JPS6232604B2 - - Google Patents
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- JPS6232604B2 JPS6232604B2 JP13817778A JP13817778A JPS6232604B2 JP S6232604 B2 JPS6232604 B2 JP S6232604B2 JP 13817778 A JP13817778 A JP 13817778A JP 13817778 A JP13817778 A JP 13817778A JP S6232604 B2 JPS6232604 B2 JP S6232604B2
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N disodium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Sn]([O-])=O TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229940079864 sodium stannate Drugs 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電極密着強度、半田付性に優れ、しか
も安価な積層形磁器コンデンサの製造方法に関す
る。
も安価な積層形磁器コンデンサの製造方法に関す
る。
積層磁器コンデンサは小型で信頼性が高く、プ
リント配線パターンへの自動装置に好適であるた
めに、特に最近、超薄形ラジオ、超小形トランシ
ーバ、電子チユーナ等の小型高密度実装化に対応
して、需要が急速に拡大しつつある。
リント配線パターンへの自動装置に好適であるた
めに、特に最近、超薄形ラジオ、超小形トランシ
ーバ、電子チユーナ等の小型高密度実装化に対応
して、需要が急速に拡大しつつある。
第1図は従来の積層形磁器コンデンサの断面図
を示している。図において、1は磁器誘電体素
体、2は白金、パラジウム等の貴金属から成る内
部電極、3,4は磁器誘電体素体1の両側部に設
けられた端子電極で、内部電極2を隔一毎に接続
してある。
を示している。図において、1は磁器誘電体素
体、2は白金、パラジウム等の貴金属から成る内
部電極、3,4は磁器誘電体素体1の両側部に設
けられた端子電極で、内部電極2を隔一毎に接続
してある。
ところで、この積層形磁器コンデンサは、その
内部電極2を形成するにあたり、チタン酸バリウ
ム、酸化チタン等を使用して50〜100μ程度の厚
さに形成された可塑性フイルム上に、内部電極ペ
ーストを塗布し、これを所望枚数だけ重畳して
1100℃〜1400℃の高温度で焼結させるようにして
あつた。したがつて内部電極は1100℃〜1400℃の
高温に耐え得る融点の高い高価な金属、たとえば
白金、パラジウム等の貴金属によつて構成しなけ
ればならない。ところが、これらの内部電極2を
並列に接続する端子電極3,4を、半田付強度を
持たせるため、フリツト含有銀電極の焼付法によ
つて形成した場合、互に異質の金属となるため
に、内部電極2と端子電極3,4が、冶金学的拡
散性質により拡散移行して合金化され、その接続
が断たれ容量不足あるいは容量が全く出ないとい
う事故を生じることもあつた。このような合金化
防止のために、従来は端子電極の銀中に内部電極
と同質の白金またはパラジウムを3%以上混入し
てあつた。しかし白金またはパラジウム等は高価
な貴金属であり、当該積層形磁器コンデンサがは
なはだ高価なものとなつてしまう。そこでこのよ
うなコストアツプの欠点を除くため、安価な卑金
属であるニツケル、銅またはスズを使用して端子
電極を形成することが望まれる。
内部電極2を形成するにあたり、チタン酸バリウ
ム、酸化チタン等を使用して50〜100μ程度の厚
さに形成された可塑性フイルム上に、内部電極ペ
ーストを塗布し、これを所望枚数だけ重畳して
1100℃〜1400℃の高温度で焼結させるようにして
あつた。したがつて内部電極は1100℃〜1400℃の
高温に耐え得る融点の高い高価な金属、たとえば
白金、パラジウム等の貴金属によつて構成しなけ
ればならない。ところが、これらの内部電極2を
並列に接続する端子電極3,4を、半田付強度を
持たせるため、フリツト含有銀電極の焼付法によ
つて形成した場合、互に異質の金属となるため
に、内部電極2と端子電極3,4が、冶金学的拡
