JPS62325A - 放射線検出による作像装置及び方法 - Google Patents
放射線検出による作像装置及び方法Info
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- JPS62325A JPS62325A JP61081977A JP8197786A JPS62325A JP S62325 A JPS62325 A JP S62325A JP 61081977 A JP61081977 A JP 61081977A JP 8197786 A JP8197786 A JP 8197786A JP S62325 A JPS62325 A JP S62325A
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- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射線の空間分布および強さの検出に関するも
のである。さらに詳しく述べれば、本発明は身体を通過
するX線の空間分布および強さを検出することKよって
身体の密度の像を作る放射線写真術および計算された断
層作像装置に関するものである。
のである。さらに詳しく述べれば、本発明は身体を通過
するX線の空間分布および強さを検出することKよって
身体の密度の像を作る放射線写真術および計算された断
層作像装置に関するものである。
計算された断層撮影法、ディジタル放射線写真撮影法、
核医学作像、および関連分野において、二次元でイオン
化放射線を最適に検出することが主要な問題である。多
くのいろいろな形の検出器(例えば非電子、アナログ電
子およびディジタル電子検出器)がこれらの分野で使用
され、大なり小なり成功を収めてきた。一般K、先行技
術の検出器のいろいろな作像および非作像パラメータの
中で多くの妥協がなされてきた。
核医学作像、および関連分野において、二次元でイオン
化放射線を最適に検出することが主要な問題である。多
くのいろいろな形の検出器(例えば非電子、アナログ電
子およびディジタル電子検出器)がこれらの分野で使用
され、大なり小なり成功を収めてきた。一般K、先行技
術の検出器のいろいろな作像および非作像パラメータの
中で多くの妥協がなされてきた。
フィルムおよび他の非ディジタル放射線撮影法をディジ
タル検出法に代えることには基本的障害はなく、また基
本問題は適当な検出器およびデータ取得装置(DAS)
を開発する問題である、ことがある期間認識されていた
。一般に、IP01θy&影」の第128章、第431
2−25頁(Newton&potts 1981 )
参照のこと。1つの提案されたディジタル放射線撮影装
置10が第1図に略示されている。X線源12はコリメ
ータ14に向けてX線を放射する。はぼ正方形の開口1
6がコリメータ14に形成され、はぼ正方形のX線分布
(すなわち広い面積のビーム)18を患者20に向ける
。X線源12によって作られるX線で、開口16を通ら
ないものは、コリメータ14によって阻止され(コリメ
ータ14は鉛などのような極めて密度の高い材料で作ら
れることが望ましい)、したがって患者20に当たらな
い。患者20t−通過する広い面積のビーム18の部分
はさらに患者20の後ろに置かれるほぼ正方形の検出器
22に当たる。任意な通路に沿って患者20を出る放射
線の強さは、その通路に沿う患者の総合X線減衰係、数
に左右される。
タル検出法に代えることには基本的障害はなく、また基
本問題は適当な検出器およびデータ取得装置(DAS)
を開発する問題である、ことがある期間認識されていた
。一般に、IP01θy&影」の第128章、第431
2−25頁(Newton&potts 1981 )
参照のこと。1つの提案されたディジタル放射線撮影装
置10が第1図に略示されている。X線源12はコリメ
ータ14に向けてX線を放射する。はぼ正方形の開口1
6がコリメータ14に形成され、はぼ正方形のX線分布
(すなわち広い面積のビーム)18を患者20に向ける
。X線源12によって作られるX線で、開口16を通ら
ないものは、コリメータ14によって阻止され(コリメ
ータ14は鉛などのような極めて密度の高い材料で作ら
れることが望ましい)、したがって患者20に当たらな
い。患者20t−通過する広い面積のビーム18の部分
はさらに患者20の後ろに置かれるほぼ正方形の検出器
22に当たる。任意な通路に沿って患者20を出る放射
線の強さは、その通路に沿う患者の総合X線減衰係、数
に左右される。
検出器22は、ビーム18が患者20を通過してからビ
ーム18のサイズに合う約50crrLの長さLt−有
する側部23を持つ(X線源12は点源に似ているので
、広い面積のビーム18はコIJメータ14から遠ざか
るにつれて広がる)。検出器22は、その二次元面の上
に患者20の密度の投影像を得る在来の方法によってさ
らに処理され゛る検出器の二次元内のいろいろな点でX
線の強さく対応する信号を作る。
ーム18のサイズに合う約50crrLの長さLt−有
する側部23を持つ(X線源12は点源に似ているので
、広い面積のビーム18はコIJメータ14から遠ざか
るにつれて広がる)。検出器22は、その二次元面の上
に患者20の密度の投影像を得る在来の方法によってさ
らに処理され゛る検出器の二次元内のいろいろな点でX
線の強さく対応する信号を作る。
検出器22は、二次元座標アレイに配列された複数個の
不連続検出素子24t−含む。装置10の所望の制限空
間解像度が5線対/xxであるならば、各検出素子24
は倍率1.25で長さ0.125mの正方形寸法を有す
る(第1A図参照)。広い面積の検出器22はさらに、
n=4000でn2個の素子を含む(分離素子は全部で
1,600万個)。
不連続検出素子24t−含む。装置10の所望の制限空
間解像度が5線対/xxであるならば、各検出素子24
は倍率1.25で長さ0.125mの正方形寸法を有す
る(第1A図参照)。広い面積の検出器22はさらに、
n=4000でn2個の素子を含む(分離素子は全部で
1,600万個)。
そのように多くの不連続電子素子24を持つかかる大き
な検出器22を作ることは現在では不可能である。した
がって、連続検出器を持つ装置が提案され、ディジタル
放射線撮影について評価された。かかる連続検出器の例
は大きな面積の影像計器)3[(SP工E1ワシントン
1984)参照、また写真誘導リン会スクリーンであり
、5onadaらの148放射線医学833(1983
)参照。しかし、かかる連続検出器には、散乱放射線の
受入れ、検出量効率の制限、光拡大、および装置の性能
を制限する他の困難を伴う問題がある。
な検出器22を作ることは現在では不可能である。した
がって、連続検出器を持つ装置が提案され、ディジタル
放射線撮影について評価された。かかる連続検出器の例
は大きな面積の影像計器)3[(SP工E1ワシントン
1984)参照、また写真誘導リン会スクリーンであり
、5onadaらの148放射線医学833(1983
)参照。しかし、かかる連続検出器には、散乱放射線の
受入れ、検出量効率の制限、光拡大、および装置の性能
を制限する他の困難を伴う問題がある。
連続検出器の上記問題は、放射線の薄い走査ファン・ビ
ームおよびnX1個の素子検出器を用いることによって
n2個の不連続素子検出器の複雑な機械および電子の問
題と共に大幅に克服される。
ームおよびnX1個の素子検出器を用いることによって
n2個の不連続素子検出器の複雑な機械および電子の問
題と共に大幅に克服される。
例えばBOydに対する米国特許第3,983,398
号(1967)、BOydらに対する米国特許第4,0
75,492号(1978)、DiBiancaらの1
33放射線撮影231 (1979)、およびを参照の
こと。既知の走査ファン・ビーム放射線撮影装置30の
一例が第2図にざっと示されている。コリメータ14は
スロット32を形成し、X線源12によって作られるX
線はこれを通って向けられる。合成ファン形ビーム34
は患者20を通って、X座標軸に沿う直線アレイに配列
されたn個の不連続検出素子24t−含むnX1素子検
出器36の上に向けられる、ファン形ビーム34は動く
コリメータIICよって問題の患者20の部分の上を走
査される。検出器36は、ビーム34が検出器36に必
ず入るようにビーム340面に垂直な方向に同時に移動
される(例えばコリメータ14と検出器が共通に取り付
けられる、図示されていない、アームを直線状に移動さ
せることによって)。患者20と検出器36との間に集
中グリフVのコリメータが置かれて、患者を通る放射線
は検出器にコリメートされる。信号を作る検出器36の
素子24のX座標方向の位置は、2放射線のX方向の位
置を示し、信号は素子によって作られるよ5にされる。
号(1967)、BOydらに対する米国特許第4,0
75,492号(1978)、DiBiancaらの1
33放射線撮影231 (1979)、およびを参照の
こと。既知の走査ファン・ビーム放射線撮影装置30の
一例が第2図にざっと示されている。コリメータ14は
スロット32を形成し、X線源12によって作られるX
線はこれを通って向けられる。合成ファン形ビーム34
は患者20を通って、X座標軸に沿う直線アレイに配列
されたn個の不連続検出素子24t−含むnX1素子検
出器36の上に向けられる、ファン形ビーム34は動く
コリメータIICよって問題の患者20の部分の上を走
査される。検出器36は、ビーム34が検出器36に必
ず入るようにビーム340面に垂直な方向に同時に移動
される(例えばコリメータ14と検出器が共通に取り付
けられる、図示されていない、アームを直線状に移動さ
せることによって)。患者20と検出器36との間に集
中グリフVのコリメータが置かれて、患者を通る放射線
は検出器にコリメートされる。信号を作る検出器36の
素子24のX座標方向の位置は、2放射線のX方向の位
置を示し、信号は素子によって作られるよ5にされる。
信号が作られる時点でX方向に垂直な2座標方向(すな
わち走査方向)Kおける検出器36の位置は、その信号
を作るI放射線の2方向の位置を示す。
わち走査方向)Kおける検出器36の位置は、その信号
を作るI放射線の2方向の位置を示す。
残念ながら、薄い走査ファン・ビーム装置30にも多く
の困難が付きまとう。5線対/Bの解像度を要求される
極めて薄い(約0.1111)!放射線ファン・ビーム
34は極めて不効率にx層源12によって作られるX線
の7ラツクスを使用し、かくて過度の像ノイズまたは受
は入れられない長い走査時間および過度のX線源(管)
負荷を作る。
の困難が付きまとう。5線対/Bの解像度を要求される
極めて薄い(約0.1111)!放射線ファン・ビーム
34は極めて不効率にx層源12によって作られるX線
の7ラツクスを使用し、かくて過度の像ノイズまたは受
は入れられない長い走査時間および過度のX線源(管)
負荷を作る。
さらに1装置30の焦点半影は走査(z)方向における
装置の空間解像度を重大に劣化させる。
装置の空間解像度を重大に劣化させる。
1つの妥協案は、nXmの検出器形状を使用することで
あり、例えばmmf;と共に厚いファン・♂−ム、すな
わちときに「ストリップ」ビームと呼ばれるものを使用
することである。かかる装置はTangらの罵医学にお
ける光学計器250(sp工E1 ワシントン、198
4)K開示されている。かかる装置は上述の物理的問題
の若干を解決することができるが、役に立つ解像度を得
るに要する4000x64(すなわち256,000
)チャネルを持つ分離素子検出器およびデータ取得装置
の実際の作り方を明示していない。
あり、例えばmmf;と共に厚いファン・♂−ム、すな
わちときに「ストリップ」ビームと呼ばれるものを使用
することである。かかる装置はTangらの罵医学にお
ける光学計器250(sp工E1 ワシントン、198
4)K開示されている。かかる装置は上述の物理的問題
の若干を解決することができるが、役に立つ解像度を得
るに要する4000x64(すなわち256,000
)チャネルを持つ分離素子検出器およびデータ取得装置
の実際の作り方を明示していない。
キセノン拳ガス・イオン化検出器が多くの第6世代の商
用および実験用の計算された断層撮影およびディジタル
放射線撮影装置に良好に使用された。ディジタル放射線
撮影釦用いる代表的なキセノン検出器50が第6図に示
されている。検出器50は高圧板52と、高圧板に平行
に置かれる収集板54とを含んでいる。板52と54と
の間の空間56は、キセノンのような高原子数のイオン
化可能ガスの与圧された量で充填される。空間56は、
そこに入るX線59によってキセノンeガス中にイオン
化の現象が作られる検出容積を構成する。
用および実験用の計算された断層撮影およびディジタル
放射線撮影装置に良好に使用された。ディジタル放射線
撮影釦用いる代表的なキセノン検出器50が第6図に示
されている。検出器50は高圧板52と、高圧板に平行
に置かれる収集板54とを含んでいる。板52と54と
の間の空間56は、キセノンのような高原子数のイオン
化可能ガスの与圧された量で充填される。空間56は、
そこに入るX線59によってキセノンeガス中にイオン
化の現象が作られる検出容積を構成する。
板の両端に高電圧を加えることによって板52と54と
の間に強い電界が作られる。入射X線の吸収によって空
間56に作られる正イオンは収集板54に吸引され、電
子は高圧板52に吸引される。空間56に作られるイオ
ン−電子対の数は検出器50に入射する放射組の強さに
比例するので、収集板54に流れる電流は入射X線の強
度(またはX線源と検出器50との間に置かれる物体の
透過度)t−表わすのに用いられる。
の間に強い電界が作られる。入射X線の吸収によって空
間56に作られる正イオンは収集板54に吸引され、電
子は高圧板52に吸引される。空間56に作られるイオ
ン−電子対の数は検出器50に入射する放射組の強さに
比例するので、収集板54に流れる電流は入射X線の強
度(またはX線源と検出器50との間に置かれる物体の
透過度)t−表わすのに用いられる。
板54は、導電収集電極58のアレイを構成するように
腐食された回路板57′t−含む。収集電極5BはX線
源(すなわちX線管の焦点)に集められ、したがづて検
出器50の後部はその前部よりも広くなっていることが
ある。それぞれの検出容積は各収集電極58によって定
められ、検出容積は長さLと、長さによって定められる
幅Wと、収集電極58の幅と、収集板58と高圧板52
との間の分離によって定められる高さHとを有する。
腐食された回路板57′t−含む。収集電極5BはX線
源(すなわちX線管の焦点)に集められ、したがづて検
出器50の後部はその前部よりも広くなっていることが
ある。それぞれの検出容積は各収集電極58によって定
められ、検出容積は長さLと、長さによって定められる
幅Wと、収集電極58の幅と、収集板58と高圧板52
との間の分離によって定められる高さHとを有する。
第6図に示される検出器50において、個々の検出容積
間に不連続素子は存在しない。これはサシミリメートル
幅w2持つ素子のアレイ構造を比較的直線方向にし、そ
れKよって単位長さ当たりに多数の検出容積を持つnX
1検出器が作られる。
間に不連続素子は存在しない。これはサシミリメートル
幅w2持つ素子のアレイ構造を比較的直線方向にし、そ
れKよって単位長さ当たりに多数の検出容積を持つnX
1検出器が作られる。
検出容積の間に分離素子がないことは、隣接検出容積間
の漏話による空間解像度の劣化につながることがある。
の漏話による空間解像度の劣化につながることがある。
しかし、高いガス圧力で、幅0.5 mtの収集電極5
8の漏話が10係未満に低下するのは、ガス自身が1つ
の検出容積に作られる電荷キャリヤを隣接する検出容積
に移動するのを制限するからである。Fen5terら
の「走査投影放射線撮影用の直線キセノン検出器アレイ
の特性」、(1984) ; Drostらの「ディジ
タ#放J[i撮影用のキセノン・イオン化検出器」、第
9巻、第2号、医学物理224−30(1982);お
よびRuttらの「走査投影放射線撮影用のキセノン・
イオン化検出器」二理論的考察、第10巻、第6号、医
学物理284−92(1983)を参照のこと。
8の漏話が10係未満に低下するのは、ガス自身が1つ
の検出容積に作られる電荷キャリヤを隣接する検出容積
に移動するのを制限するからである。Fen5terら
の「走査投影放射線撮影用の直線キセノン検出器アレイ
の特性」、(1984) ; Drostらの「ディジ
タ#放J[i撮影用のキセノン・イオン化検出器」、第
9巻、第2号、医学物理224−30(1982);お
よびRuttらの「走査投影放射線撮影用のキセノン・
イオン化検出器」二理論的考察、第10巻、第6号、医
学物理284−92(1983)を参照のこと。
平面状の高圧電極と収集電極が交互にギャップを形成し
、密閉ハウジングの前窓から入るX線によって電荷キャ
リヤが作られる、キセノン−ガス・イオン化検出器の理
論および作動の分析は、Peschmanの「キセノン
−ガス番イオン化検出器」、(Newton & Po
tts 1981 )ならびにWhettenらの米国
特許第4,031,396号に開示されている。Pes
chmann IICよって検討された装置では、X線
ビームがパルスされて、検出素子により収集される合成
電荷はXmビームの強さの自然変動により作られる信号
品質の劣化を減少する時間にわたって積分される。
、密閉ハウジングの前窓から入るX線によって電荷キャ
リヤが作られる、キセノン−ガス・イオン化検出器の理
論および作動の分析は、Peschmanの「キセノン
−ガス番イオン化検出器」、(Newton & Po
tts 1981 )ならびにWhettenらの米国
特許第4,031,396号に開示されている。Pes
chmann IICよって検討された装置では、X線
ビームがパルスされて、検出素子により収集される合成
電荷はXmビームの強さの自然変動により作られる信号
品質の劣化を減少する時間にわたって積分される。
平行板のガス・イオン化室は過去において他の方法で医
学作像に使用されてきた。JOhnsらの「放射線撮影
における静電像形成のガス・イオン(1974)は、X
@のペンシル・ビームによってイオン化される与圧され
た高2ガスを含む広ギヤツプ室を開示している。Jho
nsらは作られた電荷キャリヤの放射分布およびイオン
拡散のイオン検出に及ぼす影響を検討している。
学作像に使用されてきた。JOhnsらの「放射線撮影
における静電像形成のガス・イオン(1974)は、X
@のペンシル・ビームによってイオン化される与圧され
た高2ガスを含む広ギヤツプ室を開示している。Jho
nsらは作られた電荷キャリヤの放射分布およびイオン
拡散のイオン検出に及ぼす影響を検討している。
0harpakらの米国特許第4,286,158号(
1981)は、光電子増倍管を用いて放射線の空間分布
および強さを確認する二次光子の形成によって作られる
シンチレーションの位置および輝度を検出するイオン室
を開示している。0harpackの米国特許第4,3
17,038号(1982)は、多ワイヤ比例室として
作動される同様なイオン室を開示している。この後者の
装置では、室内に置かれた平グリツrは室内の貴ガス忙
よって吸収されるX線によって作られた光電子から電荷
増倍を誘起する。増倍された電荷は1組の電極ワイヤに
より検出される。
1981)は、光電子増倍管を用いて放射線の空間分布
および強さを確認する二次光子の形成によって作られる
シンチレーションの位置および輝度を検出するイオン室
を開示している。0harpackの米国特許第4,3
17,038号(1982)は、多ワイヤ比例室として
作動される同様なイオン室を開示している。この後者の
装置では、室内に置かれた平グリツrは室内の貴ガス忙
よって吸収されるX線によって作られた光電子から電荷
増倍を誘起する。増倍された電荷は1組の電極ワイヤに
より検出される。
Batemanらの米国特許第4,620,299号(
1982)は、電子および正イオンの電荷増倍によって
電荷が誘起される位置感知多重ワイヤ・アレイを持つイ
