JPS6236322Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6236322Y2 JPS6236322Y2 JP18656781U JP18656781U JPS6236322Y2 JP S6236322 Y2 JPS6236322 Y2 JP S6236322Y2 JP 18656781 U JP18656781 U JP 18656781U JP 18656781 U JP18656781 U JP 18656781U JP S6236322 Y2 JPS6236322 Y2 JP S6236322Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- coaxial line
- cylindrical cavity
- metal post
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、導波管を伝搬する電波を通過また
は遮断状態に切換えるダイオードスイツチに関す
るものである。
は遮断状態に切換えるダイオードスイツチに関す
るものである。
第1図は従来のダイオードスイツチの電波伝搬
方向に垂直な面での断面図を示した図である。図
中、導波管1の広い方の管壁面(以下H面と言
う)の一方には第1の円筒空洞2、他方には第2
の円筒空洞3が、それぞれ導波管管壁内に設けら
れており、PINダイオード4が導波管1の狭い方
の管壁に平行に設けられた金属ポスト5およびチ
ヨーク6を構成する内導体7により、支持された
構成になつている。
方向に垂直な面での断面図を示した図である。図
中、導波管1の広い方の管壁面(以下H面と言
う)の一方には第1の円筒空洞2、他方には第2
の円筒空洞3が、それぞれ導波管管壁内に設けら
れており、PINダイオード4が導波管1の狭い方
の管壁に平行に設けられた金属ポスト5およびチ
ヨーク6を構成する内導体7により、支持された
構成になつている。
また、金属ポスト5は、第2の円筒空洞3の中
に埋設された金属ネジ8により導波管に固定さ
れ、チヨーク6を構成する内導体7は第1の円筒
空洞2の中に埋設された絶縁ネジ9により導波管
に固定されている。
に埋設された金属ネジ8により導波管に固定さ
れ、チヨーク6を構成する内導体7は第1の円筒
空洞2の中に埋設された絶縁ネジ9により導波管
に固定されている。
この構成によるスイツチは、金属ポスト5、
PINダイオード4、および導波管1から成る共振
器がPINダイオード4に印加するバイアス状態の
変化に応じ、直列共振、並列共振することによ
り、導波管1内を伝搬するマイクロ波を通過状
態、遮断状態に切り換える動作をしている。これ
ら直列共振、並列共振状態を実現するには、金属
ポスト5を内導体とし、導波管1のH面内に設け
られた第2の円筒空洞3の側壁を外導体とする、
先端が金属ネジ8で短絡された同軸線路の長さを
調整する必要がある。
PINダイオード4、および導波管1から成る共振
器がPINダイオード4に印加するバイアス状態の
変化に応じ、直列共振、並列共振することによ
り、導波管1内を伝搬するマイクロ波を通過状
態、遮断状態に切り換える動作をしている。これ
ら直列共振、並列共振状態を実現するには、金属
ポスト5を内導体とし、導波管1のH面内に設け
られた第2の円筒空洞3の側壁を外導体とする、
先端が金属ネジ8で短絡された同軸線路の長さを
調整する必要がある。
このため、従来のスイツチでは第1図に示すよ
うに、導波管H面内に設けられた第2の円筒空洞
3の中に埋設された金属ネジ8の中心軸上に内ネ
ジが、また、金属ポスト5のうち第2の円筒空洞
3内にある部分には外ネジが形成されており、金
属ネジ8は第2の円筒空洞3内でその位置を変え
ても金属ポスト5の固定状態を保つことが可能な
構造となつている。このような2重ネジ構造によ
り、従来のスイツチでは、上記同軸線路の短絡位
置を変化させ、所要の共振状態を実現するように
していた。
うに、導波管H面内に設けられた第2の円筒空洞
3の中に埋設された金属ネジ8の中心軸上に内ネ
ジが、また、金属ポスト5のうち第2の円筒空洞
3内にある部分には外ネジが形成されており、金
属ネジ8は第2の円筒空洞3内でその位置を変え
ても金属ポスト5の固定状態を保つことが可能な
構造となつている。このような2重ネジ構造によ
り、従来のスイツチでは、上記同軸線路の短絡位
置を変化させ、所要の共振状態を実現するように
していた。
さらに、金属ネジ8は、第2図に示すように、
円筒部10をスリワリ構造とし、同軸線路の外導
体である第2の円筒空洞3の側壁との接触を保ち
ながら摺動できるように構成されていた。
円筒部10をスリワリ構造とし、同軸線路の外導
体である第2の円筒空洞3の側壁との接触を保ち
ながら摺動できるように構成されていた。
しかし、スリワリ構造の円筒部10と同軸線路
の外導体である第2の円筒空洞3の側壁との接触
を良好に保ち、かつ摺動を可能とするには、スリ
ワリ構造の円筒部10から同軸線路の外導体であ
る第2の円筒空洞3の側壁へと十分大きな圧力を
かけることができない。
の外導体である第2の円筒空洞3の側壁との接触
を良好に保ち、かつ摺動を可能とするには、スリ
ワリ構造の円筒部10から同軸線路の外導体であ
る第2の円筒空洞3の側壁へと十分大きな圧力を
かけることができない。
従つてこのようなスリワリ構造の円筒部10の
接触圧の不足から、短絡状態が不完全となり、従
来のスイツチでは、不要共振の発生、損失の増大
を招き、電気性能が劣化する欠点があつた。
接触圧の不足から、短絡状態が不完全となり、従
来のスイツチでは、不要共振の発生、損失の増大
を招き、電気性能が劣化する欠点があつた。
この考案は、これらの欠点を解決するため、金
属ネジ8において、従来スリワリ構造になつてい
た円筒部10の長さを、所要の周波数における同
軸モードの1/4波長としたので、円筒部10と同
軸線路の外導体である第2の円筒空洞3の側壁と
