JPS6235253Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6235253Y2 JPS6235253Y2 JP7536482U JP7536482U JPS6235253Y2 JP S6235253 Y2 JPS6235253 Y2 JP S6235253Y2 JP 7536482 U JP7536482 U JP 7536482U JP 7536482 U JP7536482 U JP 7536482U JP S6235253 Y2 JPS6235253 Y2 JP S6235253Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- grid
- energy
- floating
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は質量分析計とか種々な電子エネルギー
分光装置等における最終荷電粒子検出装置に関す
る。
分光装置等における最終荷電粒子検出装置に関す
る。
上述したような荷電粒子分析装置では、質量と
かエネルギーによつて選別された特定の荷電粒子
を検出する最終荷電粒子検出に、上記特定の荷電
粒子を選別する正規荷電粒子光学系以外の経路で
不特定の浮遊荷電粒子が入射して検出信号のバツ
クグランドノイズとなる。このような問題は特に
２次イオン質量分析計やガスクロマトグラフ質量
分析計で著るしい。正規の荷電粒子光学系を通過
して来た特定粒子即ち検出しようとしている目的
の荷電粒子と浮遊荷電粒子とでは検出器へ入射す
るときのエネルギーが異るから入射粒子のエネル
ギーに応じて変化するパルス信号を出力するよう
な検出器であれば出力信号をレベル選別して目的
荷電粒子の検出信号と浮遊荷電粒子の検出信号と
を識別することが出来るが、２次電子増倍管とか
チヤンネルトロンのような検出器はある一定値以
上のエネルギーを有する入射荷電粒子のエネルギ
ーに対しては応答性を有しないからバツクグラウ
ンドノイズのレベルを低下させることができず、
電子増倍管の高感度に相応した検出感度を得るこ
とが困難であつた。
かエネルギーによつて選別された特定の荷電粒子
を検出する最終荷電粒子検出に、上記特定の荷電
粒子を選別する正規荷電粒子光学系以外の経路で
不特定の浮遊荷電粒子が入射して検出信号のバツ
クグランドノイズとなる。このような問題は特に
２次イオン質量分析計やガスクロマトグラフ質量
分析計で著るしい。正規の荷電粒子光学系を通過
して来た特定粒子即ち検出しようとしている目的
の荷電粒子と浮遊荷電粒子とでは検出器へ入射す
るときのエネルギーが異るから入射粒子のエネル
ギーに応じて変化するパルス信号を出力するよう
な検出器であれば出力信号をレベル選別して目的
荷電粒子の検出信号と浮遊荷電粒子の検出信号と
を識別することが出来るが、２次電子増倍管とか
チヤンネルトロンのような検出器はある一定値以
上のエネルギーを有する入射荷電粒子のエネルギ
ーに対しては応答性を有しないからバツクグラウ
ンドノイズのレベルを低下させることができず、
電子増倍管の高感度に相応した検出感度を得るこ
とが困難であつた。
本考案は荷電粒子検出器に電子増倍管を用いた
荷電粒子分析装置において、浮遊荷電粒子の影響
を除きＳ／Ｎ比を高め高感度を得ることを目的と
するもので、電子増倍管の荷電粒子入射口の前面
にグリツドを設けて適当な電圧を印加し浮遊荷電
粒子を反撥して電子増倍管に入射させないように
した荷電粒子検出装置を提供するものである。以
下実施例によつて本考案を説明する。
荷電粒子分析装置において、浮遊荷電粒子の影響
を除きＳ／Ｎ比を高め高感度を得ることを目的と
するもので、電子増倍管の荷電粒子入射口の前面
にグリツドを設けて適当な電圧を印加し浮遊荷電
粒子を反撥して電子増倍管に入射させないように
した荷電粒子検出装置を提供するものである。以
下実施例によつて本考案を説明する。
図は電子増倍管にチヤンネルトロンを用いた本
考案の一実施例を示すものである。１はチヤンネ
ルトロンでＩは荷電粒子入射口、Ｃは電子コレク
タである。HVは高流高圧電源でコレクタＣとチ
ヤンネルトロン１の電子出射口端との間及びチヤ
ンネルトロン１の両端間に適当な電圧を印加して
いる。チヤンネルトロン１の荷電粒子入射口Ｉの
前面即ち図で左側に３個のグリツドＧ１，Ｇ２，
Ｇ３が配置してある。２はグリツドＧ１，Ｇ２，
Ｇ３を支持する絶縁体である。この実施例は正イ
オン検出の場合を示しており、チヤンネルトロン
１の荷電粒子入射口Ｉ及び第３グリツドＧ３はア
ース電位であり、第１、第２グリツドＧ１，Ｇ２
は高圧直流電源HVの出力電圧を分圧したVrボル
トの正電圧が印加してある。分析装置の真空容器
壁がアース電位であるから図で第１グリツドＧ１
の左方からチヤンネルトロン１に入射する正イオ
ンに対して第１グリツドＧ１の前面には減速電界
が形成されておりVr電子ボルト以下のエネルギ
ーしか有さない正イオンはＧ１で発撥されてチヤ
ンネルトロンに入射することができない。一般に
浮遊イオンは正規の荷電粒子光学系を通つて来た
イオンよりもエネルギーを失つているので、Vr
を適当に選ぶことにより目的とするイオンはチヤ
ンネルトロンに入射させ、それより低いエネルギ
ーの浮遊イオンは反撥するようにすることがで
き、ノイズレベルを著るしく低下させることがで
きる。
考案の一実施例を示すものである。１はチヤンネ
ルトロンでＩは荷電粒子入射口、Ｃは電子コレク
タである。HVは高流高圧電源でコレクタＣとチ
ヤンネルトロン１の電子出射口端との間及びチヤ
ンネルトロン１の両端間に適当な電圧を印加して
いる。チヤンネルトロン１の荷電粒子入射口Ｉの
