、これを表XIで処理した。
【表】
理
処理後複数個の同一試料につき、XPS化学分析
で深さ120Åまで調べ、かつはんだ接合性を調べ
た。いずれの試料もはんだ接合性が不良であつ
た。 実施例 12 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、これを表XIIで処理した。
処理後複数個の同一試料につき、XPS化学分析
で深さ120Åまで調べ、かつはんだ接合性を調べ
た。いずれの試料もはんだ接合性が不良であつ
た。 実施例 12 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、これを表XIIで処理した。
【表】
のものと同じ
処理後、複数個の同一試料につき、XPS化学分
析を120Åの深さまで行ない、又はんだ接合性を
調べた。その結果いずれもはんだ接合性は不良で
あつた。 実施例 13 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、これを表で処理した。
処理後、複数個の同一試料につき、XPS化学分
析を120Åの深さまで行ない、又はんだ接合性を
調べた。その結果いずれもはんだ接合性は不良で
あつた。 実施例 13 実施例８の方法で別のパラジウム―ニツケル電
着ワイヤを用意し、これを表で処理した。
【表】
同じ
処理後、複数の同一試料につきXPS化学分析を
120Åの深さまで行ない、かつはんだ接合性を調
べた。 実施例 14 ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及びめ
つき条件で厚さ0.9μｍのパラジウム―ニツケル
合金を電着した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 11g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 2.8g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 4.8℃ PH 8.0 電流密度 8.70A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表で処理した。
処理後、複数の同一試料につきXPS化学分析を
120Åの深さまで行ない、かつはんだ接合性を調
べた。 実施例 14 ニツケルめつき銅合金円盤に下記浴組成及びめ
つき条件で厚さ0.9μｍのパラジウム―ニツケル
合金を電着した。 浴組成 Pd濃度 パラジウム（）アンミンクロリド
17g／ Ni濃度 ニツケルアンミンスルフエート 11g／ ビニルスルフオン酸ナトリウム 2.8g／ 硫酸アンモニウム 50g／ めつき条件 温度 4.8℃ PH 8.0 電流密度 8.70A／ｄm2 液撹拌 活発 次いでめつき試料を表で処理した。
【表】
内時効及び米
軍規格202方
法202による
蒸気時効
軍規格202方
法202による
蒸気時効
【表】
蒸気時効
処理後XPS化学分析を深さ120Åまで行なつ
た。接触抵抗については以下の米軍規格1344、方
法3004により複数の同一試料につき調べた。 基準荷重：10g押圧力 試験電流：10mADC 開回路電圧：最大20mVDC 硫酸処理試料14c及び14dは点接触抵抗が低
く、金電着接触表面のそれと同様であつた。
処理後XPS化学分析を深さ120Åまで行なつ
た。接触抵抗については以下の米軍規格1344、方
法3004により複数の同一試料につき調べた。 基準荷重：10g押圧力 試験電流：10mADC 開回路電圧：最大20mVDC 硫酸処理試料14c及び14dは点接触抵抗が低
く、金電着接触表面のそれと同様であつた。
第１図は横軸を表面からの深さ、縦軸を金属の
原子％とした実施例１の試料1cの説明図、第２図
は横軸を表面からの深さ、縦軸を金属の原子％と
した実施例２の試料2aの説明図、第３図は横軸を
表面からの深さ、縦軸を金属の原子％とした実施
例２の試料2bの説明図である。
原子％とした実施例１の試料1cの説明図、第２図
は横軸を表面からの深さ、縦軸を金属の原子％と
した実施例２の試料2aの説明図、第３図は横軸を
表面からの深さ、縦軸を金属の原子％とした実施
例２の試料2bの説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基体上に設けた永久的なはんだ接合性
を有するパラジウム―ニツケル被膜であつて、 上記基体に付着する第１合金層が46〜82原子％
のパラジウムと18〜54原子％のニツケルからな
り、 この第１合金層を被覆する第２合金層が96〜
100原子％の金属パラジウムと４原子％以下のニ
ツケルとからなり、かつ第２合金層の層厚が20オ
ングストローム以下であるはんだ接合性パラジウ
ム―ニツケル被膜。 ２ 第２合金層は低荷重での電気接触抵抗が10g
標準押圧力で2mΩ以下である特許請求の範囲第
１項記載のはんだ接合性パラジウム―ニツケル被
膜。 ３ 基体がワイヤである特許請求の範囲第１項記
載のはんだ接合性パラジウム―ニツケル被膜。 ４ 基体が燐青銅合金である特許請求の範囲第１
項記載のはんだ接合性パラジウム―ニツケル被
膜。 ５ 基体がニツケルめつき銅基合金である特許請
求の範囲第１項記載のはんだ接合性パラジウム―
ニツケル被膜。 ６ 第１合金層が厚さ0.1〜1.5μｍである特許請
求の範囲第１項記載のはんだ接合性パラジウム―
ニツケル被膜。 ７ 導電性基体上に永久的なはんだ接合性を有す
るパラジウム―ニツケル被膜を形成する方法であ
つて、上記基体を以下ａ乃至ｄの組成の電気めつ
き浴中に、 ａ パラジウム（）アンミンクロリド ｂ ニツケルアンミンスルフエート又は塩化ニツ
ケル ｃ ビニルスルフオン酸ナトリウム、アリル硫酸
ナトリウム及び四級化ピリジンから選択される
光輝剤 ｄ 硫酸アンモニウム又は塩化アンモニウム 温度35〜55℃、PH7.5〜９、電流密度５〜25A／
ｄm2で浸漬し、活発に撹拌してめつき表面を形成
し、しかる後このめつき表面を硫酸又塩酸の静水
溶液中に浸漬する、 はんだ接合性パラジウム―ニツケル被膜の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/551,925 US4463060A (en) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | Solderable palladium-nickel coatings and method of making said coatings |
| US551925 | 1983-11-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106993A JPS60106993A (ja) | 1985-06-12 |
