JPS6232645B2 - - Google Patents
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- JPS6232645B2 JPS6232645B2 JP2074581A JP2074581A JPS6232645B2 JP S6232645 B2 JPS6232645 B2 JP S6232645B2 JP 2074581 A JP2074581 A JP 2074581A JP 2074581 A JP2074581 A JP 2074581A JP S6232645 B2 JPS6232645 B2 JP S6232645B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching
- output terminal
- switch
- diode
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はVHFチユーナに関するものである。
例えばVHF帯域の全域を受信帯域とする如き広
帯域用VHFチユーナにおいては、局部発振トラ
ンジスタのバイアスをバンド切換えに応じて切換
えることが提案せられている。これはハイバンド
では高域側における発振の停止を防止するためで
あり、ローバンドでは発振勢力が強すぎて発振の
漏れ電流が多くなるのを防止するためである。
例えばVHF帯域の全域を受信帯域とする如き広
帯域用VHFチユーナにおいては、局部発振トラ
ンジスタのバイアスをバンド切換えに応じて切換
えることが提案せられている。これはハイバンド
では高域側における発振の停止を防止するためで
あり、ローバンドでは発振勢力が強すぎて発振の
漏れ電流が多くなるのを防止するためである。
第１図は、このようなVHFチユーナの従来例
を示しており、可動端子２に正電圧（＋Ｂ）が与
えられるバンド切換えスイツチ１の第１出力端子
３側にスイツチが設定されたときには、チヨーク
コイル５→抵抗６→ローバンドコイル７→ハイバ
ンドコイル８→コイル９→第１、第２バイアス抵
抗１０，１１→アースの径路で電流が流れること
により局部発振トランジスタ１２のコレクタとベ
ースにバイアスが与えられる。このとき、前記ロ
ーバンドコイル７、ハイバンドコイル８と、端子
１３から抵抗１４を介して同調電圧が印加される
可変容量ダイオード１５とからなる同調回路１６
はスイツチングダイオード１７のアノード側が抵
抗１８を介してアース電位になつていてスイツチ
ングダイオード１７がオフとなつていることによ
りローバンド受信状態に設定される。
を示しており、可動端子２に正電圧（＋Ｂ）が与
えられるバンド切換えスイツチ１の第１出力端子
３側にスイツチが設定されたときには、チヨーク
コイル５→抵抗６→ローバンドコイル７→ハイバ
ンドコイル８→コイル９→第１、第２バイアス抵
抗１０，１１→アースの径路で電流が流れること
により局部発振トランジスタ１２のコレクタとベ
ースにバイアスが与えられる。このとき、前記ロ
ーバンドコイル７、ハイバンドコイル８と、端子
１３から抵抗１４を介して同調電圧が印加される
可変容量ダイオード１５とからなる同調回路１６
はスイツチングダイオード１７のアノード側が抵
抗１８を介してアース電位になつていてスイツチ
ングダイオード１７がオフとなつていることによ
りローバンド受信状態に設定される。
次に、スイツチ１が第２出力端子４側に設定さ
れると、前記スイツチングダイオード１７が導通
することによりａ点はバイパスコンデンサ１９に
よつて高周波的にアース電位に保持されるのでロ
ーバンドコイル７は不作動状態となり、同調回路
１６はハイバンド受信状態となる。一方局部発振
トランジスタ１２のバイアスは第２出力端子４か
らスイツチングダイオード１７→ハイバンドコイ
ル８→コイル９→第１、第２バイアス抵抗１０，
１１→アースの径路と第３バイアス抵抗２０→第
２バイアス抵抗１１→アースの径路で与えられバ
イアスは深くなる。
れると、前記スイツチングダイオード１７が導通
することによりａ点はバイパスコンデンサ１９に
よつて高周波的にアース電位に保持されるのでロ
ーバンドコイル７は不作動状態となり、同調回路
１６はハイバンド受信状態となる。一方局部発振
トランジスタ１２のバイアスは第２出力端子４か
らスイツチングダイオード１７→ハイバンドコイ
ル８→コイル９→第１、第２バイアス抵抗１０，
