JPS6234342A - 光情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 半導体レーザ等の光源からの拡散する光を透明な基板の
一方の面に対してほぼ垂直方向に投射し、基板上に形成
されたイン−ライン・レンズ手段によりこの投射光を基
板の他方の面からほぼ垂直上方に出射させかつ集光させ
る。集光した光のうち光ディスク等で反射して戻ってく
る光が基板上に形成された受光手段により受光される。

発明の背景 （１）発明の技術分野 この発明は、半導体レーザなどからのレーザ光を集束し
、光ディスクの情報記録部に照射し、その反射光の強度
変化にもとづいて光ディスクの情報を読取る光ピツクア
ップ装置、または光磁気ディスクにデータを書込むもし
くは読出すための装置で代表される光情報処理装置に関
する。

（２）従来技術の説明 近年、高記録密度の光ディスク・メモリが実用化される
にともない、高性能かつ小型軽量の光ピツクアップ装置
の開発が期待されている。

従来の光ピツクアップ装置の主要部は光学系と駆動系と
から構成されている。

光学系は基本的には、レーザ光を集束レンズで光ディス
クの情報記録部上に集光し、光ディスクからの反射光を
フォトダイオードで電気信号に変換する機能をもフてお
り、光デイスク上の記録情報による反射光の光量変化が
電気信号として取出される。

光学系は、それらの作用によって、光ディスクに照射さ
れる光と光ディスクからの反射光とを分離するアイソレ
ータ光学系、光ディスクに照射される光を１μｍ径程度
のスポットに集束させるビーム集光光学系、およびフォ
ーカシング・エラーやトラッキングφエラーを検出する
ためのエラー検出光学系に分けられる。これらの光学系
は。

光源としての半導体レーザ、各種レンズ類、プリズム類
１回折格子、ミラー、１／４波長板、フォト・ダイオー
ドなどの素子を適宜組合せることにより構成される。

駆動系には、フォーカシング駆動系、トラッキング駆動
系およびラジアル送り駆動系がある。

フォーカシング駆動系は、集束レンズで集光された光ビ
ームが光デイスク面に正しいスポットを形成するように
、集束レンズと光デイスク面との距離を適切に保つため
の機構である。集束レンズをその光軸方向に動かして調
整するものが最も一般的である。

トラッキング駆動系は、レーザ・スポットが光ディスク
のトラックから脱線しないように追従させるための機構
である。この機構としては、集束レンズを光軸と垂直方
向に動かして調整するもの、光ピツクアップ・ヘッド全
体を光ディスクの半径方向に動かして調整するもの、可
動ミラー（ビボッティングーミラー）により集束レンズ
への入射光の角度を調整するものなどが一般的に用いら
れている。

ラジアル送り駆動系は、光ピツクアップ・ヘッドを光デ
ィスクの半径方向に送る機構であり、これには一般にリ
ニア・モータが使用される。

このような従来の光ピツクアップ装置は２次のような欠
点をもっている。

光学系が複雑で光軸合わせかめんどうであるとともに、
振動により光軸がずれやすい。

部品点数が多く１組立てに時間がかかり生産性が悪い。

光学部品が高価であるために全体としても高価になる。

光学部品が大きいために光ピツクアップ装置も大型とな
り、光学部品を保持する機構も必要であるから全体とし
て重くなる。

発明の概要 （１）発明の目的 この発明は、小型かつ軽量でしかも簡単な構成の光情報
処理装置を提供することを目的とする。

（２）発明の構成および効果 この発明による光情報処理装置は、使用される光に対し
て透明な基板、拡散する光を基板の一方の面に対してほ
ぼ垂直に投射する光源、投射された光を基板の他方の面
からほぼ垂直に上方に出射させかつ集光する基板に設け
られたレンズ手段。

および光ディスク等から反射してくる光を受光するため
の基板に設けられた受光手段を備えていることを特徴と
する。必要ならば基板の位置を上下方向に調整するフォ
ーカシング駆動機構、および基板の位置を横方向に調整
するトラッキング駆動機構を設ける。

この発明においては、光学部品としてのレンズ、プリズ
ム、回折格子、ミラー、１／４波長板等が用いられてい
ないので、装置の小型化、軽量化を図ることができる。

とくに、基板からレーザ光を垂直上方に出射させ、この
光を光ディスク等に斜めに照射し、光ディスク等から斜
めに反射光を受光するようにしているから、従来の光ピ
ツクアップ装置の光学系に必要であったアイソレータ光
学系を省略することができる。またこの発明においては
、光源からの光を基板の一面に投射し。