オン化室を開示している。0sborneらの米国特許
第4,485,307号(1984)は、交差メツシュ
・パターンに作られた検出ワイヤを含む同様な゛空間検
出ガス・イオン化室を開示している。
1982)は、電子および正イオンの電荷増倍によって
電荷が誘起される位置感知多重ワイヤ・アレイを持つイ
オン化室を開示している。0sborneらの米国特許
第4,485,307号(1984)は、交差メツシュ
・パターンに作られた検出ワイヤを含む同様な゛空間検
出ガス・イオン化室を開示している。
Peachmanらの米国特許第4,057,728号
(1977)は、X線の入射角による可変量によって室
の縦方向に移動される絶縁フォイル作像面を含むX線検
出に適したガス・イオン化室を教えている。X線の入射
角により制御されるホロワ制御装置は、絶縁フォイルが
置かれる連架を動かす。
(1977)は、X線の入射角による可変量によって室
の縦方向に移動される絶縁フォイル作像面を含むX線検
出に適したガス・イオン化室を教えている。X線の入射
角により制御されるホロワ制御装置は、絶縁フォイルが
置かれる連架を動かす。
BOagらの米国特許第3,963,924号(197
6)は、球状曲面を持つ電極を含むキセノン・ガス拳イ
オン化室を開示している。曲面の効果は、作像すべき物
体を通るX線ぎ−ムを電極面に垂直に保つことである。
6)は、球状曲面を持つ電極を含むキセノン・ガス拳イ
オン化室を開示している。曲面の効果は、作像すべき物
体を通るX線ぎ−ムを電極面に垂直に保つことである。
こうして、収集電界の力線は必ず入射X線により作られ
るイオンの量通路に平行である。
るイオンの量通路に平行である。
ガス・イオン化室は多年の間、医学作像以外のいろいろ
な応用忙使用されてきた。例えば、がスーイオン化y
IJ 、y )室は三次元空間における粒子の通路を決
定する物理学に使用される。高エネルギ核粒子が室内の
ガス媒体を通って走行するとき、それは電荷キャリヤ(
イオン)のトラックから離れる。室内位置かれるワイヤ
の面は、そこで作られた電荷キャリヤを吸引する電界を
作る。電荷キャリヤがワイヤの面に近づくkつれて、電
界の強さは電荷キャリヤの速度を増加させ、電荷増倍(
なだれ作用)を生じさせ、ワイヤに流れる電流を誘起さ
せる。ワイヤに接続される電子装置は、時間に関してワ
イヤに流れる電流を測定する。面内のワイヤはイオン化
作用のXおよびy座標が確認されるようにグリッド状に
作られる。ワイヤの面に電荷キャリヤが到達する時間は
、2座標方向のイオン−トラックの位置を決定する。例
えば、「時間投影室」、米国物理学会議事録第108号
にニーヨーク1984 ) ; Walentaの米国
特許第4,179.608号(1979)参照。
な応用忙使用されてきた。例えば、がスーイオン化y
IJ 、y )室は三次元空間における粒子の通路を決
定する物理学に使用される。高エネルギ核粒子が室内の
ガス媒体を通って走行するとき、それは電荷キャリヤ(
イオン)のトラックから離れる。室内位置かれるワイヤ
の面は、そこで作られた電荷キャリヤを吸引する電界を
作る。電荷キャリヤがワイヤの面に近づくkつれて、電
界の強さは電荷キャリヤの速度を増加させ、電荷増倍(
なだれ作用)を生じさせ、ワイヤに流れる電流を誘起さ
せる。ワイヤに接続される電子装置は、時間に関してワ
イヤに流れる電流を測定する。面内のワイヤはイオン化
作用のXおよびy座標が確認されるようにグリッド状に
作られる。ワイヤの面に電荷キャリヤが到達する時間は
、2座標方向のイオン−トラックの位置を決定する。例
えば、「時間投影室」、米国物理学会議事録第108号
にニーヨーク1984 ) ; Walentaの米国
特許第4,179.608号(1979)参照。
在来のがス・イオン化放射線撮影検出器の重大な欠点は
、得られる最大解像度が電界を作る電極間の距離に制限
されることである。電極の間隔が減少されるKつれて、
検出器は効率の悪い放射線を使用1−(電極容積の検出
容積に対する比が高くなるので)、検出量効率は減少す
る。さらに、最小電極間隔は機械的要素によって制限さ
れ、またどんな場合でも電極間の電弧が生じないことを
保証する所要の間隔より小さくすることができない。
、得られる最大解像度が電界を作る電極間の距離に制限
されることである。電極の間隔が減少されるKつれて、
検出器は効率の悪い放射線を使用1−(電極容積の検出
容積に対する比が高くなるので)、検出量効率は減少す
る。さらに、最小電極間隔は機械的要素によって制限さ
れ、またどんな場合でも電極間の電弧が生じないことを
保証する所要の間隔より小さくすることができない。
かくて、この形式の検出器で高解像度を実際に得ること
は現在困難または不可能である。
は現在困難または不可能である。
しかし、おそらくガス・イオン化放射線撮影検出器の大
きな欠点は、その比較的遅い回復時間である。室を通っ
てl−” IJフ卜する収集グリノVに対向する室の側
に作られかつ収集グリノrに達する電荷キャリヤの所要
時間は、室の大きさ、室内のガスのイオン移動度、およ
び電界の強さに左右される。普通、イオン電荷キャリヤ
が室を横切って収集ブリッド忙達するには°2.6ミリ
秒かかる。
きな欠点は、その比較的遅い回復時間である。室を通っ
てl−” IJフ卜する収集グリノVに対向する室の側
に作られかつ収集グリノrに達する電荷キャリヤの所要
時間は、室の大きさ、室内のガスのイオン移動度、およ
び電界の強さに左右される。普通、イオン電荷キャリヤ
が室を横切って収集ブリッド忙達するには°2.6ミリ
秒かかる。
この時間中に、生じる新しいイオン化現象(原子目盛で
は比較的長い)は前の現象と区別できず、誤まった結果
を生じさせる。この理由で、放射源はパルス・モードで
しばしば作動され、パルス間の時間は電荷キャリヤが室
を完全に横切るに要する時間よりも大となる。例えば、
Rlihimakiの米国特許第4.301,318号
(1981)(比例モーrのガス−イオン化室)参照。
は比較的長い)は前の現象と区別できず、誤まった結果
を生じさせる。この理由で、放射源はパルス・モードで
しばしば作動され、パルス間の時間は電荷キャリヤが室
を完全に横切るに要する時間よりも大となる。例えば、
Rlihimakiの米国特許第4.301,318号
(1981)(比例モーrのガス−イオン化室)参照。
パルス・モーrの作動でも、同じ検出装置内で時間的に
近接して生じる複数個のイオン化現象間を区別すること
は不可能である。
近接して生じる複数個のイオン化現象間を区別すること
は不可能である。
さらに1イオン化室内のどこにでも置かれる電荷キャリ
ヤは室の収集電極に電荷を絶えず誘起する一方、それら
は電極に向ってVす7トしている。
ヤは室の収集電極に電荷を絶えず誘起する一方、それら
は電極に向ってVす7トしている。
イオン化室内のどこかで1つのイオン対の形成を考えて
みる。電極の影響を受けて、正イオンおよび電子(e−
)が分離し、おのおのは正帯電極に向ってドリフトする
。帯電粒子が収集板の上に達するとき、収集板の電圧は
−e/cだけ変化すると思われる(ただしCは収集板の
全キャパシタンスである)。しかしこの見解が正しくな
いのは、それがイオン対の発生の時間以来、2個のイオ
ンが両板忙与えていた誘導作用を無視しているからであ
る。
みる。電極の影響を受けて、正イオンおよび電子(e−
)が分離し、おのおのは正帯電極に向ってドリフトする
。帯電粒子が収集板の上に達するとき、収集板の電圧は
−e/cだけ変化すると思われる(ただしCは収集板の
全キャパシタンスである)。しかしこの見解が正しくな
いのは、それがイオン対の発生の時間以来、2個のイオ
ンが両板忙与えていた誘導作用を無視しているからであ
る。
イオン対が作られてから時間tの後で、正負電荷キャリ
ヤは正電極の上に電荷−q+(t)および−q−(t)
を誘起させる。元来0である正電極の電圧p(t)は次
のよう忙なる (電極の時定数はtに比べて長いと仮定する)。
ヤは正電極の上に電荷−q+(t)および−q−(t)
を誘起させる。元来0である正電極の電圧p(t)は次
のよう忙なる (電極の時定数はtに比べて長いと仮定する)。
完全2電極装置の他の電極に誘起される電荷は相補形で
ある。2個の電極に流れる電流パルスは、かくて形状お
よび振幅が同じであるが符号が異なる。
ある。2個の電極に流れる電流パルスは、かくて形状お
よび振幅が同じであるが符号が異なる。
イオン対の形成の時点で、下記関係式が成立しなければ
ならない: q−(0)=−q+(0) (2)したがって P(0)=0 (3)負イオンが時
間t1で収集されると、その電荷のすべては収集電極の
上に誘起されなければならない。したがって、 q−(t□)−一〇 (4)(負イオンが
最初に収集されるものと想定する)。
ならない: q−(0)=−q+(0) (2)したがって P(0)=0 (3)負イオンが時
間t1で収集されると、その電荷のすべては収集電極の
上に誘起されなければならない。したがって、 q−(t□)−一〇 (4)(負イオンが
最初に収集されるものと想定する)。
正電極の電圧が−e/Cでなければならないという簡単
な見解が提案される時点で、それは実際に下記のように
なる 時間12) 11で、正イオンが収集されるとき、q+
(t2)=0であり、したがって p(t2)=−θ/C(6) 同様な作用が負電極に見られる。
な見解が提案される時点で、それは実際に下記のように
なる 時間12) 11で、正イオンが収集されるとき、q+
(t2)=0であり、したがって p(t2)=−θ/C(6) 同様な作用が負電極に見られる。
かくて、イオン化室内のイオン化現象の作用は正負側イ
オンがすべて収集されて初めて完成される。さらに重要
なことは、イオン収集によって電圧の急変はなく、むし
ろ正負イオンが板に接近するにつれて電荷の増加量が板
上になめらかに誘起サレル。Wilkinsonのイオ
ン化室およびカウンタ、S4.2.59−62(ケンブ
リッジ定期刊行物1950)参照。
オンがすべて収集されて初めて完成される。さらに重要
なことは、イオン収集によって電圧の急変はなく、むし
ろ正負イオンが板に接近するにつれて電荷の増加量が板
上になめらかに誘起サレル。Wilkinsonのイオ
ン化室およびカウンタ、S4.2.59−62(ケンブ
リッジ定期刊行物1950)参照。
出力パルスが室内の収集されないイオンの位置に左右さ
れないようなイオン化室が望ましいことは、ずっと前か
h認められていた。この結果を達成する1つの方法は、
間隔ξ(軸と軸との間)でワイヤ半径rの平行ワイヤの
グリッドを、イオン化室の電子収集電極から距離Cおよ
び室内の他の電極か距離aの所装置くことである。いま
イオン対がグリッドの面から距離すの所に作られたもの
と考える。電子収集電極に誘起される電荷はもはや非グ
リッドの場合のように でないのは、イオンによって作られる力線の若干が収集
板の上ではなくグリッドの上に作られるからである。か
くて、電子収集電極は正イオンの作用から遮へいされる
。電子は電子収集板に進み(それはグリッドによって収
集されるものと考える)、最後にそれが収集されるとき
収集板の上に電荷を作る。
れないようなイオン化室が望ましいことは、ずっと前か
h認められていた。この結果を達成する1つの方法は、
間隔ξ(軸と軸との間)でワイヤ半径rの平行ワイヤの
グリッドを、イオン化室の電子収集電極から距離Cおよ
び室内の他の電極か距離aの所装置くことである。いま
イオン対がグリッドの面から距離すの所に作られたもの
と考える。電子収集電極に誘起される電荷はもはや非グ
リッドの場合のように でないのは、イオンによって作られる力線の若干が収集
板の上ではなくグリッドの上に作られるからである。か
くて、電子収集電極は正イオンの作用から遮へいされる
。電子は電子収集板に進み(それはグリッドによって収
集されるものと考える)、最後にそれが収集されるとき
収集板の上に電荷を作る。
かかるグリシrは、グリシrと他の電極との間で帯電粒
子の影響から収集電極を遮へいする。グリッド遮へい効
率は、r(グリツF囃ワイヤの半径)、ξ(ワイヤ間隔
)、およびC(グリッドから遮へいされた収集電極まで
の距離)に左右される。
子の影響から収集電極を遮へいする。グリッド遮へい効
率は、r(グリツF囃ワイヤの半径)、ξ(ワイヤ間隔
)、およびC(グリッドから遮へいされた収集電極まで
の距離)に左右される。
グリシrと収集電極との間を走行する帯電粒子は、収集
電極の上にそれ自身に等しい電荷を誘起する(すなわち
遮へい作用が起こらないグリッドと収集電極との間の間
隔がある)。それにもかかわらず、収集電極で測定され
たパルスの大幅に増加した上昇時間はかかるグリッドま
たは同様な遮へい構造物を含むイオン化室内で観測され
た。例えばWilkinson 74−77 ; Ro
ssiらのイオン化(McGraw−H1’l 194
9 ) ; Bunemannらの「グリッド・イオン
化室の設計J、A27力ン研究誌191−206 (1
949) ; o、R,Fr1ahの非公開報告書BR
−49(英国原子力プロジェクト):およびHoust
oBの米国特許第4,047,040号(1977)を
参照のこと。
電極の上にそれ自身に等しい電荷を誘起する(すなわち
遮へい作用が起こらないグリッドと収集電極との間の間
隔がある)。それにもかかわらず、収集電極で測定され
たパルスの大幅に増加した上昇時間はかかるグリッドま
たは同様な遮へい構造物を含むイオン化室内で観測され
た。例えばWilkinson 74−77 ; Ro
ssiらのイオン化(McGraw−H1’l 194
9 ) ; Bunemannらの「グリッド・イオン
化室の設計J、A27力ン研究誌191−206 (1
949) ; o、R,Fr1ahの非公開報告書BR
−49(英国原子力プロジェクト):およびHoust
oBの米国特許第4,047,040号(1977)を
参照のこと。
グリツ一式イオン化室は、帯電粒子の検出/w&別を含
む多くの応用に現在広く使用されている。
む多くの応用に現在広く使用されている。
例えば、Er5kineらの米国特許第4,150,2
90号(1979)は、エネルギ、単位距離当たりのエ
ネルギの損失、および重イオンの入射角を検出するのに
適したグリッド式イオン化室を開示している。Butz
−Jorgensenらの「グリッド式イオン化室によ
る精密な核分裂断面測定のだめの核分裂層の調査」、8
6核科学および工学1O−21(1984)は、室のカ
ンードと同一平面に置かれた源から出された帯電粒子の
エネルギおよび放射角度の両方を決定するフリツシュ・
グリシrを持つイオン化室を用いることを教えている。
90号(1979)は、エネルギ、単位距離当たりのエ
ネルギの損失、および重イオンの入射角を検出するのに
適したグリッド式イオン化室を開示している。Butz
−Jorgensenらの「グリッド式イオン化室によ
る精密な核分裂断面測定のだめの核分裂層の調査」、8
6核科学および工学1O−21(1984)は、室のカ
ンードと同一平面に置かれた源から出された帯電粒子の
エネルギおよび放射角度の両方を決定するフリツシュ・
グリシrを持つイオン化室を用いることを教えている。
Aeselineauらの「重イオン識別用のプラグ曲
線−15(1982)は、入るイオンにより残されたト
ラックに沿ってイオン化を絶えずサンプルするイオン化
室を開示している(サンプリングはフリツシュ・グリシ
Vにより形成される検出器の短かい部分で達成される)
。イオン化室の中で停止する高エネルギ重イオンの原子
番号およびエネ、ルヤは、プラグ曲線分光学によって決
定される。またHotrl ラの「低しベル会アルファ
分光学における大面積フリッシュ・グリッド室による実
験」、22物理研究における核計器および方法29〇−
94(1981)(アルファ分光学用の平行板グリッド
式イオン化室の使用)をも参照のこと。
線−15(1982)は、入るイオンにより残されたト
ラックに沿ってイオン化を絶えずサンプルするイオン化
室を開示している(サンプリングはフリツシュ・グリシ
Vにより形成される検出器の短かい部分で達成される)
。イオン化室の中で停止する高エネルギ重イオンの原子
番号およびエネ、ルヤは、プラグ曲線分光学によって決
定される。またHotrl ラの「低しベル会アルファ
分光学における大面積フリッシュ・グリッド室による実
験」、22物理研究における核計器および方法29〇−
94(1981)(アルファ分光学用の平行板グリッド
式イオン化室の使用)をも参照のこと。
Zurmuhleらの、206核計器および方法261
−67(1982)は△−E カウンタとしての7リツ
シユ・グリッドの有無にかかわらずガへ・イオン化室を
用いる重イオン帯電粒子望遠鏡を開示している。またB
θreθanuらの[比例Δに一11i室を用いて18
0°での重イオンの検出および識別」、505(ルーマ
ニア1983)(重イオンの特定エネルヤ損および残留
エネルギを測定する比例6m−1ff室として用いられ
る7リツシユ・グリフrを持つ円筒形イオン化室)′l
Kも参照のこと。
−67(1982)は△−E カウンタとしての7リツ
シユ・グリッドの有無にかかわらずガへ・イオン化室を
用いる重イオン帯電粒子望遠鏡を開示している。またB
θreθanuらの[比例Δに一11i室を用いて18
0°での重イオンの検出および識別」、505(ルーマ
ニア1983)(重イオンの特定エネルヤ損および残留
エネルギを測定する比例6m−1ff室として用いられ
る7リツシユ・グリフrを持つ円筒形イオン化室)′l
Kも参照のこと。
ガス・イオン化室の他の応用には、spanglerら
の米国特許第4,378,499号(1983)(イオ
ン移動性検出器)、Carrらの米国特許第4,239
.967号(1980)(トレース水測定)およびGo
ulianoBらの米国特許第4,311.908号(
1982)(ゲル電気泳動)に記載されるものが含まれ
る。イオン化室は、イオン化現象のある特性が決定され
たり、観測されたり、測定される、はとんどすべての応
用に役立つ。
の米国特許第4,378,499号(1983)(イオ
ン移動性検出器)、Carrらの米国特許第4,239
.967号(1980)(トレース水測定)およびGo
ulianoBらの米国特許第4,311.908号(
1982)(ゲル電気泳動)に記載されるものが含まれ
る。イオン化室は、イオン化現象のある特性が決定され
たり、観測されたり、測定される、はとんどすべての応
用に役立つ。
本発明は二次エネルヤ放射を作ることができる伝搬エネ
ルギ源に関してドリフトする二次エネルヤの位置を固定
する。本発明により、二次エネルギは媒体に入射する放
射線に応じて媒体内に作られる。媒体に関する二次エネ
ルギの位置は非ランダム状に変えられる。媒体の位置は
二次エネルギの位置の変化と同期して変えられる。さら
に詳しく述べれば、媒体の位置は二次エネルギの速度に
等しい速度で二次エネルギの運動方向と反対の方向に変
えられることが望ましい。したがって二次エネルイは、
媒体に関して動いているが、放射線に関して固定状態を
保つ。
ルギ源に関してドリフトする二次エネルヤの位置を固定
する。本発明により、二次エネルギは媒体に入射する放
射線に応じて媒体内に作られる。媒体に関する二次エネ
ルギの位置は非ランダム状に変えられる。媒体の位置は
二次エネルギの位置の変化と同期して変えられる。さら
に詳しく述べれば、媒体の位置は二次エネルギの速度に
等しい速度で二次エネルギの運動方向と反対の方向に変
えられることが望ましい。したがって二次エネルイは、
媒体に関して動いているが、放射線に関して固定状態を
保つ。
本発明のもう1つの面により、電荷の集積化は媒体を通
る通路4C治って放射線を絶えず向けることによって行
われる。媒体は放射線に応じて通路に沿う電荷キャリヤ
を作る。電荷キャリヤは通路の近くに保たれ、媒体との
再結合を防止されている。通路の近くで電荷の量が測定
される。
る通路4C治って放射線を絶えず向けることによって行
われる。媒体は放射線に応じて通路に沿う電荷キャリヤ
を作る。電荷キャリヤは通路の近くに保たれ、媒体との
再結合を防止されている。通路の近くで電荷の量が測定