１１→アースの径路と第３バイアス抵抗２０→第
２バイアス抵抗１１→アースの径路で与えられバ
イアスは深くなる。
しかしながら、この従来回路はローバンドコイ
ル７やハイバンドコイル８に常時電圧がかかるの
で、回路利用が限定されるという欠点がある。例
えば同調回路１６と局部発振トランジスタ１２の
ベースとを結合するコンデンサ２１の代りに可変
容量ダイオードで結合して該可変容量ダイオード
の容量値を同調電圧により変化させることにより
広帯域の受信特性を上げることができるが、前記
従来例では同調コイル側から常時直流電圧の影響
を受けるので、そのような回路の実現は回路構成
がかなり複雑になつてしまうのである。
ル７やハイバンドコイル８に常時電圧がかかるの
で、回路利用が限定されるという欠点がある。例
えば同調回路１６と局部発振トランジスタ１２の
ベースとを結合するコンデンサ２１の代りに可変
容量ダイオードで結合して該可変容量ダイオード
の容量値を同調電圧により変化させることにより
広帯域の受信特性を上げることができるが、前記
従来例では同調コイル側から常時直流電圧の影響
を受けるので、そのような回路の実現は回路構成
がかなり複雑になつてしまうのである。
また従来例において、抵抗１８はスイツチング
ダイオード１７のアノード側〔即ち第２出力端子
４〕とアース間に接続されていることから抵抗値
は比較的高く、そのためローバンド受信時におい
て抵抗１８と抵抗２０の和がかなり大きくなり、
局部発振トランジスタ１２のベースバイアスの低
下が少なくなり、従つてローバンド受信時におけ
る局部発振トランジスタ１２のコレクタ電流を少
なくする効率が悪いという欠点もある（ハイバン
ドではコレクタ電流が大きく、ローバンドでは小
さい方がよい）。
ダイオード１７のアノード側〔即ち第２出力端子
４〕とアース間に接続されていることから抵抗値
は比較的高く、そのためローバンド受信時におい
て抵抗１８と抵抗２０の和がかなり大きくなり、
局部発振トランジスタ１２のベースバイアスの低
下が少なくなり、従つてローバンド受信時におけ
る局部発振トランジスタ１２のコレクタ電流を少
なくする効率が悪いという欠点もある（ハイバン
ドではコレクタ電流が大きく、ローバンドでは小
さい方がよい）。
本発明は上述の諸欠点を解消するように工夫し
たVHFチユーナを提案するものである。
たVHFチユーナを提案するものである。
第２図は本発明を実施したVHFチユーナの局
部発振回路部を示しており、該回路部は第１、第
２の出力端子２３，２４を有し切換えに応じてい
ずれか一方に直流のスイツチ出力が現われるスイ
ツチ２２と、前記スイツチ２２の第１出力端子２
３を局部発振トランジスタ２５のコレクタに接続
する線路２６と、前記局部発振トランジスタ２５
のコレクタ・ベース間に接続された第１バイアス
抵抗２７と前記ベースと基準電位点間に挿入され
た第２のバイアス抵抗２８と、前記第２出力端子
２４のスイツチ出力を前記第１出力端子２３に結
合し第１出力端子２３のスイツチ出力を第２出力
端子２４に対し遮断するスイツチングダイオード
２９と、前記第２出力端子２４に一端が接続され
他端が直流カツト用コンデンサ３１を介してハイ
バンドコイル３３とローバンドコイル３２の接続
中点ｂに接続されたバンド切換え用のスイツチン
グダイオード３０と前記スイツチングダイオード
３０の前記他端と基準電位点間に前記直流カツト
用コンデンサ３１とローバンドコイル３２よりな
る直列回路に並列になるように接続され前記スイ
ツチングダイオード３０の導通電流を帰路させる
抵抗３４と、前記他端と局部発振トランジスタ２
５のベースとの間に挿入された第３のバイアス抵
抗３５と、前記ハイバンドコイル３３とローバン
ドコイル３２と共に同調回路３６を形成し端子３
７から抵抗３８を介して、同調電圧が印加される
可変容量ダイオード３９と、前記同調回路３６を
局部発振トランジスタ２５のベースに結合する結
合コンデンサ４０等を有している。尚、４１は帰
還コンデンサである。第２図においてスイツチ２
２は一回路２接点型に示されているが、第３の出
力端子を設けると共に、この第３出力端子を
UHFチユーナ（図示せず）に供給するようにし
た一回路３接点型のスイツチであつてもよい。ま
た図では機械式に描かれているが、半導体素子を
使つた電子的切換え式のスイツチであつてもよい
ことは言うを待たない。前記回路において、スイ
ツチ２２が第１出力端子２３に直流電圧（＋Ｂ）