散性質により拡散移行して合金化され、その接続
が断たれ容量不足あるいは容量が全く出ないとい
う事故を生じることもあつた。このような合金化
防止のために、従来は端子電極の銀中に内部電極
と同質の白金またはパラジウムを3%以上混入し
てあつた。しかし白金またはパラジウム等は高価
な貴金属であり、当該積層形磁器コンデンサがは
なはだ高価なものとなつてしまう。そこでこのよ
うなコストアツプの欠点を除くため、安価な卑金
属であるニツケル、銅またはスズを使用して端子
電極を形成することが望まれる。
しかしこれらの卑金属のペーストは、酸化雰囲
気中で焼結すると酸化してしまうため、銀−パナ
ジウム系電極のように磁器誘電体素体に焼付ける
ことは不可能である。また前記卑金属のペースト
は、還元雰囲気中であれば焼結させることは可能
であるが、この場合は磁器誘電体素体も同時に還
元されてしまうため、諸特性の満足のゆく磁器コ
ンデンサを得ることができないという問題があつ
た。
気中で焼結すると酸化してしまうため、銀−パナ
ジウム系電極のように磁器誘電体素体に焼付ける
ことは不可能である。また前記卑金属のペースト
は、還元雰囲気中であれば焼結させることは可能
であるが、この場合は磁器誘電体素体も同時に還
元されてしまうため、諸特性の満足のゆく磁器コ
ンデンサを得ることができないという問題があつ
た。
また銀焼付法は半田浸漬後銀の半田への拡散移
行剥離等を生じ、電極密度強度が低下して不安定
となり易く、コンデンサ容量の減少およびtanδ
の劣化等を招いてしまう欠点があつた。
行剥離等を生じ、電極密度強度が低下して不安定
となり易く、コンデンサ容量の減少およびtanδ
の劣化等を招いてしまう欠点があつた。
さらにフリツト含有銀・パラジウムもしくは白
金系のペーストを磁器誘電体素体上に印刷塗布す
る場合、塗布厚みのコントロールが非常に難し
く、どうしてもバラツキを生じてしまうため、電
極厚みにもバラツキを生じ、磁器コンデンサの外
形寸法を所定値にコントロールするのが非常に困
難になつていた。しかも電極厚みが大きくなるた
め、積層形磁器コンデンサ自動装着機のマガジン
に装填し得る積層形磁器コンデンサの量が少な
く、生産性が悪くなるという欠点もあつた。因に
従来の積層形磁器コンデンサの電極厚みは15〜50
μ程度である。
金系のペーストを磁器誘電体素体上に印刷塗布す
る場合、塗布厚みのコントロールが非常に難し
く、どうしてもバラツキを生じてしまうため、電
極厚みにもバラツキを生じ、磁器コンデンサの外
形寸法を所定値にコントロールするのが非常に困
難になつていた。しかも電極厚みが大きくなるた
め、積層形磁器コンデンサ自動装着機のマガジン
に装填し得る積層形磁器コンデンサの量が少な
く、生産性が悪くなるという欠点もあつた。因に
従来の積層形磁器コンデンサの電極厚みは15〜50
μ程度である。
本発明は叙上の欠点問題点を除去し、量産性に
秀れ低価格でしかも電極密着強度および半田付性
の良好な積層形磁器コンデンサの製造方法を提供
することを目的とする。
秀れ低価格でしかも電極密着強度および半田付性
の良好な積層形磁器コンデンサの製造方法を提供
することを目的とする。
上記目的を達成するため本発明に係る積層形磁
器コンデンサの製造方法は、化学的エツチング法
により粗面化された磁器誘電体素体の全表面に無
電解メツキ法によりニツケルの第1導電層を形成
し、次いで端子電極となる部分のみを残して他の
部分は除去すべく前記第1導電層をエツチング処
理した後、前記第1導電層上にバレルメツキ法に
より錫を最外層とする第2導電層を電着すること
を特徴とする。
器コンデンサの製造方法は、化学的エツチング法
により粗面化された磁器誘電体素体の全表面に無
電解メツキ法によりニツケルの第1導電層を形成
し、次いで端子電極となる部分のみを残して他の
部分は除去すべく前記第1導電層をエツチング処
理した後、前記第1導電層上にバレルメツキ法に
より錫を最外層とする第2導電層を電着すること
を特徴とする。
以下実施例たる添付図面を参照し本発明の内容
を詳説する。第2図A乃至Eは本発明に係る積層
形磁器コンデンサの製造方法の工程説明図であ
る。
を詳説する。第2図A乃至Eは本発明に係る積層
形磁器コンデンサの製造方法の工程説明図であ
る。
第2図Aの如く内部電極5,6を層状に埋設し
た平板状の磁器誘電体素体7の表面を、化学的エ
ツチングにより粗面化して凹凸層8を形成する
(第2図B)。前述の化学的エツチング方法として
は、たとえば硝酸(HNO3)とフツ酸(HF)の混
