JPS6236756A - 溝つき光デイスク基板およびその製造方法 - Google Patents
溝つき光デイスク基板およびその製造方法Info
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- JPS6236756A JPS6236756A JP60175156A JP17515685A JPS6236756A JP S6236756 A JPS6236756 A JP S6236756A JP 60175156 A JP60175156 A JP 60175156A JP 17515685 A JP17515685 A JP 17515685A JP S6236756 A JPS6236756 A JP S6236756A
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- Japan
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- photopolymer
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔L業上の利用分野〕
本発明は、フォトポリマを用いた溝つき元ディスク基板
およびその製造方法に関するものである。
およびその製造方法に関するものである。
元ディスクでは、情報の書き込み、読み出し!正確にし
かも容易におこなうために、基板上にスパイラルもしく
は、同心円状の溝を形成し、これに沿って光ビームを制
御する。
かも容易におこなうために、基板上にスパイラルもしく
は、同心円状の溝を形成し、これに沿って光ビームを制
御する。
従来、上記のような溝を基板上に形成する方法として1
例えば射出成形法や2F(フォトポリマ)形成法がある
。
例えば射出成形法や2F(フォトポリマ)形成法がある
。
前者の方法は量産性に優れるため重要忰が高いが、ガラ
スや金属では1Mつぎ基板ができないこと、また、プラ
スチックでも基板材料や成形条件が限られる欠点があっ
た。
スや金属では1Mつぎ基板ができないこと、また、プラ
スチックでも基板材料や成形条件が限られる欠点があっ
た。
一方、後者の方法は、液状のフォトポリマを基板と韓つ
ぎスタンパの間に流し込み、紫外線照射し、フォトポリ
マ?硬化させ、スタンパ1fltll!製し、スタンパ
を!#I離し、溝つぎ元ディスク基板を作製する方法で
ある。この方法は各種基板に適応でざるなど多くの長所
を持っている。
ぎスタンパの間に流し込み、紫外線照射し、フォトポリ
マ?硬化させ、スタンパ1fltll!製し、スタンパ
を!#I離し、溝つぎ元ディスク基板を作製する方法で
ある。この方法は各種基板に適応でざるなど多くの長所
を持っている。
しかしながら、上記後者の方法において%第1図に示す
工うに基板1上にフォトポリマl112′ftI[接設
けただけでは基板lに対するフォトポリマ層2の密着力
が不十分なため転写作業中に7オトボリマIfa 2が
はがれてしまう欠点があった。一方、基板と密着性のよ
いフォトポリマを用いた場合には、基板上からはがれに
くくなるが、スタンパ剥離性も悪くなり、良好な転写基
板が得られない。
工うに基板1上にフォトポリマl112′ftI[接設
けただけでは基板lに対するフォトポリマ層2の密着力
が不十分なため転写作業中に7オトボリマIfa 2が
はがれてしまう欠点があった。一方、基板と密着性のよ
いフォトポリマを用いた場合には、基板上からはがれに
くくなるが、スタンパ剥離性も悪くなり、良好な転写基
板が得られない。
そこで、このような欠点を解消するために第2図に示す
工うに基板11上にプライマ層13’!’塗布し、この
上にフォトポリマ層12Y形成する方法が考えられてい
るうしD・し、プライマ層重3が一般にゴム状であるた
め熱膨張が大さく1元ディスク基板が熱衝撃的な環境に
おかれた時にフォトポリマN112のはがれ、クラック
生成などYfl’−なうという欠点があった。
工うに基板11上にプライマ層13’!’塗布し、この
上にフォトポリマ層12Y形成する方法が考えられてい
るうしD・し、プライマ層重3が一般にゴム状であるた
め熱膨張が大さく1元ディスク基板が熱衝撃的な環境に
おかれた時にフォトポリマN112のはがれ、クラック