基板を厚さ方向に透過させて基板の他面から出射させて
いるので、基板上に光導波路を作成する必要がなく、構
成がきわめて簡素となり、その作製も容易となる。さら
にこの発明においては、イン電ライン型のレンズ手段を
用いているので、すなわち基板に垂直に入射した光を垂
直に出射させかつ集光するレンズ手段を用いているので
、オフφアクシス・レンズを作製する場合に比べて、そ
のパターン設計および作製が容易となる。

実施例の説明 （１）光ピツクアップ・ヘッドの構成の概要第１図およ
び第２図は光ピツクアップ・ヘッド９の構成を示してい
る。基台１０上に適当な支持部材１９を介して基板１１
が設けられかつ固定されている。基板１１は使用される
光、すなわち半導体レーザ１２の出力光に対して透明な
材料、たとえばガラスで形成される。

基板１１上の一部にはイン・ライン・フレネル・レンズ
１３が形成されている。このフレネル・レンズ１３の下
方には光源としての半導体レーザ１２が配置され、適当
な手段（図示路）により基台１０上に固定されている。

フレネル・レンズ１３は下方の半導体レーザ１２から出
射しかつ広がりながら基板１１を透過してレンズ１３に
達した光を基板１１の上面からほぼ垂直上方に出射させ
るとともに、２次元的に集光（フォーカシング）するも
のである。出射したレーザ光が集光してスポット（１μ
ｍ径程度）を形成する点がＰで示されている。光ディス
ク８１に記録された情報を読取る場合には、レーザ・ス
ポットＰが光ディスクの情報記録面上に位置するように
、この光ピツクアップ・ヘッド９が配置される。また、
レンズ１３の出射光が光ディスク８１の面に対して斜め
に照射されるように、光ビック・アップ・ヘッド９と光
ディスク８１とが配置される。光ディスク８１に投射さ
れた光は、光ディスク８１の面から斜め方向に反射され
る（とくに第２図参照）。

基板１１上のレンズ１３から適当な距離はなれた箇所に
受光部２０が形成されている。受光部２０は、光ディス
ク８１の情報記録面からの反射光を受光するためのもの
であり、上述のレーザ・スポットＰの位置から斜め下方
に反射してくる光を受光できる位置に配置されている。

受光部２０は、４つの独立した受光素子２１〜２４から
なる。受光素子２１．２２は中央に隣接して配置され、
これらの受光素子２１．２２の前後に他の受光素子２３
．２４が設けられている。これらの受光素子２１〜２４
は、たとえばアモルファスＳ１を基板１１に蒸着するこ
とにより形成されている。受光素子２１〜２４の出力信
号は、基板１１上に形成された配線パターンにより電極
４１〜４４にそれぞれ導かれ、さらにワイヤボンディン
グにより基台１０上の電極（図示路）にそれぞれ導かれ
る。第１図においては受光素子２１〜２４の共通電極の
図示が省略されている。

光ディスクに記録された情報は２反射光の強度変化とし
て現われるから、これらすべての受光素子２１〜２４の
出力信号の和信号または受光素子２１と２２の和信号が
記録情報の読取り信号となる。

受光素子としてはアモルファスＳ１の他に、　ＣｄＴｅ
やＣｄＳなどを用いることができる。

光ディスク８１への入射光と反射光とを分離するために
は次のように構成しておけばよい。すなわち、第２図を
参照して、レンズ１３から光ディスク８１に入射する光
の収束角をα、この入射光の光軸と光デイスク面の法線
とのなす角をθとすると。

θ〉αとなるようにしておけば、入射光と反射光とを分
離することができる。

基板１１の材料としてガラスが用いられた場合には、第
２図に鎖線１１Ａで示すように、基板をレンズ１３と受
光部２０との間で屈折させ１反射光もまた受光部２０に
対してほぼ垂直に入射するようにすることが好ましい。

第３図は、半導体レーザ１２の取付けのやり方の他の例
を示している。基板１１として第１図に示すものよりも
厚いものが用いられて゛いる。基板１１表面に形成され
たフレネル・レンズ１３の真下の位ｔにおいて基板１１
の下面には凹部１８が形成され、この凹部１８内に半導
体レーザ１２が収められかつ基板１１に接着されること
により固定されている。このように半導体レーザ１２を
基板１１の下面に設けることにより、光ピツクアップ・
ヘッド９の構成が一層簡素になる。

