JPS6232702A - 帯域阻止ろ波器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビジョン放送装置又は一般通信装置にお
いて不要波を除去し、又は２信号波を合成し、或は不要
波を除去すると共に２信号波を合成する場合に用いられ
る定入力インピーダンスダイプレクサ等の構成に好適な
帯域阻止ろ波器に関するものである。

従来の技術 例えば、カラーテレビジョン放送装置において、音声信
号搬送波ｆＡと映像信号搬送波ｆυとを合成するために
、従来、第１４図に示すような（１）域阻１トろ波器が
用いられている。

第１４図において、１５は矩形導波管共振器、１６は容
罎結合用プローブ、１７はλｇ／４同も１１共振器（λ
ｇは管内波長）、１８は容量結合用プローブ、１９は伝
送線路で、このような構成の帯域阻止る波器をハイブリ
ッド回路と組合せて定入力インピーダンスダイプレクサ
を構成した場合、負荷Ｑの高い矩形導波管共振器１５に
よって音声信号搬送波ｆ八が反射され、負荷Ｑの中程度
のλｇ／４同軸共振器１７によってカラービー）　　２
ｆυ−ｆｓ　（ｆｓはカラー副搬送波）が除去され、ハ
イブリッド回路の出力端子からＢ’２声信弓−１歴送波
ｆ＾と映像信号搬送波「υとが合成されて取出される。

発明が解決しようとする問題点 第１４図に示した従来の帯域阻止ろ波器は、各独合した
矩形導波管共振器１５とλｇ／４同軸共振器１７とを伝
送線路１８を介して縦続接続する必要があるため、構造
が大型となるばかりでなく、構成部品の数も多いため、
コスト高となるを免れ得ない。

本発明は、このような従来の欠点を除いて、構成が簡潔
小形で、コストの装置な帯域用Ｉにろ波器を実現するこ
とを目的とする。

問題点を解決するための「１段、実施例第１図は、本発
明の一実施例を示す断面図（第２図のＢ−Ｂ断面図）、
第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は、第２図の
Ｃ−Ｃ断面図で、各図において、１は軸長がほぼλｇ／
２、幅ａ、高さｂなる直六面体より成る共通外部導体、
２は内部導体で、共通外部導体１の内部空間において軸
方向が共通外部導体ｌの電界（ＥＲ）方向と直角となる
ように設け、下端部を短絡端に、上端部を開放端に形成
しである。尚、理想的には、共通外部導体ｌにおける側
壁の中、何れか一方の短辺を含む正方形部分の中心に内
部導体２の下端部を位置せしめることが望ましいが、任
意個所に設けても本発明を実施することが出来る。３は
容！を結合用プローブで、内部導体２との間の分布容量
を介して、共通外部導体ｌ及び内部導体２により形成さ
れるλｇ／４同軸共振器と外部回路とを結合すると共に
、共通外部導体ｌとの間の分布容量を介して、共通外部
導体１により形成される矩形導波管共振器と外部回路と
を結合する。４は共通外部導体１に穿った孔隙の周縁と
容量結合用プローブ３との間に介在せしめた絶縁体、５
は矩形導波管共振器内に励振されるＴＥＩ　ｏモード波
の共振周波数微細調整素子で、例えば、管内挿入長を変
化せしめ得る導体螺子、又は、回転軸の内端に細長い電
極板を取付け、この電極板を回転せしめ得るように形成
した素子等のような従来公知の素子の中、適宜の素子よ
り成る。６は、共通外部導体１及び内部導体２により形
成されるλｇ／４同軸共振器部分に励振されるＴＥＭモ
ード波の共振周波数微細調整素子で、素子５と同様構成
の素子より成る。７は同軸線路で、その外部導体８に穿
った孔隙から共通容量結合用プローブ３の外端を線路内
に挿入して同軸線路７の内部導体９に接続し、この同軸
線路を介して外部回路、例えば、ハイブリッド回路又は
サーキュレータ等に接続する。