を出力する状態、即ちローバンド受信状態におい
てはスイツチングダイオード２９によつてこの直
流電圧は第２出力端子２４側に対し遮断されるか
らバンド切換え用のスイツチングダイオード２９
はオフ状態であり、同調回路３６はローバンド受
信状態に設定される。一方線路２６を通して与え
られる直流電圧（＋Ｂ）と第１、第２、第３バイ
アス抵抗２７，２８，３５及び抵抗３４によつて
局部発振トランジスタ２５は比較的浅いバイアス
状態（従つてコレクタ電流は小さい）に設定され
る。次に、第２出力端子２４に直流電圧（＋Ｂ）
が出力される状態ではバンド切換え用のスイツチ
ングダイオード３０がオンし、ｂ点はコンデンサ
３１，４２を介して高周波的にアースされるので
ローバンドコイル３２は不作動となり、同調回路
３６はハイバンド受信状態に設定される。一方、
第２出力端子２４の直流電圧は電流制限抵抗４３
とスイツチングダイオード２９の導通を通して線
路２６側から局部発振トランジスタ２５に与えら
れる。また、帰路抵抗３４の両端に生じる電圧も
第３バイアス抵抗３５を通して局部発振トランジ
スタ２５に与えられ、これらによつてハイバンド
受信時における局部発振トランジスタ２５のバイ
アスは深く設定され高域側における発振停止が回
避される。
部発振回路部を示しており、該回路部は第１、第
２の出力端子２３，２４を有し切換えに応じてい
ずれか一方に直流のスイツチ出力が現われるスイ
ツチ２２と、前記スイツチ２２の第１出力端子２
３を局部発振トランジスタ２５のコレクタに接続
する線路２６と、前記局部発振トランジスタ２５
のコレクタ・ベース間に接続された第１バイアス
抵抗２７と前記ベースと基準電位点間に挿入され
た第２のバイアス抵抗２８と、前記第２出力端子
２４のスイツチ出力を前記第１出力端子２３に結
合し第１出力端子２３のスイツチ出力を第２出力
端子２４に対し遮断するスイツチングダイオード
２９と、前記第２出力端子２４に一端が接続され
他端が直流カツト用コンデンサ３１を介してハイ
バンドコイル３３とローバンドコイル３２の接続
中点ｂに接続されたバンド切換え用のスイツチン
グダイオード３０と前記スイツチングダイオード
３０の前記他端と基準電位点間に前記直流カツト
用コンデンサ３１とローバンドコイル３２よりな
る直列回路に並列になるように接続され前記スイ
ツチングダイオード３０の導通電流を帰路させる
抵抗３４と、前記他端と局部発振トランジスタ２
５のベースとの間に挿入された第３のバイアス抵
抗３５と、前記ハイバンドコイル３３とローバン
ドコイル３２と共に同調回路３６を形成し端子３
７から抵抗３８を介して、同調電圧が印加される
可変容量ダイオード３９と、前記同調回路３６を
局部発振トランジスタ２５のベースに結合する結
合コンデンサ４０等を有している。尚、４１は帰
還コンデンサである。第２図においてスイツチ２
２は一回路２接点型に示されているが、第３の出
力端子を設けると共に、この第３出力端子を
UHFチユーナ（図示せず）に供給するようにし
た一回路３接点型のスイツチであつてもよい。ま
た図では機械式に描かれているが、半導体素子を
使つた電子的切換え式のスイツチであつてもよい
ことは言うを待たない。前記回路において、スイ
ツチ２２が第１出力端子２３に直流電圧（＋Ｂ）
を出力する状態、即ちローバンド受信状態におい
てはスイツチングダイオード２９によつてこの直
流電圧は第２出力端子２４側に対し遮断されるか
らバンド切換え用のスイツチングダイオード２９
はオフ状態であり、同調回路３６はローバンド受
信状態に設定される。一方線路２６を通して与え
られる直流電圧（＋Ｂ）と第１、第２、第３バイ
アス抵抗２７，２８，３５及び抵抗３４によつて
局部発振トランジスタ２５は比較的浅いバイアス
状態（従つてコレクタ電流は小さい）に設定され
る。次に、第２出力端子２４に直流電圧（＋Ｂ）
が出力される状態ではバンド切換え用のスイツチ
ングダイオード３０がオンし、ｂ点はコンデンサ
３１，４２を介して高周波的にアースされるので
ローバンドコイル３２は不作動となり、同調回路
３６はハイバンド受信状態に設定される。一方、
第２出力端子２４の直流電圧は電流制限抵抗４３
とスイツチングダイオード２９の導通を通して線
路２６側から局部発振トランジスタ２５に与えら
れる。また、帰路抵抗３４の両端に生じる電圧も
第３バイアス抵抗３５を通して局部発振トランジ
スタ２５に与えられ、これらによつてハイバンド
受信時における局部発振トランジスタ２５のバイ