される。
本発明のもう1つの面により、媒体内に電荷キャリヤを
選択的に作ることによって情報が媒体に記憶される。電
荷キャリヤは媒体との再結合を防止される。媒体は移動
され、媒体の所定部分に入る電荷キャリヤが検出される
。
選択的に作ることによって情報が媒体に記憶される。電
荷キャリヤは媒体との再結合を防止される。媒体は移動
され、媒体の所定部分に入る電荷キャリヤが検出される
。
本発明のもう1つの面により、放射線の空間分布および
強さが決定される。媒体を含む室は、放射線を室に入れ
る窓を形成する。室に入る放射線は、媒体内に電荷キャ
リヤ(イオン−電子または電子−ホールの対)を作る。
強さが決定される。媒体を含む室は、放射線を室に入れ
る窓を形成する。室に入る放射線は、媒体内に電荷キャ
リヤ(イオン−電子または電子−ホールの対)を作る。
室内に置かれる第1導電電極は、媒体と接触する事実上
第1平面を形成する。室内に置かれる複数個のそれぞれ
の導電収集電極は、おのおの媒体と接触する事実上平面
を形成する。複数個の収集電極の平面は第1表面から一
定距離に置かれる共通面内にある。
第1平面を形成する。室内に置かれる複数個のそれぞれ
の導電収集電極は、おのおの媒体と接触する事実上平面
を形成する。複数個の収集電極の平面は第1表面から一
定距離に置かれる共通面内にある。
第1電極と収集電極の面との間に一様な電界が作られ、
電界の方向は室に入る放射線の通路に事実上垂直である
。電界は第1電極と面との間の電荷キャリヤを事実上一
定のrリフト速度vdriftで面に向ってIF IJ
アフトせる。室に機械結合された室移動装置は、事実上
Vdriftの大きさに等しい大きさの一定速度V
で電荷のドリフトの方can 向と反対の方向に室を動かす。電荷キャリヤ忙よって収
集電極に作られる電荷から生じる複数個の収集電極に流
れる電流が感知される0室に入れられる放射線の二次元
の空間分布は、それぞれの複数個の収集板に流れる感知
電流の時間に関する振幅に応じて決定される。
電界の方向は室に入る放射線の通路に事実上垂直である
。電界は第1電極と面との間の電荷キャリヤを事実上一
定のrリフト速度vdriftで面に向ってIF IJ
アフトせる。室に機械結合された室移動装置は、事実上
Vdriftの大きさに等しい大きさの一定速度V
で電荷のドリフトの方can 向と反対の方向に室を動かす。電荷キャリヤ忙よって収
集電極に作られる電荷から生じる複数個の収集電極に流
れる電流が感知される0室に入れられる放射線の二次元
の空間分布は、それぞれの複数個の収集板に流れる感知
電流の時間に関する振幅に応じて決定される。
放射源は絶えず放射線を作ることができ・またコリメー
タは放射線をビームにコリメートすることができる。コ
リメータに作動結合される装置は、室内の電界の方向忙
垂直なビームの方向を保つことができる。コリメータは
室移動装置によって室と共忙動かされる。室は放射源を
中心とする円に沿って移動される。
タは放射線をビームにコリメートすることができる。コ
リメータに作動結合される装置は、室内の電界の方向忙
垂直なビームの方向を保つことができる。コリメータは
室移動装置によって室と共忙動かされる。室は放射源を
中心とする円に沿って移動される。
本発明のもう1つの特徴により、媒体内の電荷。
キャリヤのドリフト速度V が選択される。
rift
ドリフト速度選択は、電界の強さを調節したり、媒体の
密度(例えば圧力)を調節したり、媒体内に不純物を導
入したりすることによって行われる。
密度(例えば圧力)を調節したり、媒体内に不純物を導
入したりすることによって行われる。
本発明のもう1つの特徴により、室の前壁または後壁も
しくは両方に近い電界のひずみは、一定の電圧こ・う配
を壁の近くに存在するようにさせる構造物を室内の壁の
表面に置くことによって修正される。この構造物は、例
えば抵抗性材料のシート、または分圧器によって作られ
る複数の電圧に接続される複数個の導電ストリップなど
t−含む。
しくは両方に近い電界のひずみは、一定の電圧こ・う配
を壁の近くに存在するようにさせる構造物を室内の壁の
表面に置くことによって修正される。この構造物は、例
えば抵抗性材料のシート、または分圧器によって作られ
る複数の電圧に接続される複数個の導電ストリップなど
t−含む。
本発明のもう1つの特徴により、第1および第2電極の
1つは傾斜面または曲面もしくは両方を形成することが
できる。
1つは傾斜面または曲面もしくは両方を形成することが
できる。
本発明により、機械的および電気的に事実上−次元であ
る検出器はこれを二次元検出器のように働かせるモード
で作動される。本発明による検出器は、高い検出量の効
率を有するとともに2方向に高い空間解像度を有するこ
とができる。
る検出器はこれを二次元検出器のように働かせるモード
で作動される。本発明による検出器は、高い検出量の効
率を有するとともに2方向に高い空間解像度を有するこ
とができる。
検出器の運動方向にある空間座標線と信号収集容積がそ
の線と交わるときの時間との間で本発明忙おいて1対1
の対応が作られる。入射エネルギの一時的集積化(例え
ばノイズを減少するための)は、空間コヒーレンスを同
時に保つ間可能である。
の線と交わるときの時間との間で本発明忙おいて1対1
の対応が作られる。入射エネルギの一時的集積化(例え
ばノイズを減少するための)は、空間コヒーレンスを同
時に保つ間可能である。
入射エネルギの高解像度検出が本発明で得られるのは、
エネルイが靜二次エネルギ(例えば粒子)を用いて集積
化されるからであり、それによって運動のぼやけが減少
されたチ除去される。さらに、本発明が検出された出力
信号で少量のノイズ(すなわち高い検出量効率)を与え
るのは、検出媒体が連続だからであり、また必要な場合
、入射放射線の方向に比較的深い(すなわち高い放射線
吸収を有する)からである。本発明は検出器の走査方向
における(またおそらく走査方向に垂直な方向における
)放射線の強さの連続検出を可能にするので、主として
検出器の構造寸法にかかわらず、出力サンプリング拳レ
ート(シたがって検出器の空間解像度)を選択すること
ができる。さらに、本発明による検出器は構造が比較的
簡単であり、安い費用で製造されるのは、検出器が検出
される情報の次元より1つ少ない有効次元を有するから
である。利用できる電荷の移動性、拡散の長さ、および
標本のX線検出媒体内の電子停止距離の諸範囲に基づき
、本発明による電荷検出器は主としてディジタル放射線
撮影法および計算された断層撮影法金含むいろいろな異
なる応用に使用できるパラメータを有すると思われる。
エネルイが靜二次エネルギ(例えば粒子)を用いて集積
化されるからであり、それによって運動のぼやけが減少
されたチ除去される。さらに、本発明が検出された出力
信号で少量のノイズ(すなわち高い検出量効率)を与え
るのは、検出媒体が連続だからであり、また必要な場合
、入射放射線の方向に比較的深い(すなわち高い放射線
吸収を有する)からである。本発明は検出器の走査方向
における(またおそらく走査方向に垂直な方向における
)放射線の強さの連続検出を可能にするので、主として
検出器の構造寸法にかかわらず、出力サンプリング拳レ
ート(シたがって検出器の空間解像度)を選択すること
ができる。さらに、本発明による検出器は構造が比較的
簡単であり、安い費用で製造されるのは、検出器が検出
される情報の次元より1つ少ない有効次元を有するから
である。利用できる電荷の移動性、拡散の長さ、および
標本のX線検出媒体内の電子停止距離の諸範囲に基づき
、本発明による電荷検出器は主としてディジタル放射線
撮影法および計算された断層撮影法金含むいろいろな異
なる応用に使用できるパラメータを有すると思われる。
本発明の上記および他の特徴は、付図に関する下記の詳
細な説明を読むことによって一層よく認められると思う
。
細な説明を読むことによって一層よく認められると思う
。
第4A図および第4B図は、本発明による検出器100
の現在好適な実施例の概略図である。検出器100は放
射線検出容積102および信号収集容積104tl−含
んでいる。X線検出容積102は好適な実施例では連続
であるが、所望の場合は不連続素子を含むことができる
。好適な実施例の信号収集容積104はX座標軸に沿っ
て直線アレイに配列された複数個の不連続収集素子10
6番含む(だが走査検出装置または他の読出し装置に作
動接続される連続媒体が所望の場合に使用可能である)
。
の現在好適な実施例の概略図である。検出器100は放
射線検出容積102および信号収集容積104tl−含
んでいる。X線検出容積102は好適な実施例では連続
であるが、所望の場合は不連続素子を含むことができる
。好適な実施例の信号収集容積104はX座標軸に沿っ
て直線アレイに配列された複数個の不連続収集素子10
6番含む(だが走査検出装置または他の読出し装置に作
動接続される連続媒体が所望の場合に使用可能である)
。
伝搬する(例えば放射する)エネルギ源(図示されてい
ない)は、放射エネルギを検出容積102に入る通路1
08のような複数個の通路に沿って検出器100に向け
、その通路′に沿う検出容積の部分に二次エネルギを作
る。本発明により任意な形の放射線が使用でき、例えば
それによって作られる二次エネルギの任意な形が得られ
る。例えば、検出容積102に入る放射線は、事実上任
意な波長の電磁放射線(例えばX線、紫外線、可視光線
、赤外線、マイクロ波、HP、VHFまたはUHF波長
)、帯電または自然粒子のビーム(例えば電子、陽子、
中性子)、音波、などを含むことがある。検出容MVc
入る放射線によって検出容積102に作られる二次エネ
ルギも、帯電粒子(正負イオン、電子−ホール対、その
他の粒子を含む)または音波などのような任意形をとる
ことができる。現在好適な実施例では、使用される放射
線の形はX線であり、それによって検出容積102に作
られる二次エネルギの形はイオン化忙よって作られる電
子−イオン対(電荷キャリヤ)である。しかし、本発明
は決して任意な特定の形の放射線および二次エネルギに
制限されない。
ない)は、放射エネルギを検出容積102に入る通路1
08のような複数個の通路に沿って検出器100に向け
、その通路′に沿う検出容積の部分に二次エネルギを作
る。本発明により任意な形の放射線が使用でき、例えば
それによって作られる二次エネルギの任意な形が得られ
る。例えば、検出容積102に入る放射線は、事実上任
意な波長の電磁放射線(例えばX線、紫外線、可視光線
、赤外線、マイクロ波、HP、VHFまたはUHF波長
)、帯電または自然粒子のビーム(例えば電子、陽子、
中性子)、音波、などを含むことがある。検出容MVc
入る放射線によって検出容積102に作られる二次エネ
ルギも、帯電粒子(正負イオン、電子−ホール対、その
他の粒子を含む)または音波などのような任意形をとる
ことができる。現在好適な実施例では、使用される放射
線の形はX線であり、それによって検出容積102に作
られる二次エネルギの形はイオン化忙よって作られる電
子−イオン対(電荷キャリヤ)である。しかし、本発明
は決して任意な特定の形の放射線および二次エネルギに
制限されない。
好適な実施例の通路108は、xmm細軸垂直なy座標
軸に平行である。好適な実施例の検出容積102はイオ
ン化可能媒体を含有する。検出容積102を通過する放
射線は好適な実例において周知の方法で検出容積102
にある媒体と相互作用して、電荷対(すなわち正および
負の電荷キャリヤ)を作る。例えば、標本の100 K
eVのX線陽子は、帯電粒子の雲110″fr:構成す
る約2,000個の電荷対を作ることができる。
軸に平行である。好適な実施例の検出容積102はイオ
ン化可能媒体を含有する。検出容積102を通過する放
射線は好適な実例において周知の方法で検出容積102
にある媒体と相互作用して、電荷対(すなわち正および
負の電荷キャリヤ)を作る。例えば、標本の100 K
eVのX線陽子は、帯電粒子の雲110″fr:構成す
る約2,000個の電荷対を作ることができる。
普通、ml 10の形をした電荷対は、その相互静電吸
引により作られると同時に再結合する。しかし、一様な
定電界112(図示されていない電極などKよって作ら
れる)が検出容積102を横切って存在する。電界の力
線は、Xおよびy座標軸に直交する2座標軸に平行であ
る。電界の方向は収集容積104に向いている。電界1
12は雲110の形の帯電粒子に一定のドリフト速度を
与え、1つの符号の電荷を$114の形で一定のドリフ
ト速度Vdriftで信号収集容積104に(すなわち
2方向に沿って))?lJフトさせる。電界11−2は
一定かつ一様で、しかも2方向に向けられているので、
電荷雲114は2方向に移動し、xtたはy方向の成分
は事実上ない。”他の符号の遊離電荷は、収集容積10
4から遠ざかる方向にドリフトして、検出器100によ
って作られる出力信号に貢献しない。正電荷キャリヤは
負電荷キャリヤのドリフトの方向と反対の方向にドリフ
トするので、電荷対は発生時にも(電界がキャリヤにす
ぐ作用し始めるので)、キャリヤがドリフトし始めてか
らも(容積の再結合)、再結合の機会はほとんどない。
引により作られると同時に再結合する。しかし、一様な
定電界112(図示されていない電極などKよって作ら
れる)が検出容積102を横切って存在する。電界の力
線は、Xおよびy座標軸に直交する2座標軸に平行であ
る。電界の方向は収集容積104に向いている。電界1
12は雲110の形の帯電粒子に一定のドリフト速度を
与え、1つの符号の電荷を$114の形で一定のドリフ
ト速度Vdriftで信号収集容積104に(すなわち
2方向に沿って))?lJフトさせる。電界11−2は
一定かつ一様で、しかも2方向に向けられているので、
電荷雲114は2方向に移動し、xtたはy方向の成分
は事実上ない。”他の符号の遊離電荷は、収集容積10
4から遠ざかる方向にドリフトして、検出器100によ
って作られる出力信号に貢献しない。正電荷キャリヤは
負電荷キャリヤのドリフトの方向と反対の方向にドリフ
トするので、電荷対は発生時にも(電界がキャリヤにす
ぐ作用し始めるので)、キャリヤがドリフトし始めてか
らも(容積の再結合)、再結合の機会はほとんどない。
検出器100は、雲114の形をした電荷キャリヤがド
リフトしてい゛る速度V の大きさにrift 等しい大きさの速度V で、通路108に関しcan て物理的に移動される。好適な実施例では、検出器10
0が移動される方向は、1E114がドリフトしている
方向と反対の2方向であり(かくて入射するX線ビーム
の通路108の方、向に垂直であり)、かつ通路108
に関してvIJフ卜する電荷を静止させる効果を持つ。
リフトしてい゛る速度V の大きさにrift 等しい大きさの速度V で、通路108に関しcan て物理的に移動される。好適な実施例では、検出器10
0が移動される方向は、1E114がドリフトしている
方向と反対の2方向であり(かくて入射するX線ビーム
の通路108の方、向に垂直であり)、かつ通路108
に関してvIJフ卜する電荷を静止させる効果を持つ。
電荷キャリヤは一定の速度で検出器100に関してドリ
フトし、また検出器100は電荷キャリヤがドリフトす
る方法と全く反対の方法で同期移動される。したがって
、電荷キャリヤは通路108が検出容積102と交わる
限り通路108に関して静止状態を保つ。通路108に
沿って進むすべてのX線陽子は、通路の近くにある電荷
に貢献する。
フトし、また検出器100は電荷キャリヤがドリフトす
る方法と全く反対の方法で同期移動される。したがって
、電荷キャリヤは通路108が検出容積102と交わる
限り通路108に関して静止状態を保つ。通路108に
沿って進むすべてのX線陽子は、通路の近くにある電荷
に貢献する。
したがって、検出器100は任意な移動、回転、または
組合せ(すなわち移動および回転の両成分を持つ運動)
の方法で運動され、検出容積102に作られる二次エネ
ルギ(すなわち電荷の雲114)の運動に合わされる。
組合せ(すなわち移動および回転の両成分を持つ運動)
の方法で運動され、検出容積102に作られる二次エネ
ルギ(すなわち電荷の雲114)の運動に合わされる。
二次エネルギの運動は(例えば一様または一様でない電
界/磁界、音響的に一様または一様でない媒体など忙よ
って、他のエネルギの形から)変えられることがあり、
また検出器100の運動は変えられた二次エネルギの運
動拠金わされることがある。
界/磁界、音響的に一様または一様でない媒体など忙よ
って、他のエネルギの形から)変えられることがあり、
また検出器100の運動は変えられた二次エネルギの運
動拠金わされることがある。
上述の通り、電荷雲114は検出器100の基型フレー
ムに関して運動する。しかし本発明により、検出器10
0は電荷雲114の運動と全く反対の方法で運動される
。したがって、電荷雲114はX線の通路108に関し
て静止する。この現象は第5A図、第5B図および第5
C図から最も良く理解されるが、これらの図は通路10
8を含む検出器100を通過する7−Z面の異なる時点
での側面図を表わすグラフである。第5A図は時間1−
10で通路108忙近い電荷雲を示す0時間0.で、唯
一の電荷雲114が作られる。第5B図は時間t−t2
>txで通路108に近い電荷雲を示す。時間t2で一
検出器100は2方向に距離dzだけ移動する一方、電
荷雲114は反対の2方向に同じ距離6zだけ移動する
。その結果、電荷雲114は通路108に関して静止す
る。さらに、X線は時間11) 1 ) 12の間通路
108に沿って絶えず走行するので、追加の電荷、J1
14a。
ムに関して運動する。しかし本発明により、検出器10
0は電荷雲114の運動と全く反対の方法で運動される
。したがって、電荷雲114はX線の通路108に関し
て静止する。この現象は第5A図、第5B図および第5
C図から最も良く理解されるが、これらの図は通路10
8を含む検出器100を通過する7−Z面の異なる時点
での側面図を表わすグラフである。第5A図は時間1−
10で通路108忙近い電荷雲を示す0時間0.で、唯
一の電荷雲114が作られる。第5B図は時間t−t2
>txで通路108に近い電荷雲を示す。時間t2で一
検出器100は2方向に距離dzだけ移動する一方、電
荷雲114は反対の2方向に同じ距離6zだけ移動する
。その結果、電荷雲114は通路108に関して静止す
る。さらに、X線は時間11) 1 ) 12の間通路
108に沿って絶えず走行するので、追加の電荷、J1
14a。
114bなども通路108に沿って作られる。
第5C図は時間t−t3)t2)t、での電荷雲114
の位置を表わす概略図である。X線は通路108に沿っ
て絶えず走行するので、通路108の近くに追加の電荷
雲114d、114θj 114fなどが作られる。原
電荷雲114が依然として通路108の近くにあるのは
、それが検出器100に関して移動した距離が検出器1
00が通路108に関して移動した距離に等しくかつ反
対方向だからである。かくて、通路108に沿って入る
すべてのX線陽子は、時間t□からt3までKわたって
集積される通路に近い電荷に貢献する。電荷冥114.
114a、114bなどが収集容積104に入るとき(
すなわち通路108が収集容積104と交わる2方向の
位置まで検出器100が移動したりその他の方法で動く
とき)検出器$102によって作られる信号は、通路1
08がまず検出容積102と交わる時間(すなわち1−
10< 1□)から収集容積104が通路と交わる時間
まで、通路108に沿って向けられるX線の強さの積分
に比例する。
の位置を表わす概略図である。X線は通路108に沿っ
て絶えず走行するので、通路108の近くに追加の電荷
雲114d、114θj 114fなどが作られる。原
電荷雲114が依然として通路108の近くにあるのは
、それが検出器100に関して移動した距離が検出器1
00が通路108に関して移動した距離に等しくかつ反
対方向だからである。かくて、通路108に沿って入る
すべてのX線陽子は、時間t□からt3までKわたって
集積される通路に近い電荷に貢献する。電荷冥114.
