JPS6236173B2 - - Google Patents
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- JPS6236173B2 JPS6236173B2 JP3744882A JP3744882A JPS6236173B2 JP S6236173 B2 JPS6236173 B2 JP S6236173B2 JP 3744882 A JP3744882 A JP 3744882A JP 3744882 A JP3744882 A JP 3744882A JP S6236173 B2 JPS6236173 B2 JP S6236173B2
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- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 67
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
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- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は結露時における抵抗値のバラツキの
小さい結露センサーに関するものである。
小さい結露センサーに関するものである。
結露センサーには相対湿度―抵抗特性が正に変
化するタイプのものがある。これには、たとえば
吸湿性樹脂中に炭素などの導電粉末を分散したも
のがあり、低湿度状態では導電粉末同志の電気的
接触が保たれているため低抵抗状態を示し、結露
状態になると樹脂の膨潤に伴なつて導電粉末同志
の電気的接触が断たれ、高抵抗状態を示すという
ものである。
化するタイプのものがある。これには、たとえば
吸湿性樹脂中に炭素などの導電粉末を分散したも
のがあり、低湿度状態では導電粉末同志の電気的
接触が保たれているため低抵抗状態を示し、結露
状態になると樹脂の膨潤に伴なつて導電粉末同志
の電気的接触が断たれ、高抵抗状態を示すという
ものである。
したがつて、ある抵抗値に検出レベルをきめて
おけば、検出レベルをこえて抵抗値の増大が起き
たとき、高湿度状態や結露状態が検出できること
になる。ところが、高湿度や結露状態での結露セ
ンサーの抵抗値は素子ごとにバラツキをもつてお
り、検出レベルのバラツキが小さくできれば回路
設計上有利であり、検出レベルのバラツキの小さ
い結露センサーが求められていた。また、高湿度
中で直流を印加すると、時間経過とともに水の電
解による導電粉末の酸化が生じ、素子抵抗値が大
きくなるという問題も生じている。
おけば、検出レベルをこえて抵抗値の増大が起き
たとき、高湿度状態や結露状態が検出できること
になる。ところが、高湿度や結露状態での結露セ
ンサーの抵抗値は素子ごとにバラツキをもつてお
り、検出レベルのバラツキが小さくできれば回路
設計上有利であり、検出レベルのバラツキの小さ
い結露センサーが求められていた。また、高湿度
中で直流を印加すると、時間経過とともに水の電
解による導電粉末の酸化が生じ、素子抵抗値が大
きくなるという問題も生じている。
したがつて、この発明はかかる背景にもとづい
てなされたものであり、結露時における抵抗値の
バラツキが小さく、特性が改善された結露センサ
ーを提供せんとするものである。
てなされたものであり、結露時における抵抗値の
バラツキが小さく、特性が改善された結露センサ
ーを提供せんとするものである。
以下、この発明を図示した実施例に従つて詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明にかかる結露センサーの一例
を示したものである。
を示したものである。
図において、１は基板であり、この基板１上に
はくし歯状の検出電極２，３が形成されている。
さらに基板１上にはこの検出電極２，３を含め
て、正の相対湿度―抵抗特性を有する結露検出膜
４が形成されている。この構成にかかる結露セン
サーの特徴は基板１が抵抗体よりなることであ
る。基板１を構成する抵抗体としては、たとえば
SnO2系、TiO2-X系（０＜ｘ＜２）などがある。
この基板１の抵抗値は結露検出膜４の常湿状態に
おける抵抗値よりも大きい値を有し、結露検出膜
