JPS6233484Y2 - - Google Patents
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- JPS6233484Y2 JPS6233484Y2 JP10411580U JP10411580U JPS6233484Y2 JP S6233484 Y2 JPS6233484 Y2 JP S6233484Y2 JP 10411580 U JP10411580 U JP 10411580U JP 10411580 U JP10411580 U JP 10411580U JP S6233484 Y2 JPS6233484 Y2 JP S6233484Y2
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- JP
- Japan
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- circuit
- current
- coil
- electromagnetic
- surge absorber
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Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 30
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、主回路の地絡電流の大きさが所定
値以上になると動作して主回路を開放する漏電し
や断器の制限装置の改良に関するものである。
値以上になると動作して主回路を開放する漏電し
や断器の制限装置の改良に関するものである。
従来の漏電しや断器の制限装置には第1図に示
すものがあつた。図において、1は電磁引きはず
しコイルで、外部電路2a,2bに地絡が発生し
た時付勢されて、しや断機構(図示せず)を介し
て接点部3a,3bを開放する。4はサージアブ
ソーバで、上記電磁引きはずしコイル1を介して
主回路5a,5bの相間に接続されている。即
ち、上記電磁引きはずしコイル1とサージアブソ
ーバ4は主回路5a,5bに対し直列に接続され
ている。6は零相変流器で、上記主回路5a,5
bを介して外部電路2a,2bの地絡電流を検出
するものである。7は増幅回路で、零相変流器6
からの地絡電流信号を増幅し出力を出す。8は整
流回路で、上記増幅回路7と後述する半導体開閉
素子(以下サイリスタ9に直流を供給しており、
上記サージアブソーバ4と並列に接続されてい
る。9はサイリスタで、上記増幅回路7の出力が
所定値以上の時に導通して、電磁引きはずしコイ
ル1が付勢される。
すものがあつた。図において、1は電磁引きはず
しコイルで、外部電路2a,2bに地絡が発生し
た時付勢されて、しや断機構(図示せず)を介し
て接点部3a,3bを開放する。4はサージアブ
ソーバで、上記電磁引きはずしコイル1を介して
主回路5a,5bの相間に接続されている。即
ち、上記電磁引きはずしコイル1とサージアブソ
ーバ4は主回路5a,5bに対し直列に接続され
ている。6は零相変流器で、上記主回路5a,5
bを介して外部電路2a,2bの地絡電流を検出
するものである。7は増幅回路で、零相変流器6
からの地絡電流信号を増幅し出力を出す。8は整
流回路で、上記増幅回路7と後述する半導体開閉
素子(以下サイリスタ9に直流を供給しており、
上記サージアブソーバ4と並列に接続されてい
る。9はサイリスタで、上記増幅回路7の出力が
所定値以上の時に導通して、電磁引きはずしコイ
ル1が付勢される。
次に動作の説明をする。上記のように構成され
たものにおいて、外部電路2a又は2bに地絡事
故が発生すると、主回路5a,5bの往路電流と
帰路電流が異なり、零相変流器6の2次巻線に電
圧が誘起される。この電圧は増幅回路7で増幅さ
れて、サイリスタ9のゲート入力となり、所定値
以上であればサイリスタ9が導通される。
たものにおいて、外部電路2a又は2bに地絡事
故が発生すると、主回路5a,5bの往路電流と
帰路電流が異なり、零相変流器6の2次巻線に電
圧が誘起される。この電圧は増幅回路7で増幅さ
れて、サイリスタ9のゲート入力となり、所定値
以上であればサイリスタ9が導通される。
一方、主回路5a,5bに接続されている電磁
引きはずしコイル1は、上記サイリスタ9の導通
により、整流器8を介して付勢され、しや断機構
(図示せず)が動作して接点部3a,3bが開放
される。つぎに主回路5a,5bに非常に高い周
波数の過大な衝撃波電圧が印加されると、この電
圧は電磁引きはずしコイル1に分圧されてサージ
アブソーバ4に印加される。このため、衝撃波電
圧は電磁引きはずしコイル1のリアフタンス成分