半導体レーザ１２の位置決めは次のようにして行なえば
よい。ｘ、ｙ、ｚおよびθ方向に微調整可能なステージ
に半導体レーザ１２を支持させかつ凹部１８に収めてお
き、半導体レーザ１２から出射しレンズ１３により集光
された光が調整用光ディスクの面で反射するように、調
整用光ディスクに対してこの光ピツクアップ・ヘッド９
を配置しておく。

調整用光ディスクからの反射光を受光部２０で受光する
。一方、調整用光ディスク上の光スポットのフォーカシ
ングおよびトラッキングが最適になったときに受光部２
０から出力されるであろう電圧に相当する基準電圧を発
生する回路を設けておく。

受光部２０の出力電圧とこの基準電圧とを比較し。

その差が極小になるように上記ステージを動かし半導体
レーザ１２の位置を微調整する。半導体レーザ１ｚの位
置が最適になったところで、たとえば瞬間接着剤を用い
て半導体レーザ１２を基板１１に固定する。

第４図は受光部２０の他の側を示している。受光部２０
を構成する４つの受光素子２１〜２４は、基板１１とは
別体のチップ２５に形成されている。これらの受光素子
２１〜２４はたとえば、　８１チツプ２５に４つの独立
したＰＮ接合（フォトダイオード）をつくることにより
形成される。受光部チップ２５は基板１１　　　　’上
に接着されている。このチップ２５の位置決めも上述の
やり方と同じようにして行なわれる。すなわち、半導体
レーザ１２の位置を固定しておき。

チップ２５の位置を調整しながら受光部２０の出力電圧
が最大になった位置でチップ２５を固定する。

（２）集光レンズ ｍ５図および第６図は位相型円形グレーティングによっ
て構成されるフレネル・レンズ１３の構成を示すもので
ある。このレンズ１３は、電子ビーム拳リソグラフィに
より作製することができる。すなわち、ガラス基板１１
上に導電性膜１８を形成しその上に電子ビーム・レジス
トを一様に塗布する。

そして、コンピュータにより制御された電子ビーム描画
装置により所定の干渉縞パターンをレジスト上に描画す
る。この後レジストを現像すればレジストの一部１７が
残り、上記干渉縞パターンの凹凸（コルゲーション）を
もつレンズ構造ができる。

上記の干渉縞パターンは、半導体レーザ１２から出射さ
れる拡散する光と、レンズ１３から垂直に出射されかつ
収束する光との干渉縞パターンとしてコンビ二一夕によ
りて計算される。

レジスト１７によるコルゲーションに代えてＳｎＯや！
ｎ０２のコルゲーションを基板１１上に形成してこれを
グレーティング・レンズとしてもよい。この場合には、
これらの材料上に上述のレジスト・パターンをマスクと
して形成し、ドライエツチング技術等により上記材料の
マスクされていない部分をエツチングし、最後にレジス
ト・パターンを除去すればよい。

第７図に示すように、基板（ガラス）　１１を直接に所
定パターンにエツチングすることによってもレンズ１３
を作製することができる。

レンズ効率をさらに高めるためには、第８図および第９
図に示すようにブレーズ化された（ブレーズド）フレネ
ル・レンズとすることが好ましい。第８図は、第６図に
示すようなレジスト装荷型のものを、第９図は第７図に
示すようなエツチング型のものをそれぞれ示している。

集光レンズとしては上述のフレネル・レンズに限らない
。たとえば基板１１上にオプティカル・レンズとしての
半球面状の凸部または凹部を形成してもよい。

このような集光レンズを基板１．１の上面ではなく下面
に形成してももちろんよい。

（３）フォーカシング・エラーの検出 光ディスクの情報記録面にはそのトラックにそってディ
ジタル情報を長さや位置によって表わすピット（くぼみ
）が形成されている。第１Ｏ図は、光ディスク８１と光
ピツクアップ・ヘッド９との位置関係を光ディスク８１
をその周方向にそって切断して示すものである。レンズ
１３から出射したレーザ光は光ディスク８１の情報記録
面（第１０図ではピット８２を含む部分）で反射して受
光部２０で受光される。第１１図は、光ディスク８１か
らの反射光が受光部２０を照射するその範囲を示してい
る。

第１Ｏ図において、実線で示された光ディスク８１およ
びピット８２は、光ディスク８１と光ピツクアップ・ヘ
ッド９との間の距離が最適であり、出射光の光デイスク
８工上へのフォーカシングが正しく行なわれている様子
を示すものである。このときの受光部２０における反射
光の照射領域がＱで示されている。この照射領域Ｑは中
央の受光素子２１．２２上に位置しており、他の受光素
子２３．２４には反射光は受光されない。