114a、114bなどが収集容積104に入るとき(
すなわち通路108が収集容積104と交わる2方向の
位置まで検出器100が移動したりその他の方法で動く
とき)検出器$102によって作られる信号は、通路1
08がまず検出容積102と交わる時間(すなわち1−
10< 1□)から収集容積104が通路と交わる時間
まで、通路108に沿って向けられるX線の強さの積分
に比例する。
第4B図は電界112の影響を受けて電荷キャリヤの雲
114が収集容積104に向ってドリフトするところを
示すグラフであ石。雲114の運動は検出器100の基
型フレームに関して表わされている。雲114にある個
々の粒子は熱攪拌および拡散によりいろいろな方向に動
いているが(以下に説明される通り)、この運動の作用
は正しい条件が存在するならば無視することができる。
114が収集容積104に向ってドリフトするところを
示すグラフであ石。雲114の運動は検出器100の基
型フレームに関して表わされている。雲114にある個
々の粒子は熱攪拌および拡散によりいろいろな方向に動
いているが(以下に説明される通り)、この運動の作用
は正しい条件が存在するならば無視することができる。
電界1121Cよって、買114の電荷キャリヤは定y
IJアフト度で収集容積104に向って一括して動か
される。好適な実施例における電界112゜の方向はX
線の通路108の方向(y方向)に垂直な2方向にある
ので、雲114は2座標軸に平行な直線通路に沿って収
集容積104に向って動き、不連続収集素子106の1
つたよって検出される。好適な実施例では、各収集素子
106は雲114よりもはるかに大きいので、雲114
は一般に素子の1つだけ忙入射する。
IJアフト度で収集容積104に向って一括して動か
される。好適な実施例における電界112゜の方向はX
線の通路108の方向(y方向)に垂直な2方向にある
ので、雲114は2座標軸に平行な直線通路に沿って収
集容積104に向って動き、不連続収集素子106の1
つたよって検出される。好適な実施例では、各収集素子
106は雲114よりもはるかに大きいので、雲114
は一般に素子の1つだけ忙入射する。
収集容積104が雲114に接触するとき雲114が入
射する素子106の1つに電流が誘起される。素子10
6はおのおのそれらに流れる電流の振幅忙比例する出力
信号を作る。かくて収集容積104は空間的に不連続な
1組N個の信号を時間的に連続して作り、各信号の振幅
は信2号を作ったそれぞれの収集素子106に入射する
電荷雲114の数を表わす。収集容積104によって作
られる出力信号は、在来の方法を用いてサンプルされ、
増幅され、ディジタル化され、そして分析される。
射する素子106の1つに電流が誘起される。素子10
6はおのおのそれらに流れる電流の振幅忙比例する出力
信号を作る。かくて収集容積104は空間的に不連続な
1組N個の信号を時間的に連続して作り、各信号の振幅
は信2号を作ったそれぞれの収集素子106に入射する
電荷雲114の数を表わす。収集容積104によって作
られる出力信号は、在来の方法を用いてサンプルされ、
増幅され、ディジタル化され、そして分析される。
この場合、検出器100の縦方向はX方向と呼ばれ、通
路108の方向はy方向、そして検出器100が動かさ
れる方向は2(すなわち走査)方向と呼ばれるが、ただ
し!、7,1M方向はすべて直交している。電界も好適
な実施例では(負の)2方向にわたっている。
路108の方向はy方向、そして検出器100が動かさ
れる方向は2(すなわち走査)方向と呼ばれるが、ただ
し!、7,1M方向はすべて直交している。電界も好適
な実施例では(負の)2方向にわたっている。
電界はX方向く垂直な方向を有するので、各収集素子1
06は検出容積と同じX座標の範囲を持つ検出容積10
2の区域に生じるイオン化現象にのみ敏感である。すな
わち、位置X = Xlないしxwxコ+Wで収集容積
1041C置かれる幅Wの収集素子106は、yおよび
2方向のどんな場所にもわたりかつX ” Xlないし
X −11十Wの間のX座標値を有する検出器a102
のスラブに生じるすべてのイオン化現象に敏感である。
06は検出容積と同じX座標の範囲を持つ検出容積10
2の区域に生じるイオン化現象にのみ敏感である。すな
わち、位置X = Xlないしxwxコ+Wで収集容積
1041C置かれる幅Wの収集素子106は、yおよび
2方向のどんな場所にもわたりかつX ” Xlないし
X −11十Wの間のX座標値を有する検出器a102
のスラブに生じるすべてのイオン化現象に敏感である。
収集容積104の各素子106の出力電流dQ、/dt
の一時的な応答は、2方向における電荷雲114の
空間分布(d工/dz)に比例する。2方向における電
荷雲114の空間分布は順次、検出容積102を通るX
線の強さの空間分布によって直接決定される。上記の関
係は下記の式で要約される: aQ(tax)/at = k−d工(g;x)/dz
(8)ただし t −t□ + (z−z(、)/V
(9)値1(、および2゜はそれぞれ、データ収集が始
まる時間tならびに位置2であり、■は走査速度Vsc
anでもありまた電荷キャリヤ・ドリフト速度vdr□
。でもある。
の一時的な応答は、2方向における電荷雲114の
空間分布(d工/dz)に比例する。2方向における電
荷雲114の空間分布は順次、検出容積102を通るX
線の強さの空間分布によって直接決定される。上記の関
係は下記の式で要約される: aQ(tax)/at = k−d工(g;x)/dz
(8)ただし t −t□ + (z−z(、)/V
(9)値1(、および2゜はそれぞれ、データ収集が始
まる時間tならびに位置2であり、■は走査速度Vsc
anでもありまた電荷キャリヤ・ドリフト速度vdr□
。でもある。
各素子106の出力電流dQ、/at は、在来の電
子装置(例えばデータ取得装置)によって時間的にサン
プルされる。出力サンプリング周期がτであるならば、
信号dQ、/a tは周期τにわたって積分される。し
たがってサンプリング周期τは2方向における空間解像
度素子忙対応する。このようにして、検出器100の2
方向における空間解像度は収集素子106の出力のサン
プリング周期τを選択することによって簡単に選択する
ことができる。サンプリング周期τに対応する空間解像
度素子が2方向における検出容積1020程度よりm倍
率さいならば、検出器100はnXmの素子アレイとし
て機能する。全X線積分時間は、固定通路108が検出
容積102Kまず入射する時間に等しく、時間通路10
8は検出器100が2方向に移動されるにつれて検出容
積を去り、したがって出力信号のサンプリング周期τに
左右されない。
子装置(例えばデータ取得装置)によって時間的にサン
プルされる。出力サンプリング周期がτであるならば、
信号dQ、/a tは周期τにわたって積分される。し
たがってサンプリング周期τは2方向における空間解像
度素子忙対応する。このようにして、検出器100の2
方向における空間解像度は収集素子106の出力のサン
プリング周期τを選択することによって簡単に選択する
ことができる。サンプリング周期τに対応する空間解像
度素子が2方向における検出容積1020程度よりm倍
率さいならば、検出器100はnXmの素子アレイとし
て機能する。全X線積分時間は、固定通路108が検出
容積102Kまず入射する時間に等しく、時間通路10
8は検出器100が2方向に移動されるにつれて検出容
積を去り、したがって出力信号のサンプリング周期τに
左右されない。
したがって、全X線積分時間は2方向における検出容積
102の寸法および速度v8゜anによって決定される
が、検出器100の2方向の空間解像度は検出容積の高
さに無関係でありかつ走査速度Vscanと出力信号サ
ンプリング周期τとの積によってのみ決定される(拡散
が無視される場合)。
102の寸法および速度v8゜anによって決定される
が、検出器100の2方向の空間解像度は検出容積の高
さに無関係でありかつ走査速度Vscanと出力信号サ
ンプリング周期τとの積によってのみ決定される(拡散
が無視される場合)。
′検出器100の基単フレーム内の動いている(運動の
)電荷が実験フレーム内で固定(静止)するようになる
条件は、「キネスタチック(kine日tatic )
J条件と呼ばれる。「キネスタチック」条件の下で作
動する検出器100は「キネスタチック電荷検出器」と
呼ばれている。
)電荷が実験フレーム内で固定(静止)するようになる
条件は、「キネスタチック(kine日tatic )
J条件と呼ばれる。「キネスタチック」条件の下で作
動する検出器100は「キネスタチック電荷検出器」と
呼ばれている。
上述のモードにおける検出器100の作動はいくつかの
利点を提供する。検出器100の縦方向空間座標(すな
わちzlまたは走査方向)は、出力信号の時間座標と1
対1の対応を示す。すなわち、検出容積102の任意な
x−y面に入射する積分されたX線の強さは、収集容積
104がその面を通過する時点で出力信号の振幅を決定
する。
利点を提供する。検出器100の縦方向空間座標(すな
わちzlまたは走査方向)は、出力信号の時間座標と1
対1の対応を示す。すなわち、検出容積102の任意な
x−y面に入射する積分されたX線の強さは、収集容積
104がその面を通過する時点で出力信号の振幅を決定
する。
これは、電荷が空間に固定されたままでありかつ収集容
積104が電荷の固定位置を「撫でる」ときのみ電荷が
検出されるからである。
積104が電荷の固定位置を「撫でる」ときのみ電荷が
検出されるからである。
本発明のもう1つの極めて重要な利点は、出力サンプリ
ング周期よりもはるかに長い時間にわたってX線信号′
JtaiF分するのに検出器1013が使用されること
である。これは、検出容積102が通路108を含有す
る全時間のあいだ電荷の積分は通路108に沿って絶え
ず行われるからである。
ング周期よりもはるかに長い時間にわたってX線信号′
JtaiF分するのに検出器1013が使用されること
である。これは、検出容積102が通路108を含有す
る全時間のあいだ電荷の積分は通路108に沿って絶え
ず行われるからである。
この利点により、高い一時的(すなわち空間的)解像度
を犠牲にしないでX線ノイズが減少される。
を犠牲にしないでX線ノイズが減少される。
例えば、250mθ(2方向における極めて小さな空間
素子の幅に相昌)ごとに出力信号をサンダルすることが
可能と思われる一方、16m5の間電荷が積分され(こ
の積分時間は検出器100が動かされる速度Vscan
および2方向における検出器の範囲によって決定される
)、データの64本の信号線(すなわちm−64)に対
応するデータが作られる。
素子の幅に相昌)ごとに出力信号をサンダルすることが
可能と思われる一方、16m5の間電荷が積分され(こ
の積分時間は検出器100が動かされる速度Vscan
および2方向における検出器の範囲によって決定される
)、データの64本の信号線(すなわちm−64)に対
応するデータが作られる。
さらに、信号像は静電荷に累積するので検出器運動のぼ
やけは完全に除去される。先行技術の走査検出装置では
、信号積分時間のあいだ有効な検出素子はぼやけた信号
および劣化した像変調伝達関数を作る。
やけは完全に除去される。先行技術の走査検出装置では
、信号積分時間のあいだ有効な検出素子はぼやけた信号
および劣化した像変調伝達関数を作る。
さらに、検出器100は2方向の任意な空間解像度を、
走査速度V および出力信号のサンプcan リイグ周期τを選ぶことによって簡単に選択させる。さ
らに、2方向の空間解像度は2方向の検出器100の幅
に全く無関係である。もちろん、十分に高いサンプリン
グ−レートでは、得られる老犬空間解像度に制限がある
(例えば固有解像度、X線光子ノイズおよび収集素子1
06に接続される電子回路によって発生されるノイズに
起因する制限)。
走査速度V および出力信号のサンプcan リイグ周期τを選ぶことによって簡単に選択させる。さ
らに、2方向の空間解像度は2方向の検出器100の幅
に全く無関係である。もちろん、十分に高いサンプリン
グ−レートでは、得られる老犬空間解像度に制限がある
(例えば固有解像度、X線光子ノイズおよび収集素子1
06に接続される電子回路によって発生されるノイズに
起因する制限)。
第6A図および第6B図は、本発明による走査ディフタ
ル放射線撮影装置200の現在好適な実施例を示す。装
置200はX線源202、コリメータ204、検出器1
00、およびコリメータ204と検出器100とを共に
動かす装置を含んでいる。好適な実施例においてコリメ
ータ204と検出器100を動かす装置は、コリメータ
204と検出器100を共に支持するX線源202の焦
点のまわりを回転し得るアーム206を含む。
ル放射線撮影装置200の現在好適な実施例を示す。装
置200はX線源202、コリメータ204、検出器1
00、およびコリメータ204と検出器100とを共に
動かす装置を含んでいる。好適な実施例においてコリメ
ータ204と検出器100を動かす装置は、コリメータ
204と検出器100を共に支持するX線源202の焦
点のまわりを回転し得るアーム206を含む。
X線源202はX線を作ってそのXiを一般にコリメー
タ204に向ける(X線源202は在来の全方向X線管
または同様なものを含むことがある)。コリメータ20
4は、x#lを作像すべき物体208に向けられるファ
ン会ビーム210に集束する開口206’?形成する。
タ204に向ける(X線源202は在来の全方向X線管
または同様なものを含むことがある)。コリメータ20
4は、x#lを作像すべき物体208に向けられるファ
ン会ビーム210に集束する開口206’?形成する。
好適な実施例では、ファン・ビーム210の厚さは、作
像すべき物体が検出器に入射しないX線忙さらされない
ように検出器100の検出容積102の2方向における
高さに等しくされる。
像すべき物体が検出器に入射しないX線忙さらされない
ように検出器100の検出容積102の2方向における
高さに等しくされる。
作像ナベき物体208は、ビーム210の通路において
コリメータ204と検出器100との間に置かれる。説
明の目的で、物体208は第6A図および第6B図忙お
いてX線が通れない材料の無限大のシートを含むものと
して示されており、そこには放射源202に対して放射
状の1つのビン・ホール212が形成されている。かく
て、物体208を貫通するX線だけが1つの直線通路1
08に沿い放射源202の半径に沿って検出器100に
向けられる。
コリメータ204と検出器100との間に置かれる。説
明の目的で、物体208は第6A図および第6B図忙お
いてX線が通れない材料の無限大のシートを含むものと
して示されており、そこには放射源202に対して放射
状の1つのビン・ホール212が形成されている。かく
て、物体208を貫通するX線だけが1つの直線通路1
08に沿い放射源202の半径に沿って検出器100に
向けられる。
第6A図は、時間t −tlにおける静止物体208お
よび放射源202に関するコリメータ204ならびに検
出器100の位置を示す。時間tlで、通路108は検
出器100の検出容積102に入射しかつそれを貫通し
て、検出容積に電荷雲の線214を作る。ビーム210
は物体208に絶えず向けられるので、放射線は同様忙
通路108に8って検出器100′Jk−通るように絶
えず向けられる。一方では、アーム206は放射源20
2の焦点のまわりを絶えず回転され、それによってコリ
メータ204および検出器100は放射源の焦点を中心
とする同心円に沿った空間に共に動かされる(回転また
は移動される)0コリメータ204および検出器10口
は相互に静止しているので、ビーム210は必ス検出器
100に向けられる。検出器100が動かされる方向は
、収集容積104と検出容積102との間の境界に対し
て平行でかつ放射源202の焦点と交わる線215に対
して瞬時垂直である。
よび放射源202に関するコリメータ204ならびに検
出器100の位置を示す。時間tlで、通路108は検
出器100の検出容積102に入射しかつそれを貫通し
て、検出容積に電荷雲の線214を作る。ビーム210
は物体208に絶えず向けられるので、放射線は同様忙
通路108に8って検出器100′Jk−通るように絶
えず向けられる。一方では、アーム206は放射源20
2の焦点のまわりを絶えず回転され、それによってコリ
メータ204および検出器100は放射源の焦点を中心
とする同心円に沿った空間に共に動かされる(回転また
は移動される)0コリメータ204および検出器10口
は相互に静止しているので、ビーム210は必ス検出器
100に向けられる。検出器100が動かされる方向は
、収集容積104と検出容積102との間の境界に対し
て平行でかつ放射源202の焦点と交わる線215に対
して瞬時垂直である。
第6B図は時間1−1. ) 11でのコリメータ20
4と検出器100との位置を示す。時間t2で、検出器
100は通路108が検出器の収集容積1041C接近
して入射する点まで、通路108忙関して動く(回転ま
たは移動する)。電荷が線214に沿って集まるのは、
通路108がまず検出器1001C入射するからである
(すなわち電荷は通路10Bがまず検出容積102に入
ってからの時間にわたって積分され、また線214に近
い電荷雲の数は通路108に沿って向けられたX線の時
間にわたる合計の強さに比例する)。検出器100は動
き続けると、収集容積104は線2121/CGう電荷
と最終的に交わりかつそれを掃引して、線に沿い累積さ
れた全電荷に比例する振幅を持つ信号を作る。放射源2
02の半径に関する収集容ff104の配置により、線
214は線に沿った電荷が収集容積により掃引される瞬
間に(例えば時間t1で、収集容積が線に平行でない場
合でも)収集MK平行である。こうして、線214の近
くにある電荷はすべて、全く同じ瞬間忙収集容積104
によって掃引される(ただし、放射源202の焦点から
さらに離れる検出容積102の中の電荷は下記に説明さ
れるよ5IC,焦点により近い検出容積内の電荷と同時
にギネスタチツクになるようにされる)。
4と検出器100との位置を示す。時間t2で、検出器
100は通路108が検出器の収集容積1041C接近
して入射する点まで、通路108忙関して動く(回転ま
たは移動する)。電荷が線214に沿って集まるのは、
通路108がまず検出器1001C入射するからである
(すなわち電荷は通路10Bがまず検出容積102に入
ってからの時間にわたって積分され、また線214に近
い電荷雲の数は通路108に沿って向けられたX線の時
間にわたる合計の強さに比例する)。検出器100は動
き続けると、収集容積104は線2121/CGう電荷
と最終的に交わりかつそれを掃引して、線に沿い累積さ
れた全電荷に比例する振幅を持つ信号を作る。放射源2
02の半径に関する収集容ff104の配置により、線
214は線に沿った電荷が収集容積により掃引される瞬
間に(例えば時間t1で、収集容積が線に平行でない場
合でも)収集MK平行である。こうして、線214の近
くにある電荷はすべて、全く同じ瞬間忙収集容積104
によって掃引される(ただし、放射源202の焦点から
さらに離れる検出容積102の中の電荷は下記に説明さ
れるよ5IC,焦点により近い検出容積内の電荷と同時
にギネスタチツクになるようにされる)。
第7図、第8A図、第8B図、第9図および第10図は
パターン218を形成する平面シートt−含む物体21
6を作像する放射線撮影装置200の使用を示す。パタ
ーン218は正方形の開口220を含み、開口のまわり
に4個の正方形のくぼみ22a−222dが配列されて
いる。物体216は、それに入射するすべてのX線をほ
とんど吸収して、パターン218た入射する放射it除
き事実上物体にX線を通さない極めて密度の高い材料(
例えばスズ)を含む。開口220はX線を自由に通すが
、くぼみ222a−222aは中間体で、等しい厚さを
有し、それに入射するX線の全部ではなく若干を物体2
16に通させる。
パターン218を形成する平面シートt−含む物体21
6を作像する放射線撮影装置200の使用を示す。パタ
ーン218は正方形の開口220を含み、開口のまわり
に4個の正方形のくぼみ22a−222dが配列されて
いる。物体216は、それに入射するすべてのX線をほ
とんど吸収して、パターン218た入射する放射it除
き事実上物体にX線を通さない極めて密度の高い材料(
例えばスズ)を含む。開口220はX線を自由に通すが
、くぼみ222a−222aは中間体で、等しい厚さを
有し、それに入射するX線の全部ではなく若干を物体2
16に通させる。
物体216が第6A図および第6B図に示された物体2
08にとって代わると、検出器100は物体216を通
るX線を検出する。第8A図は時間1=−11で検出器
100の検出容積102に作られた電荷の概略を示すが
(検出器100は放射源202から見たものとして示さ
れている)、第8B図は時間t −t2> tlで検出
容積102に累積された電荷を示す。電荷がパター72
18の輪郭を持つ検出容積102の区域(容a)224
にのみ累積するのは、X線がそのパターン以外の物体2
16のどんな部分をも通らないからである。区域224
に含まれる物体216の開口220に対応する正方形の
区域226には比較的大象の電荷が累積しく開口220
の透過度が高いので)、またそれぞれくぼみ222a−
222aK対応する正方形の区域228a−228aK
は中程度の量の電荷が累積する(くぼみの透過度が中程
度であるので)。
08にとって代わると、検出器100は物体216を通
るX線を検出する。第8A図は時間1=−11で検出器
100の検出容積102に作られた電荷の概略を示すが
(検出器100は放射源202から見たものとして示さ
れている)、第8B図は時間t −t2> tlで検出
容積102に累積された電荷を示す。電荷がパター72
18の輪郭を持つ検出容積102の区域(容a)224
にのみ累積するのは、X線がそのパターン以外の物体2
16のどんな部分をも通らないからである。区域224
に含まれる物体216の開口220に対応する正方形の
区域226には比較的大象の電荷が累積しく開口220
の透過度が高いので)、またそれぞれくぼみ222a−
222aK対応する正方形の区域228a−228aK
は中程度の量の電荷が累積する(くぼみの透過度が中程
度であるので)。
時間t−t1で、区域226は開口220を通る放射線
がその区域に入射した時間および放射源202の強さに
比例する比較的多量の電荷を含有する。区域228Cも
比較的多量の電荷を含有するのは、たとえくぼみ222
Cが極めて高い透過度を持たなくても、検出器100が
パターン218を通る放射線と最初に交わってからずっ
と、くぼみ222Cを通る放射線が区域228cK入っ
ているからである(同じ理由で、電荷こう配は各区域2
26および228a−228dに存在し、収集容積10
4に最も近い区域の部分は収集容積から遠く離れた区域
の部分よりも多くの電荷を含有する)。区域228bお
よび228dは、それ9におのおの同量の放射線が入射
しかつ同じ時間におのおのに入射するので、はぼ同量の
電荷を含有する。区域222aが比較的少量の電荷を含
有するのは、たとえほぼ同量の放射線が各区域222a
−222dに入射しても、区域222aは比較的短°時
間しか放射線に露出されないからである。
がその区域に入射した時間および放射源202の強さに
比例する比較的多量の電荷を含有する。区域228Cも
比較的多量の電荷を含有するのは、たとえくぼみ222
Cが極めて高い透過度を持たなくても、検出器100が
パターン218を通る放射線と最初に交わってからずっ