前面即ち図で左側に３個のグリツドＧ１，Ｇ２，
Ｇ３が配置してある。２はグリツドＧ１，Ｇ２，
Ｇ３を支持する絶縁体である。この実施例は正イ
オン検出の場合を示しており、チヤンネルトロン
１の荷電粒子入射口Ｉ及び第３グリツドＧ３はア
ース電位であり、第１、第２グリツドＧ１，Ｇ２
は高圧直流電源HVの出力電圧を分圧したVrボル
トの正電圧が印加してある。分析装置の真空容器
壁がアース電位であるから図で第１グリツドＧ１
の左方からチヤンネルトロン１に入射する正イオ
ンに対して第１グリツドＧ１の前面には減速電界
が形成されておりVr電子ボルト以下のエネルギ
ーしか有さない正イオンはＧ１で発撥されてチヤ
ンネルトロンに入射することができない。一般に
浮遊イオンは正規の荷電粒子光学系を通つて来た
イオンよりもエネルギーを失つているので、Vr
を適当に選ぶことにより目的とするイオンはチヤ
ンネルトロンに入射させ、それより低いエネルギ
ーの浮遊イオンは反撥するようにすることがで
き、ノイズレベルを著るしく低下させることがで
きる。
上述実施例で不要イオンを反撥するグリツドは
Ｇ１，Ｇ２の二重になつているが、これは一重で
もよい。このグリツドを二重にすると個々のグリ
ツドの目を粗くして目の細い一重グリツドと同じ
効果を持たすことができ、前後のグリツドの格子
線を前後正しく重なるようにしておくと、検出し
ようとする目的イオンはグリツド面に垂直に入射
して来るので、格子線に衝突して損失となるイオ
ンを減少させることができる。
Ｇ１，Ｇ２の二重になつているが、これは一重で
もよい。このグリツドを二重にすると個々のグリ
ツドの目を粗くして目の細い一重グリツドと同じ
効果を持たすことができ、前後のグリツドの格子
線を前後正しく重なるようにしておくと、検出し
ようとする目的イオンはグリツド面に垂直に入射
して来るので、格子線に衝突して損失となるイオ
ンを減少させることができる。
本考案装置は上述したような構成で検出しよう
とする目的荷電粒子より低エネルギーの浮遊粒子
が検出器に入射するのが防がれるから電子増倍管
のようなエネルギー選択性を殆んど有しない検出
器を用いた場合、電気回路的には除去できなかつ
た浮遊荷電粒子によるノイズが著るしく低減さ
れ、電子増倍管の高感度を充分に活用できること
になつて、高感度の荷電粒子分析装置が得られ
る。
とする目的荷電粒子より低エネルギーの浮遊粒子
が検出器に入射するのが防がれるから電子増倍管
のようなエネルギー選択性を殆んど有しない検出
器を用いた場合、電気回路的には除去できなかつ
た浮遊荷電粒子によるノイズが著るしく低減さ
れ、電子増倍管の高感度を充分に活用できること
になつて、高感度の荷電粒子分析装置が得られ
る。
図面は本考案の一実施例装置の回路図である。
１……チヤンネルトロン、Ｉ……荷電粒子入射
口、HV……高圧直流電源、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３…
…グリツド。
口、HV……高圧直流電源、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３…
…グリツド。
Claims (1)
- 電子増倍管の荷電粒子入射口の前面にグリツド
を配置し、低エネルギー荷電粒子の電子増倍管へ
の入射を阻止する電圧を上記グリツドに印加する
ようにした荷電粒子検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7536482U JPS58178267U (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 荷電粒子検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7536482U JPS58178267U (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 荷電粒子検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178267U JPS58178267U (ja) | 1983-11-29 |
| JPS6235253Y2 true JPS6235253Y2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=30084726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7536482U Granted JPS58178267U (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 荷電粒子検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178267U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7432459B2 (ja) * | 2020-07-15 | 2024-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | チャネル型電子増倍体およびイオン検出器 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP7536482U patent/JPS58178267U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58178267U (ja) | 1983-11-29 |
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