尚、同軸線路７の代りに、例えば、同軸ケーブル又はス
トリッツプライン等の高周波用伝送線を用いてもよい。

第１図乃至第３図には、外部回路との結合素子として共
通容量結合用プローブ３を用いて矩形導波管共振器及び
λｇ／４同軸共振器と容量結合を行うように構成した場
合を例示したが、容量素子の代りに、第４図に要部を示
すように、長さがほぼλｇ／４の磁気結合用ループ１０
を用い、ループ面が矩形導波管共振器内におけるＴＥ、
　Ｑモード波の磁界と直交するように設ければ、矩形導
波管共振器との間は磁気結合となり、λｇ／４同軸共振
器に励振されるＴＥＭモード波の磁界成分と交鎖するこ
となく、λｇ／４同軸共振器側とは分布容量によって結
合されることとなる。

又、磁気結合用ループｌＯのループ面を、矩形導波管共
振器におけるＴＥＩ　Ｏモード波の磁界方向と４５”の
角度をなすように設ければ、矩形導波管共振器における
ＴＥＩ　Ｏモード波の磁界の中、ループ面と直交する成
分と交鎖せしめると共に、λｇ／４同軸共振器における
ＴＥＭモード波の磁界の中、ループ面と直交する成分と
交鎖せしめ得るから両共振器と磁気結合を行わせること
が出来る。

磁気結合用ループ１０のループ面を、矩形導波管共振器
におけるＴＥＩ　Ｏモード波の磁界と４５０以外の任意
適宜の角度を以て設けるようにすれば、その設置角度に
応じて、何れか一方の共振器との結合を密に、他方の共
振器との結合を疎となすことが出来る。

又、第５図に要部を示すように、矩形導波管共振器との
結合を第１図乃至第３図に示したと同様の容量結合用プ
ローブ３を以て行い、λｇ／４同軸共振器との結合を、
長さがほぼλｇ／４の磁気結合用ループ１１を以て行う
ように構成してもよく、第６図及び第７図に要部を示す
ように、矩形導波管共振器及びλｇ／４同軸共振器との
各結合を、長さがほぼλｇ／４の磁気結合用ループ１２
及び１３を以て各別に行うように構成してもよい。

第５図乃至？５７図においても容お結合用素子と共通外
部導体間の分布容量及び磁気結合用ループの磁界との交
鎖面積を変化せしめることにより、結合度をそれぞれ変
化せしめ得ること勿論である。

尚、第４図は、第１図に対応する断面図。

ｔｊＳ５図及び第７図は、それぞれ第３図に対応する断
面図、第６図は、第２図に対応する断面図である。又、
第５図及び第７図における１４は同軸線路で、第４図乃
至第７図における他の符号は第１図乃至第３図と同様で
ある。

本発明帯域阻止ろ波器を構成する矩形導波管共振器側の
無負荷Ｑ（ＱＵＲ）は、共振器を銅を以て形成した場合
、次式で求めることが出来る。

又、λｇ／４同軸共振器側の無負荷Ｑ（Ｑｕｃ）は、共
振器を銅を以て形成した場合、次式で求められる。

Ｑｕｃ　’；４２ｆｆ　ｂ　７７　　　　　　　　・・
・・（２）（１）式及び（２）式において、共通外部導
体１の幅ａ及び高さｂの各単位はＣｆｆ１、伝送周波数
ｆの単位は（１）式の場合ＧＨ２、（２）式の場合ＭＨ
２で、ηは効率である。

具体的数値例を示すと、例えば、伝送周波数ｆがｆ（Ｏ
ＯＭＨ２、共通外部導体ｌの幅ａが３５ｃｍ、高さｂが
１０ｃｍ　、遮断周波数ｆとｆＣとの比ｆ／ｆｃが１．
４の場合、 Ｑｕｃ　’：４２　Ｈ正ＸＩＯ無１０３００となる。

又、極超短波帯のテレビジョン放送装置におけるグイプ
レクサに導入される映像信号搬送波ｆｖが、例えば、５
９７．２５　ＭＨｚ、カラー副搬送波ｆＳがＧｏｏ、８
３　ＭＨｌ、音声信号搬送波ｆ＾が６０１．７５８８２
、カラービー）　２ｆｖ−ｆｓが５９３．８７　ＭＨｚ
　（７）場合、音声信号搬送波ＦＡにおける矩形導波管
共振器側の負荷Ｑを１０００に形成すると、矩形導波管
共振器側における抵抗分子へは、 となる。