アスは深く設定され高域側における発振停止が回
避される。
第２図において、抵抗３４はバンド切換え用ス
イツチングダイオード３０のカソード側に設けら
れているので比較的小さくて済む。また結合コン
デンサ４０の値は8PF〜10PF程度でよい。
イツチングダイオード３０のカソード側に設けら
れているので比較的小さくて済む。また結合コン
デンサ４０の値は8PF〜10PF程度でよい。
第３図の実施例は同調回路３６とコンデンサ４
４のアース側端部との間に第２の可変容量ダイオ
ード４５を接続すると共に第３の可変容量ダイオ
ード４６を図示の如く接続し、これらの第２、第
３の可変容量ダイオード４５，４６に端子３７に
与えられる同調電圧を抵抗４７を介して印加する
ようにしたものであり、結合コンデンサ４０の値
は第２図の場合に比し、半分程度（3PF〜5PF）
に選定しておくものとする。
４のアース側端部との間に第２の可変容量ダイオ
ード４５を接続すると共に第３の可変容量ダイオ
ード４６を図示の如く接続し、これらの第２、第
３の可変容量ダイオード４５，４６に端子３７に
与えられる同調電圧を抵抗４７を介して印加する
ようにしたものであり、結合コンデンサ４０の値
は第２図の場合に比し、半分程度（3PF〜5PF）
に選定しておくものとする。
斯る第３図の回路によればローバンド及びハイ
バンドの各バンドの高域側での発振周波数の延び
がよく、また低域側での発振ストツプが好適に防
止されると共に低域側での発振周波数も延びる。
即ち同調回路３６を局部発振トランジスタ２５に
結合する容量が低域側では大きく、高域側では小
さい方が発振特性としては望ましいが、第３図で
は結合コンデンサ４０に対し例えば第２可変容量
ダイオード４５が並列の関係になつているので、
同調回路３６をトランジスタ２５に結合する容量
は低域側では大きく〔第２可変容量ダイオード４
５に印加される同調電圧が小さいため第２可変容
量ダイオード４５の容量が大きくなるから〕、一
方高域側では小さくなるからである。
バンドの各バンドの高域側での発振周波数の延び
がよく、また低域側での発振ストツプが好適に防
止されると共に低域側での発振周波数も延びる。
即ち同調回路３６を局部発振トランジスタ２５に
結合する容量が低域側では大きく、高域側では小
さい方が発振特性としては望ましいが、第３図で
は結合コンデンサ４０に対し例えば第２可変容量
ダイオード４５が並列の関係になつているので、
同調回路３６をトランジスタ２５に結合する容量
は低域側では大きく〔第２可変容量ダイオード４
５に印加される同調電圧が小さいため第２可変容
量ダイオード４５の容量が大きくなるから〕、一
方高域側では小さくなるからである。
従つてハイバンドの高域側での発振周波数の延
びがよいこととローバンドの低域側における発振
周波数の延びがよいことから広帯域受信用として
有効である。
びがよいこととローバンドの低域側における発振
周波数の延びがよいことから広帯域受信用として
有効である。
本発明によればローバンドコイル３２及びハイ
バンドコイル３３には、いずれもバイアス用直流
電圧がかからない構成であるので、第３図に示す
如く同調回路３６と局部発振トランジスタ２５と
を結合する容量の値を可変容量ダイオード４１に
よつて可変自在とする構成が比較的簡単にできる
という効果がある。また、抵抗３４はバンド切換
え用のスイツチングダイオード３０のカソード側
に接続されたものであるからその値を比較的小さ
く選定することができ、従つて第３バイアス抵抗
３５と抵抗３４の合成値は小さくできるが、この
ことはローバンド受信時におけるベース電位が好
適に低くなつてコレクタ電流を小さくするのに効
果的である。
バンドコイル３３には、いずれもバイアス用直流
電圧がかからない構成であるので、第３図に示す
如く同調回路３６と局部発振トランジスタ２５と
を結合する容量の値を可変容量ダイオード４１に
よつて可変自在とする構成が比較的簡単にできる
という効果がある。また、抵抗３４はバンド切換
え用のスイツチングダイオード３０のカソード側
に接続されたものであるからその値を比較的小さ
く選定することができ、従つて第３バイアス抵抗
３５と抵抗３４の合成値は小さくできるが、この
ことはローバンド受信時におけるベース電位が好
適に低くなつてコレクタ電流を小さくするのに効
果的である。
第１図は従来のVHFチユーナの要部回路図で
ある。第２図は本発明を実施したVHFチユーナ