の働きにより立ち上りがなまることになり、サー
ジアブソーバ4の電圧制限作用が効果的に行なわ
れる。この時、サージアブソーバ4にバイパスさ
れる電流は電磁引きはずしコイル1に流れ、その
インピーダンスで制限されることは回路図より明
らかである。ところで、漏電しや断器の規格
(JIS C 8371およびJEM 1244など)による
と、衝撃波不動作性能の保証が規定されている。
この規定によると1×40us,6kVの標準衝撃波電
圧波形が印加された時、漏電しや断器は動作して
はいけないことになつている。しかるに、上述の
如くサージアブソーバ4でバイパスされるサージ
電流は、電磁引きはずしコイル1に流れ、これを
付勢してしや断機構を動作させ、接点部3a,3
bが開放される。すなわち、規格に規定されてい
る衝撃波不動作の保証ができない欠点を有してい
た。なお、電磁引きはずしコイル1は一般に主回
路5a,5bの定格電圧の80%程度でも動作する
ように設計されているので、衝撃波電圧印加によ
る上記サージ電流の時間は短かくても波高値が充
分大きいので電磁引きはずしコイル1は過電圧で
励磁された場合とほぼ等価となり動作するなどの
欠点を有するものである。
引きはずしコイル1は、上記サイリスタ9の導通
により、整流器8を介して付勢され、しや断機構
(図示せず)が動作して接点部3a,3bが開放
される。つぎに主回路5a,5bに非常に高い周
波数の過大な衝撃波電圧が印加されると、この電
圧は電磁引きはずしコイル1に分圧されてサージ
アブソーバ4に印加される。このため、衝撃波電
圧は電磁引きはずしコイル1のリアフタンス成分
の働きにより立ち上りがなまることになり、サー
ジアブソーバ4の電圧制限作用が効果的に行なわ
れる。この時、サージアブソーバ4にバイパスさ
れる電流は電磁引きはずしコイル1に流れ、その
インピーダンスで制限されることは回路図より明
らかである。ところで、漏電しや断器の規格
(JIS C 8371およびJEM 1244など)による
と、衝撃波不動作性能の保証が規定されている。
この規定によると1×40us,6kVの標準衝撃波電
圧波形が印加された時、漏電しや断器は動作して
はいけないことになつている。しかるに、上述の
如くサージアブソーバ4でバイパスされるサージ
電流は、電磁引きはずしコイル1に流れ、これを
付勢してしや断機構を動作させ、接点部3a,3
bが開放される。すなわち、規格に規定されてい
る衝撃波不動作の保証ができない欠点を有してい
た。なお、電磁引きはずしコイル1は一般に主回
路5a,5bの定格電圧の80%程度でも動作する
ように設計されているので、衝撃波電圧印加によ
る上記サージ電流の時間は短かくても波高値が充
分大きいので電磁引きはずしコイル1は過電圧で
励磁された場合とほぼ等価となり動作するなどの
欠点を有するものである。
この考案の上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、サージ電流回路に
制限用インピーダンスを追加して、衝撃波不動作
形漏電しや断器を提供することを目的とするもの
である。
去するためになされたもので、サージ電流回路に
制限用インピーダンスを追加して、衝撃波不動作
形漏電しや断器を提供することを目的とするもの
である。
以下、この考案の一実施例を第2図により説明
する。図において、10は電流制限用インピーダ
ンスで、サージアブソーバ4に直列に接続されて
いる。しかして、この制限用インピーダンス10
とサージアブソーバ4の直列回路は、主回路5
a,5bに対して、電磁引きはずしコイル1と直
列に、整流回路8と並列になるように接続されて
いる。上記制限用インピーダンス10は、第3図
に詳述されているように、電磁引きはずしコイル
1を分割して4端子構造とし、L1−L4は電磁引
きはずしコイル1に使用し、L2−L3を上記制限
用インピーダンス10に使用している。一般に電
磁引きはずしコイル1は有鉄心構造のため、空心
に比べ少ない巻数でもL2−L3は容易に大きなイ
ンダクタンスが得られるものである。なお、電磁
引きはずしコイル1は主回路5a,5bの定格電
圧の80%以下で動作するようにL1−L4は設計さ
れ、ている。また、制限用インピーダンス10は
所定の衝撃波電圧が以加された時、サージアブソ
ーバ4のバイパス電流を制限して上記電磁引きは
ずしコイル1が動作しない波高値になるように
L2−L3は設計されている。
する。図において、10は電流制限用インピーダ
ンスで、サージアブソーバ4に直列に接続されて
いる。しかして、この制限用インピーダンス10
とサージアブソーバ4の直列回路は、主回路5
a,5bに対して、電磁引きはずしコイル1と直
列に、整流回路8と並列になるように接続されて
いる。上記制限用インピーダンス10は、第3図