と、くぼみ222Cを通る放射線が区域228cK入っ
ているからである(同じ理由で、電荷こう配は各区域2
26および228a−228dに存在し、収集容積10
4に最も近い区域の部分は収集容積から遠く離れた区域
の部分よりも多くの電荷を含有する)。区域228bお
よび228dは、それ9におのおの同量の放射線が入射
しかつ同じ時間におのおのに入射するので、はぼ同量の
電荷を含有する。区域222aが比較的少量の電荷を含
有するのは、たとえほぼ同量の放射線が各区域222a
−222dに入射しても、区域222aは比較的短°時
間しか放射線に露出されないからである。
第8B図は時間t−=t2)tlで検出器100におけ
る電荷分布を示す。時間t2までに、大量の電荷が区域
226に集められる。同様に、さらに多くの電荷が各区
域228a−228aに累積するのは、これらの区域が
放射線に比較的長時間露出されるからである。区域22
8Cは最も長時間放射線に露出される。しかし、区域2
28Cにある電荷が区域226にある電荷よりも少ない
のは、開口220の透過度に比べてくぼみ222Cの透
過度が比較的低いからである(検出容積102の特定な
区域にある電荷の量は、その区域に入射するX線の強さ
と、区域がX線に露出される時間の量とに比例する)。
る電荷分布を示す。時間t2までに、大量の電荷が区域
226に集められる。同様に、さらに多くの電荷が各区
域228a−228aに累積するのは、これらの区域が
放射線に比較的長時間露出されるからである。区域22
8Cは最も長時間放射線に露出される。しかし、区域2
28Cにある電荷が区域226にある電荷よりも少ない
のは、開口220の透過度に比べてくぼみ222Cの透
過度が比較的低いからである(検出容積102の特定な
区域にある電荷の量は、その区域に入射するX線の強さ
と、区域がX線に露出される時間の量とに比例する)。
区域224は時間t1から時間t2まで空間を移動せず
、むしろ検出器100がその区域に関して移動する。区
域224は作像される静止物体216に関して静止した
ままである。
、むしろ検出器100がその区域に関して移動する。区
域224は作像される静止物体216に関して静止した
ままである。
説明を容易にするため、第8A図および第8B図に示さ
れる検出器の収集容積はわずか8個の収集素子229
(nl −n8 )に分けられ、検出器の幅当たり8本
の線のX方向における空間解像度を提供する(好適な実
施例では、これよりも高い解像度が所望されるので、単
位長さ当たりより多くの収集素子が使用される)。第9
図は、検出器100が2方向に走査されるにつれて時間
に関する収集素子229の出力を示す。時間1−1aで
、区域228cは収集容積104と接触する。素子n6
およびn4は区域228 c、と事実上接触しているが
、素子の残りは区域224と重なっていないので、検出
器n6およびn4のみが出力信号を作る。時間taで素
子n3およびn4によって作られた出力信号は、区域2
28cに集められた電荷に比例する。
れる検出器の収集容積はわずか8個の収集素子229
(nl −n8 )に分けられ、検出器の幅当たり8本
の線のX方向における空間解像度を提供する(好適な実
施例では、これよりも高い解像度が所望されるので、単
位長さ当たりより多くの収集素子が使用される)。第9
図は、検出器100が2方向に走査されるにつれて時間
に関する収集素子229の出力を示す。時間1−1aで
、区域228cは収集容積104と接触する。素子n6
およびn4は区域228 c、と事実上接触しているが
、素子の残りは区域224と重なっていないので、検出
器n6およびn4のみが出力信号を作る。時間taで素
子n3およびn4によって作られた出力信号は、区域2
28cに集められた電荷に比例する。
時間t = tl) ) teLで、検出器100はさ
らに2方向に動くので、区域226,228bおよび2
28dは収集容積104と接触する。検出器n6および
n4は、上述の通り大量の電荷を含有する区域226と
接触する。したがって、素子n3およびn4の出力は比
較的高い。素子n1およびn2は区域228dと接触す
るが、素子n5およびn6は区域228dと接触する。
らに2方向に動くので、区域226,228bおよび2
28dは収集容積104と接触する。検出器n6および
n4は、上述の通り大量の電荷を含有する区域226と
接触する。したがって、素子n3およびn4の出力は比
較的高い。素子n1およびn2は区域228dと接触す
るが、素子n5およびn6は区域228dと接触する。
区域228dおよび228bはほぼ同量の電荷を含有す
るので、素子nl、n2.n5およびn6はおのおのが
事実上同じ振幅を有する出力を作る0時間t1.での素
子n1.n2.n5およびn6の出力が時間1aでの素
子n6およびn4の出力にほぼ等しいのは、区域228
b、228cおよび228dに入射する放射線の強さが
同じだからである。
るので、素子nl、n2.n5およびn6はおのおのが
事実上同じ振幅を有する出力を作る0時間t1.での素
子n1.n2.n5およびn6の出力が時間1aでの素
子n6およびn4の出力にほぼ等しいのは、区域228
b、228cおよび228dに入射する放射線の強さが
同じだからである。
時間t = tc) tbで、検出器100は2方向に
さらに動くので、区域228aは収集容積104と接触
する。区域228aK集められた電荷は時間1aで区域
2280に集められた電荷よりも事実上少ないが(第8
B図に示される通り)、時間10で区域228aに集め
られた電荷は時間taで区域228Cに集められた電荷
にほぼ等しい(電荷は時間ta < t < tcの間
に区域228aに集められるので)。かくて、時間上〇
での素子n3およびn4の出力は、時間t1)での素子
” 1 y n 2 #n5およびn6の出力にほぼ等
しく、また時間1aでの素子n6およびn4の出力にほ
ぼ等しい。
さらに動くので、区域228aは収集容積104と接触
する。区域228aK集められた電荷は時間1aで区域
2280に集められた電荷よりも事実上少ないが(第8
B図に示される通り)、時間10で区域228aに集め
られた電荷は時間taで区域228Cに集められた電荷
にほぼ等しい(電荷は時間ta < t < tcの間
に区域228aに集められるので)。かくて、時間上〇
での素子n3およびn4の出力は、時間t1)での素子
” 1 y n 2 #n5およびn6の出力にほぼ等
しく、また時間1aでの素子n6およびn4の出力にほ
ぼ等しい。
好適な実施例では、収集素子229の出力は素子の出力
を周期的にサンプルするデータ取得装置(図示されてい
ない)K加えられる。上述の通り、サンプリング・レー
トは2方向の装置200の解像度を決定する。説明のた
めた、サンプリング周期を(ta−to)76 とし
、ただし1aは区域224が最初に収集容積104と接
触する時間、七〇は区域224が最後に収集容積と接触
する時間であるとする。こうした状況の下で、2方向の
空間解像度(出力のサンプリング・レートによって定め
られる)は、X方向の空間解像度(検出器100にある
収集素子229の数によって定められる)に等しい。換
言すれば、2方向の「空間素子」(収集素子229の出
力の出力信号サンプリング周期により定められる)は、
X方向の収集素子229の幅に等しい幅を有する。
を周期的にサンプルするデータ取得装置(図示されてい
ない)K加えられる。上述の通り、サンプリング・レー
トは2方向の装置200の解像度を決定する。説明のた
めた、サンプリング周期を(ta−to)76 とし
、ただし1aは区域224が最初に収集容積104と接
触する時間、七〇は区域224が最後に収集容積と接触
する時間であるとする。こうした状況の下で、2方向の
空間解像度(出力のサンプリング・レートによって定め
られる)は、X方向の空間解像度(検出器100にある
収集素子229の数によって定められる)に等しい。換
言すれば、2方向の「空間素子」(収集素子229の出
力の出力信号サンプリング周期により定められる)は、
X方向の収集素子229の幅に等しい幅を有する。
在来の像処理および増強を受けてから、データ取得装置
の出力は第10図に示されるように表示装置230に表
示される。表示装置230は、上述の空間解像素子に対
応する像解像素子232におけるZ’ −1’座標系の
物体216の像を表示する。
の出力は第10図に示されるように表示装置230に表
示される。表示装置230は、上述の空間解像素子に対
応する像解像素子232におけるZ’ −1’座標系の
物体216の像を表示する。
合成像234は、物体216の開口220を通るX線の
強さに対応する強さを持つ正方形の中央区域236と、
物体のくぼみ222a−2224を通るX線の強さに対
応する強さを持つ正方形の区域238a−238aとを
含んでいる。表示装置230の残部の強さが0であるの
は、物体216の残部のX@IfC対する透過度が0だ
からである。
強さに対応する強さを持つ正方形の中央区域236と、
物体のくぼみ222a−2224を通るX線の強さに対
応する強さを持つ正方形の区域238a−238aとを
含んでいる。表示装置230の残部の強さが0であるの
は、物体216の残部のX@IfC対する透過度が0だ
からである。
上述の通り、本発明では、検出器100は電荷キャリヤ
の速度V の大きさに等しい大きさrift の速度vaaユ。で電荷キャリヤのドリフトの方向と反
対の方向に移動される。検出器100は、マイクロプロ
セッサの制御を受けて作動されるステップ・モータのよ
うな任意な在来の機械または電気機械装置によって移動
され、また在来の機械歯車装置により第6A図および第
6B図に略示されるアーム釦接続される。好適な実施例
では、電荷キャリヤが動く方向は電界の方向によって定
められる。電荷キャリヤが動く速度V は電界の強
rift さおよび電荷キャリヤの運動性忙よって定められる。か
くて、好適な実施例の適当な作動の条件の1つは、電界
が一定かつ一様であって適当な強さの値を有することで
ある。
の速度V の大きさに等しい大きさrift の速度vaaユ。で電荷キャリヤのドリフトの方向と反
対の方向に移動される。検出器100は、マイクロプロ
セッサの制御を受けて作動されるステップ・モータのよ
うな任意な在来の機械または電気機械装置によって移動
され、また在来の機械歯車装置により第6A図および第
6B図に略示されるアーム釦接続される。好適な実施例
では、電荷キャリヤが動く方向は電界の方向によって定
められる。電荷キャリヤが動く速度V は電界の強
rift さおよび電荷キャリヤの運動性忙よって定められる。か
くて、好適な実施例の適当な作動の条件の1つは、電界
が一定かつ一様であって適当な強さの値を有することで
ある。
媒体の両端に十分率さな電界が加えられると、媒体内の
電荷キャリヤは電界の強さに比例する速度で電界の線に
沿ってドリフトする傾向がある。
電荷キャリヤは電界の強さに比例する速度で電界の線に
沿ってドリフトする傾向がある。
このドリフト速度は拡散によるキャリヤの速度には無関
係であり、媒体内の電荷キャリヤの全収集により重ねら
れた追加の速度と見なすことができる。電荷キャリヤの
衝突間に電界によって電荷キャリヤに与えられるエネル
ギが電荷キャリヤの熱エネルギに比べて小さいときは、
電界の強さは十分「小」である。この基準を満足する最
大電界強さは、媒体の密度と共に直線的に増加し、また
一般にイオン(正電荷キャリヤ)の場合の方が電子(負
電荷キャリヤ)の場合よりもはるか釦高い。
係であり、媒体内の電荷キャリヤの全収集により重ねら
れた追加の速度と見なすことができる。電荷キャリヤの
衝突間に電界によって電荷キャリヤに与えられるエネル
ギが電荷キャリヤの熱エネルギに比べて小さいときは、
電界の強さは十分「小」である。この基準を満足する最
大電界強さは、媒体の密度と共に直線的に増加し、また
一般にイオン(正電荷キャリヤ)の場合の方が電子(負
電荷キャリヤ)の場合よりもはるか釦高い。
入射放射線の吸収は、負および正の電荷キャリヤ金倉む
電荷キャリヤ対を作る。電荷を作る機構は比較的よく理
解されている。例えば、媒体がキセノン・ガスであって
、適度なエネルギのxlllllがその中で相互作用す
るならば、キセノンとX線との最も考えられる相互作用
工程は光電効果であり、その場合光電子は1個以上の螢
光光子およびオージェ電子と共にキセノン原子の内部シ
ェルから射出される。光電子およびオージェ電子は比較
的活動的であり、したがってそれらが媒体の追加分子と
衝突するにつれて、より低い運動のエネルギを持つ追加
のイオン対を作る。この結果は電荷の雲であり、その大
きさは一次陽子、電子および散乱陽子の吸収に左右され
る。
電荷キャリヤ対を作る。電荷を作る機構は比較的よく理
解されている。例えば、媒体がキセノン・ガスであって
、適度なエネルギのxlllllがその中で相互作用す
るならば、キセノンとX線との最も考えられる相互作用
工程は光電効果であり、その場合光電子は1個以上の螢
光光子およびオージェ電子と共にキセノン原子の内部シ
ェルから射出される。光電子およびオージェ電子は比較
的活動的であり、したがってそれらが媒体の追加分子と
衝突するにつれて、より低い運動のエネルギを持つ追加
のイオン対を作る。この結果は電荷の雲であり、その大
きさは一次陽子、電子および散乱陽子の吸収に左右され
る。
最も濃密な電荷は、入射光子によって検出媒体の原子か
ら追い出された光電子から生じる。これらの高エネルギ
電子はエネルギを失うにつれて二次イオン化を生じさせ
る。光電子が走行する距離は、その初度エネルギおよび
検出媒体内の特有なエネルギ損dK/dxに左右される
。電子はエネルギを失うにつれて直線通路で走行せず、
その代わりに各衝突後ランダムな方向に散乱する。5
[I KeVの電子の有効範囲は、高圧気体、液体およ
び固体で0.1n未満である。
ら追い出された光電子から生じる。これらの高エネルギ
電子はエネルギを失うにつれて二次イオン化を生じさせ
る。光電子が走行する距離は、その初度エネルギおよび
検出媒体内の特有なエネルギ損dK/dxに左右される
。電子はエネルギを失うにつれて直線通路で走行せず、
その代わりに各衝突後ランダムな方向に散乱する。5
[I KeVの電子の有効範囲は、高圧気体、液体およ
び固体で0.1n未満である。
1個の高エネルギ電子によって作られる二次イオン化か
ら生じる電荷雲は、電子の発生位置について対称であり
、第11図に示されるような放射状分布を持つ球形であ
る。例えばRut tらの「走査投影放射線撮影用のキ
セノン・イオン化検出器二理論的考察」、第10巻、第
6号、医学物理284.285(1983)参照。関数
n(r)が単位容積当たりの作られたイオン対の数と定
義されるならば、4πr”B (r)drは半径rで厚
さdrの球殻内の帯電対の総数である。第11図は半径
rの関数としてのこの総数のプロットである。
ら生じる電荷雲は、電子の発生位置について対称であり
、第11図に示されるような放射状分布を持つ球形であ
る。例えばRut tらの「走査投影放射線撮影用のキ
セノン・イオン化検出器二理論的考察」、第10巻、第
6号、医学物理284.285(1983)参照。関数
n(r)が単位容積当たりの作られたイオン対の数と定
義されるならば、4πr”B (r)drは半径rで厚
さdrの球殻内の帯電対の総数である。第11図は半径
rの関数としてのこの総数のプロットである。
第11図から見られる通り、光電子の発生場所に関して
作られる電荷キャリヤの数は小さなrの値についてrと
共に急速に増加し、最大となり、次にrのより大きな値
について除々に減少する。
作られる電荷キャリヤの数は小さなrの値についてrと
共に急速に増加し、最大となり、次にrのより大きな値
について除々に減少する。
いったん作られると、電荷の球形雲は、信号収集容積1
04に達するまで一様な電界を通してVリフトする。あ
る時点で電荷の球形雲から生じる信号(例えば検出器1
00の2座標位置)は、収集容積104の増分スライス
dzにある電荷の総数である。第12図はかかる増分ス
ライスdzにある電荷の量のグラフ表示である。この量
は、媒体の放射状分布を与えられた特定の媒体の円筒座
標において容易に算出される。理想的には、信号の大部
分は2方向にある所望の解像素子の大きさに対応する時
間よりも短い時間(すなわち2距離)K集められるべき
である。
04に達するまで一様な電界を通してVリフトする。あ
る時点で電荷の球形雲から生じる信号(例えば検出器1
00の2座標位置)は、収集容積104の増分スライス
dzにある電荷の総数である。第12図はかかる増分ス
ライスdzにある電荷の量のグラフ表示である。この量
は、媒体の放射状分布を与えられた特定の媒体の円筒座
標において容易に算出される。理想的には、信号の大部
分は2方向にある所望の解像素子の大きさに対応する時
間よりも短い時間(すなわち2距離)K集められるべき
である。
吸収される各光子の電荷雲の有限の大きさおよびドリフ
ト領域内の雲からの電荷の拡散が解像素子に比べて小さ
ければ、解像度の主な損失は1つの容積素子で散乱され
かつもう1つの容積素子で吸収される光子に起因する(
この場合検出素子は唯一の収容素子106によって信号
を作らせるイオン化現象を生じる検出容積102の一部
と1て定義される)。この散乱は、コンプトン散乱とに
螢元元子との両方を含む。二次光子は多くの異なる容積
素子で吸収される。この散乱のために、低周波背景が検
出器100の出力信号に加えられ、像のぼやけを生じさ
せる。像のぼやけの程度は、X線エネルヤおよび検出媒
体の形式に左右される。
ト領域内の雲からの電荷の拡散が解像素子に比べて小さ
ければ、解像度の主な損失は1つの容積素子で散乱され
かつもう1つの容積素子で吸収される光子に起因する(
この場合検出素子は唯一の収容素子106によって信号
を作らせるイオン化現象を生じる検出容積102の一部
と1て定義される)。この散乱は、コンプトン散乱とに
螢元元子との両方を含む。二次光子は多くの異なる容積
素子で吸収される。この散乱のために、低周波背景が検
出器100の出力信号に加えられ、像のぼやけを生じさ
せる。像のぼやけの程度は、X線エネルヤおよび検出媒
体の形式に左右される。
二次および散乱光子の発生も各容積素子からの信号の損
失を生じ、かくて検出器100の検出量効*を減少させ
る(すなわち装置は放射線を信号に有効に変換しない)
。空間解像度および検出量効IK及ぼす二次光子の影響
は、媒体の原子数および密度に左右されるとともに、検
出容積102の形状および信号収集容積104に左右さ
れる。
失を生じ、かくて検出器100の検出量効*を減少させ
る(すなわち装置は放射線を信号に有効に変換しない)
。空間解像度および検出量効IK及ぼす二次光子の影響
は、媒体の原子数および密度に左右されるとともに、検
出容積102の形状および信号収集容積104に左右さ
れる。
周知の通り、粒子は濃度こう配の影響を受けて広がった
り散乱する。流体内の粒子の平均自由通路に比べて大き
な寸法の空間に閉じ込められた流体を考えてみる。一定
の温度でかつ外部の力がない場合に、囲まれた空間のあ
らゆる部分にある粒子の一様な濃度を作るため忙あらゆ
る方向の粒子の自然な運動(すなわち拡散)が存在する
。周知の通り、流体の粒子はその熱攪拌の結果としてあ
らゆる方向に一定の運動をする。ランダムな運動は、空
間にある粒子のより高い濃度の区域にある粒子を空間に
ある粒子のより低い濃度の区域に向って拡散させる。
り散乱する。流体内の粒子の平均自由通路に比べて大き
な寸法の空間に閉じ込められた流体を考えてみる。一定
の温度でかつ外部の力がない場合に、囲まれた空間のあ
らゆる部分にある粒子の一様な濃度を作るため忙あらゆ
る方向の粒子の自然な運動(すなわち拡散)が存在する
。周知の通り、流体の粒子はその熱攪拌の結果としてあ
らゆる方向に一定の運動をする。ランダムな運動は、空
間にある粒子のより高い濃度の区域にある粒子を空間に
ある粒子のより低い濃度の区域に向って拡散させる。
電荷キャリヤが検出容積102にある媒体内に作られる
とき、電荷キャリヤの熱運動はそれらを発生の場所から
拡散させる。この拡散運動は、媒体自身の分子とのラン
ダムな衝突忙よって妨げられる。電荷の平均自由通路が
問題の距離に比べて短いときは、1群の電荷の動作は下
記の拡散式を用いて予測することができる y=−D−(10) z ただしNは拡散率、Dは拡散係数、Cは空間における電
荷キャリヤの濃度、2は拡散の方向忙おける距離である
(もちろん、電荷は2方向だけではなく全方向に拡散す
る)。拡散係数りは電荷キャリヤと媒体との共同特性で
ある。大気圧で気体内の分子の平均自由通路は0.I
X 10″″6メートル程度である。
とき、電荷キャリヤの熱運動はそれらを発生の場所から
拡散させる。この拡散運動は、媒体自身の分子とのラン
ダムな衝突忙よって妨げられる。電荷の平均自由通路が
問題の距離に比べて短いときは、1群の電荷の動作は下
記の拡散式を用いて予測することができる y=−D−(10) z ただしNは拡散率、Dは拡散係数、Cは空間における電
荷キャリヤの濃度、2は拡散の方向忙おける距離である
(もちろん、電荷は2方向だけではなく全方向に拡散す
る)。拡散係数りは電荷キャリヤと媒体との共同特性で
ある。大気圧で気体内の分子の平均自由通路は0.I
X 10″″6メートル程度である。
したがって、電荷キャリヤ114の雲が検出器100の
検出容積102を通ってドリフトする忙つれて、雲の質
量の中心から離れる個々の電荷の拡散がある。所望の検
出器解像度を得るために、この拡散は装置200の解像
素子の大きさに比べて比較的小でなければならない。
検出容積102を通ってドリフトする忙つれて、雲の質
量の中心から離れる個々の電荷の拡散がある。所望の検
出器解像度を得るために、この拡散は装置200の解像
素子の大きさに比べて比較的小でなければならない。
電荷キャリヤのP IJ 7 ト速度vdr1ftハ、
下記の関係式忙より、イオンの可動性μおよび電界Eか
ら算出することができる: 小さな電界の強さでは、電荷の可動性はアインショタイ
ンの関係式によって拡散係数に直線に関連される。
下記の関係式忙より、イオンの可動性μおよび電界Eか
ら算出することができる: 小さな電界の強さでは、電荷の可動性はアインショタイ
ンの関係式によって拡散係数に直線に関連される。
D −/jkT/e (12)ただしk
はポルツマンの定数、Tは絶対温度、θ参照、その全文
は参考としてここkそっくり組み込まれている。
はポルツマンの定数、Tは絶対温度、θ参照、その全文
は参考としてここkそっくり組み込まれている。
拡散忙よる時間tの関数として原点からの電荷の実効値
(rms )変位2は、下記の通りである:Z = (
4Dt/K )” (13)電荷が検出容
積102の片側から他側へ、距離りだけドリフトするに
要する時間は下記の通りである: t = h / vdrift (14
)第11.12および13式を第14弐忙代入すると、
下記の式が得られる: ただしV −Khはギャップhの両端の電圧降下である
。したがって、rms拡散変位はドリフト通路りの分数
として表わされ、ギャップの両端の電圧降下の平方根に
反比例する。
(rms )変位2は、下記の通りである:Z = (
4Dt/K )” (13)電荷が検出容
積102の片側から他側へ、距離りだけドリフトするに
要する時間は下記の通りである: t = h / vdrift (14
)第11.12および13式を第14弐忙代入すると、
下記の式が得られる: ただしV −Khはギャップhの両端の電圧降下である
。したがって、rms拡散変位はドリフト通路りの分数
として表わされ、ギャップの両端の電圧降下の平方根に
反比例する。
室温20℃(298°K)で、乗係数V−zノ値は0.