の要部回路図であり、第３図は本発明の他の実施
例を示す回路図である。 ２２……スイツチ、２３……第１出力端子、２
４……第２出力端子、２５……局部発振トランジ
スタ、２７，２８，３５……第１、第２、第３バ
イアス抵抗、２９……スイツチングダイオード、
３０……バンド切換え用スイツチングダイオー
ド、３２……ローバンドコイル、３３……ハイバ
ンドコイル、３４……帰路用抵抗、３６……同調
回路、３９……同調用可変容量ダイオード、４０
……結合コンデンサ。
ある。第２図は本発明を実施したVHFチユーナ
の要部回路図であり、第３図は本発明の他の実施
例を示す回路図である。 ２２……スイツチ、２３……第１出力端子、２
４……第２出力端子、２５……局部発振トランジ
スタ、２７，２８，３５……第１、第２、第３バ
イアス抵抗、２９……スイツチングダイオード、
３０……バンド切換え用スイツチングダイオー
ド、３２……ローバンドコイル、３３……ハイバ
ンドコイル、３４……帰路用抵抗、３６……同調
回路、３９……同調用可変容量ダイオード、４０
……結合コンデンサ。
Claims (1)
- １ 同調コイルをローバンドとハイバンドに応じ
て切換える際に局部発振トランジスタのバイアス
も切換えるようにしたVHFチユーナにおいて、
第１、第２の出力端子を有し切換えに応じていず
れか一方に直流のスイツチ出力が現われるスイツ
チと、前記スイツチの第１出力端子を局部発振ト
ランジスタのコレクタに接続する手段と、前記局
部発振トランジスタのコレクタとベース間に接続
された第１バイアス抵抗と、前記ベースと基準電
位点間に挿入された第２のバイアス抵抗と、前記
第２出力端子のスイツチ出力を前記第１出力端子
に結合し第１出力端子のスイツチ出力を第２出力
端子に対し遮断するスイツチング素子と、前記第
２出力端子に一端が接続され他端が直流カツト用
コンデンサを介してハイバンドコイルとローバン
ドコイルの接続中点に接続されたバンド切換え用
のスイツチングダイオードと、前記スイツチング
ダイオードの前記他端と基準電位点間に前記直流
カツト用コンデンサとローバンドコイルによる直
列回路と並列になるように接続され前記スイツチ
ングダイオードの導通電流を帰路させる抵抗と、
前記他端と局部発振トランジスタのベースとの間
に挿入された第３のバイアス抵抗と、前記ハイバ
ンドコイルとローバンドコイルと共に同調回路を
形成し同調電圧が印加される可変容量ダイオード
と、前記同調回路を前記局部発振トランジスタの
ベースに結合する手段を有するVHFチユーナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2074581A JPS57135529A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Vhf tuner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2074581A JPS57135529A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Vhf tuner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57135529A JPS57135529A (en) | 1982-08-21 |
| JPS6232645B2 true JPS6232645B2 (ja) | 1987-07-16 |
Family
ID=12035721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2074581A Granted JPS57135529A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Vhf tuner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57135529A (ja) |
-
1981
- 1981-02-13 JP JP2074581A patent/JPS57135529A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57135529A (en) | 1982-08-21 |
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