光ディスク８１とピックアップ・ヘッド９との間の距離
が相対的に大きくまたは小さくなって適切なフォーカシ
ングが行なわれない場合の光ディスク８１の位置が第１
０図に鎖線で示されている。光ディスク８１とピックア
ップ・ヘッド９との間の距離が相対的に小さくなった場
合（−Δｄの変位）には１反射光の照射領域（Ｑｌで表
わされている）は受光素子２３側に寄る。受光素子２３
は差動増幅器７１の負側に、受光素子２４は正側にそれ
ぞれ接続されているから、この場合には差動増幅器７１
の出力は負の値を示し、この値は変位量−Δｄの大きさ
を表わしている。

光ディスク８１とピックアップ・ヘッド９との間の距離
が相対的に大きくなった場合（＋Δｄの変位）には１反
射光の照射領域（Ｑ２で表わされている）は受光素子２
４側に寄る。差動増幅器７１の出力は正の値を示し、か
つこの値は変位量＋Δｄを表わす。

このようにして、ピックアップやヘッド９からの出射光
ビームのフォーカシングが適切であるかどうか、フォー
カシング・エラーが生じている場合にはエラーの方向と
大きさが差動増幅器７１の出力から検知される。フォー
カシング・エラーが無い場合には差動増幅器７１の出力
は零である。

（４）トラッキング・エラーの検出 第１２図は、光ディスク８１に形成されたピット８２と
受光部２０の受光素子２１．２２とを同一平面上に配置
して示したものであり、いわば光ディスク８１をその面
方向に透視して受光素子２１．２２をみた図である。差
動増幅器７２は受光素子２１．２２との電気的接続関係
を明らかにする目的で図示されている。

第１２図（Ａ）は、レーザービームφスポットＰがトラ
ック（ピット８２）の巾方向の中心上に正確に位置して
いる様子を示している。第１２図（Ｂ）　（Ｃ）はスポ
ットＰがトラック（ピット８２）の左右にそれぞれ若干
ずれ、トラッキング・エラーが生じている様子を示して
いる。いずれの場合にも、適切にフォーカシングされて
いるものとする。

レーザ・スポットＰが光ディスク８１の情報記録面に当
たり、その反射光の強度がピット８２の存在によって変
調される。これには、ピット８２の巾よりもスポット・
サイズの方がやや大きいのでピット８２の底面で反射す
る光とピット８２以外の部分で反射する光とが存在し、
ピット８２の深さがλ／４（λはレーザ光の波長）程度
に設定されていることにより、上記の２種類の反射光の
間にπの位相差が生じて互いに打消し合い、光強度が小
さくなるという説明や、ピット８２の縁部で光の散乱が
生じこれにより受光される反射光強度が小さくなるとい
う説明などがある。いずれにしても、ピット８２の存在
によって受光部に受光される光強度は小さくなる。

受光素子２１と２２は光軸を境として左右に分割されて
いる。レーザ◆スポットＰの中心とピット８２の巾方向
の中心とが一致している場合には、受光素子２１と２２
に受光される光量は等しく、差動増幅器７２の出力は零
である。

第１２図（Ｂ）に示すように、レーザ・スポットＰがピ
ット８２の左側にずれた場合には、受光素子２１に受光
される光量の方が多くなり、差動増幅器７２からは正の
出力が発生する。逆に、第１２図（Ｃ）に示すように、
レーザ・スポットＰがビット８２の右側にずれると差動
増幅器７２には負の出力が生じる。

このようにして、差動増幅器７２の出力によりビーム・
スポットＰが光ディスク８１のトラックに正確に沿って
いるか、トラッキング・エラーが生じているか、それは
左、右のどちらにずれたエラーかが検出される。

（５）フォーカシングおよびトラッキング駆動機構 第１３図から第１５図はフォーカシング駆動機構および
トラッキング駆動機構を示している。

支持板ＬＯＧの一端部に支持部材１０１が立設されてい
る。この支持部材１０１の両側下端部は切欠かれている
（符号１０２）。支持板１００の他端部上力には可動部
材１０３が位置している。上下方向に弾性的に屈曲しう
る４つの板ばね　１２１．１２２の一端は支持部材１０
１の上端両側および下部切欠き　１０２に固定されてお
り、他端は可動部材１０３の上端および下端の両側にそ
れぞれ固定されている。したがって、可動部材１０３は
これらの板ばね１２１，１２２を介して上下方向に運動
しうる状態で支持部材１０１に支持されている。