181である。したがって、室温では、第15式は下記
のようになる: 与えられた「リフト速度およびy IJ 7 ト長さで
は、検出器100の他の要求事項と一致した媒体内の電
荷キャリヤの最小可動性を得ることが望ましい。
181である。したがって、室温では、第15式は下記
のようになる: 与えられた「リフト速度およびy IJ 7 ト長さで
は、検出器100の他の要求事項と一致した媒体内の電
荷キャリヤの最小可動性を得ることが望ましい。
気体、液体および固体状態の異なる材料に関するある代
表的な可動性は下記第1表に列記されている。第1表に
列記される値は、下記資料源から得られたものである:
Droatらの「ディジタル放射線撮影−のキセノン
・イオン化検出器」、9医学物理224 30 (19
82) ; Varneyの「クリプトンおよびキセノ
ンにおけるイオンのドリフト速度」、88物理学評論誌
、662−64(1952) ; !iummelらの
44物理化学誌3431 (1966) ; Davi
aらの39物理化学誌947(1962);Doeらの
「液体7/l/ゴン時間投影室」、時間投影室(410
8A工P会議議に−92(第64版OROゾl/ス19
83)。これらの値を正しい相互関係忙するため忙、ド
リフト長さを横切る電荷雲の質量の中心からの電荷キャ
リヤの予想rms拡散長さ2は、10ocIL/θのド
リフト速度と1CIILの高さの検出器100について
計算された。これらの計算値も、100 art/sの
)F +7フト速度を得る忙要する電界の強さEと共に
1各材料について第1表に列記されている。
表的な可動性は下記第1表に列記されている。第1表に
列記される値は、下記資料源から得られたものである:
Droatらの「ディジタル放射線撮影−のキセノン
・イオン化検出器」、9医学物理224 30 (19
82) ; Varneyの「クリプトンおよびキセノ
ンにおけるイオンのドリフト速度」、88物理学評論誌
、662−64(1952) ; !iummelらの
44物理化学誌3431 (1966) ; Davi
aらの39物理化学誌947(1962);Doeらの
「液体7/l/ゴン時間投影室」、時間投影室(410
8A工P会議議に−92(第64版OROゾl/ス19
83)。これらの値を正しい相互関係忙するため忙、ド
リフト長さを横切る電荷雲の質量の中心からの電荷キャ
リヤの予想rms拡散長さ2は、10ocIL/θのド
リフト速度と1CIILの高さの検出器100について
計算された。これらの計算値も、100 art/sの
)F +7フト速度を得る忙要する電界の強さEと共に
1各材料について第1表に列記されている。
Jil 燭 *W 囮
長生導体研究の大部は信号伝搬の速度を下げるのではな
く上げることに向けられてきたのは注目に価する。半導
体媒体に導入されたドープ剤は電子およびホールの可動
性を減少させる。しかしある応用では、極めて速い走査
速度(すなわち2方向における検出器100の高速運動
)を要求することがあり、その場合現在使用される半導
体材料によって提供されるより高い可動性は、小さな電
界領域での作動を保つべきならば、必要と思われる。
長生導体研究の大部は信号伝搬の速度を下げるのではな
く上げることに向けられてきたのは注目に価する。半導
体媒体に導入されたドープ剤は電子およびホールの可動
性を減少させる。しかしある応用では、極めて速い走査
速度(すなわち2方向における検出器100の高速運動
)を要求することがあり、その場合現在使用される半導
体材料によって提供されるより高い可動性は、小さな電
界領域での作動を保つべきならば、必要と思われる。
気体媒体が使用されるならば、可動性を変えたり他の理
由で、他の気体が元種に加えられることがある。検出容
積102にある媒体は、装置200を使用する特定の応
用で適当な電荷の可動性を有する事実上どんな材料でも
含むことができる。かくて、気体および液体(流体)の
イオン化室またはシリコン、ゲルマニウム、テルル化カ
ドミウムその他の材料を使用するような固体検出器は、
それぞれの応用次第で本発明にすべて使用される。
由で、他の気体が元種に加えられることがある。検出容
積102にある媒体は、装置200を使用する特定の応
用で適当な電荷の可動性を有する事実上どんな材料でも
含むことができる。かくて、気体および液体(流体)の
イオン化室またはシリコン、ゲルマニウム、テルル化カ
ドミウムその他の材料を使用するような固体検出器は、
それぞれの応用次第で本発明にすべて使用される。
比較的高い検出量効率を達成するために、検出媒体は比
較的高いX線吸収係数を有することが望ましい。原子の
数が比較的多くかつ密度が比較的高い材料は、原子の数
が比較的少なくかつ密度が比較的低い材料よりも、ディ
ジタル放射線撮影のような応用に検出媒体として用いる
のに適していると思われる。しかし、電荷キャリヤが作
られて事実上一定の速度でドリフトするようkされる材
料はすべて、好適な実施例において検出媒体として使用
される。
較的高いX線吸収係数を有することが望ましい。原子の
数が比較的多くかつ密度が比較的高い材料は、原子の数
が比較的少なくかつ密度が比較的低い材料よりも、ディ
ジタル放射線撮影のような応用に検出媒体として用いる
のに適していると思われる。しかし、電荷キャリヤが作
られて事実上一定の速度でドリフトするようkされる材
料はすべて、好適な実施例において検出媒体として使用
される。
現在好適な実施例では、使用される検出材料はキセノン
−ガスであり、検出器100はガス・イオン化室300
の形をとる。第13図は室300の側断面図である。室
300は、比較的薄い窓304が形成されている圧力を
通さないアルミニウム圧力容器302を含んでいる。窓
3041C入射する放射線は窓を通って室300に入る
。窓304以外の容器302の壁は比較的濃密で、X線
を通さない。したがって、窓304に向けられるX線の
みが室300に入る。 ・ 検出器に入るX線ビームの厚さは、患−者の手前にある
コリメータの対向辺間の分離距離を変えることによって
変えられる(第2図に示されるコリメータ14に形成さ
れたスロット32参照)。これは、例えばX線ビームの
厚さを減少することによって空間電荷作用の解像度劣化
を少なくする場合忙、極めて重要である。またビームの
厚さは、所望の空間解像度を得るためにも、密度を高く
する目的で積分時間を増加させる(したがって量ノイズ
作用を減少させる)ためにも、変えることができる。
−ガスであり、検出器100はガス・イオン化室300
の形をとる。第13図は室300の側断面図である。室
300は、比較的薄い窓304が形成されている圧力を
通さないアルミニウム圧力容器302を含んでいる。窓
3041C入射する放射線は窓を通って室300に入る
。窓304以外の容器302の壁は比較的濃密で、X線
を通さない。したがって、窓304に向けられるX線の
みが室300に入る。 ・ 検出器に入るX線ビームの厚さは、患−者の手前にある
コリメータの対向辺間の分離距離を変えることによって
変えられる(第2図に示されるコリメータ14に形成さ
れたスロット32参照)。これは、例えばX線ビームの
厚さを減少することによって空間電荷作用の解像度劣化
を少なくする場合忙、極めて重要である。またビームの
厚さは、所望の空間解像度を得るためにも、密度を高く
する目的で積分時間を増加させる(したがって量ノイズ
作用を減少させる)ためにも、変えることができる。
高圧板(電極)306が絶縁物308の上に置かれてい
る。絶縁物308は順次、室300の中の容器302の
壁310の上に置かれている。同様な形で、少なくとも
1つの収集電極312が絶縁物314の上に置かれ、絶
縁物は室300の中の容器302の壁316の上に置か
れている。高圧板306および収集電極312はおのお
の、外部容器302から在来のフィードスルー絶縁物な
ど(図示されていない)を介して電気的に接近し得る導
電板を含む。
る。絶縁物308は順次、室300の中の容器302の
壁310の上に置かれている。同様な形で、少なくとも
1つの収集電極312が絶縁物314の上に置かれ、絶
縁物は室300の中の容器302の壁316の上に置か
れている。高圧板306および収集電極312はおのお
の、外部容器302から在来のフィードスルー絶縁物な
ど(図示されていない)を介して電気的に接近し得る導
電板を含む。
高圧板306は、収集電極312に向って室300に面
する事実上平らな表面318fi!:形成する。同様に
、収集電極312は室30口および高圧板306の対向
する表面に面する事実上平らな表面320t−形成する
。表面318と320との間の空間は検出容積102t
−含み、検出媒体(好適な実施例では所定の温度および
圧力のキセノン・ガス)で満たされている。表面318
と320との間の距離は任意な具合のよい値に選択され
るが(サンプリング方向の解像がこの距離に左右されず
、出力信号のサンプリング・レートに左右されるので)
、距離はドリフトする電荷キャリヤの容積再結合が過度
となるほど大きくてはならない。
する事実上平らな表面318fi!:形成する。同様に
、収集電極312は室30口および高圧板306の対向
する表面に面する事実上平らな表面320t−形成する
。表面318と320との間の空間は検出容積102t
−含み、検出媒体(好適な実施例では所定の温度および
圧力のキセノン・ガス)で満たされている。表面318
と320との間の距離は任意な具合のよい値に選択され
るが(サンプリング方向の解像がこの距離に左右されず
、出力信号のサンプリング・レートに左右されるので)
、距離はドリフトする電荷キャリヤの容積再結合が過度
となるほど大きくてはならない。
距離は、光子ノイズの作用を減少させるよう、に所望の
電荷積分周期を提供しかつ所望の検出量効率を提供する
走査速度V にしたがって選択されcan るべきである。好適な実施例では、表面318と320
との間の距離は約2m−20s+mの範囲内である。
電荷積分周期を提供しかつ所望の検出量効率を提供する
走査速度V にしたがって選択されcan るべきである。好適な実施例では、表面318と320
との間の距離は約2m−20s+mの範囲内である。
収集電極312は事実上の大地電圧忙外部接続されるが
、高圧板306は比較的高い定電圧(好適な実施例では
約5 KV ) K電気接続される。表面318と32
0との間の電圧降下により、電界線322が2つの表面
間に作られる。表面318と320との間釦ある電界は
事実上一様かつ一定であるc室300の前部近く(第1
3図参照)、および室の後部近くfr−除く)。
、高圧板306は比較的高い定電圧(好適な実施例では
約5 KV ) K電気接続される。表面318と32
0との間の電圧降下により、電界線322が2つの表面
間に作られる。表面318と320との間釦ある電界は
事実上一様かつ一定であるc室300の前部近く(第1
3図参照)、および室の後部近くfr−除く)。
好適な実施例では、1個ではなく複数個のそれぞれの収
集電極312が絶縁物314の上に直線アレイの形で配
列されている。各収集電極312は、平面でありかつ高
圧板306の表面廻対向する表面320を形成している
。複数個の収集電極の平面はすべて共面である(したが
って、これらの表面は共に1つの面を形成する)。各収
集電極312は第4A図の収集素子106に相当する。
集電極312が絶縁物314の上に直線アレイの形で配
列されている。各収集電極312は、平面でありかつ高
圧板306の表面廻対向する表面320を形成している
。複数個の収集電極の平面はすべて共面である(したが
って、これらの表面は共に1つの面を形成する)。各収
集電極312は第4A図の収集素子106に相当する。
所望の場合、素子は複数個の収集電極312の隣接電極
間に置かれて、収集素子106の間の漏話を減少させる
ことができるが、ただし検出量効率はあまり重大に低下
されず、素子間隔はかかるセパレータの追加により悪影
響を受けない(また導電セパレータあるいはI8縁セパ
レータの近くに溜まる電荷忙起因するE電界ひずみはあ
まり重大ではない)。
間に置かれて、収集素子106の間の漏話を減少させる
ことができるが、ただし検出量効率はあまり重大に低下
されず、素子間隔はかかるセパレータの追加により悪影
響を受けない(また導電セパレータあるいはI8縁セパ
レータの近くに溜まる電荷忙起因するE電界ひずみはあ
まり重大ではない)。
前述の通り、信号収集領域はX線検出領域内をtF I
Jアフトる電荷キャリヤによって誘起されるどんな信号
からも遮へいされなければならない。したがって、好適
な実施例では、在来の7リツシユ・グリッド324が高
圧板306と収集電極312との間に平行に置かれ、か
つ収集電極212から所定の距離だけ隔てられる。7リ
ツシユ・グリッド324の設計および構造に関する詳細
は、例えば下記の参考書に見られる: Wi’1kin
sonのイオン乙4、第2章、第37−39頁および第
6章、第6.1節(McGraw−H1l’l 194
9 ) ; Bunemanらの「グリッドイオン化室
の設計」、A 27 Can、 、T。
Jアフトる電荷キャリヤによって誘起されるどんな信号
からも遮へいされなければならない。したがって、好適
な実施例では、在来の7リツシユ・グリッド324が高
圧板306と収集電極312との間に平行に置かれ、か
つ収集電極212から所定の距離だけ隔てられる。7リ
ツシユ・グリッド324の設計および構造に関する詳細
は、例えば下記の参考書に見られる: Wi’1kin
sonのイオン乙4、第2章、第37−39頁および第
6章、第6.1節(McGraw−H1l’l 194
9 ) ; Bunemanらの「グリッドイオン化室
の設計」、A 27 Can、 、T。
Rea、 191 (1949) ; O,R,Fr1
schの未公表報告書BR−49、英国原子方プロジェ
クト;ならびにHoustonの米国特許第4,047
,040号(1977)。
schの未公表報告書BR−49、英国原子方プロジェ
クト;ならびにHoustonの米国特許第4,047
,040号(1977)。
X線がグリッド324と表面320との間の空間に入る
ことが望ましくないのは、グリッドがこの空間内の電荷
キャリヤを遮へいせず、したがって電荷が収集電極31
2に絶えず電荷を誘起するからである。したがって好適
な実施例では、患者の手前のコリメータは表面318と
グリッド324との間の距離よりも広くないX線ビーム
金作るように設計されている(かくてこれら2つの間の
空間は検出容積102を含んでいる)。それでもやはり
、、グリッド324を通って表面320に至る検出容積
102で作られた電荷は、それらがグリッド324を通
る時間から収集電極312に絶えず電荷を誘起する。し
たがって、グリッド324と表面318との間の距離に
関してグリノ)’ 324と表面320との間の距離を
適当に選択することにより、また収集電極312と高圧
板306との電圧に関してグリッド電圧を選択すること
によって、グリッド324と表面320との間の電圧の
強さくしたがって電荷キャリヤの速度vdrift )
を増加させることが望ましい。こうして、グリノr32
4と電極312との間の空間忙電荷キャリヤが存在する
時間は、解像度の損失およびそれによる儂のばやけを減
少するように極めて短くすることができる。
ことが望ましくないのは、グリッドがこの空間内の電荷
キャリヤを遮へいせず、したがって電荷が収集電極31
2に絶えず電荷を誘起するからである。したがって好適
な実施例では、患者の手前のコリメータは表面318と
グリッド324との間の距離よりも広くないX線ビーム
金作るように設計されている(かくてこれら2つの間の
空間は検出容積102を含んでいる)。それでもやはり
、、グリッド324を通って表面320に至る検出容積
102で作られた電荷は、それらがグリッド324を通
る時間から収集電極312に絶えず電荷を誘起する。し
たがって、グリッド324と表面318との間の距離に
関してグリノ)’ 324と表面320との間の距離を
適当に選択することにより、また収集電極312と高圧
板306との電圧に関してグリッド電圧を選択すること
によって、グリッド324と表面320との間の電圧の
強さくしたがって電荷キャリヤの速度vdrift )
を増加させることが望ましい。こうして、グリノr32
4と電極312との間の空間忙電荷キャリヤが存在する
時間は、解像度の損失およびそれによる儂のばやけを減
少するように極めて短くすることができる。
X線が窓304から室300に入ると、それは検出容積
102の中でキセノン・ガスをイオン化して、前述の通
り電荷キャリヤの冥11(1作る。
102の中でキセノン・ガスをイオン化して、前述の通
り電荷キャリヤの冥11(1作る。
電荷対の電子は電界の力を受けて高圧板306の方にド
リフトし始めるが、正イオンは収集電極312の方にド
リフトする。正イオンがグリッド324を通るとき、そ
れらは電極に当たる時まで増加する電荷を収集電極31
2の上に誘起し始める。収集電極312に流れる電流(
在来の装置で測定される)は、収集電極に当たる電荷キ
ャリヤの数に比例し、したがって室300に入るX線の
強さに比例する。
リフトし始めるが、正イオンは収集電極312の方にド
リフトする。正イオンがグリッド324を通るとき、そ
れらは電極に当たる時まで増加する電荷を収集電極31
2の上に誘起し始める。収集電極312に流れる電流(
在来の装置で測定される)は、収集電極に当たる電荷キ
ャリヤの数に比例し、したがって室300に入るX線の
強さに比例する。
好適な実施例の室30口は、正イオンが収集電極312
の方にp IJアフトる速度に事実上等しい速度で(ま
たは負イオンが収集されている場合は負イオンの速度で
)、前述の通り2方向忙移動(または回転)される。し
たがって−正イオンの雲114はX線源(図示されてい
ない)に関して固定され、2方向の収集電極の位置が2
方向の電荷雲の位置に相当する時点で収集電極312に
当たる。こうして、ガス−イオン化室300は本発明に
より1−キネスタチック」モー−で作動され1前述の利
点をすべて得る。前述の通り、走査方向における検出器
100の空間解像度はサンプリング時間τおよび走査速
度V の積に左右される can が、表面318と320との間のギャップには左右され
ない。
の方にp IJアフトる速度に事実上等しい速度で(ま
たは負イオンが収集されている場合は負イオンの速度で
)、前述の通り2方向忙移動(または回転)される。し
たがって−正イオンの雲114はX線源(図示されてい
ない)に関して固定され、2方向の収集電極の位置が2
方向の電荷雲の位置に相当する時点で収集電極312に
当たる。こうして、ガス−イオン化室300は本発明に
より1−キネスタチック」モー−で作動され1前述の利
点をすべて得る。前述の通り、走査方向における検出器
100の空間解像度はサンプリング時間τおよび走査速
度V の積に左右される can が、表面318と320との間のギャップには左右され
ない。
電荷冥のドリフト速度が知られるので、検出器100は
V と等しい大きさの速度で動かさdrifす れることは、本発明の作動にとって重要である。
V と等しい大きさの速度で動かさdrifす れることは、本発明の作動にとって重要である。
IF +7フト速度は、表面318と320との間忙あ
る電界が一様である程度まで一定であるに過ぎない。し
たがって、高圧電極306および収集電極312は検出
容積102の電界が電荷の一リフトの所望方向に対して
一定、一様かつ平行であることを保証するように設計さ
れなければならない。
る電界が一様である程度まで一定であるに過ぎない。し
たがって、高圧電極306および収集電極312は検出
容積102の電界が電荷の一リフトの所望方向に対して
一定、一様かつ平行であることを保証するように設計さ
れなければならない。
表面318と320との間の電界に少しでもひずみがあ
ると、表面318と320との間の電界力線に沿う通路
長さ忙おける変化およびP 17フト速度の変化による
非直線性ならび忙運動のぼやけが生じることがある。
ると、表面318と320との間の電界力線に沿う通路
長さ忙おける変化およびP 17フト速度の変化による
非直線性ならび忙運動のぼやけが生じることがある。
電界がひずみを受けることがあるガス・イオン化室30
0内の1つ領域は、前部窓304または室の後壁(図示
されていない)に近い空間にある。
0内の1つ領域は、前部窓304または室の後壁(図示
されていない)に近い空間にある。
第13図は放射線入射窓304および電極306と31
2に直交する断面の計算された導電付線を示す。電界は
検出容積102において均質で、一様で、かつ一定の奥
行がある。しかし窓304の近くでは、電界線の密度が
減少され、電界はこの区域で平均値より低い値を持ち、
力線の曲げが生じる。窓304の区域における電界のひ
ずみは、窓の近くに「死空間」を作ることによって検出
器100の検出量効rAを減少させる。電界の力線はこ
の[死空間の収集電極312ではなく容器302で終る
ので、「死空間」に作られる電荷は窓304に当たり、
検出器100の信号出力に貢献しない。
2に直交する断面の計算された導電付線を示す。電界は
検出容積102において均質で、一様で、かつ一定の奥
行がある。しかし窓304の近くでは、電界線の密度が
減少され、電界はこの区域で平均値より低い値を持ち、
力線の曲げが生じる。窓304の区域における電界のひ
ずみは、窓の近くに「死空間」を作ることによって検出
器100の検出量効rAを減少させる。電界の力線はこ
の[死空間の収集電極312ではなく容器302で終る
ので、「死空間」に作られる電荷は窓304に当たり、
検出器100の信号出力に貢献しない。
さらに重要と思わることは、窓304の近くの収集電極
312の方を指さない力線は直線ではなく湾曲され、そ
れによって力線が直線であった場合よりも長い通路にわ
たってそれらに続ぐ電荷キャリヤを走行させることであ
る。像のぼやけが生じるのは、かかる電荷キャリヤが検
出容積102を横切るのに長い時間がかり、したがって
検出器100が一定の速度で2方向に移動されるときに
空間に静止しないからである。
312の方を指さない力線は直線ではなく湾曲され、そ
れによって力線が直線であった場合よりも長い通路にわ
たってそれらに続ぐ電荷キャリヤを走行させることであ
る。像のぼやけが生じるのは、かかる電荷キャリヤが検
出容積102を横切るのに長い時間がかり、したがって
検出器100が一定の速度で2方向に移動されるときに
空間に静止しないからである。
第14図は、窓304の近くの領域で電界をさらに一様
にさせる装置326を含む、本発明によるガス・イオン
化室300のもう1つの実施例の側断面図である。窓3
04の近くにある電界のひずみを減少させるためK、装
置326は窓の内面328に近い電圧分布を室300の
内部深くにある電圧分布と全くまたはほぼ同じに保つ。
にさせる装置326を含む、本発明によるガス・イオン
化室300のもう1つの実施例の側断面図である。窓3
04の近くにある電界のひずみを減少させるためK、装
置326は窓の内面328に近い電圧分布を室300の
内部深くにある電圧分布と全くまたはほぼ同じに保つ。
第14図に示される実施例では、絶縁または単結縁材料
の層330が表面328の上に置かれ、複数個の一様に
隔置された平行な導電(例えば金属)ストリップ332
が絶縁層忙固定されている。
の層330が表面328の上に置かれ、複数個の一様に
隔置された平行な導電(例えば金属)ストリップ332
が絶縁層忙固定されている。
ス) IJッゾ332は外部分圧器334に接続され、
分圧器は高圧板306の電圧と収集電極312の電圧と
の間に接続されている。分圧器334はそれに加えられ
る電圧を不連続なステップで逓降させ、逓降された電圧
をス) IJツブ332に加えて、表面328の上の位
置に室300の内部深くの対応する位置と等しい電界の
強さを持たせる。板306に近いストリップ332に加
えられる電圧は収集電極312に近いストリップ332
に加えられる電圧よりも高く、分圧器334はそれが作
る電圧がストリップ332の物理的位置に対応するよう
に作られている。
分圧器は高圧板306の電圧と収集電極312の電圧と
