JPS6233784A - 化合物結晶の加工方法 - Google Patents
化合物結晶の加工方法Info
- Publication number
- JPS6233784A JPS6233784A JP17267185A JP17267185A JPS6233784A JP S6233784 A JPS6233784 A JP S6233784A JP 17267185 A JP17267185 A JP 17267185A JP 17267185 A JP17267185 A JP 17267185A JP S6233784 A JPS6233784 A JP S6233784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- polishing
- strain
- processing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 9
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910019093 NaOCl Inorganic materials 0.000 abstract 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 7
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、赤外線やガンマ−線々どの検出器材料として
用いられる化合物結晶例えばカドミウムテルル（ＣｄＴ
ｅ）結晶や水銀カドミウムテルル（”’１””ＸＣｄｘ
Ｔｅ、ｘ−０，２）結晶（以下）（ｇｃｄＴｅ結晶と称
す）の表面を加工歪の々い光学的平滑面すなわち無歪鏡
面に仕上げるだめの加工方法に関するものである。
用いられる化合物結晶例えばカドミウムテルル（ＣｄＴ
ｅ）結晶や水銀カドミウムテルル（”’１””ＸＣｄｘ
Ｔｅ、ｘ−０，２）結晶（以下）（ｇｃｄＴｅ結晶と称
す）の表面を加工歪の々い光学的平滑面すなわち無歪鏡
面に仕上げるだめの加工方法に関するものである。
（従来の技術）
ｃａ’ｒｅ結晶やＨｇＣｄＴｅ結晶を赤外線やガンマ−
線の検出器として使用するには、例えば寸法を１＠６０
μｍ、長さ８００μｍ、厚さ１０ ａｍ前後の薄片板に
加工すると共に加工表面を赤外線やガンマ−線の入射に
対して支障のない平坦々無歪鏡面に仕上げることが要求
されている。しかしＣｄＴｅ結晶やＨ＋ｚＣｄＴｅ結晶
は、人工的に開発されてからまだ日が浅くかつ結晶を形
成している各元素がすべて有害物質であるためを扱いが
難しいなどの点から、無歪鏡面加工技術の研究は、極め
て少なくたとえ研究されていたとしても、危険な加工作
業が行われているだけでなく、精度的にもかなり劣って
いる。
線の検出器として使用するには、例えば寸法を１＠６０
μｍ、長さ８００μｍ、厚さ１０ ａｍ前後の薄片板に
加工すると共に加工表面を赤外線やガンマ−線の入射に
対して支障のない平坦々無歪鏡面に仕上げることが要求
されている。しかしＣｄＴｅ結晶やＨ＋ｚＣｄＴｅ結晶
は、人工的に開発されてからまだ日が浅くかつ結晶を形
成している各元素がすべて有害物質であるためを扱いが
難しいなどの点から、無歪鏡面加工技術の研究は、極め
て少なくたとえ研究されていたとしても、危険な加工作
業が行われているだけでなく、精度的にもかなり劣って
いる。
例えば米国のニー−ヨークにあるアカデミツクプレス（
Ａｃａｄｐｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ）社発行のセミコンダク
ターズ アンド セミメタルズ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒｓａｎｄ Ｓｅｍｉｍｅｔａｌｓ）の２４６ペー
ジに記載のようπ、ＨｇＣｄＴｅ結晶から切り出された
ウェハ表面を機械的にラッピングした後、加工歪を除去
し鏡面を得るために臭素（Ｂｒ）とメタノール（Ｃ１（
、ＯＨ）の混合液（Ｂｒの体積比１２２０％）で−エツ
チングすることにより無歪鏡面を得る方法が行われてい
る。
Ａｃａｄｐｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ）社発行のセミコンダク
ターズ アンド セミメタルズ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒｓａｎｄ Ｓｅｍｉｍｅｔａｌｓ）の２４６ペー
ジに記載のようπ、ＨｇＣｄＴｅ結晶から切り出された
ウェハ表面を機械的にラッピングした後、加工歪を除去
し鏡面を得るために臭素（Ｂｒ）とメタノール（Ｃ１（
、ＯＨ）の混合液（Ｂｒの体積比１２２０％）で−エツ
チングすることにより無歪鏡面を得る方法が行われてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
このような方法は、エツチング液の化学的作用のみで加
工がなされるだめ、加工面の平坦性が損われること、寸
だエツチング液である臭素が劇毒物であり、さらにツタ
ノールが引火性を有する有機溶剤であるため、作業性が
啄めて悪く使用後の廃液処理も極めて煩雑であることな
どの欠点がある。
工がなされるだめ、加工面の平坦性が損われること、寸
だエツチング液である臭素が劇毒物であり、さらにツタ
ノールが引火性を有する有機溶剤であるため、作業性が
啄めて悪く使用後の廃液処理も極めて煩雑であることな
どの欠点がある。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、作業性に優れ、平坦性の良好な無歪鏡面加工が可能と