又、カラービート２ｆυ−ｆｓにおけるλｇ／４同軸共
振器側の負荷Ｑを６００に形成すると、λｇ／４同軸共
振器側における抵抗分子３は、 となる。

第８図は、本発明帯域阻止ろ波器を示すブロック図で、
ＮＦ、は周波数ｆ１に減衰極を有する第１の帯域阻止ろ
波器部分で、第１図乃至第３図における共通外部導体１
により形成される矩形導波管共振器に対応する部分、Ｎ
Ｆ２　は周波数ｆ２に減衰極を有する第２の帯域阻止る
波器部分で、第１図乃至第３図における共通外部導体１
及び内部導体２により形成されるλｇ／４同軸共振器に
対応する部分、Ｔは外部回路との結合端子である。

第９図は、本発明帯域阻止ろ波器の等価回路図で、Ｒ１
は、第１図乃至第３図における共通外部導体ｌにより形
成される矩形導波管共振器により形成される共振回路、
Ｃ１はその容量分、Ｌｌはインダクタンス分、ｒｌは抵
抗分、Ｒ２は、共通外部導体ｌ及び内部導体２により形
成される共振回路、Ｃ２はその容量分、Ｌ２はインダク
タンス分、「２は抵抗分である。

共振回路Ｒ１のアドミタンスＹ１、共振回路Ｒ２のアド
ミタンスＹ２及びアドミタンスＹ１．９２の合成アドミ
タンス９を理論計算により求めると、次式のとおりであ
る。

Ｙ＋＝　１／　（ｒ＋＋ｊ（ωＬ１−ωＣ１））＝　１
／（ｒ＋　　＋ｊｘ＋）　　　　　　・・・・（３）Ｙ
２：　ｌ　／’（ｒ２＋ｊ（ωＬ２−ωｃ２）　）＝　
１　／　（ｒ２＋　ｊｘ２）　　　　　　　・　・　・
　・　（４）ｖ＝ｙ１＋ｙ２　　　　　　　　　　　・
・　・　・　（５）但し、 ω：角周波数 ２Ｑし１ ゜。ｌ　−ＱＬＩ　　　　　　””　（６）ＱＬ　２ ゜。２−０．１０　　　　　−°−（７）ＱＬＩ：共振
回路Ｒ１の負荷Ｑ Ｑ［２：共振回路Ｒ２の負荷Ｑ Ｑｕ＋　　：共振回路Ｒ１の無負荷Ｑ ＱＵ２　　：共振回路Ｒ２の無負荷Ｑ ｆ　　：任意の伝送周波数 ＢＷ３ド共振回路Ｒ１の３ｄＢ減衰周波数帯域幅ＢＶ１
３２：共振回路Ｒ２の３ｄＢ減衰周波数帯域幅第９図に
示した等価回路図は、（５）式から第１０図のブロック
図を以って示すことが出来、その基本マトリクスは（ｌ
Ｏ）式で表わされる。

（ｌＯ）式から第１０図における２端子対間の伝送特性
は、（１１）式で求められ、デシベル表示の場合は（１
２）式で求められる。

第１０図における任意の１端子対を負荷インピーダンス
２１で終端した場合、他の端子対側から見た人力インピ
ーダンスＺＩＮは次式で求められる。

負荷インピーダンスンシを１とすると、したがって、入
力アドミタンスＹＩＮは、ＹＩＮ＝１＋Ｙ　　　　　　
　　　・・・・　（１５）となる。

第１Ｏ図に示した回路の特性アドミタンスをＱｏとする
と、この回路における入力端子の電圧反射係数ｒｌＮは
（１６）式で求められ、特性アドミタンスｔｏを１とし
た場合における電圧反射係数ｒＩＮは（１７）式で求め
られる。

第１１図は、本発明帯域阻止ろ波器２個をハイブリッド
回路２個と組合せて構成したダイプレクサのブロック図
で、ＮＦＩ２１及びＭＦ１２２は第１図乃至第１０図に
ついて説明した本発明帯域阻止ろ波器、ＨＹＢ＋及び１
（ＹＢ２は）＼イブリッド回路、ＴＯ及びＴ１は入力端
子、Ｔ’２は出力端子、Ｔ３はアイソレーション端子、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔｈ及びＴ１は結合端子、ＲＴは無反射終
端器である。