合液を用いるが、各液の役目は、硝酸は酸化剤と
して洗浄効果を増し、フツ酸は浸蝕性が強いので
素体7をエツチングすることである。このように
磁器誘電体素体7の表面を粗面化すると、第2図
Cの如く磁器誘電体素体7の表面にニツケルの第
1導電層9を形成した場合、ニツケル粒子が素体
7の表面凹凸層8に喰い込むこととなるので、密
着強度を良好かつ安定にすることができる。しか
しエツチングを行なうフツ酸の量が多すぎたり、
エツチング時間が長すぎたりすると、エツチング
過剰となり磁器誘電体素体7が脆くなるため、密
着強度が低下したり不安定になり易いから、充分
な注意が必要である。なお、化学的エツチング法
以外の機械的粗面化の方法は、無電解に対する密
着強度がなくなるので不適当である。
た平板状の磁器誘電体素体7の表面を、化学的エ
ツチングにより粗面化して凹凸層8を形成する
(第2図B)。前述の化学的エツチング方法として
は、たとえば硝酸(HNO3)とフツ酸(HF)の混
合液を用いるが、各液の役目は、硝酸は酸化剤と
して洗浄効果を増し、フツ酸は浸蝕性が強いので
素体7をエツチングすることである。このように
磁器誘電体素体7の表面を粗面化すると、第2図
Cの如く磁器誘電体素体7の表面にニツケルの第
1導電層9を形成した場合、ニツケル粒子が素体
7の表面凹凸層8に喰い込むこととなるので、密
着強度を良好かつ安定にすることができる。しか
しエツチングを行なうフツ酸の量が多すぎたり、
エツチング時間が長すぎたりすると、エツチング
過剰となり磁器誘電体素体7が脆くなるため、密
着強度が低下したり不安定になり易いから、充分
な注意が必要である。なお、化学的エツチング法
以外の機械的粗面化の方法は、無電解に対する密
着強度がなくなるので不適当である。
エツチング処理を施した後、磁器誘電体素体7
からフツ酸、硝酸を除去しなければならない。フ
ツ酸、硝酸の除去は、水洗い、中和または煮沸す
ることによつて行なわれるが、残留分があると、
活性化、鋭敏化し、次工程のメツキ層に班を生じ
るからエツチング後の処理は十分な注意を要す
る。
からフツ酸、硝酸を除去しなければならない。フ
ツ酸、硝酸の除去は、水洗い、中和または煮沸す
ることによつて行なわれるが、残留分があると、
活性化、鋭敏化し、次工程のメツキ層に班を生じ
るからエツチング後の処理は十分な注意を要す
る。
次に磁器誘電体素体7の凹凸層8の全面に、た
とえばバレル方式の無電解メツキ法によつて、ニ
ツケルの第1導電層9を形成する(第2図C)。
第1導電層9を形成する材質を金属単体とする場
合、ニツケル以外の銅等は加熱処理を施しても密
着強度が向上しないので不適当であることが確認
されている。なお第1導電層9の層厚は3〜5μ
程度の薄層に形成することが可能である。
とえばバレル方式の無電解メツキ法によつて、ニ
ツケルの第1導電層9を形成する(第2図C)。
第1導電層9を形成する材質を金属単体とする場
合、ニツケル以外の銅等は加熱処理を施しても密
着強度が向上しないので不適当であることが確認
されている。なお第1導電層9の層厚は3〜5μ
程度の薄層に形成することが可能である。
次に第1導電層9のうち端子電極となる部分、
すなわち磁器誘電体素体7の上下面の両側部S1,
S2およびこれに連なる両側面S3,S4にエツチング
レジストとしてTiO2含有の有機物レジストをマ
スキングする。次に他にの部分P1,P2を化学的エ
ツチング法により除去することにより、中央部に
磁器誘電体素体7の表面を露出させ、両側に端子
電極となる第1導電層9を被覆した磁器誘電体を
得ることとなる(第2図D)。なおこの場合のエ
ツチング液として塩化第二鉄(FeCl3)を使用し
た。
すなわち磁器誘電体素体7の上下面の両側部S1,
S2およびこれに連なる両側面S3,S4にエツチング
レジストとしてTiO2含有の有機物レジストをマ
スキングする。次に他にの部分P1,P2を化学的エ
ツチング法により除去することにより、中央部に
磁器誘電体素体7の表面を露出させ、両側に端子
電極となる第1導電層9を被覆した磁器誘電体を
得ることとなる(第2図D)。なおこの場合のエ
ツチング液として塩化第二鉄(FeCl3)を使用し
た。
エツチング処理の後、レジスト、エツチング処
理液を除去する後処理工程が行なわれることは勿
論であるが、以上の第1導電層9を形成すること
により、一応磁器コンデンサの形態を具えること
となる。しかしニツケルの第1導電層9のみで