生成などYfl’−なうという欠点があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので。
その目的は、基板密層性とスタンパ剥離性を同時に満足
し、しかも良好な溝転写性、記録再生特性7ft*する
溝つぎ光デイスク基板およびその製造方法を提供するこ
とにある。
し、しかも良好な溝転写性、記録再生特性7ft*する
溝つぎ光デイスク基板およびその製造方法を提供するこ
とにある。
不発明の溝つき元ディスク基板は、従来、基板上に塗布
され、フォトポリマの下地rtityt形成していたプ
ライマ層に代えて、i&仮仮着層性優れ、11!化後は
優れた熱物理特性を示すフォトポリマを用い、このフォ
トポリマで第1層を形成した上にスタンバ剥離性のよい
フォトポリマで第2mY形ffしたものである。この場
合、第1層と@ 2 /1との間には1両層に対して親
和性の良好な中間層i「在させるのが望ましい。
され、フォトポリマの下地rtityt形成していたプ
ライマ層に代えて、i&仮仮着層性優れ、11!化後は
優れた熱物理特性を示すフォトポリマを用い、このフォ
トポリマで第1層を形成した上にスタンバ剥離性のよい
フォトポリマで第2mY形ffしたものである。この場
合、第1層と@ 2 /1との間には1両層に対して親
和性の良好な中間層i「在させるのが望ましい。
また、本発明の製造方法は、基板上にこれに対して密層
性の高いフォトポリマを塗布して第1層を形成した後、
第1層の上にスタンパM型性の良い7オトボリマを積層
して第2層を形成する工程と、この第2層の上に溝つき
スタンパを恵ねる工程とを行ない、さらに光学的に透明
7:e側から紫外梅を照射して両層を硬化させる方法で
ある。
性の高いフォトポリマを塗布して第1層を形成した後、
第1層の上にスタンパM型性の良い7オトボリマを積層
して第2層を形成する工程と、この第2層の上に溝つき
スタンパを恵ねる工程とを行ない、さらに光学的に透明
7:e側から紫外梅を照射して両層を硬化させる方法で
ある。
本発明の溝つぎ元ディスク基板および製造方法によれば
、フォトポリマ層の基板を層性およびスタンパ剥離性が
共に良好となり、さらに、溝転写性、熱物理特性等も向
上する。
、フォトポリマ層の基板を層性およびスタンパ剥離性が
共に良好となり、さらに、溝転写性、熱物理特性等も向
上する。
以下、実施例を示して、4:@明の作用効果を明確にす
る。
る。
実施例1
厚さ1.2Hのポリメチルメタクリレート(以下PMM
Aと略丁)基板(日東樹脂製)2)上に第1図の如(エ
ポ千シ糸7オトポリマ(スリーボンド製3101)の層
(第1層)23を20μm厚さにスピンナ塗布した。こ
のPMMA基板上に、ニッケルスタンパ(溝つきスタン
パ金型つ付きの2PCフオトポリマン自動転写装置(松
下電器製)を用いて厚さ60μmのポリオールアクリレ
ート糸7オトボリマの層(第2層)22を形成した。こ
の積層2P@つ?tPMMAi[にニッケルスタンバを
重ねあわせ、基板2)mから超高圧水銀灯(オーク製作
新製、3kw)で30秒照射した。スタンパから基板2
)を剥離し、2P転写基板〔溝つぎ元ディスク基板〕を
得た。
Aと略丁)基板(日東樹脂製)2)上に第1図の如(エ
ポ千シ糸7オトポリマ(スリーボンド製3101)の層
(第1層)23を20μm厚さにスピンナ塗布した。こ
のPMMA基板上に、ニッケルスタンパ(溝つきスタン
パ金型つ付きの2PCフオトポリマン自動転写装置(松
下電器製)を用いて厚さ60μmのポリオールアクリレ
ート糸7オトボリマの層(第2層)22を形成した。こ
の積層2P@つ?tPMMAi[にニッケルスタンバを
重ねあわせ、基板2)mから超高圧水銀灯(オーク製作
新製、3kw)で30秒照射した。スタンパから基板2
)を剥離し、2P転写基板〔溝つぎ元ディスク基板〕を
得た。
この2P転写基板について、セロテープ試験より2P膜
の剥離を調べたが、剥離はみられなかった。
の剥離を調べたが、剥離はみられなかった。
また、2P転寥基板の120”Cまでの梅り脹率を測定
したところ、7.5810−”C1でPMMA基板のそ
れと同等であった。さらに、溝転写性を走査型電子顕微
鏡により観察したところ、ニッケルスタンバの形状(溝
ピッチ1.6μm、溝mo、8μm、溝深さ700A)
を精度よく転ダしていた。
したところ、7.5810−”C1でPMMA基板のそ
