JPS6235627A - 半導体製造装置の半導体基板保持治具 - Google Patents
半導体製造装置の半導体基板保持治具Info
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- JPS6235627A JPS6235627A JP17538485A JP17538485A JPS6235627A JP S6235627 A JPS6235627 A JP S6235627A JP 17538485 A JP17538485 A JP 17538485A JP 17538485 A JP17538485 A JP 17538485A JP S6235627 A JPS6235627 A JP S6235627A
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- JP
- Japan
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- nitride film
- tray
- wafer holder
- semiconductor substrate
- substrate holding
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- Pending
Links
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 38
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- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置の半導体基板保持治具に関し
、特にプラズマ式による連続式窒化膜成長装置の半導体
基板保持治具（以下トレー及びウェハーホルダーと称す
）に関する。
、特にプラズマ式による連続式窒化膜成長装置の半導体
基板保持治具（以下トレー及びウェハーホルダーと称す
）に関する。
トレーＩＢのウェハーホルダー２Ｂに半導体基板３を保
持し、該半導体基板］／！：窒化膜を成長させる際、第
５図に示すようにトレーＩＢ及びウェハーホルダー２Ｂ
の下面に余分な窒化膜４Ａが形成されてしまう。
持し、該半導体基板］／！：窒化膜を成長させる際、第
５図に示すようにトレーＩＢ及びウェハーホルダー２Ｂ
の下面に余分な窒化膜４Ａが形成されてしまう。
上述した従来のトレー及びウェハーホルダーは余分な窒
化膜が形成される表面状態がフライス或いは旋盤仕上面
により滑らかとなっているため、プラズマ式による連続
式窒化膜成長装置にょシ窒化膜を半導体基板上へ成長さ
せる時、半導体基板を保持する該トレー及びウェハーホ
ルダーに同時に窒化膜が成長するが、この窒化膜とトレ
ー及びウェハーホルダーとの膨張率の差異によ、ｂトレ
ー及びウェハーホルダーが冷却されるに従い、第６図に
示すように前記成長した窒化膜４Ｂが飛散し、前記半導
体基板３上へ付着し、半導体装置の欠陥を生む一原因と
なっていた。一般的には前記トレー及びウェハーホルダ
ーはアルミニウムの素材ニよシ作られておシ、アルミニ
ウム表面をヘアライン仕上又は旋盤仕上を行なったもの
を窒化膜成長に用いると、成長後冷却時に前記の様な窒
化膜の飛散が顕著に見られる。
化膜が形成される表面状態がフライス或いは旋盤仕上面
により滑らかとなっているため、プラズマ式による連続
式窒化膜成長装置にょシ窒化膜を半導体基板上へ成長さ
せる時、半導体基板を保持する該トレー及びウェハーホ
ルダーに同時に窒化膜が成長するが、この窒化膜とトレ
ー及びウェハーホルダーとの膨張率の差異によ、ｂトレ
ー及びウェハーホルダーが冷却されるに従い、第６図に
示すように前記成長した窒化膜４Ｂが飛散し、前記半導
体基板３上へ付着し、半導体装置の欠陥を生む一原因と
なっていた。一般的には前記トレー及びウェハーホルダ
ーはアルミニウムの素材ニよシ作られておシ、アルミニ
ウム表面をヘアライン仕上又は旋盤仕上を行なったもの
を窒化膜成長に用いると、成長後冷却時に前記の様な窒
化膜の飛散が顕著に見られる。
又、トレー及びウェハーホルダーを成長する窒・化膜と
同質材を用いることが考えられるが、トレー及びウェハ
ーホルダーの材料の加工性、経済性等を考慮すると現実
的な解決策にはならない。
同質材を用いることが考えられるが、トレー及びウェハ
ーホルダーの材料の加工性、経済性等を考慮すると現実
的な解決策にはならない。
本発明はトレー及びウェハーホルダーに付着する余分な
窒化膜の飛散を防止する治具を提供するものである。
窒化膜の飛散を防止する治具を提供するものである。
本発明は余分な窒化膜が形成される治具本体の表面に前
記窒化膜の保持力を増進させる凹凸を形成したことを特
徴とする半導体製造装置の半導体基板保持治具である。
記窒化膜の保持力を増進させる凹凸を形成したことを特
徴とする半導体製造装置の半導体基板保持治具である。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す図であり、トレーＩＡ
にウェハーホルダー２人がセットされておシ、余分な窒
化膜が成長される表面を前記余分な窒化膜の保持力を増
進させる凹凸５をブラスト処理にて付したものである。
にウェハーホルダー２人がセットされておシ、余分な窒
化膜が成長される表面を前記余分な窒化膜の保持力を増
進させる凹凸５をブラスト処理にて付したものである。
プラズマ式による連続式窒化膜成長装置においては、第
２図に示すごとく半導体基板３の表面を下にしてウェハ
ーホルダー２人にセットして矢印方向から窒化膜４Ａを
成長させる。本発明によるトレーＩＡ及びウェハーホル
ダー ２Ａの一部の拡大図を第３図に示すが、これを用
いて窒化膜４Ａを成長させると、第４図の様に窒化膜４
Ａが成長する。本発明によれば、表面の凹凸５によシ窒
化膜４Ａの保持力が増進されるから、トレー ＩＡ及び
ウェハーホルダー２Ａが冷却され収縮しても窒化膜４Ａ
は飛散することはない。
２図に示すごとく半導体基板３の表面を下にしてウェハ
ーホルダー２人にセットして矢印方向から窒化膜４Ａを
成長させる。本発明によるトレーＩＡ及びウェハーホル
ダー ２Ａの一部の拡大図を第３図に示すが、これを用
いて窒化膜４Ａを成長させると、第４図の様に窒化膜４
Ａが成長する。本発明によれば、表面の凹凸５によシ窒
化膜４Ａの保持力が増進されるから、トレー ＩＡ及び
ウェハーホルダー２Ａが冷却され収縮しても窒化膜４Ａ
は飛散することはない。