光ピツクアップ・ヘッド９を載置したステージ１１Ｇは
、上部の方形枠１１２．方形枠１１２の両端から下方に
のびた両脚１１４．１１５および方形枠１１２の゛中央
部から下方にのびた中央脚１１３から構成されている。

方形枠１１２上に光ピックアップψヘッド９が載置固定
されている。横方向に弾性的に屈曲しつる４つの板ばね
１３１の一端は可動部材１０３の両側上、下部に固定さ
れ、他端はステージ１１０の中央脚１１３の両側上、下
部に固定されている。ステージ１１０は、これらの板ば
ね１３１を介して横方向（第１２図の左右方向と一致す
る）に、運動しうる状態で支持されている。したがって
、ステージ１１０は、上下方向（フォーカシング）およ
び横方向（トラッキング）に移動自在である。

支持板１００．支持部材１０１．可動部材１０８および
ステージ１１０は非磁性材料、たとえばプラスチックに
より構成されている。

支持部材１０１および可動部材１０３の内面にはヨーク
　１０４．１０５が固定されている。ヨーク　１０４は
、支持部材１０１に固定された垂直部分ＬＯ４ａと。

これと間隔をおいて位置するもう１つの垂直部分１０４
ｂと、これらの画部分１０４ａ、１０４ｂをそれらの下
端で結合させる水平部分とから構成されている。

ヨーク　１０５もヨーク　１０４と全く同じ形状であり
。

一定の間隔をおいて離れた２つの垂直部分１０５ａ。

１０５ｂを備えている。

これらのヨーク　１０４．１０５の垂直部分１０４ａ、
　１０５ａの内面には、この内面側をたとえばＳ極とす
る永久磁石１０Ｂがそれぞれ固定されている。そして。

ヨーク　１０４．１０５の他方の垂直部分１０４ｂ、１
０５ｂと永久磁石１０Ｂとの間に、ステージ１１０の脚
１１４．１１５がそれらに接しない状態でそれぞれ入り
込んでいる。。

ステージ１１０の両脚１１４，１１５のまわりにはフォ
ーカシング駆動用コイル１２３が水平方向に巻回されて
いる。またこれらの脚ＬＬ４．１１５の一部には、永久
磁石１０８と対向する部分において上下方向に向う部分
を有するトラッキング駆動用コイル１３８が巻回されて
いる。

フォーカシング駆動機構は第１４図に最もよく示されて
いる。永久磁石１０Ｂから発生した磁束Ｈは鎖線で示さ
れているようにヨーク　１０４．１０５の垂直部分１０
４ｂ、１０５ｂにそれぞれ向う。この磁界を横切って水
平力向に配設されたコイル１２３に、たとえば第１４図
において紙面に向う方向に駆動電流が流されると、上方
に向う力Ｆｆが発生する。この力Ｆｆによってステージ
１１０は上方に移動する。

ステージ１１０の移動量はコイル１２３に流される電流
の大きさによって調整することができる。したがって、
上述した差動増幅器７１の出力信号に応じてこの駆動電
流の方向を切換えることにより、および電流の大きさを
調整するまたは電流をオン。

オフすることにより、フォーカシング制御を行なうこと
ができる。

トラッキング駆動機構は第１５図に最もよく表わされて
いる。コイル１３３の磁界Ｈを上下方向に横切って配設
された部分に、たとえば第１５図で紙面に向う方向に（
第１３図で下方に向って）駆動電流を流すと、第１５図
において上方に向う力（第１３図において横方向に向う
力）Ｆｔが発生し、ステージ１１０は同方向に移動する
。上述した差動増幅器７２の出力信号に応じてコイル１
３３に流す電流をオン、オフしたり、ｔ４．流の方向、
必要ならばその大きさを調整することにより、トラッキ
ング制御を行なうことができる。

（６）他の実施例 」二記実施例は、１ビームにより情報の読取りと、トラ
ッキングおよびフォーカシング・エラーの検出とを行な
う光ピツクアップ・ヘッド（１ビーム法）を示している
が、この発明は３ビーム法の光ピツクアップ・ヘッドに
も適用可能である。この場合には、レンズ１３と対面す
る基板上の位置にグレーティングを設けるとよい。そし
て。