なる化合物結晶の加工方法を提供することにある。
、作業性に優れ、平坦性の良好な無歪鏡面加工が可能と
なる化合物結晶の加工方法を提供することにある。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明によれば、エツチング液として弱アルカリ性の次
叱塩累酸ナトリウム（Ｎ、１０（Ｊ ）系水溶液を用い
、研摩クロス面上でメカノケミカルボリジングを行うこ
とにより、加工面の平坦性の悪化やエツチング液の作業
性の不便さが解消されることを特徴とする化合物結晶の
加工方法が得られる。
叱塩累酸ナトリウム（Ｎ、１０（Ｊ ）系水溶液を用い
、研摩クロス面上でメカノケミカルボリジングを行うこ
とにより、加工面の平坦性の悪化やエツチング液の作業
性の不便さが解消されることを特徴とする化合物結晶の
加工方法が得られる。
（作用）
本発明は、上述の構成をとることにより、従来技術の問
題点を解決した。研摩クロス面上に結晶ウェハを押圧し
、相対的に摺動運動させて両者間にＮａ０Ｃ１系水溶液
を研摩液として供給しながら加工することにより、従来
の臭素とメタノールの混合液によるエツチングの場合に
生じていた加工面の平坦性不良や危険薬品使用による作
業性の不便さが解消され、平坦々無歪鏡面と安全々研摩
が達成される。
題点を解決した。研摩クロス面上に結晶ウェハを押圧し
、相対的に摺動運動させて両者間にＮａ０Ｃ１系水溶液
を研摩液として供給しながら加工することにより、従来
の臭素とメタノールの混合液によるエツチングの場合に
生じていた加工面の平坦性不良や危険薬品使用による作
業性の不便さが解消され、平坦々無歪鏡面と安全々研摩
が達成される。
（実施例）
実施例１゜
）ＴｇＣｄＴｅ結晶累材（直径１０ｆｉ、長さ２ Ｑ
＊＊ ）から例えば内周刃切断砥石を用いて厚さ１．Ｏ
Ｈの寸法のウェハを切り出す。このウェハの両表面にお
ける切断歪層と形状的々凹凸をラフピングにより約１０
０１１ｍ除去して表面あらさ１μｍの平坦な梨地面にす
る。このラッピングは、例えば粒径５μｍのＳｉＣ砥粒
と水を混合したラップ剤を用いてＳｎ板上で行う。ラッ
ピングにより生じた表面あらさと加工歪をＮａ０Ｃ１系
水溶液（例えば不二見研摩剤工業（株）の商品名［イン
セックＮＩＢＪの約３６ｇを１リツトルの純水に希釈し
た溶液）を用いて発泡ポリウレタン構造の研摩クロス（
例えば不二見研摩剤工業（株）の商品名［サーフィン０
１８Ｊ）面上でメカノケミカルボリジングして約２０μ
ｍ除去する。このメカノケミカルボリジング面は、表面
あらさ２０大以下の平滑な鏡面と２μｍ以下の平面度が
得られており、ウェハ全面が赤外線検出器の製作面とし
て十分使用できるものであった。ＨｇＣｄＴｅ結晶は加
工歪を調べるエッチャントがないため赤外線検出器を試
作して電気的特性を評価した結果、エツチング面と同等
の性能が得られたことからメカノケミカルボリジング面
は無歪面になっていると考えられる。
＊＊ ）から例えば内周刃切断砥石を用いて厚さ１．Ｏ
Ｈの寸法のウェハを切り出す。このウェハの両表面にお
ける切断歪層と形状的々凹凸をラフピングにより約１０
０１１ｍ除去して表面あらさ１μｍの平坦な梨地面にす
る。このラッピングは、例えば粒径５μｍのＳｉＣ砥粒
と水を混合したラップ剤を用いてＳｎ板上で行う。ラッ
ピングにより生じた表面あらさと加工歪をＮａ０Ｃ１系
水溶液（例えば不二見研摩剤工業（株）の商品名［イン
セックＮＩＢＪの約３６ｇを１リツトルの純水に希釈し
た溶液）を用いて発泡ポリウレタン構造の研摩クロス（
例えば不二見研摩剤工業（株）の商品名［サーフィン０
１８Ｊ）面上でメカノケミカルボリジングして約２０μ
ｍ除去する。このメカノケミカルボリジング面は、表面
あらさ２０大以下の平滑な鏡面と２μｍ以下の平面度が
得られており、ウェハ全面が赤外線検出器の製作面とし
て十分使用できるものであった。ＨｇＣｄＴｅ結晶は加
工歪を調べるエッチャントがないため赤外線検出器を試
作して電気的特性を評価した結果、エツチング面と同等
の性能が得られたことからメカノケミカルボリジング面
は無歪面になっていると考えられる。
なおＮａ０Ｃ１系水溶液のみによるエツチングでは表面
に酸化膜が生成きれるため境面が得られ彦い欠点がある
。
に酸化膜が生成きれるため境面が得られ彦い欠点がある
。
一方、同様に加工したラフピングウェハを、従来の臭素
とメタノールの混合液（臭素：メタノール＝１：４）金
片いてエツチングし、約２０μｍ除去した場合の表面は
、表面あらさ０．０１μｔｎ以下の平滑な鏡面と加工歪
の々い無歪面が得られるが平面度は約１０μｍと大きく
なった。この加工面は局部約０ては使用できるがウェハ
全面に対しては使用できないため検出器の製作には不適
当である。
とメタノールの混合液（臭素：メタノール＝１：４）金
片いてエツチングし、約２０μｍ除去した場合の表面は
、表面あらさ０．０１μｔｎ以下の平滑な鏡面と加工歪
の々い無歪面が得られるが平面度は約１０μｍと大きく
なった。この加工面は局部約０ては使用できるがウェハ
全面に対しては使用できないため検出器の製作には不適
当である。
実施例２゜
ＣｄＴｅ結晶素材（直径１０順、長さ２０ｆｌ）から厚
さ１雌の寸法の（１１１）面ウェハをワイヤーノーを用
いて切り出した後、両表面に残留した切断歪層と形状的
な凹凸をラッピングにより約１００μｍ除去して表面あ
らさ１μｍの平坦々梨地面に仕上げる。このラッピング
￥ｉ例えば粒径５μｍのＷＡ砥粒と水を混合したラップ
剤を用いてガラス板上で行う。ラッピングにより生じた
加工歪と表面の凹凸をＮａ０Ｃ１系水溶液と発泡ポリウ
レタンクロスの組合せでメカノケばカルボリジングして
約２０μｍ除去する。このメカノケミカルポリシング面