の間に接続されている。分圧器334はそれに加えられ
る電圧を不連続なステップで逓降させ、逓降された電圧
をス) IJツブ332に加えて、表面328の上の位
置に室300の内部深くの対応する位置と等しい電界の
強さを持たせる。板306に近いストリップ332に加
えられる電圧は収集電極312に近いストリップ332
に加えられる電圧よりも高く、分圧器334はそれが作
る電圧がストリップ332の物理的位置に対応するよう
に作られている。
こうして、電極306と312との間に作られる電界の
力線は、窓304の近くで最小のひずみを有する。所望
の場合、ストリップ332および分圧器334は、室3
00の内部の電圧分布に絶えず合致するように連続内部
分圧器として働く高抵抗材料の連続シートに置き替える
ことができる。
力線は、窓304の近くで最小のひずみを有する。所望
の場合、ストリップ332および分圧器334は、室3
00の内部の電圧分布に絶えず合致するように連続内部
分圧器として働く高抵抗材料の連続シートに置き替える
ことができる。
第14図に示される実施例の利点は、より高い量検出効
率(「死空間」の減少による)およびより高い空間解像
度(を界ひずみの減少忙よる)などである。かかる電極
または抵抗性ストリップは、。
率(「死空間」の減少による)およびより高い空間解像
度(を界ひずみの減少忙よる)などである。かかる電極
または抵抗性ストリップは、。
そこに生じる電界のひずみを修正するように室300の
後壁(図示されていない)に置くこともできる。こうし
て、室の前窓および後窓にかかる電圧は2方尚の距離を
直1m忙変えさせることかでき、それによって電荷が室
をドリア、トする間忙電荷の薄い平面を平らに保たせ、
それにより空間解像が改善される。
後壁(図示されていない)に置くこともできる。こうし
て、室の前窓および後窓にかかる電圧は2方尚の距離を
直1m忙変えさせることかでき、それによって電荷が室
をドリア、トする間忙電荷の薄い平面を平らに保たせ、
それにより空間解像が改善される。
電界をひずませるもう1つの作用は、検出器100の検
出容積102に作られる電荷の空間電荷である。第16
図に示される実施例では、正電荷キャリヤの密度は表面
318fCごく近い位置での0から表面320のすぐ隣
りの区域における一定の値慌まで直線的忙変化する。同
様に、負電荷キャリヤの密度は表面318の近くのn−
から表面3200近くの0まで直線的に変化する。これ
らの定数ぺおよびn/;の値は、検出容積102におけ
る材料のイオン化率、イオンが)−” IJ 7 トす
る通路の長さ、電界の強さ、および材料内のイオンの可
動性に左右される。ポアソンの式(mks単位) U(Z) =−ρ/ε (17)および p= −(n”z −n−(h−z)) (1
8)が境界条件U(0)=vo、 U(h)=0ならび
に’Eo=Vo/hの下で 0(z(h (19)について解かれ
るならば、下記の関係が得られる二上記第20式の第2
項は電界の強さの空間電荷成分である。一定の電界を保
つために、この空間電荷成分は外部電界E0と比較して
小でなければならない。
出容積102に作られる電荷の空間電荷である。第16
図に示される実施例では、正電荷キャリヤの密度は表面
318fCごく近い位置での0から表面320のすぐ隣
りの区域における一定の値慌まで直線的忙変化する。同
様に、負電荷キャリヤの密度は表面318の近くのn−
から表面3200近くの0まで直線的に変化する。これ
らの定数ぺおよびn/;の値は、検出容積102におけ
る材料のイオン化率、イオンが)−” IJ 7 トす
る通路の長さ、電界の強さ、および材料内のイオンの可
動性に左右される。ポアソンの式(mks単位) U(Z) =−ρ/ε (17)および p= −(n”z −n−(h−z)) (1
8)が境界条件U(0)=vo、 U(h)=0ならび
に’Eo=Vo/hの下で 0(z(h (19)について解かれ
るならば、下記の関係が得られる二上記第20式の第2
項は電界の強さの空間電荷成分である。一定の電界を保
つために、この空間電荷成分は外部電界E0と比較して
小でなければならない。
正および負の電荷キャリヤが同じ可動性を有するとき、
no ”” no ”” no となり、また第20
式は次のよう忙簡潔化される 第21式の直観的解釈によると、空間電荷はrリフト領
域の中心における電界の強さを減少させるとともに、端
近くでそれを増加させる。
no ”” no ”” no となり、また第20
式は次のよう忙簡潔化される 第21式の直観的解釈によると、空間電荷はrリフト領
域の中心における電界の強さを減少させるとともに、端
近くでそれを増加させる。
負の電荷キャリヤが正の電荷キャリヤのドリフト速度よ
りもはるかに大きい速度でドリフトするとき、第20式
は次のように簡潔化されるこの場合、空間電荷は高圧電
極306の表面318の近くの電界の強さを減少させる
とともに収集電極312の表面320の近くの電界の強
さを増加させる。
りもはるかに大きい速度でドリフトするとき、第20式
は次のように簡潔化されるこの場合、空間電荷は高圧電
極306の表面318の近くの電界の強さを減少させる
とともに収集電極312の表面320の近くの電界の強
さを増加させる。
電界の強さの最大の変化はz=hにおける第22式によ
って示される場合に生じ、すなわちドリフト長さ/αに
おいて電荷キャリヤ濃度n。
って示される場合に生じ、すなわちドリフト長さ/αに
おいて電荷キャリヤ濃度n。
が108cwt−” である場合、電荷から生じる最大
電界はほぼ60V/anである。
電界はほぼ60V/anである。
一定の電荷キャリヤ・ドリフト速度を保つために、X線
フラックスは空間電荷の影響による検出容積102の内
部の電界の者しい変化を防止するタケ低り保たれなけれ
ばならない。X線光子統計と高X線フジンクスでの電界
の非一様性による空間のぼやけとの間に兼ね合いが存在
する。固定ドリフトまたは走査速度および全放射線量に
ついて、電荷分布から生じる電界の微小変化は)017
フト距離ならびに可動性と共に直線的に増加する。しか
し、より強い入射交線が許されかつ所望される他の応用
では、過度の空間電荷が電荷キャリヤのげIJ7ト速度
の一様性に悪い影響を及ぼさないように留意しなげれば
ならない。これは、X線ビームの厚さを減少させたり、
可動性の低い検出媒体または相互作用するビーム光子当
りにより少ない電荷キャリヤを作る検出媒体を使用した
りすることによって行うことができる。
フラックスは空間電荷の影響による検出容積102の内
部の電界の者しい変化を防止するタケ低り保たれなけれ
ばならない。X線光子統計と高X線フジンクスでの電界
の非一様性による空間のぼやけとの間に兼ね合いが存在
する。固定ドリフトまたは走査速度および全放射線量に
ついて、電荷分布から生じる電界の微小変化は)017
フト距離ならびに可動性と共に直線的に増加する。しか
し、より強い入射交線が許されかつ所望される他の応用
では、過度の空間電荷が電荷キャリヤのげIJ7ト速度
の一様性に悪い影響を及ぼさないように留意しなげれば
ならない。これは、X線ビームの厚さを減少させたり、
可動性の低い検出媒体または相互作用するビーム光子当
りにより少ない電荷キャリヤを作る検出媒体を使用した
りすることによって行うことができる。
第15図は、電極306の表面318が平らでかつ表面
320に平行ではなく、傾斜されたり湾曲される、本発
明によるガス・イオン化室検出器300のもう1つの実
施例の側断面図である。
320に平行ではなく、傾斜されたり湾曲される、本発
明によるガス・イオン化室検出器300のもう1つの実
施例の側断面図である。
第15図に示される実施例では、電界の強さは検出容積
102の奥行(y座標)と共に変化する。
102の奥行(y座標)と共に変化する。
窓304の近くに作られる電荷キャリヤは、室300の
より深くに作られる電荷キャリヤに加えられる電界の強
さと異なる電界の強さを受ける。
より深くに作られる電荷キャリヤに加えられる電界の強
さと異なる電界の強さを受ける。
高電圧板を傾斜させる能力は、検出器100の前にある
高い空間電荷を一部補償するとともに、他の利点全も備
えている。
高い空間電荷を一部補償するとともに、他の利点全も備
えている。
例えば、第6A図および第6B図から、検出器100の
後部に近い(すなわち放射源202からさらに離れた)
線214の上に作られる電荷雲は、線214の上の電荷
雲がすべて収集容積104に同時に入るならば、検出器
の前部に近い(すなわち放射線により近い)線214の
±に作られる電荷雲の速度より少し速い速度で走行しな
ければならない。これは、検出器の後部における検出媒
体が検出器の回転により検出器の前部における検出媒体
よりも少し速く動くからである。かくて、移動するとと
もに回転する装置では、検出器の後部における電界の強
さは検出器の前部における電界の強さよりも少し強く、
それによって検出器を通じての電荷雲の速度が電荷雲の
走行する検出媒体の部分の速度に全く等しくかつ正反対
であることが保証されなければならない。
後部に近い(すなわち放射源202からさらに離れた)
線214の上に作られる電荷雲は、線214の上の電荷
雲がすべて収集容積104に同時に入るならば、検出器
の前部に近い(すなわち放射線により近い)線214の
±に作られる電荷雲の速度より少し速い速度で走行しな
ければならない。これは、検出器の後部における検出媒
体が検出器の回転により検出器の前部における検出媒体
よりも少し速く動くからである。かくて、移動するとと
もに回転する装置では、検出器の後部における電界の強
さは検出器の前部における電界の強さよりも少し強く、
それによって検出器を通じての電荷雲の速度が電荷雲の
走行する検出媒体の部分の速度に全く等しくかつ正反対
であることが保証されなければならない。
この結果は、第15図に示される方向と反対の方向に高
圧板(すなわち電極306の表面316)を少し傾斜さ
せることによって最も容易に得られるので、表面316
と320との間のギャップの幅は検出器の後部(すなわ
ち窓304から離れた所)でよりも検出器の前部(すな
わち窓304忙近い所)で少し大5きい。検出器の前部
での電界の強さよりも大きい電界の強さを室300の後
部で(例えば連続抵抗性ス) IJツブを同じ方法で用
いるなどして、室の前部から後部忙かけて少し増加する
電圧こう配を作るように高圧板の上にX方向にわたる導
電材料の分離されたストリツ7°を置くことによって)
作る他の装置を代わりに使用することができる。
圧板(すなわち電極306の表面316)を少し傾斜さ
せることによって最も容易に得られるので、表面316
と320との間のギャップの幅は検出器の後部(すなわ
ち窓304から離れた所)でよりも検出器の前部(すな
わち窓304忙近い所)で少し大5きい。検出器の前部
での電界の強さよりも大きい電界の強さを室300の後
部で(例えば連続抵抗性ス) IJツブを同じ方法で用
いるなどして、室の前部から後部忙かけて少し増加する
電圧こう配を作るように高圧板の上にX方向にわたる導
電材料の分離されたストリツ7°を置くことによって)
作る他の装置を代わりに使用することができる。
第16図は、第6A図および第6B図に示された走査フ
ァン・ビーム放射線撮影装置200の現在好適な実施例
のブロック、図である。装置200は放射線202、コ
リメータ206および検出器100に加えて、下記の構
成部品、すなわち走査モータ250、高圧源254、電
子ディジタイプ256、電子ディジタル・コンピュータ
258、電子データ記憶装置260、および電子像表示
装置262を含んでいる。前述の通り、放射源202は
xmtコリメータ206に向ける。コリメータ206は
X線をファン・ビーム210にコリメートシ、ファン・
ビームを患者264(または問題の他の物体)IIC向
ける。患者264は、所望の場合コンピュータ258に
よって自動調節可能な位置にある台の上に横になること
ができる。患者264を通過する放射線は、検出器10
0によって検出される。検出器100が第13図に示さ
れる実施例の形をとるならば、それは圧力制御器252
(圧力のかかったキセノン・ガスを検出器に供給する)
および高圧源254(検出器の内部に電界を作るに要す
る電圧を供給する)に接続される。圧力制御器252は
、室300の内部忙所望の所定ガス圧力が保たれるよつ
忙、自動または手動で検出器100の内部のキセノン・
ガスの圧力を変える。高圧源254は、電界の強さが変
えられるよう釦電極306と312との間の電圧を(ま
た7リツシユーグリツp324の電圧をも)自動または
手動で選択する。前述の通り1検出器100の中のガス
の密度または検出器の中の電界の強さもしくは両方を変
えることによって、電荷キャリヤのドリフト速度vIl
lr□ftを(検出器の他のパラメータと共K)選択す
ることができる。
ァン・ビーム放射線撮影装置200の現在好適な実施例
のブロック、図である。装置200は放射線202、コ
リメータ206および検出器100に加えて、下記の構
成部品、すなわち走査モータ250、高圧源254、電
子ディジタイプ256、電子ディジタル・コンピュータ
258、電子データ記憶装置260、および電子像表示
装置262を含んでいる。前述の通り、放射源202は
xmtコリメータ206に向ける。コリメータ206は
X線をファン・ビーム210にコリメートシ、ファン・
ビームを患者264(または問題の他の物体)IIC向
ける。患者264は、所望の場合コンピュータ258に
よって自動調節可能な位置にある台の上に横になること
ができる。患者264を通過する放射線は、検出器10
0によって検出される。検出器100が第13図に示さ
れる実施例の形をとるならば、それは圧力制御器252
(圧力のかかったキセノン・ガスを検出器に供給する)
および高圧源254(検出器の内部に電界を作るに要す
る電圧を供給する)に接続される。圧力制御器252は
、室300の内部忙所望の所定ガス圧力が保たれるよつ
忙、自動または手動で検出器100の内部のキセノン・
ガスの圧力を変える。高圧源254は、電界の強さが変
えられるよう釦電極306と312との間の電圧を(ま
た7リツシユーグリツp324の電圧をも)自動または
手動で選択する。前述の通り1検出器100の中のガス
の密度または検出器の中の電界の強さもしくは両方を変
えることによって、電荷キャリヤのドリフト速度vIl
lr□ftを(検出器の他のパラメータと共K)選択す
ることができる。
走査モータ250は、第6A図および第6B図について
前に説明した通り、コリメータ206および検出器10
00両方に機械接続されている。
前に説明した通り、コリメータ206および検出器10
00両方に機械接続されている。
好適な実施例の走査モータ250は、電子ディジタル・
コンピュータ258の制御を受けて作動され、異なる走
査率を選択できる速度を持っている。
コンピュータ258の制御を受けて作動され、異なる走
査率を選択できる速度を持っている。
ドリフトする電荷キャリヤのrリフト速度Vdrift
と走査モータ250の速度との間に必要な明確な関係に
より、装置200は走査そ一夕250の所望速度を選択
し次に圧力制御器252と高圧源254を調節してイオ
ン化rリフト速度を(例えば像のぼやけが最小になるよ
うに)微同調することによって較正される。検出器10
0が走査される速度は、運動人造物および最大の放射源
202の反復時間を除去するように常に選択される。
と走査モータ250の速度との間に必要な明確な関係に
より、装置200は走査そ一夕250の所望速度を選択
し次に圧力制御器252と高圧源254を調節してイオ
ン化rリフト速度を(例えば像のぼやけが最小になるよ
うに)微同調することによって較正される。検出器10
0が走査される速度は、運動人造物および最大の放射源
202の反復時間を除去するように常に選択される。
検出器100の電気出力は、コンピュータ258Off
tlJ御を受けて選択されるサンプリング・レートを持
つ在来の電子ディジタイプ256の人力に加えられゐ。
tlJ御を受けて選択されるサンプリング・レートを持
つ在来の電子ディジタイプ256の人力に加えられゐ。
電子ディジタイf256は所定の周期を置いて検出器1
00の電気出力をサンプルし、合成振幅測定値をディジ
タル値に変換する。コンピュータ258は、既知の方法
を用いてディジタイプ256により作られるディジタル
値を分析し、患者264を通過するX線の強さの空間分
布の像を作る。電子像表示装置262は作られた像を表
示する一方、電子データ記憶装置260は後で検索およ
び分析するために像をディジタルの形で記憶する。
00の電気出力をサンプルし、合成振幅測定値をディジ
タル値に変換する。コンピュータ258は、既知の方法
を用いてディジタイプ256により作られるディジタル
値を分析し、患者264を通過するX線の強さの空間分
布の像を作る。電子像表示装置262は作られた像を表
示する一方、電子データ記憶装置260は後で検索およ
び分析するために像をディジタルの形で記憶する。
実施例は上記に詳しく説明されたが、当業者は本発明の
新しい有利な特徴から逸脱せずに多くの変化および変形
が作られることを認めると思う。
新しい有利な特徴から逸脱せずに多くの変化および変形
が作られることを認めると思う。
さらに、本発明は決して上記の特定な構成部品に制限さ
れず、むしろいろいろな他の方法で実施することができ
る。
れず、むしろいろいろな他の方法で実施することができ
る。
例えば、好適な実施例は検出容積の電荷キャリヤによる
連続電荷誘導に対して収集電極を敏感でなくするフリツ
シュ・グリフpを使用しているう(検出器に接続される
データ取得装置または信号収集素子は、収集電極に流れ
る電流の量的増加のみを検出して連続電流増加を検出し
ないようにさ九フリツシューグリッドが除去される。フ
リツシエ・グリッドにより供給される遮へいも、検出器
が収集電極の近くで電荷増倍(「なだれ作用」)を誘起
するだけの高い電界の強さで作動された場合は不要とな
り、電荷増倍の開始に起因する大きな振幅の電荷にのみ
それを敏感にさせるように収集電極に接続される電子回
路を敏感でなくする。別法として、フリッシュ・グリシ
rは反対極性の電荷キャリヤから力線の大部分を受ける
ように置かれた任意な第6電極と取り替えることができ
る。
連続電荷誘導に対して収集電極を敏感でなくするフリツ
シュ・グリフpを使用しているう(検出器に接続される
データ取得装置または信号収集素子は、収集電極に流れ
る電流の量的増加のみを検出して連続電流増加を検出し
ないようにさ九フリツシューグリッドが除去される。フ
リツシエ・グリッドにより供給される遮へいも、検出器
が収集電極の近くで電荷増倍(「なだれ作用」)を誘起
するだけの高い電界の強さで作動された場合は不要とな
り、電荷増倍の開始に起因する大きな振幅の電荷にのみ
それを敏感にさせるように収集電極に接続される電子回
路を敏感でなくする。別法として、フリッシュ・グリシ
rは反対極性の電荷キャリヤから力線の大部分を受ける
ように置かれた任意な第6電極と取り替えることができ
る。
好適な実施例は1個の7リツシユ・グリツr金用いて説
明されたが、2個以上のフリツシュ・グリッドをイオン
化室内の異なる2位置に置いて、室t−3つ(以上)の
容積に分けることができる。
明されたが、2個以上のフリツシュ・グリッドをイオン
化室内の異なる2位置に置いて、室t−3つ(以上)の
容積に分けることができる。
第17リツシユ・グリッドの位置は第27リツシユ・グ
リシYの位置に関して(X方向またはy方向もしくは両
方向釦)移動されるので、第17リツシユ・グリシrの
ワイヤは第2フリツシユ働グリツrのワイヤの中間に(
Xまたはy方向もしくは両方向に)置かれる。検出器の
空間解像度は最後の電界と最初の電界との比に関係があ
るので、例えば9:1の電界比を持つフリツシュ・グリ
ッド検出器は、2つの3=1電界ブーストを持つ双グリ
ツV室と同じ解像度を有する。しかし、2グリツド室の
実際の解像度が1グリツド室の解像度よりも良好である
のは、第2グリツドが第1グリツfにより作られる電界
ひずみを補償するようにされるからである。
リシYの位置に関して(X方向またはy方向もしくは両
方向釦)移動されるので、第17リツシユ・グリシrの
ワイヤは第2フリツシユ働グリツrのワイヤの中間に(
Xまたはy方向もしくは両方向に)置かれる。検出器の
空間解像度は最後の電界と最初の電界との比に関係があ
るので、例えば9:1の電界比を持つフリツシュ・グリ
ッド検出器は、2つの3=1電界ブーストを持つ双グリ
ツV室と同じ解像度を有する。しかし、2グリツド室の
実際の解像度が1グリツド室の解像度よりも良好である
のは、第2グリツドが第1グリツfにより作られる電界
ひずみを補償するようにされるからである。
好適な実施例の収集素子はy方向に連続である。
しかし、信号収集器はy方向に複数個のセグメントに分
割されるので、前部収集器セグメントは顕著に低いエネ
ルギのX線を受けるが、後部収集器セグメントは顕著い
高いエネルギのxmw受ける。
割されるので、前部収集器セグメントは顕著に低いエネ
ルギのX線を受けるが、後部収集器セグメントは顕著い
高いエネルギのxmw受ける。
同様に、異なる2位置に置かれる2個の平行検出器が使
用され、またX線ビームは高低エネルギのX線が交互に
作られるように反復スイッチされる。
用され、またX線ビームは高低エネルギのX線が交互に
作られるように反復スイッチされる。
スイッチング反復間の比および検出器間の距離力(1つ
の検出器の低エネルギ・パルスが他の検出器の低エネル
ギ・パルスと共にインターリーブされるように選択され
るならば、全空間は高低両エネルギ・ビームによって完
全に覆わる。かかる二重式エネルギ作像は、像から1つ
の背景成分(例えば骨)の除去を可能にする。収集容積
1ky方向に複数個のセグメントに分割することは、X
Gビームのスイッチの必要をなくして1個だけの検出器
の使用を可能にするという利点をもたらす。異なる2位
置に検出器を平行位置くことは、エネルギの分離をより
良くし、したがって成分減少をより良くする。
の検出器の低エネルギ・パルスが他の検出器の低エネル
ギ・パルスと共にインターリーブされるように選択され
るならば、全空間は高低両エネルギ・ビームによって完
全に覆わる。かかる二重式エネルギ作像は、像から1つ
の背景成分(例えば骨)の除去を可能にする。収集容積
1ky方向に複数個のセグメントに分割することは、X
Gビームのスイッチの必要をなくして1個だけの検出器
の使用を可能にするという利点をもたらす。異なる2位
置に検出器を平行位置くことは、エネルギの分離をより
良くし、したがって成分減少をより良くする。
検出媒体忙誘起される電界は一般に一様かつ一定でなけ
ればならないが、ときには・時間的ICまたは検出器内
の位置忙より電界の強さを変えたいと思うことがある。
ればならないが、ときには・時間的ICまたは検出器内
の位置忙より電界の強さを変えたいと思うことがある。
例えば、検出器が放射源の焦点のまわりをピボット回転
される場合、下記のように電界の強さを変えたいと思う
ことがあるE、(y) = Hz(To)・−(24)
O ただし、例えばy。はピボット点から検出器の前部窓ま
での距離である。こうして、検出器を通じての電荷キャ
リヤのrリフト速度は、ぎポット点から電荷キャリヤの
放射距離と共に直接変化するよ5にされる。検出媒体は
放射距離と共に直接変化する速度でも動いて(・るので
、媒体のすべてのy値で「運動均衡」が達成され、それ
忙よって空間解像度の損失が防止される。電界の強さは
このように高圧板を傾斜させることによって変えられる
ので、2個の電極間のギャップΔZ(y)はΔZ(y)
・70/7 %すなわち前述のような湾曲板、抵抗性ス
) IJツブ、または分離導電フィンガの場合にはぼ等
しい。
される場合、下記のように電界の強さを変えたいと思う
ことがあるE、(y) = Hz(To)・−(24)
O ただし、例えばy。はピボット点から検出器の前部窓ま
での距離である。こうして、検出器を通じての電荷キャ
リヤのrリフト速度は、ぎポット点から電荷キャリヤの
放射距離と共に直接変化するよ5にされる。検出媒体は
放射距離と共に直接変化する速度でも動いて(・るので