第１２図は、第１１図における／＼イブリッド回路ＨＹ
Ｂ＋の部分を示すブロック図で、符号は第１１図と同様
である。

第１２図における入力端子ＴＯの入力電圧をＥＩＮ、結
合端子ＴＩ及びＴ２の各電圧をに１及びに２、アイソレ
ーション端子Ｔ３の電圧をＥ３（＝Ｏ）とし、／＼イブ
リッド回路ＨＹＢ＋の結合係数をＣ１電気角を０とする
と、各端子の電圧間には次式で各示される関係がある。

この電圧関係から、第１２図（こお（するスキャノ１）
ングづトリクスは次式で与えられる。

・　・　・　・　（１８） 但し、（１８）式は、第１２図における４端子の中、測
定端子以外の端子を無反射終端した場合、各端子におけ
る入力反射係数が零であると仮定した場合である。

以上の関係は、ｆＩＳ１１図におけるハイブリッド回路
ＨＹＢ２についても全く同様に成立する。

上記の関係から第１１図におけるハイブリッド回路ＨＹ
Ｂ＋の端子Ｔｏに電圧１υＩＮを印加した場合、各端子
Ｔｏ乃至Ｔ３に出力する電圧を、それぞれＥｏｏ、ＥＯ
Ｉ　、　ＥＯ２及びＥＯ３とすると、これらの電圧は（
１９）式で求めることが出来る。

即ち、端子Ｔ１及びＴ２の電圧ＥＯＩ及びＥＯ２は１次
式で求められることとなる。

上式における端子Ｔ１及びＴ２の電圧ＥＯＩ及び［０２
と、（１７）式の電圧反射係数ｒＩＮから端子Ｔ１及び
Ｔ２における反射電圧ＥＶＩＮ「ｌ及びＥｖ＋ｓｒ２は
、それぞれ（２２）式及び（２３）式で求められる。

（１８）式、（２２）式及び（２３）式より第１１図に
おける回路ＨＹＢ＋の端子ＴＯ乃至Ｔ３の反射波による
出力電圧Ｅ′ｏｏ乃全Ｅｏ、＋は、次式で求められる。

・　・　・　・　（２４） したがって、端子Ｔｏ及びＴ３の反射波出力電圧歯ｏｏ
ｒ及び六Ｑ３ｒは（２５）式及び（２６）式で求められ
る。

（２５）式及び（２６）式において、Ｃ職１７ｆ’ｉ、
θ職π／２　なる場合には、−・般的に反射波出力電圧
は　−ｉυＩＮ　（但し、ｒ＝’ｔ／（２＋９））とな
る。

Ｃ職１／ｆｆ　　及び　０職π／２　なるときは、ｃ２
＝ｏ、５及び　５ｉｎ２θ＝１　であるから、（２５）
式は、 Ｅｏｏｒ＝０　　　　　　　　　−−　・−（２５’）
となり、（２６）式は、 となる。

第１１図における本発明帯域阻止ろ波器ＮＦ１２１及び
ＮＦ１２２　の電圧伝送関数ＴＶは、（１１）式より（
２７）式として求められる。尚、デシベル値で求める場
合は（１２）式を用いる。

したがって、第１１図における端子ＴＩ及びＴ２に現わ
れた電圧ＥＯＩ及びＥＯ２が、本発明帯域阻止ろ波器Ｎ
Ｆ１２１　及びＮＦ１２２　を介してハイブリッド回路
ＨＹＢ２の端子Ｔ’ｏ及びＴ′３に達すると、端子ｒｃ
及びＴ’３の入力電圧ρ′ｏ及びＥ′３は、（，２０）
式、（２１）式及び（２７）式から（２８）式及び（２
９）式で求められよって、第１１図におけるハイブリッ
ド回路ＨＹＢ２の端子Ｔ’ｌ及びＴトの出力電圧は、（
１８）式、（２８）式及び（２９）式より（３０）式で
求められる。

・　・　・　・　（３０） 即ち、端子ＴＩ、及びＴ′！の出力電圧ｉＬ１及びに６
′２は、（３１）式及び（３２）式に示すとおりになる
。

ハイプリント回路における一般的な条件、即ち、ｃ＝１
／ｆ”ｉ、ｏ＝π／２を（３１）式に代入すると、 酩１　職０ となり、このことは、端子Ｔｏと端子Ｔ′１間の減衰量
が原理的に無限大であることを示している。