は、表面あらさ２０＾以下の平滑な鏡面と２μｍ以下の
平面度が得られており、加工歪についてもＨＦ：Ｈ，Ｏ
，：Ｈ，Ｏ＝２：２：３の混合液を用いて、常温で１分
間エツチングして調べた結果、加工による欠陥は全く観
察され力かった。従ってこの加工面は、ガンマ−線検出
器やＨｇＣｄＴｅ薄膜をエビ成長させるだめの基板に十
分使用できた。
さ１雌の寸法の（１１１）面ウェハをワイヤーノーを用
いて切り出した後、両表面に残留した切断歪層と形状的
な凹凸をラッピングにより約１００μｍ除去して表面あ
らさ１μｍの平坦々梨地面に仕上げる。このラッピング
￥ｉ例えば粒径５μｍのＷＡ砥粒と水を混合したラップ
剤を用いてガラス板上で行う。ラッピングにより生じた
加工歪と表面の凹凸をＮａ０Ｃ１系水溶液と発泡ポリウ
レタンクロスの組合せでメカノケばカルボリジングして
約２０μｍ除去する。このメカノケミカルポリシング面
は、表面あらさ２０＾以下の平滑な鏡面と２μｍ以下の
平面度が得られており、加工歪についてもＨＦ：Ｈ，Ｏ
，：Ｈ，Ｏ＝２：２：３の混合液を用いて、常温で１分
間エツチングして調べた結果、加工による欠陥は全く観
察され力かった。従ってこの加工面は、ガンマ−線検出
器やＨｇＣｄＴｅ薄膜をエビ成長させるだめの基板に十
分使用できた。
上記実施例においては、ＨｇＣｄＴｅ結晶の面方位につ
いては何も触れなかったが（１００）、（０１０）。
いては何も触れなかったが（１００）、（０１０）。
（１１１）面はもちろん他の面についても同様に無歪鏡
面が達成されている。
面が達成されている。
また上記実施例については、組成がｘ＝０．２の場合と
ｘ＝１の場合について述べたが、ｘ＝０〜１．０までの
範囲の結晶す力わちＨｇＴｅからＣｄＴｅの結晶まで同
様に無歪鏡面が達成できることは言うまでもない。
ｘ＝１の場合について述べたが、ｘ＝０〜１．０までの
範囲の結晶す力わちＨｇＴｅからＣｄＴｅの結晶まで同
様に無歪鏡面が達成できることは言うまでもない。
本加工方法は、上記結晶以外のＩＩ−ＶＩ族化合物例え
ばＺｎ５ｅ、ＣｄＳｅ、ＨｇＳｅや結晶構造が同じであ
る■−Ｖ族化合物例えばＩｎＰ、ＧａＰなどに対しても
適用できると考えられる。
ばＺｎ５ｅ、ＣｄＳｅ、ＨｇＳｅや結晶構造が同じであ
る■−Ｖ族化合物例えばＩｎＰ、ＧａＰなどに対しても
適用できると考えられる。
（発明の効！１：）
本発明の化合物結晶の加工方法によれば、４Ｖ扱いが簡
単で安全なＮａ０Ｃｌ系水溶液を研摩液として用い、研
Ｙクロス面上で摺動運動させることにより、従来の臭素
とメタノールの混合液によるエツチングの場合に生じて
いた平面度の悪化や危険な作業々どが解消されるため安
全な研摩作業と高精度のウェハが得られ、化合物結晶材
料の無歪鏡面加工にとって極めて有効である。
単で安全なＮａ０Ｃｌ系水溶液を研摩液として用い、研
Ｙクロス面上で摺動運動させることにより、従来の臭素
とメタノールの混合液によるエツチングの場合に生じて
いた平面度の悪化や危険な作業々どが解消されるため安
全な研摩作業と高精度のウェハが得られ、化合物結晶材
料の無歪鏡面加工にとって極めて有効である。
Claims (1)
- 被加工物を研摩クロス面上に押圧し、両者を相対的に摺
動運動させながら該被加工物表面に研摩液を供給して加
工する方法において、発泡ポリウレタン構造の研摩クロ
スと次亜塩素酸ナトリウム系水溶液の組合せを用いて無
歪鏡面研摩することを特徴とする化合物結晶の加工方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17267185A JPS6233784A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 化合物結晶の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17267185A JPS6233784A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 化合物結晶の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233784A true JPS6233784A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15946209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17267185A Pending JPS6233784A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 化合物結晶の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233784A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025472A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JPH02275629A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの研摩方法 |
| EP0788146A1 (en) * | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of polishing semiconductor wafers |