の接触を不要とし、良好なスイツチ特性を得よう
とするものである。
属ネジ8において、従来スリワリ構造になつてい
た円筒部10の長さを、所要の周波数における同
軸モードの1/4波長としたので、円筒部10と同
軸線路の外導体である第2の円筒空洞3の側壁と
の接触を不要とし、良好なスイツチ特性を得よう
とするものである。
第3図は、この考案によるダイオードスイツチ
の構造例で、電波伝搬方向に垂直で、金属ポスト
5を含む面での断面図である。第4図は第3図の
うちの金属ネジ8の詳細図を示すもので、円筒部
10の長さlが、所要の周波数における同軸モー
ドの波長λ0の1/4となつている。金属ネジ8を
第4図に示す構造にすることにより、第3図に示
すダイオードスイツチでは、金属ネジ8の円筒部
10の先端で電流が最小となるため、円筒部10
と同軸線路の外導体である第2の円筒空洞3の側
壁との接触のいかんにかかわらず不要共振や損失
の増加などがない、安定した性能が得られる。
の構造例で、電波伝搬方向に垂直で、金属ポスト
5を含む面での断面図である。第4図は第3図の
うちの金属ネジ8の詳細図を示すもので、円筒部
10の長さlが、所要の周波数における同軸モー
ドの波長λ0の1/4となつている。金属ネジ8を
第4図に示す構造にすることにより、第3図に示
すダイオードスイツチでは、金属ネジ8の円筒部
10の先端で電流が最小となるため、円筒部10
と同軸線路の外導体である第2の円筒空洞3の側
壁との接触のいかんにかかわらず不要共振や損失
の増加などがない、安定した性能が得られる。
なお以上はPINダイオードを1個用いたスイツ
チについて説明したが、この考案はこれに限ら
ず、複数のPINダイオードから成るスイツチに使
用してもよい。
チについて説明したが、この考案はこれに限ら
ず、複数のPINダイオードから成るスイツチに使
用してもよい。
以上のように、この考案によるスイツチでは、
金属ネジ8の円筒部10先端と同軸線路の外導体
である第2の円筒空洞3の側壁との機械的接触の
良否にかかわらず安定して良好な電気性能を得る
ことができる効果を有する。
金属ネジ8の円筒部10先端と同軸線路の外導体
である第2の円筒空洞3の側壁との機械的接触の
良否にかかわらず安定して良好な電気性能を得る
ことができる効果を有する。
第1図は従来のダイオードスイツチの電波伝搬
方向に垂直な面での断面図、第2図は第1図の金
属ネジの構造を示す図、第3図はこの考案による
ダイオードスイツチの構成例を示す図、第4図
は、第3図の金属ネジの構造を示す図であり図
中、 1は導波管、2は第1の円筒空洞、3は第2の
円筒空洞、4はPINダイオード、5は金属ポス
ト、6はチヨーク、7はチヨーク6を構成する内
導体、8は金属ネジ、9は絶縁ネジ、10は円筒
部である。なお、図中、同一あるいは相当部分に
は同一符号を付して示してある。
方向に垂直な面での断面図、第2図は第1図の金
属ネジの構造を示す図、第3図はこの考案による
ダイオードスイツチの構成例を示す図、第4図
は、第3図の金属ネジの構造を示す図であり図
中、 1は導波管、2は第1の円筒空洞、3は第2の
円筒空洞、4はPINダイオード、5は金属ポス
ト、6はチヨーク、7はチヨーク6を構成する内
導体、8は金属ネジ、9は絶縁ネジ、10は円筒
部である。なお、図中、同一あるいは相当部分に
は同一符号を付して示してある。
Claims (1)
- ダイオードを装着した金属ポストを導波管の狭
い方の管壁面に平行に導波管内に配置し、かつ、
上記金属ポストの一端を、導波管の広い方の管壁
側に設けられた円柱状空洞部と同軸線路を構成す
るように配置し、さらに、上記同軸線路先端が、
上記円筒空洞壁面と接触する可動導体によつて短
絡された構造を有するダイオードスイツチにおい
て、上記可動導体が、金属ポストと同軸線路を構
成し、かつ、使用周波数において同軸モードの1/
4波長の長さを有する円筒導体と、円筒導体より
外径の大きい円柱導体から成ることを特徴とする
ダイオードスイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18656781U JPS5890704U (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | ダイオ−ドスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18656781U JPS5890704U (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | ダイオ−ドスイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890704U JPS5890704U (ja) | 1983-06-20 |
| JPS6236322Y2 true JPS6236322Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=29988621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18656781U Granted JPS5890704U (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | ダイオ−ドスイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890704U (ja) |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP18656781U patent/JPS5890704U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5890704U (ja) | 1983-06-20 |
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