然しなからハイブリッド回路ＨＹＢＩ及びＨＹＢ２の各
回路構成が厳密には非対称であり、帯域阻止ろ波ＷＮＦ
１２　＋及びＮＦＩ２’　を完全に同一ならしめ得ない
等の理由から実際にはほぼ４０ｄＢ程度のｇ哀惜となる
。

又、（３２）式にハイブリッド回路における一般的な条
件、ｃ＝１７ｆ”’ｉ、ｅ輌π／２を代入すると、（３
２）式は、 となり、一般的な帯域阻止る波器の電圧伝送特性と一致
する。

次に、端子Ｔｏ−Ｔ′２間の電力減衰特性は（３３）式
で求めることが出来、デシベル値で表示する場合は（１
２）式を利用して求める。

・・・・　（３３） Ｃ無１／月、０職π／２　なる条件を代入すると、（３
３）式は（３４）式となる。

第１１図の回路は対称回路であるから伝送特性も対称で
、端子Ｔ′１に入力電圧ＥＡＩＮを加えた場合には、（
２６）式におけるＥＩＩＩＮをＥＡＩＮで置換えること
により（３５）式から端子Ｔ′２の反射波出力電圧Ｅ’
０２ｒを求めることが出来る。

（３５）式から端子Ｔ’、　−７２’間の電力伝送特性
は（３６）式で求めることが出来、デシベル値で伝送特
性Ｌｌ’−２”を表示する場合は（３７）式で求めるこ
とが出来る。

・・・・　（３７） 上記説明から明らかなように、端子Ｔｏ及びＴ′１に加
えた所要電圧は端子Ｔ；に合成されて出力し、不要波は
端子Ｔ３に接続された無反射終端器ＲＴに吸収されて端
子Ｔｏに反射波が現れることなく、第１１図に示したダ
イプレクサの人力インピータンスは常に一定に保たれる
こととなる。

次に、第１１図に示したダイプレクサを超短波帯のカラ
ーテレビジョン放送装置における映像信号搬送波ｆｖと
音声信号搬送波ｆＡの合成に用いた場合の伝送特性を具
体数値により説明する。

本発明帯域阻止ろ波器を構成する共振器の大きさ、即ち
、共通外部導体１の高さｂ（ｃｍ）及び共振周波数ｆ（
ＭＨ７，）から共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）は（３日）式
で求められる。

ｑｕ＝４２．ｆｆｂ　　　　　　　　　　・・・・　（
３８）上式おいて、例えば、ｆ　＝　Ｅｉ００ＭＨ７、
ｂ＝１０ｃｍとすれば、Ｑｕ　’＝　１０２００となる
。

映像信号搬送波ｆυを５９７．２５ＭＨ２、カラー副搬
送波ｆｓをＥｉｏｏ、８３ＭＨ１，音声信号搬送波ＦＡ
を６０１．７５ＭＨｚ　　とすると、カラービート　２
ｆｖ−ｒｓは５９３．８７ＭＨ７となるから、音声信号
搬送波ｆＡにおける共振器の負荷Ｑ（ＱＬＡ）を１００
０、カラービートにおける共振器の負荷Ｑ（ＱＬＳ）を
８００とした場合、音声信号搬送波ｂ＋における共振器
の等価抵抗ｒへは、カラー副搬送波ｆ５における共振器
の等価抵抗ｒｓは、 音声信号搬送波ｆＡにおける共振器の容量リアクタンス
Ｘへは、 カラー副搬送波ｆｓにおける共振器の容量リアクタンス
Ｂは、 コ８１ｊ、ｂ／　　　　　　　　ｔ （３６）式における周波数ｆを、例えば、５９２．［（
ＯＭＨ２に選ぶと、 共振器のアドミタンスｔは、 ｒへ＋ｊ２ｘＡ　　　　ｒｓ＋ｊ２ｘｓ第１１図におけ
る端子’ｒｏ−Ｔ’２間の伝送特性ＬＯ−２’は、 端子Ｔ’＋　−Ｔ５間の伝送特性Ｌ　ｌ’−７’は、と
なる。

以上、手計算によって伝送特性を求めた結果の一部を示
したが、本発明帯域阻止ろ波器における各部品の寸法及
び伝送周波数等を適宜選択し、計算機によって求めた理
論計算値と、試作機による実測値とは極めて良く一致し
ている。