| JPS623238B2 true JPS623238B2 (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=24203230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210613A Granted JPS60106993A (ja) | 1983-11-15 | 1984-10-09 | はんだ接合性パラジウム−ニツケル被膜及びその製造方法 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4463060A (ja) |
| EP (1) | EP0146152B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60106993A (ja) |
| KR (1) | KR890002838B1 (ja) |
| AT (1) | ATE24554T1 (ja) |
| AU (1) | AU549886B2 (ja) |
| BR (1) | BR8405026A (ja) |
| CA (1) | CA1255618A (ja) |
| DE (1) | DE3461834D1 (ja) |
| DK (1) | DK446884A (ja) |
| ES (1) | ES8602971A1 (ja) |
| MX (1) | MX162670A (ja) |
| NO (1) | NO165250C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020255742A1 (ja) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 動物情報管理システム、及び、動物情報管理方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613069A (en) * | 1981-11-23 | 1986-09-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior | Method for soldering aluminum and magnesium |
| US4628165A (en) * | 1985-09-11 | 1986-12-09 | Learonal, Inc. | Electrical contacts and methods of making contacts by electrodeposition |
| US4849303A (en) * | 1986-07-01 | 1989-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Alloy coatings for electrical contacts |
| EP0329877B1 (en) * | 1988-02-25 | 1993-05-12 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroplating bath and process for maintaining plated alloy composition stable |
| US4846941A (en) * | 1986-07-01 | 1989-07-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroplating bath and process for maintaining plated alloy composition stable |
| US4743346A (en) * | 1986-07-01 | 1988-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroplating bath and process for maintaining plated alloy composition stable |
| DE68909984T2 (de) * | 1988-04-01 | 1994-04-21 | Du Pont | Elektroplattierte Legierungsbeschichtungen, die eine stabile Legierungszusammensetzung aufweisen. |
| JPH0359972A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-14 | Yazaki Corp | 電気接点 |
| JPH0484449A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Ｔａｂテープ |
| US6060175A (en) * | 1990-09-13 | 2000-05-09 | Sheldahl, Inc. | Metal-film laminate resistant to delamination |
| US5086966A (en) * | 1990-11-05 | 1992-02-11 | Motorola Inc. | Palladium-coated solder ball |
| US5597470A (en) * | 1995-06-18 | 1997-01-28 | Tessera, Inc. | Method for making a flexible lead for a microelectronic device |
| US5749933A (en) * | 1996-03-28 | 1998-05-12 | Johns Manville International, Inc. | Apparatus and method for producing glass fibers |
| SG71046A1 (en) | 1996-10-10 | 2000-03-21 | Connector Systems Tech Nv | High density connector and method of manufacture |
| JP3379412B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2003-02-24 | 松下電器産業株式会社 | パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム |
| US7023231B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-04-04 | Solid State Measurements, Inc. | Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof |
| US8636579B2 (en) | 2006-11-09 | 2014-01-28 | Wms Gaming Inc. | Wagering game with pay lines extending through bonus regions |
| WO2012001132A1 (de) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Schauenburg Ruhrkunststoff Gmbh | Tribologisch belastbare edelmetall/metallschichten |
| EP2588645B1 (de) | 2010-06-30 | 2018-05-30 | RDM Family Investments LLC | Verfahren zur abscheidung einer nickel-metall-schicht |
| JP6973051B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2021-11-24 | 株式会社リコー | 液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体を吐出する装置 |
| WO2020145096A1 (ja) * | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 株式会社村田製作所 | 濾過フィルタ |
| CN113699565B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-07-04 | 万明电镀智能科技(东莞)有限公司 | 高耐蚀性钯镍合金镀层及其电镀方法和钯镍镀层电镀液 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4100039A (en) * | 1976-11-11 | 1978-07-11 | International Business Machines Corporation | Method for plating palladium-nickel alloy |
| US4284482A (en) * | 1980-09-22 | 1981-08-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Palladium treatment procedure |
| DE3108466C2 (de) * | 1981-03-06 | 1983-05-26 | Langbein-Pfanhauser Werke Ag, 4040 Neuss | Verwendung eines Acetylenalkohols in einem Bad zur galvanischen Abscheidung einer Palladium/Nickel-Legierung |
| DE3232735C2 (de) * | 1981-09-11 | 1984-04-26 | LPW-Chemie GmbH, 4040 Neuss | Verwendung einer als Glanzbildnerzusatz zu Nickelbädern bekannten Verbindung als Korrosionsschutzadditiv |
-
1983
- 1983-11-15 US US06/551,925 patent/US4463060A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-09-17 NO NO843689A patent/NO165250C/no unknown
- 1984-09-19 DK DK446884A patent/DK446884A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-09-19 AU AU33295/84A patent/AU549886B2/en not_active Ceased
- 1984-09-20 CA CA000463708A patent/CA1255618A/en not_active Expired
- 1984-09-21 AT AT84201362T patent/ATE24554T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-09-21 DE DE8484201362T patent/DE3461834D1/de not_active Expired
- 1984-09-21 EP EP84201362A patent/EP0146152B1/en not_active Expired
- 1984-09-26 ES ES536238A patent/ES8602971A1/es not_active Expired
- 1984-10-02 MX MX202921A patent/MX162670A/es unknown
- 1984-10-04 BR BR8405026A patent/BR8405026A/pt not_active IP Right Cessation
- 1984-10-09 JP JP59210613A patent/JPS60106993A/ja active Granted
- 1984-10-11 KR KR1019840006282A patent/KR890002838B1/ko not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020255742A1 (ja) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 動物情報管理システム、及び、動物情報管理方法 |
Also Published As
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| CA1255618A (en) | 1989-06-13 |
| ES8602971A1 (es) | 1985-12-01 |
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| KR850004135A (ko) | 1985-07-01 |
| NO843689L (no) | 1985-05-20 |
| DK446884D0 (da) | 1984-09-19 |
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