れと同等であった。さらに、溝転写性を走査型電子顕微
鏡により観察したところ、ニッケルスタンバの形状(溝
ピッチ1.6μm、溝mo、8μm、溝深さ700A)
を精度よく転ダしていた。
この溝つぎ元ディスク基板上に記憶媒体として、テルル
を共蒸着した二硫化炭素プラズマ重合膜を厚さ300A
つけた。この元ディスク媒体をlsoorpmで回転し
ながら、半導体レーザーで記録したところ、5mwで記
録が口J能であった。また記録された元ディスク媒体を
3mwで再生したが媒体に何ら損湯な起こすことはなか
った。また、この元ディスク媒体について、室温と12
0°Cの温度サイクル試験をおこなったが200サイク
ル後も媒体のワレ、はがれなどはみられなかった。
を共蒸着した二硫化炭素プラズマ重合膜を厚さ300A
つけた。この元ディスク媒体をlsoorpmで回転し
ながら、半導体レーザーで記録したところ、5mwで記
録が口J能であった。また記録された元ディスク媒体を
3mwで再生したが媒体に何ら損湯な起こすことはなか
った。また、この元ディスク媒体について、室温と12
0°Cの温度サイクル試験をおこなったが200サイク
ル後も媒体のワレ、はがれなどはみられなかった。
比較例1
PMMA基板上に、実施例1と同様に、直りポリオール
アクリレート系フォトポリマ層を形成し、2P転写基板
を得た。セロテープ試験により2PPI4の剥離を調べ
たところ1傭格子パターンで丁べてはかれた、比較例2 PMMA基板上に、実施例1と同様に、lIkmエポ千
シ糸フォトポリマーを塗布し、ニッケルスタンパと該基
板を嵐ねあわせ、タンボブリント装置(日本文化精工製
〕によりプレスし、索外機硬化し、スタンパを剥離し、
転写基板を得た。転写基板を光学顕微属で観察したとこ
ろ、硬化したエボ千シアオドポリマの凝集破壊がみもれ
、剥離性が悪かった。
アクリレート系フォトポリマ層を形成し、2P転写基板
を得た。セロテープ試験により2PPI4の剥離を調べ
たところ1傭格子パターンで丁べてはかれた、比較例2 PMMA基板上に、実施例1と同様に、lIkmエポ千
シ糸フォトポリマーを塗布し、ニッケルスタンパと該基
板を嵐ねあわせ、タンボブリント装置(日本文化精工製
〕によりプレスし、索外機硬化し、スタンパを剥離し、
転写基板を得た。転写基板を光学顕微属で観察したとこ
ろ、硬化したエボ千シアオドポリマの凝集破壊がみもれ
、剥離性が悪かった。
比較例3
PMMA基板上に、ポリエステル系プライマ(東洋紡製
、バイロン)を20μmDiさにf2!偵し、実IIa
例1と同様に2P(ポリオールアクリレート)転写基板
を得た。この基板の120 °C9での、線Im!脹率
を測定しにところ2×lO°Cであった。この溝つき基
板上に実施例1と同様にテルル・で共蒸着した二硫化炭
素プラズマ重合膜を記録媒体としてつけた。この元ディ
スク媒体について、室温と120°C0)@度すイクル
試験ysこなった。200サイクル後に媒体を観察した
ところ、プラズマ蔦合編の一部にワレがみられた。
、バイロン)を20μmDiさにf2!偵し、実IIa
例1と同様に2P(ポリオールアクリレート)転写基板
を得た。この基板の120 °C9での、線Im!脹率
を測定しにところ2×lO°Cであった。この溝つき基
板上に実施例1と同様にテルル・で共蒸着した二硫化炭
素プラズマ重合膜を記録媒体としてつけた。この元ディ
スク媒体について、室温と120°C0)@度すイクル
試験ysこなった。200サイクル後に媒体を観察した
ところ、プラズマ蔦合編の一部にワレがみられた。
実施例2
厚さ1.2朋のガラス基板上にエポキシ系フォトポリマ
の層(第1層]t20μn1厚さンこスピンナ塗布した
。一方、溝つきニッケルスタンパ上に接着剤ディスペン
サ(岩下エンジニアリング製ンでポリオールアクリレー
ト系フォトポリマのrfiI〔第2層〕を塗布し、エポ
キシ系フォトポリマの塗布されたガラス基板と中心を合
わせ、タンボブリント装置にエリ圧締、シ、ガラス基板
側から露光し。
の層(第1層]t20μn1厚さンこスピンナ塗布した
。一方、溝つきニッケルスタンパ上に接着剤ディスペン
サ(岩下エンジニアリング製ンでポリオールアクリレー
ト系フォトポリマのrfiI〔第2層〕を塗布し、エポ
キシ系フォトポリマの塗布されたガラス基板と中心を合
わせ、タンボブリント装置にエリ圧締、シ、ガラス基板