４の結露状態における抵抗値付近の抵抗値を有す
るものである。このときの抵抗値は結露状態を検
出する検出電極２，３により測定される値にもと
づいて決定される。なお、５，６はリード線を示
す。
はくし歯状の検出電極２，３が形成されている。
さらに基板１上にはこの検出電極２，３を含め
て、正の相対湿度―抵抗特性を有する結露検出膜
４が形成されている。この構成にかかる結露セン
サーの特徴は基板１が抵抗体よりなることであ
る。基板１を構成する抵抗体としては、たとえば
SnO2系、TiO2-X系（０＜ｘ＜２）などがある。
この基板１の抵抗値は結露検出膜４の常湿状態に
おける抵抗値よりも大きい値を有し、結露検出膜
４の結露状態における抵抗値付近の抵抗値を有す
るものである。このときの抵抗値は結露状態を検
出する検出電極２，３により測定される値にもと
づいて決定される。なお、５，６はリード線を示
す。
かかる構成によれば、結露検出膜４と基板１に
もとづく抵抗が並列接続された状態にあり、常湿
状態では結露検出膜４が低抵抗状態であるから、
結露検出膜４にもとづく抵抗が検出電極２，３か
ら検出される。一方、結露状態になると結露検出
膜４が高抵抗状態になるから、低抵抗状態と同様
に、結露検出膜４にもとづく抵抗が検出電極２，
３から検出される。しかし結露状態における結露
検出膜４の抵抗値にバラツキが生じ、所定レベル
より高い状態になると、基板１の抵抗値が結露検
出膜４より相対的に低い値となり、基板１で設定
された抵抗値のレベルになり、基板１にもとづく
抵抗値が検出されることになる。したがつて基板
１の値はあらかじめ検出レベルの抵抗値に合わせ
ておけばよいことになる。
もとづく抵抗が並列接続された状態にあり、常湿
状態では結露検出膜４が低抵抗状態であるから、
結露検出膜４にもとづく抵抗が検出電極２，３か
ら検出される。一方、結露状態になると結露検出
膜４が高抵抗状態になるから、低抵抗状態と同様
に、結露検出膜４にもとづく抵抗が検出電極２，
３から検出される。しかし結露状態における結露
検出膜４の抵抗値にバラツキが生じ、所定レベル
より高い状態になると、基板１の抵抗値が結露検
出膜４より相対的に低い値となり、基板１で設定
された抵抗値のレベルになり、基板１にもとづく
抵抗値が検出されることになる。したがつて基板
１の値はあらかじめ検出レベルの抵抗値に合わせ
ておけばよいことになる。
第２図はこの発明にかかる結露センサーの相対
湿度―抵抗特性の一例を示したものである。図に
おいて、実線Ａは結露センサーの所定の相対湿度
―抵抗特性であり、一点鎖線Ｂは結露センサーの
バラツキ範囲における相対湿度―抵抗特性を示
す。破線Ｃはたとえば第１図に示した構成によれ
ば基板１の抵抗値レベルを示す。
湿度―抵抗特性の一例を示したものである。図に
おいて、実線Ａは結露センサーの所定の相対湿度
―抵抗特性であり、一点鎖線Ｂは結露センサーの
バラツキ範囲における相対湿度―抵抗特性を示
す。破線Ｃはたとえば第１図に示した構成によれ
ば基板１の抵抗値レベルを示す。
したがつて、上述した説明からも明らかなよう
に、結露センサーの相対湿度―抵抗特性にバラツ
キが生じたとしても基板１によつて常に結露状態
における抵抗値レベルが設定されているから、結
露センサーの特性バラツキを小さくすることがで
きる。また出力レベルも一定とすることができ、
検出回路の設計も容易なものとなる。さらには結
露時において、結露検出膜４が基板１よりも抵抗
値が大きくなつたとき、基板１に電流が流れるた
め、結露検出膜４に流れる電流が小さくなり、結
露センサーの寿命を延ばすことができるととも
に、劣化を小さくすることができるなどの効果を
有する。
に、結露センサーの相対湿度―抵抗特性にバラツ
キが生じたとしても基板１によつて常に結露状態
における抵抗値レベルが設定されているから、結
露センサーの特性バラツキを小さくすることがで
きる。また出力レベルも一定とすることができ、
検出回路の設計も容易なものとなる。さらには結
露時において、結露検出膜４が基板１よりも抵抗
値が大きくなつたとき、基板１に電流が流れるた
め、結露検出膜４に流れる電流が小さくなり、結
露センサーの寿命を延ばすことができるととも
に、劣化を小さくすることができるなどの効果を
有する。
第３図はこの発明にかかる結露センサーの他の
例を示したものである。
例を示したものである。