は、経時変化による酸化を生じ易く、半田浸漬等
の工程で半田付が悪く剥離を生じ、その結果容量
落ち等の特性劣化が起る。
理液を除去する後処理工程が行なわれることは勿
論であるが、以上の第1導電層9を形成すること
により、一応磁器コンデンサの形態を具えること
となる。しかしニツケルの第1導電層9のみで
は、経時変化による酸化を生じ易く、半田浸漬等
の工程で半田付が悪く剥離を生じ、その結果容量
落ち等の特性劣化が起る。
そこで第1導電層9のニツケル層を酸化させな
いためと、半田付性を良好にするため、本発明に
おいては第1導電層9の上に、バレルメツキ法に
より錫を最外層とする第2導電層10を電着する
(第2図E)。
いためと、半田付性を良好にするため、本発明に
おいては第1導電層9の上に、バレルメツキ法に
より錫を最外層とする第2導電層10を電着する
(第2図E)。
第3図はバレルメツキ装置の斜視図、第4図は
バレルメツキ装置における回転バレルの拡大図で
ある。図に示す如く、バレルメツキ装置は電解槽
11内の電解液12中に、多孔筒体状の回転バレ
ル13を浸漬すると共に、該回転バレル13の回
転軸14,14に同軸状に装着した歯車15に、
動力源側の歯車16をかみ合わせることにより、
回転バレル13を電解液12中で回転させるよう
にしてある。回転バレル13の筒体内には陰極1
7,18を距離をおいて対向配設してあつて、陰
極17,18の一方、例えば該陰極17は集電体
19に摺接させたブラシ20を通じて給電され
る。21は陽極である。
バレルメツキ装置における回転バレルの拡大図で
ある。図に示す如く、バレルメツキ装置は電解槽
11内の電解液12中に、多孔筒体状の回転バレ
ル13を浸漬すると共に、該回転バレル13の回
転軸14,14に同軸状に装着した歯車15に、
動力源側の歯車16をかみ合わせることにより、
回転バレル13を電解液12中で回転させるよう
にしてある。回転バレル13の筒体内には陰極1
7,18を距離をおいて対向配設してあつて、陰
極17,18の一方、例えば該陰極17は集電体
19に摺接させたブラシ20を通じて給電され
る。21は陽極である。
上述のバレルメツキ装置を使用してバレルメツ
キを施すには、回転バレル13内に第2図Dの如
く第1導電層9を形成した磁器誘電体を収納し、
陰極17および陽極21に電流を供給しながら回
転バレル13を電解液12中で回転させる。する
と回転バレル13内の電解液中を磁器誘電体22
が転動し、第1導電層9の表面にのみ錫の第2導
電層10が電着されることとなる。
キを施すには、回転バレル13内に第2図Dの如
く第1導電層9を形成した磁器誘電体を収納し、
陰極17および陽極21に電流を供給しながら回
転バレル13を電解液12中で回転させる。する
と回転バレル13内の電解液中を磁器誘電体22
が転動し、第1導電層9の表面にのみ錫の第2導
電層10が電着されることとなる。
前述の電解液12としては、バレル錫メツキに
おいて周知のもの、たとえば錫酸ソーダを主成分
とする組成のものを使用する。また回転バレル1
3の回転数は10(R・P・M)程度が望ましい。
おいて周知のもの、たとえば錫酸ソーダを主成分
とする組成のものを使用する。また回転バレル1
3の回転数は10(R・P・M)程度が望ましい。
バレルメツキ法は叙上のようにしてなされるの
で、積層形磁器コンデンサのように形状の小さい
品物を一度に多量にメツキすることができ、生産
性が非常によい。しかも回転バレル13の回転に
伴つて、磁器誘電体22同志が互に接触、摩擦し
合つて転動し、電流の断続を伴いながら陰極1
7,18に触れてメツキされるので、磁器コンデ
ンサのように小形で取扱い難いものも容易にメツ
キし得る。なお第2導電層10の層厚は3〜5μ
程度となる。
で、積層形磁器コンデンサのように形状の小さい
品物を一度に多量にメツキすることができ、生産
性が非常によい。しかも回転バレル13の回転に
伴つて、磁器誘電体22同志が互に接触、摩擦し
合つて転動し、電流の断続を伴いながら陰極1
7,18に触れてメツキされるので、磁器コンデ
ンサのように小形で取扱い難いものも容易にメツ
キし得る。なお第2導電層10の層厚は3〜5μ
程度となる。
第5図は本発明に係る製造方法によつて製造さ
れた積層形磁器コンデンサの別の実施例を示して
いる。この実施例の特徴は、第1導電層9′の上
に銅の導電層10′aをバレルメツキにより電着
し、さらにこの導電層10′aの上に錫の導電層
10′bをバレルメツキ法により電着したことで