に詳述されているように、電磁引きはずしコイル
1を分割して4端子構造とし、L1−L4は電磁引
きはずしコイル1に使用し、L2−L3を上記制限
用インピーダンス10に使用している。一般に電
磁引きはずしコイル1は有鉄心構造のため、空心
に比べ少ない巻数でもL2−L3は容易に大きなイ
ンダクタンスが得られるものである。なお、電磁
引きはずしコイル1は主回路5a,5bの定格電
圧の80%以下で動作するようにL1−L4は設計さ
れ、ている。また、制限用インピーダンス10は
所定の衝撃波電圧が以加された時、サージアブソ
ーバ4のバイパス電流を制限して上記電磁引きは
ずしコイル1が動作しない波高値になるように
L2−L3は設計されている。
その他の符号の説明は、従来装置と全く同様の
ため説明を省略する。上述のように構成されたも
のにおいて、外部電路2a又は2bに地絡事故が
発生すると、前述した従来装置と同様に零相変流
器6の2次巻線に電圧が誘起され、増幅回路7で
増幅され、サイリスタ9のゲート入力となる。こ
の入力が所定値以上であればサイリスタ9は導通
され、電磁引きはずしコイル1は主回路5a,5
bの電圧を整流回路8で整流した電圧で付勢さ
れ、しや断機構(図示せず)が動作して接点部3
a,3bが開放される。この時サージアブゾーバ
ー4は動作しないので制限用インピーダンス10
は何ら作用しないものである。つぎに地絡事故は
発生していないが主回路5a,5bに例えば雷サ
ージのように非常に高い周波数の過大な衝撃波電
圧が印加されると、その電圧は電磁引きはずしコ
イル1と、制限用インピーダンス10で分圧され
てサージアブソーバ4に印加される。このため、
衝撃波電圧は電磁引きはずしコイル1と制限用イ
ンピーダンス10のリアクタンス成分の働きによ
り立ち上りがなまり、サージアブソーバ4の電圧
制限作用が充分に行なわれる。この時、サージア
ブソーバ4でバイパスされる電流は、第2図より
明らかなように、電磁引きはずしコイル1のイン
ピーダンスと制限用インピーダンス10の和で制
限される。電磁引きはずしコイル1は一般に定格
電圧の80%以下で動作するように設計されている
ので、一度仕様が決まるとサージアブソーバ4の
バイパス電流はおのずと決まり任意の値に設定す
ることは困難であるが、制限用インピーダンス1
0は、電磁引きはずしコイル1とは独立して設置
しているので、バイパス電流は、任意の値に設定
することができる。すなわち、制限用インピーダ
ンス10の大きさを任意に設計することでバイパ
ス電流も任意に設定することができる。従つて、
例えば1×40us,6kVの衝撃波電圧では電磁引き
はずしコイル1は動作せず、1×40us 8kVでは
動作するようなものも設計することができる。こ
の事は、非常に過大な衝撃波電圧(例えば1×
40us,10kV)が主回路5a,5bに侵入してき
た場合、サージアブソーバ4でバイパスされる電
流は電磁引きはずしコイル1を十分な電流で付勢
するので、引きはずし機構(図示せず)が動作し
て接点部3a,3bが開放され、サージアブソー
バ4の熱破壊を防止することができる。
ため説明を省略する。上述のように構成されたも
のにおいて、外部電路2a又は2bに地絡事故が
発生すると、前述した従来装置と同様に零相変流
器6の2次巻線に電圧が誘起され、増幅回路7で
増幅され、サイリスタ9のゲート入力となる。こ
の入力が所定値以上であればサイリスタ9は導通
され、電磁引きはずしコイル1は主回路5a,5
bの電圧を整流回路8で整流した電圧で付勢さ
れ、しや断機構(図示せず)が動作して接点部3
a,3bが開放される。この時サージアブゾーバ
ー4は動作しないので制限用インピーダンス10
は何ら作用しないものである。つぎに地絡事故は
発生していないが主回路5a,5bに例えば雷サ
ージのように非常に高い周波数の過大な衝撃波電
圧が印加されると、その電圧は電磁引きはずしコ
イル1と、制限用インピーダンス10で分圧され
てサージアブソーバ4に印加される。このため、
衝撃波電圧は電磁引きはずしコイル1と制限用イ
ンピーダンス10のリアクタンス成分の働きによ
り立ち上りがなまり、サージアブソーバ4の電圧
制限作用が充分に行なわれる。この時、サージア
ブソーバ4でバイパスされる電流は、第2図より
明らかなように、電磁引きはずしコイル1のイン
ピーダンスと制限用インピーダンス10の和で制
限される。電磁引きはずしコイル1は一般に定格
電圧の80%以下で動作するように設計されている
ので、一度仕様が決まるとサージアブソーバ4の
バイパス電流はおのずと決まり任意の値に設定す
ることは困難であるが、制限用インピーダンス1
0は、電磁引きはずしコイル1とは独立して設置
しているので、バイパス電流は、任意の値に設定
することができる。すなわち、制限用インピーダ