この結露センサーの特徴は基板１に絶縁性のも
のを用い、検出電極２，３に接続されているリー
ド線５，６間に固定抵抗７を接続したものであ
る。
のを用い、検出電極２，３に接続されているリー
ド線５，６間に固定抵抗７を接続したものであ
る。
抵抗７は、第１図に示した抵抗体よりなる基板
１と同様、結露検出膜４の常湿状態における検出
電極２，３（この構成例ではリード線５，６）間
の抵抗より大きい値を有し、結露検出膜４とは並
列に電気接続されている。
１と同様、結露検出膜４の常湿状態における検出
電極２，３（この構成例ではリード線５，６）間
の抵抗より大きい値を有し、結露検出膜４とは並
列に電気接続されている。
第４図、第５図はこの発明にかかる結露センサ
ーのさらに他の例を示したものであり、第４図は
その平面図、第５図は第４図のＡ―A′線断面図
である。
ーのさらに他の例を示したものであり、第４図は
その平面図、第５図は第４図のＡ―A′線断面図
である。
この結露センサーの特徴は絶縁性基板１上の対
向電極２，３間に抵抗膜８を形成し、さらに対向
電極２，３および抵抗膜８を含めて結露検出膜４
を形成したことにある。
向電極２，３間に抵抗膜８を形成し、さらに対向
電極２，３および抵抗膜８を含めて結露検出膜４
を形成したことにある。
この構成例によれば、結露検出膜４にもとづく
抵抗体と抵抗膜８とが並列に電気接続された状態
にある。
抵抗体と抵抗膜８とが並列に電気接続された状態
にある。
第６図はこの発明にかかる結露センサーのさら
に他の例を示したものである。
に他の例を示したものである。
この結露センサーの特徴は絶縁性基板１の上に
くし歯状の検出電極２，３を形成するとともに、
この検出電極２，３を含めて結露検出膜４を形成
する一方、結露検出膜４を形成していない絶縁性
基板１上に検出電極２，３間を繋ぐ抵抗膜９を形
成したことにある。
くし歯状の検出電極２，３を形成するとともに、
この検出電極２，３を含めて結露検出膜４を形成
する一方、結露検出膜４を形成していない絶縁性
基板１上に検出電極２，３間を繋ぐ抵抗膜９を形
成したことにある。
この構成例によれば、第４図、第５図に示した
例と同様、結露検出膜４にもとづく抵抗体と抵抗
膜９とが並列に電気接続された状態にある。
例と同様、結露検出膜４にもとづく抵抗体と抵抗
膜９とが並列に電気接続された状態にある。
以上、第３図〜第６図に示した構成例も、第１
図に示したものと同様の効果が得られるものであ
る。
図に示したものと同様の効果が得られるものであ
る。
次にこの発明にかかる結露センサーを具体的実
施例にもとづいて説明する。
施例にもとづいて説明する。
実施例 １
ポリビニルアルコールをアルコールとエチレン
グリコールモノブチルエーテルに溶解してポリビ
ニルアルコール溶液を準備した。このポリビニル
アルコール溶液100重量部に対して平均粒径30ｍ
μのカーボンブラツク粉末を等量加え、よく混練
してペーストを作成した。
グリコールモノブチルエーテルに溶解してポリビ
ニルアルコール溶液を準備した。このポリビニル
アルコール溶液100重量部に対して平均粒径30ｍ
μのカーボンブラツク粉末を等量加え、よく混練
してペーストを作成した。
一方、SnO2―Sb2O3系のセラミツク抵抗体基板
上に電極間隔0.3mm，全電極対向長6.5cmのくし歯
状のカーボン電極を形成した。このときの電極間
抵抗は600KΩであつた。
上に電極間隔0.3mm，全電極対向長6.5cmのくし歯
状のカーボン電極を形成した。このときの電極間
抵抗は600KΩであつた。
さらにこの電極上に前記ペーストを塗布した。
つづいて150℃の温度で熱処理し結露検出膜を形
成し、結露センサーを作成した。
つづいて150℃の温度で熱処理し結露検出膜を形
成し、結露センサーを作成した。
得られた結露センサーの常湿（相対湿度60％）
での抵抗は2.5KΩであり、結露状態では550KΩ
であつた。また、40℃、90〜95％の相対湿度中で
500時間直流を印加したのち、相対湿度60％、お
よび結露時の抵抗を測定したところそれぞれ
2.6KΩ、560KΩであり、抵抗変化は小さいもの
であつた。この結露センサーは第１図に示した構
成に対応するものである。
での抵抗は2.5KΩであり、結露状態では550KΩ
であつた。また、40℃、90〜95％の相対湿度中で