ある。
れた積層形磁器コンデンサの別の実施例を示して
いる。この実施例の特徴は、第1導電層9′の上
に銅の導電層10′aをバレルメツキにより電着
し、さらにこの導電層10′aの上に錫の導電層
10′bをバレルメツキ法により電着したことで
ある。
このような構成をとると、線膨張係数の差異の
大きいニツケルの第1導電層9′と、錫の導電層
10′bとの間に、線膨張係数が両者の中間にあ
る銅の導電層10′aが介在することとなるの
で、該銅の導電層10′aが線膨張緩衝手段とし
て作用し、電極層の界面剥離現象を防止すること
となる。またニツケルの第1導電層9′を銅の導
電層10′aによつて被覆してあるので、ニツケ
ルの第1導電層9′の酸化が防止され、更に錫の
導電層10′bが最外層となつているから、半田
付性はきわめて良好である。
大きいニツケルの第1導電層9′と、錫の導電層
10′bとの間に、線膨張係数が両者の中間にあ
る銅の導電層10′aが介在することとなるの
で、該銅の導電層10′aが線膨張緩衝手段とし
て作用し、電極層の界面剥離現象を防止すること
となる。またニツケルの第1導電層9′を銅の導
電層10′aによつて被覆してあるので、ニツケ
ルの第1導電層9′の酸化が防止され、更に錫の
導電層10′bが最外層となつているから、半田
付性はきわめて良好である。
なお、各導電層の層厚は3〜5μ程度と非常に
薄く、かつ均一に形成される。
薄く、かつ均一に形成される。
以上詳説した如く本発明に係る積層形磁器コン
デンサの製造方法は、化学的エツチング法により
粗面化された磁器誘電体素体の表面に無電解メツ
キ法によりニツケルの第1導電層を形成し、次い
で端子電極となる部分のみを残して他の部分は除
去すべく前記第1導電層をエツチング処理した
後、前記第1導電層上にバレルメツキ法により錫
を最外層とする第2導電層を電着することを特徴
とするから、次のような効果がある。
デンサの製造方法は、化学的エツチング法により
粗面化された磁器誘電体素体の表面に無電解メツ
キ法によりニツケルの第1導電層を形成し、次い
で端子電極となる部分のみを残して他の部分は除
去すべく前記第1導電層をエツチング処理した
後、前記第1導電層上にバレルメツキ法により錫
を最外層とする第2導電層を電着することを特徴
とするから、次のような効果がある。
(1) 低価格の卑金属であるニツケル、錫または銅
の組合せによる電極を形成し、コストを従来の
約1/3以下に低下させることができる。
の組合せによる電極を形成し、コストを従来の
約1/3以下に低下させることができる。
(2) 第1導電層は無電解メツキ法により形成し、
第2導電層はバレルメツキ法により形成するよ
うにしたから、一層の層厚が3〜5μ程度と非
常に薄く、かつ均一化した電極を形成すること
ができる。
第2導電層はバレルメツキ法により形成するよ
うにしたから、一層の層厚が3〜5μ程度と非
常に薄く、かつ均一化した電極を形成すること
ができる。
この結果
(イ) 電極厚みの均一化により、積層形磁器コン
デンサの外形寸法の管理が非常に容易にな
る。
デンサの外形寸法の管理が非常に容易にな
る。
(ロ) 従来15〜50μ程度あつた電極厚みが6〜10
μ程度に減少し、磁器コンデンサ自動装着機
のマガジンに詰め得る積層形磁器コンデンサ
の量が、約9%向上する。
μ程度に減少し、磁器コンデンサ自動装着機
のマガジンに詰め得る積層形磁器コンデンサ
の量が、約9%向上する。
(3) 磁器誘電体素体の粗面化や、電極の多層化メ
ツキ付着により、端子電極の半田耐久性を約10
倍程度強化することができる。このため積層形
磁器コンデンサをプリント基板等に半田付する
作業が非常に容易になる。
ツキ付着により、端子電極の半田耐久性を約10
倍程度強化することができる。このため積層形
磁器コンデンサをプリント基板等に半田付する
作業が非常に容易になる。
(4) バレルメツキ法を採用したから、生産性が良
好になり、コストダウンが図られる。
好になり、コストダウンが図られる。
(5) ニツケルの第1導電層上に、錫を最外層とす
る第2導電層を電着することにより、ニツケル
層の酸化を防止しつつ、半田付性を良好にする
ことができる。
る第2導電層を電着することにより、ニツケル
層の酸化を防止しつつ、半田付性を良好にする
ことができる。
(6) 実施例に示したように、ニツケル層と錫層と
の間に銅層を設けた場合は、ニツケル層と錫層
との間のなじみを良くし、電極強度を向上させ
ることとなる。