、媒体のすべてのy値で「運動均衡」が達成され、それ
忙よって空間解像度の損失が防止される。電界の強さは
このように高圧板を傾斜させることによって変えられる
ので、2個の電極間のギャップΔZ(y)はΔZ(y)
・70/7 %すなわち前述のような湾曲板、抵抗性ス
) IJツブ、または分離導電フィンガの場合にはぼ等
しい。
第15図について説明した通り、検出器の後部近くより
もに検出器の前部近くにより大きな電界の強さを作るの
が望ましいことがある。これは検出器のピボット作用を
説明する必要のある修正に対して電界の強さの修正を必
要とするので、これら2つの問題の最悪を修正する兼ね
合いが必要となることがある。
もに検出器の前部近くにより大きな電界の強さを作るの
が望ましいことがある。これは検出器のピボット作用を
説明する必要のある修正に対して電界の強さの修正を必
要とするので、これら2つの問題の最悪を修正する兼ね
合いが必要となることがある。
好適な実施例では正イオンが検出されているが、負イオ
ンまたは正負側イオンが、例えば高圧の極性金逆にする
ことによって検出される。同様に、正帯電または負帯電
の電極が収集電極として使用される。
ンまたは正負側イオンが、例えば高圧の極性金逆にする
ことによって検出される。同様に、正帯電または負帯電
の電極が収集電極として使用される。
好適実施例は電荷積分モーrで作動するものとして説明
されたが、本発明は電荷カウント(比例カウンタ)モー
ドのような他の作動モーrでもおそらく適用性を見いだ
すと思われる。
されたが、本発明は電荷カウント(比例カウンタ)モー
ドのような他の作動モーrでもおそらく適用性を見いだ
すと思われる。
好適な実施例はイオン化媒体としてキセノン・ガスを使
用しているが、事実上あらゆる材料(固体、液体または
気体;絶縁、半導電あるいは導電)を代用することがで
きる。負電荷キャリヤの速度を減少するために、「電子
掃除」(すなわち電子付着)の不純・物ガス(例えばo
2、SF5、WF6すど)が正電荷キャリヤの可動性に
ほぼ等しい負電荷キャリヤの可動性を作るようK(負イ
オンを作るように電子をすぐに付着させることにより)
加えられ、それKよって高X線フラックスで生じる空間
電荷作用を減少させ(それによってE界の一様性の空間
電荷による劣化を減少させる)。
用しているが、事実上あらゆる材料(固体、液体または
気体;絶縁、半導電あるいは導電)を代用することがで
きる。負電荷キャリヤの速度を減少するために、「電子
掃除」(すなわち電子付着)の不純・物ガス(例えばo
2、SF5、WF6すど)が正電荷キャリヤの可動性に
ほぼ等しい負電荷キャリヤの可動性を作るようK(負イ
オンを作るように電子をすぐに付着させることにより)
加えられ、それKよって高X線フラックスで生じる空間
電荷作用を減少させ(それによってE界の一様性の空間
電荷による劣化を減少させる)。
さらに、適当な不純物ガスが加えられて正電荷キャリヤ
よりも低い可動性を持つ負電荷キャリヤを生じさせるな
らば、正キャリヤではなく負キャリヤの収集が同じE界
および圧力条件で走査速度を減少させ、またはより高い
E界/圧力比で同じ走査速度を与えることができる。前
者の条件は走査速度を遅くするとともに放射線検出を増
加させる(B/Ht−高くする)一方、後者の条件は空
間電荷の作用を減少させるのに役立つ。可動性を変える
ために主体ガスおよび添加物から成る分子イオンを形成
するような、他の理由で、主体物に他の添加ガスまたは
全く新しいガスさえも加えることがある。第2ガスを加
えるもう1つの可能な使用は、1体のX線吸収を増めた
り二次X線または電子の解放および再吸収を作ることで
ある(解像度改善あるいはノイズ減少のた)。加えられ
るガスの有力候補は、極めて重いガスWF6である。
よりも低い可動性を持つ負電荷キャリヤを生じさせるな
らば、正キャリヤではなく負キャリヤの収集が同じE界
および圧力条件で走査速度を減少させ、またはより高い
E界/圧力比で同じ走査速度を与えることができる。前
者の条件は走査速度を遅くするとともに放射線検出を増
加させる(B/Ht−高くする)一方、後者の条件は空
間電荷の作用を減少させるのに役立つ。可動性を変える
ために主体ガスおよび添加物から成る分子イオンを形成
するような、他の理由で、主体物に他の添加ガスまたは
全く新しいガスさえも加えることがある。第2ガスを加
えるもう1つの可能な使用は、1体のX線吸収を増めた
り二次X線または電子の解放および再吸収を作ることで
ある(解像度改善あるいはノイズ減少のた)。加えられ
るガスの有力候補は、極めて重いガスWF6である。
好適な実施例はX線の走査ファン・ビームを使用してい
るが、かかるビーム使用の主な理由は、人体の放射線撮
影において患者の被放射量を減少させかつX線の散乱を
減少させることである。かかる考慮は、工業用放射線撮
影のような他の応用では存在しないことがあり、またX
線の広域またはペンシル・ビームがファン・ビームに代
わることがある。さらに、本発明は決して放射線撮影の
応用に制限されず、事実上すべての工程から生じるイオ
ン化現象と組み合わされる電荷の検出が望まれるすべて
の応用において応用の可能性を見いだす。さらに、イオ
ン化は媒体内で生じる必要がなく、その代わりにイオン
が媒体に注入されることがある。
るが、かかるビーム使用の主な理由は、人体の放射線撮
影において患者の被放射量を減少させかつX線の散乱を
減少させることである。かかる考慮は、工業用放射線撮
影のような他の応用では存在しないことがあり、またX
線の広域またはペンシル・ビームがファン・ビームに代
わることがある。さらに、本発明は決して放射線撮影の
応用に制限されず、事実上すべての工程から生じるイオ
ン化現象と組み合わされる電荷の検出が望まれるすべて
の応用において応用の可能性を見いだす。さらに、イオ
ン化は媒体内で生じる必要がなく、その代わりにイオン
が媒体に注入されることがある。
電荷キャリヤの検出は、検出電極に流れる電流を感知す
ることによって好適実施例で達成されている。しかし、
電荷キャリヤを検出する他の方睦(例えばシンチレーシ
ョン検出法、走査電子またはレーデ−ビームによる連続
走査法、あるいは任意な他の空間識別信号検出または記
録方法など)がすべて可能であり、また本発明は電荷キ
ャリヤを検出する任意の特定な方法に制限されるものと
考えてはならない。さらに、信号検出装置の出力は、電
気信号、電磁エネルギ、音響エネルギ、写真その他の方
法で記録される像などのような任意の形であることがで
きる。収集電極は、アークまたは特定の応用によって定
められる特殊パターンのような、任意の所望な方法で配
列される。さらに、本発明は決して電荷キャリヤの空間
分布の二次元検出に制限されず、−次元または三次元の
分布検出にも使用さる。
ることによって好適実施例で達成されている。しかし、
電荷キャリヤを検出する他の方睦(例えばシンチレーシ
ョン検出法、走査電子またはレーデ−ビームによる連続
走査法、あるいは任意な他の空間識別信号検出または記
録方法など)がすべて可能であり、また本発明は電荷キ
ャリヤを検出する任意の特定な方法に制限されるものと
考えてはならない。さらに、信号検出装置の出力は、電
気信号、電磁エネルギ、音響エネルギ、写真その他の方
法で記録される像などのような任意の形であることがで
きる。収集電極は、アークまたは特定の応用によって定
められる特殊パターンのような、任意の所望な方法で配
列される。さらに、本発明は決して電荷キャリヤの空間
分布の二次元検出に制限されず、−次元または三次元の
分布検出にも使用さる。
一定速度での検出器の移動が好適実施例に使用されてい
るが、例えば変化する媒体の可動性または電界の強さも
しくは両方に左右される変化する速度での検出器の非直
線、非ランダムな移動が他の応用化おいて役立つことが
ある。同様に、好適な実施例のX線は検出器に絶えず向
けられているが、応用(例えば電子積分または自動ゼロ
修正用の時間を与える応用)あるいは放射源の特性次第
で、パルス作動モーrが望ましいことがある。したがっ
て、すべてのかかる変化および変形が特許請求の範囲内
に含まれるようにされている。
るが、例えば変化する媒体の可動性または電界の強さも
しくは両方に左右される変化する速度での検出器の非直
線、非ランダムな移動が他の応用化おいて役立つことが
ある。同様に、好適な実施例のX線は検出器に絶えず向
けられているが、応用(例えば電子積分または自動ゼロ
修正用の時間を与える応用)あるいは放射源の特性次第
で、パルス作動モーrが望ましいことがある。したがっ
て、すべてのかかる変化および変形が特許請求の範囲内
に含まれるようにされている。
第1図は検出器アレイの有効検出素子の視野に対する関
係を示す先行技術の広域ビーム・ディジタル放射線撮影
装置の概略図、第1A図は第1図に示された検出器プレ
イの検出素子の細部概略平面図、第2図は先行技術の走
査ファン争ビーム・ディジタル放射線撮影装置の概略図
、第3図は走査ディジタル放射線撮影に用いられる形の
先行技術のキセノン・イオン化検出器の側面斜視図、第
4A図および第4B図は本発明による電荷検出器の現在
好適な実施例の概略図、第5A図、第5B図および第5
C図は第4A図ならび忙第4B図に示された検出器にお
ける時間にわたる電荷積分の概略図、第6A図および第
6B図は第4A図ならび化第4B図忙示された検出器を
用いる本発明による走査放射線撮影装置の概略図、第7
図は作像すべき物体の側面斜視図、第8A図および第8
B図は第7図忙示された物体を通過するX線の第4A図
ならびに第4B図に示される検出器による検出の概略図
、第9図は第8A図ならびに第8B図に示された検出か
ら生じる電気信号を表わすグラフ、第10図は第8A図
ならびに第8B図に示された検出手順忙よって作られた
像を表わす図、第11図は1個の高エネルギ電子によっ
て作られる電荷キャリヤの放射状空間分布を表わすグラ
フ、第12図は第4A図ならびに第4B図に示された検
出器の収集容積I/crs方向K y IJ 7 トし
ている電荷冥を表わすグラフ、第13図は本発明による
ガス・イオン化室検出器の側断面図、第14図は本発明
によるガス・イオン化室検出器のもう1つの実施例の側
断面図、第15図は本発明によるガス・イオン化室検出
器の第6実施例の側断面図、第16図は本発明忙よる8
!皐の走査ディジタル放射線撮影装置の概略ブロック図
である。 符号の説明: 10〇−検出器:102−検出容積:104−収集容積
;11〇−電荷雲:112,114−電荷雲;200−
放射線撮影装置;202−放射源;204.206−コ
リメータ;208.22&−物体;210−ビーム;2
5〇−走査モータ:252−圧力制御器;254−高圧
源; 256−ゾイジタイデ;ZSS−コンピュータ;
260−データ記憶装置;262−表示装置;264−
患者
係を示す先行技術の広域ビーム・ディジタル放射線撮影
装置の概略図、第1A図は第1図に示された検出器プレ
イの検出素子の細部概略平面図、第2図は先行技術の走
査ファン争ビーム・ディジタル放射線撮影装置の概略図
、第3図は走査ディジタル放射線撮影に用いられる形の
先行技術のキセノン・イオン化検出器の側面斜視図、第
4A図および第4B図は本発明による電荷検出器の現在
好適な実施例の概略図、第5A図、第5B図および第5
C図は第4A図ならび忙第4B図に示された検出器にお
ける時間にわたる電荷積分の概略図、第6A図および第
6B図は第4A図ならび化第4B図忙示された検出器を
用いる本発明による走査放射線撮影装置の概略図、第7
図は作像すべき物体の側面斜視図、第8A図および第8
B図は第7図忙示された物体を通過するX線の第4A図
ならびに第4B図に示される検出器による検出の概略図
、第9図は第8A図ならびに第8B図に示された検出か
ら生じる電気信号を表わすグラフ、第10図は第8A図
ならびに第8B図に示された検出手順忙よって作られた
像を表わす図、第11図は1個の高エネルギ電子によっ
て作られる電荷キャリヤの放射状空間分布を表わすグラ
フ、第12図は第4A図ならびに第4B図に示された検
出器の収集容積I/crs方向K y IJ 7 トし
ている電荷冥を表わすグラフ、第13図は本発明による
ガス・イオン化室検出器の側断面図、第14図は本発明
によるガス・イオン化室検出器のもう1つの実施例の側
断面図、第15図は本発明によるガス・イオン化室検出
器の第6実施例の側断面図、第16図は本発明忙よる8
!皐の走査ディジタル放射線撮影装置の概略ブロック図
である。 符号の説明: 10〇−検出器:102−検出容積:104−収集容積
;11〇−電荷雲:112,114−電荷雲;200−
放射線撮影装置;202−放射源;204.206−コ
リメータ;208.22&−物体;210−ビーム;2
5〇−走査モータ:252−圧力制御器;254−高圧
源; 256−ゾイジタイデ;ZSS−コンピュータ;
260−データ記憶装置;262−表示装置;264−
患者
Claims (14)
- (1)物体の内部を作像する装置であつて、電流を導く
第1導電装置と、 電流を導く第2導電装置と、 前記第1導電装置に関して前記第2導電装置の位置を固
定してその間にギャップを形成する固定装置と、 作像すべき物体を保持する物体位置ぎめ装置と、物体の
少なくとも一部および前記ギャップにイオン化放射線を
向ける放射源装置と、 前記ギャップ内に置かれ、前記放射線に応じてイオン化
し電荷キャリヤを作る媒体装置と、前記第1および第2
導電装置に電気接続されて、前記ギャップ内に電荷キャ
リヤを誘起し、前記放射線に事実上垂直な第1方向にド
リフトさせる電荷キャリヤの移動装置と、 電荷キャリヤと物体の部分が放射源からギャップに至る
放射線の通路に沿つて相互に固定するように、事実上円
形通路に沿つて前記ギャップと前記物体位置ぎめ装置と
の間に相対運動を生じさせる運動装置と、 前記ギャップ内の電荷キャリヤを検出する検出装置と、 を含むことを特徴とする前記作像装置。 - (2)前記電荷キャリヤ移動装置は前記第1および第2
導電装置間のすべての位置でひずみのない電界を作る装
置を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載に
よる作像装置。 - (3)前記電荷キャリヤ移動装置は相互に所定の角度で
置かれる第1および第2電極装置を含む空間で変化する
電界を作る装置をさらに含むことを特徴とする特許請求
の範囲第2項記載による作像装置。 - (4)前記固定装置は室を形成する装置を含み、前記媒
体装置は少なくとも1つの形の与圧流体を含み、 前記作像装置は前記キャリヤのドリフト速度V_d_r
_i_f_tを選択する装置をさらに含み、前記ドリフ
ト速度選択装置は前記流体の圧力を調節する少なくとも
1つの装置と電界の強さを調節する装置とを含む、 ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載による作像
装置。 - (5)前記運動装置は前記放射源装置を中心とする前記
事実上円形通路に沿つて前記ギャップを一定の速度V_
s_c_a_nで動かす装置を含むことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載による作像装置。 - (6)ひずみのない電界を作る前記装置は前記ギャップ
内に置かれる少なくとも2つのフリッシュ(Frisc
h)グリッドを含むことを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載による作像装置。 - (7)前記検出装置は前記電荷キャリヤを検出する少な
くとも1つの信号コレクタを含むことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載による作像装置。 - (8)媒体と、 前記媒体内に電荷を選択的に作る装置と、 電荷キャリヤの再結合を防止する装置と、 電荷キャリヤの移動速度が前記媒体内の位置の関数とな
るように前記媒体を電荷キャリヤを作る装置に関して移
動させる装置と、 前記媒体の所定部分にある電荷キャリヤを検出する検出
装置と を含むことを特徴とする情報記憶装置。 - (9)物体の内部を作像する方法であつて、第1装置を
用いて第1電流を導く段階と、 第2装置を用いて第2電流を導く段階と、 前記第2導電装置の前記第1導電装置に関する位置を固
定してその間にギャップを形成する固定段階と、 作像すべき物体を保持する段階と、 物体の少なくとも一部および前記ギャップにイオン化放
射線を向ける段階と、 前記ギャップ内に、電荷キャリヤを作る前記放射線に応
じてイオン化する媒体装置を供給する段階と、 前記ギャップ内に電荷キャリヤを誘起して前記放射線に
事実上垂直な第1方向にドリフトする段階と、 電荷キャリヤおよび物体の部分が放射源からギャップに
至る通路に沿つて相互に固定するような事実上円形の通
路に沿い前記ギャップと前記物体との間に相対運動を生
じさせる段階と、 前記ギャップにある電荷キャリヤを検出する段階と を含むことを特徴とする前記作像方法。 - (10)前記第1および第2装置の間のすべての位置で
ひずみのない電界を作る段階をさらに含むことを特徴と
する特許請求の範囲第9項記載による作像方法。 - (11)前記電荷キャリヤを誘起してドリフトする段階
は相互に所定の角度で第1および第2電極を置くことに
よつて空間変化する電界を作る段階を含むことを特徴と
する特許請求の範囲第10項記載による作像方法。 - (12)前記固定段階は室を形成し、 前記媒体装置を供給する段階は少なくとも1つの形の与
圧流体を供給する段階を含み、 前記作像方法は前記キャリヤのドリフト速度V_d_r
_i_f_tを選択する手段を含み、前記ドリフト速度
選択段階は少なくとも1つの前記流体の圧力を調節する
段階と電界の強さを調節する段階とを含む ことを特徴とする特許請求の範囲第10項記載による作
像方法。 - (13)前記相対運動を生じさせる段階は前記放射源装
置を中心とする事実上円形の通路に沿つて前記ギャップ
を一定速度V_s_c_a_nで動かす段階を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第9項記載による作像方法
。 - (14)媒体を得る段階と、 前記媒体に電荷キャリヤを選択して作る段階と、電荷キ
ャリヤの再結合を防止する段階と、 電荷キャリヤの移動速度が前記媒体内の位置の関数とな
るように前記媒体を電荷キャリヤに関して移動する段階
と、 前記媒体の所定部分にある電荷キャリヤを検出する段階
と を含むことを特徴とする情報記憶方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US721727 | 1985-04-10 | ||
| US06/721,727 US4707608A (en) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | Kinestatic charge detection using synchronous displacement of detecting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62325A true JPS62325A (ja) | 1987-01-06 |
| JPH07114771B2 JPH07114771B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=24899058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61081977A Expired - Lifetime JPH07114771B2 (ja) | 1985-04-10 | 1986-04-09 | 放射線検出による作像装置及び方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707608A (ja) |
| EP (1) | EP0198659B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07114771B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001843B1 (ja) |
| DE (1) | DE3689492T2 (ja) |
| IL (1) | IL78453A (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4795909A (en) * | 1987-10-09 | 1989-01-03 | University Of North Carolina | High performance front window for a kinestatic charge detector |
| US4831260A (en) * | 1987-10-09 | 1989-05-16 | University Of North Caroline At Chapel Hill | Beam equalization method and apparatus for a kinestatic charge detector |
| US4841152A (en) * | 1988-05-13 | 1989-06-20 | University Of North Carolina At Chapel Hill | Continuous-resistance field shaping element for a kinestatic charge detector |
| US4879469A (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-07 | University Of North Carolina | Mixed media for kinestatic charge detectors |
| US4970398A (en) * | 1989-06-05 | 1990-11-13 | General Electric Company | Focused multielement detector for x-ray exposure control |
| US5262649A (en) * | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
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1986
- 1986-04-09 JP JP61081977A patent/JPH07114771B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1986-04-09 EP EP86302620A patent/EP0198659B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-09 DE DE86302620T patent/DE3689492T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-10 KR KR1019860002729A patent/KR940001843B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| IL78453A0 (en) | 1986-08-31 |
| KR860007919A (ko) | 1986-11-10 |
| JPH07114771B2 (ja) | 1995-12-13 |
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| US4707608A (en) | 1987-11-17 |
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| DE3689492D1 (de) | 1994-02-17 |
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