ンス10の大きさを任意に設計することでバイパ
ス電流も任意に設定することができる。従つて、
例えば1×40us,6kVの衝撃波電圧では電磁引き
はずしコイル1は動作せず、1×40us 8kVでは
動作するようなものも設計することができる。こ
の事は、非常に過大な衝撃波電圧(例えば1×
40us,10kV)が主回路5a,5bに侵入してき
た場合、サージアブソーバ4でバイパスされる電
流は電磁引きはずしコイル1を十分な電流で付勢
するので、引きはずし機構(図示せず)が動作し
て接点部3a,3bが開放され、サージアブソー
バ4の熱破壊を防止することができる。
更に電磁引きはずしコイル1はサージアブソー
バ4の初期不良や劣化等でサージアブソーバ4が
導通状態となつた場合や整流回路8、サイリスタ
9及び増幅回路7等の故障でこれ等が導通状態と
なつた場合にも当然付勢されるのでこのような場
合には電磁引きはずしコイル1は装置の自己保護
を行なうことは言うまでもない。
バ4の初期不良や劣化等でサージアブソーバ4が
導通状態となつた場合や整流回路8、サイリスタ
9及び増幅回路7等の故障でこれ等が導通状態と
なつた場合にも当然付勢されるのでこのような場
合には電磁引きはずしコイル1は装置の自己保護
を行なうことは言うまでもない。
なお、上記実施例では、4端子コイルについて
説明したが第4図に示す如く、3端子コイルの場
合、L1−L2を電磁引きはずしコイル1に使用
し、L2−L4を電流制限用インピーダンスに使用
しても同様の効果が得られるものである。
説明したが第4図に示す如く、3端子コイルの場
合、L1−L2を電磁引きはずしコイル1に使用
し、L2−L4を電流制限用インピーダンスに使用
しても同様の効果が得られるものである。
また第5図に示す如くコイルL2−L3をコイル
L1−L4と差動的に接続すればコイルL2−L3は、
サージアブソーバ4のバイパス電流を制限すると
同時に電磁引きはずしコイル1の吸引力を打消し
て衝撃波電圧に対する動作をより効果的に抑える
ことができる。
L1−L4と差動的に接続すればコイルL2−L3は、
サージアブソーバ4のバイパス電流を制限すると
同時に電磁引きはずしコイル1の吸引力を打消し
て衝撃波電圧に対する動作をより効果的に抑える
ことができる。
この考案は以上のように整流回路と主回路の間
でサージアブソーバと制限用インピーダンスの直
列回路が整流回路と並列に、かつ、主回路に対し
電磁引きはずしコイルと直列に接続されているの
で、定常状態(定格周波数、定格電圧印加)での
地絡電流に対する動作時は電磁引きはずしコイル
の電流は制限用インピーダンスで制限されず、十
分な力が得られ、衝撃波電圧が印加された時のみ
サージアブソーバの動作によつて、制限用インピ
ーダンスの電磁引きはずしコイルと直列に挿入さ
れ、コイルの電流(バイパス電流)を制限するよ
うに構成したので、所定の衝撃波電圧では、制限
用インピーダンスの作用で電磁引きはずしコイル
は十分な電流で付勢されず従つて接点部は開放さ
れない。すなわち、規格に規定されている衝撃波
不動作形漏電しや断器が得られる。また所定値を
大巾に越えた衝撃波電圧が印加された場合は、サ
ージアブソーバのバイパス電流も大きくなり電磁
引きはずしコイルは十分な電流で付勢されるので
しや断機構が動作して接点部が開放されサージア
ブソーバの熱的破壊を防止することができる。ま
た、バイパス電流は、電磁引きはずしコイルのイ
ンピーダンスと制限用インピーダンスの和で小さ
く制限されるため、サージアブソーバの経年劣化
が抑制されて寿命が極めて向上し、ひいてはサー
ジアブソーバを小形にできるという別の効果があ
る。更に、制限用インピーダンスとして、漏電し
や断器の内部に備えている電磁引きはずしコイル
用の鉄心を使用することで小形大容量のインダク
タンスが容易に得られ、漏電しや断器に特別の空
間が不要となり小形化が計れるなどの効果が生じ
るものである。
でサージアブソーバと制限用インピーダンスの直
列回路が整流回路と並列に、かつ、主回路に対し
電磁引きはずしコイルと直列に接続されているの
で、定常状態(定格周波数、定格電圧印加)での
地絡電流に対する動作時は電磁引きはずしコイル
の電流は制限用インピーダンスで制限されず、十
分な力が得られ、衝撃波電圧が印加された時のみ
サージアブソーバの動作によつて、制限用インピ
ーダンスの電磁引きはずしコイルと直列に挿入さ
れ、コイルの電流(バイパス電流)を制限するよ
うに構成したので、所定の衝撃波電圧では、制限
用インピーダンスの作用で電磁引きはずしコイル
は十分な電流で付勢されず従つて接点部は開放さ
れない。すなわち、規格に規定されている衝撃波
不動作形漏電しや断器が得られる。また所定値を
大巾に越えた衝撃波電圧が印加された場合は、サ