| CN111755566A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-10-09 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099466A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-07 |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17267185A patent/JPS6233784A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099466A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-07 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025472A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JPH02275629A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの研摩方法 |
| EP0788146A1 (en) * | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of polishing semiconductor wafers |
| CN111755566A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-10-09 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2592401B2 (ja) | 表面を研磨及び平坦化する組成物と方法 | |
| TWI585840B (zh) | Manufacturing method of semiconductor wafers | |
| JP3400765B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用 | |
| EP3666937B1 (en) | High-flatness, low-damage and large-diameter monocrystalline silicon carbide substrate, and manufacturing method therefor | |
| KR20000017512A (ko) | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 | |
| KR102464055B1 (ko) | 코발트, 지르코늄 산화물, 폴리실리콘, 및 실리콘 이산화물 막의 선택적 화학 기계적 연마 방법 | |
| KR20020016596A (ko) | 연마용 조성물 및 그를 이용한 연마 방법 | |
| SG190703A1 (en) | Composition and method for polishing polysilicon | |
| TW396449B (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
| US10347481B2 (en) | Silicon carbide wafer and method for production thereof | |
| WO2006090574A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの鏡面面取り方法 | |
| WO2002005337A1 (en) | Mirror chamfered wafer, mirror chamfering polishing cloth, and mirror chamfering polishing machine and method | |
| DE19833257C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe | |
| JPS6296400A (ja) | ウエハの製造方法 | |
| US3869324A (en) | Method of polishing cadmium telluride | |
| CN117264600A (zh) | 研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法 | |
| CN107384218A (zh) | 一种碲锌镉材料的抛光液及抛光方法 | |
| JP2002184726A (ja) | 硬脆材料基板用研磨剤 | |
| JP4167928B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハ用の研磨液及びそれを用いたｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハの研磨方法 | |
| KR19990087978A (ko) | 매우평탄한실리콘반도체웨이퍼및반도체웨이퍼의제조방법 | |
| JPS6233784A (ja) | 化合物結晶の加工方法 | |
| US3869323A (en) | Method of polishing zinc selenide | |
| EP4130190A1 (en) | Polishing composition | |
| CN113150741A (zh) | 适用于高硬质单晶芯片的化学机械研磨浆料 | |
| US4108716A (en) | Polishing of CdS crystals |