以上は、互いにモードの異なる２波によって矩形導波管
共振器とλｇ／４同軸共振器とを励振する場合について
説明したが、単一波によって何れか一方の共振器のみを
励振せしめてもよく、この場合にも第１図乃至第７図に
示したように、伝送線路７及び１４の中間部に結合素子
を介して接続することにより励振可能であるが、伝送線
路７及び１４の端部に結合素子を接続してもよいこと勿
論である。

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明帯域阻止ろ波器
は、矩形導波管共振器を形成する外部導体の内部に矩形
導波管共振器とλｇ／４同軸共振器とを共存せしめるこ
とによりλｇ／４同軸共振器のための外部導体を全く必
要とせず、又、従来のように、矩形導波管共振器とλｇ
／４同軸共振器とを縦続接続するための伝送線を必要と
しないから、全体として構成部品の数が少なく、コスト
を紙庫ならしめ得ると共に、構成を簡潔小形ならしめる
ことが可能であり、更に、第１３図のＡ曲線を以て試作
機における特性の一例を示すように、伝送特性も良好で
、本発明帯域阻止ろ波器を用いて定入力インピーダンス
ダイプレクサを構成した場合には、ダイプレクサ全体を
簡潔小形ならしめることが出来、第１１図における端子
’ｒｏ−Ｔ’２間の伝送特性は、第１３図のＡ曲線と全
く同一であり、第１１図における端子Ｔ’、−Ｔ’２間
の伝送特性は、第１３図の８曲線を以て示すように極め
て良好である。

尚、第１３図において、横軸は伝送周波数ｆ　（ＭＨｌ
　）、縦軸は伝送損失Ｌ　（ｄＢ）である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は、本発明の一実施例を示す図、第４
図乃至第７図は、本発明の他の実施例の要部を示す図、
第８図及び第１０図は、その作動説明のための図、第９
図は、その等価回路図、ｔ５１１図は、本発明帯域阻止
ろ波器を用いて構成した定入力インピーダンスダイプレ
クサを示す図、第１２図は、その作動説明のための図、
第１３図は、本発明帯域阻止ろ波器の伝送特性の一例を
示す図、第１４図は、従来の帯域阻止ろ波器を示す図で
、ｌ：共通外部導体、２：内部導体、３．１Ｂ及び１８
：容量結合用プローブ、４：絶縁体、５及び６：共振周
波数微細調整素子、７．１４及び１９：伝送線路、８：
線路の外部導体、９：線路の内部導体、１０乃至１３：
磁気結合用ループ、１５：矩形導波管共振器、１７：同
軸共振器、ＮＦｌ、　ＮＦ２　、　ＮＦＩ２１及びＮＦ
１２２　　：帯域阻止ろ波器、Ｔ、Ｔｏ乃至Ｔ３及びＴ
′ｏ乃至Ｔ１：端子、）ＩＹＢ、及びＩＹＢ２　：　ハ
イブリッド回路である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）矩形導波管共振器を形成する共通外部導体内に、
   ほぼλｇ／４（λｇは管内波長）の軸長を有する内部導
   体を、その軸方向が前記矩形導波管共振器に励振される
   ＴＥ＿１＿０モード波の電界方向と直角をなすように設
   けて前記共通外部導体と共にλｇ／４同軸共振器を形成
   せしめ、更に、前記各共振器を外部回路と結合せしめる
   結合素子を設けて成ることを特徴とする帯域阻止ろ波器
   。
2. （２）結合素子が、矩形導波管共振器とλｇ／４同軸共
   振器に共通の容量結合用プローブより成る特許請求の範
   囲第１項記載の帯域阻止ろ波器。
3. （３）結合素子が、矩形導波管共振器とλｇ／４同軸共
   振器に共通の磁気結合用ループより成る特許請求の範囲
   第１項記載の帯域阻止ろ波器。
4. （４）結合素子が、矩形導波管共振器と結合する容量結
   合用プローブ及びλｇ／４同軸共振器と結合する磁気結
   合用ループより成る特許請求の範囲第１項記載の帯域阻
   止ろ波器。
5. （５）結合素子が、矩形導波管共振器と結合する第１の
   磁気結合用ループ及びλｇ／４同軸共振器と結合する第
   ２の磁気結合用ループより成る特許請求の範囲第１項記
   載の帯域阻止ろ波器。