ージアブソーバのバイパス電流も大きくなり電磁
引きはずしコイルは十分な電流で付勢されるので
しや断機構が動作して接点部が開放されサージア
ブソーバの熱的破壊を防止することができる。ま
た、バイパス電流は、電磁引きはずしコイルのイ
ンピーダンスと制限用インピーダンスの和で小さ
く制限されるため、サージアブソーバの経年劣化
が抑制されて寿命が極めて向上し、ひいてはサー
ジアブソーバを小形にできるという別の効果があ
る。更に、制限用インピーダンスとして、漏電し
や断器の内部に備えている電磁引きはずしコイル
用の鉄心を使用することで小形大容量のインダク
タンスが容易に得られ、漏電しや断器に特別の空
間が不要となり小形化が計れるなどの効果が生じ
るものである。
第1図は、従来の漏電しや断器の構造を示す回
路図、第2図はこの考案の一実施例を示す漏電し
や断器の回路図、第3図はこの考案の要吊である
制限用インピーダンスの一例を示す引きはずしコ
イルの構成図、第4図は、他の実施例を示す引き
はずしコイルの構成図、第5図は引きはずしコイ
ルの差動作用を持たせた場合の接続図である。 図において、1は電磁引きはずしコイル、4は
サージアブソーバ、6は零相変流器、7は増幅回
路、8は整流回路、9はサイリスタ、10は制限
用インピーダンスである。なお、各図中同一符号
は同一または相当部分を示す。
路図、第2図はこの考案の一実施例を示す漏電し
や断器の回路図、第3図はこの考案の要吊である
制限用インピーダンスの一例を示す引きはずしコ
イルの構成図、第4図は、他の実施例を示す引き
はずしコイルの構成図、第5図は引きはずしコイ
ルの差動作用を持たせた場合の接続図である。 図において、1は電磁引きはずしコイル、4は
サージアブソーバ、6は零相変流器、7は増幅回
路、8は整流回路、9はサイリスタ、10は制限
用インピーダンスである。なお、各図中同一符号
は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 主回路の地絡電流の大きさが所定値以上の時
に導通する半導体開閉素子、この半導体開閉素
子の導通時に上記主回路から供給される電流を
整流して上記半導体開閉素子に通電する整流回
路、この整流回路と上記主回路との間で、上記
整流回路に並列に接続されると共に上記主回路
の相間にサージアブソーバと電流制限用インピ
ーダンスの直列回路を形成し、上記サージアブ
ソーバと制限用インピーダンスの直列回路と上
記整流回路との一端接続部と上記主回路の一相
との間に接続された電磁引きはずしコイルを備
え、上記電磁引きはずしコイルを分割し少なく
とも3端子とし、一方を電磁引きはずしコイル
に、他方を電流制限用インピーダンスに使用し
た漏電しや断器。 (2) 上記電磁引きはずしコイルを分割し4端子と
し、一方を電磁引きはずしコイルに、他方を電
流制限用インピーダンスに使用し、かつ両コイ
ルを差動的に接続した上記実用新案登録請求の
範囲第一項記載の漏電しや断器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10411580U JPS6233484Y2 (ja) | 1980-07-22 | 1980-07-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10411580U JPS6233484Y2 (ja) | 1980-07-22 | 1980-07-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5727830U JPS5727830U (ja) | 1982-02-13 |
| JPS6233484Y2 true JPS6233484Y2 (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=29465500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10411580U Expired JPS6233484Y2 (ja) | 1980-07-22 | 1980-07-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233484Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-07-22 JP JP10411580U patent/JPS6233484Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5727830U (ja) | 1982-02-13 |
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