以上説明したように本発明のブラスト処理を施したトレ
ー及びウェハーホルダーを使用することによシ、成長し
庭窒化膜が冷却時飛散することがなく半導体基板への付
着をなくすことが出来る。
ー及びウェハーホルダーを使用することによシ、成長し
庭窒化膜が冷却時飛散することがなく半導体基板への付
着をなくすことが出来る。
本発明の実施例では、プラズマ式による連続窒化膜成長
装置のトレー及びウェハーホルダーで説明を行なったが
、成長膜の剥れを防止するためにブラスト処理を行なっ
た半導体基板保持治具であれば、いずれのものでも本特
許請求の範囲に含まれることはいうまでもない。
装置のトレー及びウェハーホルダーで説明を行なったが
、成長膜の剥れを防止するためにブラスト処理を行なっ
た半導体基板保持治具であれば、いずれのものでも本特
許請求の範囲に含まれることはいうまでもない。
第１図は本発明のトレー及びホルダーの窒化膜の成長面
を示す斜視図、第２図は第１図の窒化膜の成長面を示す
断面図、第３図は第２図のＡ部の拡大図、第４図は第３
図のトレー及びホルダーに窒化膜を成長させた状態の図
、第５図は従来のトレー及びホルダーに窒化膜を成長さ
せた状態の図であり、成長後トレー及びホルダーが冷却
されていない状態の図、第６図は第５図のトレー及びホ
ルダーが冷却された状態の図である。 １・・・トレー、２・・・ウェハーホルダー、３・・・
半導体基板、４Ａ・・・成長した窒化膜、５・・・凹凸
。 第５図 第６図
を示す斜視図、第２図は第１図の窒化膜の成長面を示す
断面図、第３図は第２図のＡ部の拡大図、第４図は第３
図のトレー及びホルダーに窒化膜を成長させた状態の図
、第５図は従来のトレー及びホルダーに窒化膜を成長さ
せた状態の図であり、成長後トレー及びホルダーが冷却
されていない状態の図、第６図は第５図のトレー及びホ
ルダーが冷却された状態の図である。 １・・・トレー、２・・・ウェハーホルダー、３・・・
半導体基板、４Ａ・・・成長した窒化膜、５・・・凹凸
。 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）半導体製造装置の半導体基板保持治具において、
余分な窒化膜が形成される治具本体の表面に前記窒化膜
の保持力を増進させる凹凸を形成したことを特徴とする
半導体製造装置の半導体基板保持治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17538485A JPS6235627A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17538485A JPS6235627A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235627A true JPS6235627A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15995165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17538485A Pending JPS6235627A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235627A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891348A (en) * | 1996-01-26 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Process gas focusing apparatus and method |
| WO1999039999A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Nikon Corporation | Apparatus for supporting base plate, apparatus and method for transferring base plate, method of replacing base plate, and exposure apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2001029773A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-06 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JP2007026929A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Mitsubishi Materials Corp | 燃料電池 |
| JP2010239020A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Bridgestone Corp | 半導体装置用ウエハホルダ |
| JP2011171444A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置用のトレイ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158913A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Hitachi Ltd | 化学気相成長装置におけるサセプタ− |
| JPS58202535A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 被膜形成装置 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17538485A patent/JPS6235627A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158913A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Hitachi Ltd | 化学気相成長装置におけるサセプタ− |
| JPS58202535A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 被膜形成装置 |
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