このグレーティングによって光のラマン−ナス回折を生
じさせる。透過光（０次波）は中央の点Ｐ１に集光し、
＋、−１次回折次回折戸１の両側の点Ｐ、Ｐ３にそれぞ
れ集光する。これらのレーザ・スポットＰ１〜Ｐ３の径
は１μｍ程度であり間隔を２０μｍ程度とする。中央の
レーザ・スポットＰ１は光ディスクの情報の読取りおよ
びフォーカシング・エラー検出用であり２両側のレーザ
・スポットＰ　　、Ｐ　　はトラッキング−エラー検出
用である。これらのスポットＰ１〜Ｐ３は同一平面上（
先ディスクの情報記録面）に集魚を結んでおり、かつほ
ぼ−直線状に並ぶようにする。このような先ピックアッ
プ・ヘッドをもつ光情報処理装置は、特願昭６０−１１
０２７１号に詳述されている。

この発明はまた。光磁気ディスクに磁気的にデータを書
込むまたは同ディスクから読出すための光情報処理装置
にも適用可能である。この場合には、上述の光源、レン
ズおよび受光部からなる光学系が２対設けられる。これ
らの光学系の投射光は同一点に集光する。一方の光学系
はフォーカシングおよびトラッキング・エラー検出用で
あり、他方の光学系はデータの読取りまたは書込み用で
ある。他方の光学系が読取り用に用いられる場合にはそ
の受光部は少な（とも２つの受光素子を備え、これらの
受光素子上に主軸が互いに９０°ずらして配置された検
光子が設けられよう。このような光情報処理装置は、特
願昭６０−１１０２７５号に詳述されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は光ピツクアップ・ヘッドを示す斜視図である。 第２図は同光ピツクアップ・ヘッドを示す断面図である
。 第３図は半導体レーザの配置の他の例を示す断面図であ
る。 第４図は受光部の他の例を示す斜視図である。 第５図および第６図はフレネル拳レンズを示すもので、
第５図は平面図、第６図は断面図である。第７図は、同
レンズの他の例を示す断面図である。第８図および第９
図は、同レンズのさらに他の例をそれぞれ示す断面図で
ある。 第１Ｏ図は、光ディスクと光ビックアップパヘッドとの
位置関係を示す断面図である。 第１１図は、受光部上におけるフォーカシング・エラー
の検出原理を示す図である。 第１２図は、トラッキング・エラーの検出原理を示す図
である。 第１３図から第１５図は、フォーカシングおよびトラッ
キング駆動機構を示すもので、ｍ１３図は斜視図、第１
４図は第１３図のＸＩＶ−ＸＩＶ線にそう断面図、第１
５図は光ピツクアップ・ヘッドを除去して示す平面図で
ある。 ９・・・光ピツクアップ・ヘッド、　１１・・・基板、
　１２・・・半導体レーザ、１３・・・フレネル争レン
ズ、　２０・・・受光部、２１〜２４・・・受光素子、
　　１０４，１０５・・・ヨーク。 １０　Ｂ−・・永久磁石、　　１１０・ステージ、　　
１２１．１２−２，１３１・・・板ばね、１２３・・・
フォーカシング駆動用コイル。 １３３・・・トラッキング駆動用コイル。 以　　上 第２図 第５Ｂ２ｉ 第６図 第９図　　、 第１０図 ＼　　　Ｉ 第１４図 第１５図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）使用される光に対して透明な基板、 拡散する光を基板の一方の面に対してほぼ垂直に投射す
   る光源、 投射された光を基板の他方の面からほぼ垂直上方に出射
   させかつ集光する基板に設けられたレンズ手段、および
   反射してくる光を受光するための基板に設けられた受光
   手段、 を備えた光情報処理装置。
2. （２）上記受光手段が斜め上方から反射してくる光を受
   光するためのものである、特許請求の範囲第（１）項に
   記載の光情報処理装置。
3. （３）上記受光手段がほぼ垂直上方から反射してくる光
   を受光するためのものである、特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光情報処理装置。
4. （４）基板の位置を上下方向に調整するフォーカシング
   駆動機構、および基板の位置を横方向に調整するトラッ
   キング駆動機構、 を備えた特許請求の範囲第（１）項に記載の光情報処理
   装置。
5. （５）上記レンズ手段が、投射された光を基板の他方の
   面からほぼ垂直方向に３つに分離して出射させかつ３つ
   の異なる位置にそれぞれ集光するものである、特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光情報処理装置。
6. （６）上記光源、レンズ手段および受光手段からなる光
   学系が２対、上記基板に設けられている、特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光情報処理装置。