500時間直流を印加したのち、相対湿度60％、お
よび結露時の抵抗を測定したところそれぞれ
2.6KΩ、560KΩであり、抵抗変化は小さいもの
であつた。この結露センサーは第１図に示した構
成に対応するものである。
結露検出膜のみの抵抗値を測定したところ7M
Ωであつた。したがつて、基板を抵抗体とし、こ
の基板を結露検出膜に対して電気的に並列接続し
たため、基板にもとづく抵抗値にレベルが設定さ
れ、結露検出膜の抵抗値にバラツキがあつたとし
ても、バラツキの小さい結露センサーを得ること
ができる。
Ωであつた。したがつて、基板を抵抗体とし、こ
の基板を結露検出膜に対して電気的に並列接続し
たため、基板にもとづく抵抗値にレベルが設定さ
れ、結露検出膜の抵抗値にバラツキがあつたとし
ても、バラツキの小さい結露センサーを得ること
ができる。
第１図はこの発明にかかる結露センサーの例を
示す平面図、第２図は相対湿度―抵抗特性図、第
３図〜第６図はこの発明にかかる結露センサーの
他の例を示す図であり、第３図〜第４図、第６図
は平面図、第５図は第４図Ａ―A′線断面図であ
る。 １……基板、２，３……検出電極、４……結露
検出膜、７……固定抵抗、８，９……抵抗膜。
示す平面図、第２図は相対湿度―抵抗特性図、第
３図〜第６図はこの発明にかかる結露センサーの
他の例を示す図であり、第３図〜第４図、第６図
は平面図、第５図は第４図Ａ―A′線断面図であ
る。 １……基板、２，３……検出電極、４……結露
検出膜、７……固定抵抗、８，９……抵抗膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 結露により相対湿度―抵抗特性が正に変化す
る結露センサーにおいて、 抵抗変化を検出する電極間に、常湿状態におけ
る電極間抵抗より大きな値を有し、かつ結露状態
においては電極間抵抗より小さい値を有する抵抗
が並列接続されていることを特徴とする結露セン
サー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3744882A JPS58154651A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 結露センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3744882A JPS58154651A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 結露センサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154651A JPS58154651A (ja) | 1983-09-14 |
| JPS6236173B2 true JPS6236173B2 (ja) | 1987-08-05 |
Family
ID=12497776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3744882A Granted JPS58154651A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 結露センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154651A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6339667U (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-15 | ||
| KR101669678B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2016-10-26 | 엘지전자 주식회사 | 냉장고 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP3744882A patent/JPS58154651A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154651A (ja) | 1983-09-14 |
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