の間に銅層を設けた場合は、ニツケル層と錫層
との間のなじみを良くし、電極強度を向上させ
ることとなる。
第1図は従来の積層形磁器コンデンサの断面
図、第2図A〜Eは本発明に係る積層形磁器コン
デンサの製造方法における工程説明図、第3図は
本発明に用いられるバレルメツキ装置の斜視図、
第4図は同じくその回転バレルの拡大断面図、第
5図は本発明に係る製造方法によつて製造された
磁器コンデンサの別の実施例における断面図をそ
れぞれ示している。 7……磁器誘電体素体、8……凹凸層、9……
第1導電層、10……第2導電層。
図、第2図A〜Eは本発明に係る積層形磁器コン
デンサの製造方法における工程説明図、第3図は
本発明に用いられるバレルメツキ装置の斜視図、
第4図は同じくその回転バレルの拡大断面図、第
5図は本発明に係る製造方法によつて製造された
磁器コンデンサの別の実施例における断面図をそ
れぞれ示している。 7……磁器誘電体素体、8……凹凸層、9……
第1導電層、10……第2導電層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 化学的エツチング法により粗面化された磁器
誘電体素体の全表面に無電解メツキ法によりニツ
ケルの第1導電層を形成し、次いで端子電極とな
る部分のみを残して他の部分は除去すべく前記第
1導電層をエツチング処理した後、前記第1導電
層上にバレルメツキ法により錫を最外層とする第
2導電層を電着することを特徴とする積層形磁器
コンデンサの製造方法。 2 前記第2導電層は、前記第1導電層上に銅の
導電層をバレルメツキ法により電着し、該銅の導
電層上に前記錫の最外層を電着して形成されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の積
層形磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13817778A JPS5563817A (en) | 1978-11-08 | 1978-11-08 | Method of manufacturing laminated porcelain capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13817778A JPS5563817A (en) | 1978-11-08 | 1978-11-08 | Method of manufacturing laminated porcelain capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5563817A JPS5563817A (en) | 1980-05-14 |
| JPS6232604B2 true JPS6232604B2 (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=15215838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13817778A Granted JPS5563817A (en) | 1978-11-08 | 1978-11-08 | Method of manufacturing laminated porcelain capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5563817A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2616785B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1997-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
| JPH0727622Y2 (ja) * | 1989-03-07 | 1995-06-21 | 太陽誘電株式会社 | チップ状セラミック電子部品 |
-
1978
- 1978-11-08 JP JP13817778A patent/JPS5563817A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5563817A (en) | 1980-05-14 |
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