側から露光し。
硬化させた。スタンパからはがした2P転写基板につい
てセロテープ試験により2pHgの剥IQを調べたが剥
離はみられなかった。
てセロテープ試験により2pHgの剥IQを調べたが剥
離はみられなかった。
実施例3
実施例1と同様にエポキシ系7オトボリマの層(@ 1
71 )が塗布されたPMMA基板に2P自動転写装置
を用いて厚さ40μmの末瑞アクリロキシグロビル化ポ
リジメチルシロキサン(信越比学製ンからなる感光性シ
リコーン樹脂(光開始剤。
71 )が塗布されたPMMA基板に2P自動転写装置
を用いて厚さ40μmの末瑞アクリロキシグロビル化ポ
リジメチルシロキサン(信越比学製ンからなる感光性シ
リコーン樹脂(光開始剤。
ベンゾインイソプロピルエーテル3 IN (第271
)を形成し、基板側から紫外線照射し、硬化し、スタ
ンパから基板?剥離し2P転写基板を得た。
)を形成し、基板側から紫外線照射し、硬化し、スタ
ンパから基板?剥離し2P転写基板を得た。
セロテープ試験によるはがれはみられなかった。
また溝転写性も良好であった。
この溝つき基板にテルルを共蒸漕した二硫化炭素プラズ
マ重合膜をつけた。1800rpmで回転しながら、半
導体レーザで記録したところ4mwで記録が可能であっ
た。実施例1のポリオールアクリレート系フォトポリマ
ーりも高感度であったのは、プラズマ重合膜の融解蒸発
にフォトポリマーの表面エネルギ(ぬれ性)の低いこと
が作用したと考えられる。
マ重合膜をつけた。1800rpmで回転しながら、半
導体レーザで記録したところ4mwで記録が可能であっ
た。実施例1のポリオールアクリレート系フォトポリマ
ーりも高感度であったのは、プラズマ重合膜の融解蒸発
にフォトポリマーの表面エネルギ(ぬれ性)の低いこと
が作用したと考えられる。
実施例4
実施ガニと同様に(第2図参照)PMMA基仮3基土3
1上キシ系フォトポリマのjfi CM 1層】33を
*歪し、さらにボリエテレングリーールジアクリレート
からなるjfti (中間m)34をlOμm皇伯し1
この基板に2P自動転写装置にエリメタクリル蹴ヘプタ
フルオロブチルモノマY2Ll含むポリオールアクリレ
ート膜(@2Ni332を30μn1ffj層し、ニッ
ケルスタンパに嵐ねて超高圧水銀灯で40秒照射し、積
層2p基板(溝つき光ディスク基板]?:得た。これに
実施ガニと同僚の記録膜tつばて、記録したところ、半
導体レーザを用いて五aoorpmで4mwでgcEf
iが0]能であった。また、温度60°C9湿1190
チ下で20日装いたが、媒体にはがれやワレはみられな
O為った。
1上キシ系フォトポリマのjfi CM 1層】33を
*歪し、さらにボリエテレングリーールジアクリレート
からなるjfti (中間m)34をlOμm皇伯し1
この基板に2P自動転写装置にエリメタクリル蹴ヘプタ
フルオロブチルモノマY2Ll含むポリオールアクリレ
ート膜(@2Ni332を30μn1ffj層し、ニッ
ケルスタンパに嵐ねて超高圧水銀灯で40秒照射し、積
層2p基板(溝つき光ディスク基板]?:得た。これに
実施ガニと同僚の記録膜tつばて、記録したところ、半
導体レーザを用いて五aoorpmで4mwでgcEf
iが0]能であった。また、温度60°C9湿1190
チ下で20日装いたが、媒体にはがれやワレはみられな
O為った。
なお、上記芙IM例では中間層34を設ける場合罠、第
1膚、中間層、第2層の順で積層し、第2)−の上にス
タンバt1にねたが、これに限るものではなく1例えば
i板に第1鳩と中間+fiを積層しておI!:sこれに
、@2層?積層したスタンバを重ね合わせてもよい。あ
るいは、基板に第1層だけY:m層しておき、これに第
2層と中間層とを積層したスタンバラ東ね合わせてもよ
い。
1膚、中間層、第2層の順で積層し、第2)−の上にス
タンバt1にねたが、これに限るものではなく1例えば
i板に第1鳩と中間+fiを積層しておI!:sこれに
、@2層?積層したスタンバを重ね合わせてもよい。あ
るいは、基板に第1層だけY:m層しておき、これに第
2層と中間層とを積層したスタンバラ東ね合わせてもよ
い。
以上説明したように、本発明の溝つぎ光デイスク基板は
、基板上に、これに対して密着性の高い第1層を設け、
この@1層の上にスタンバ離型性4゜の良い第2f曽を
設けたので、この構造に依存する感度がみられ1元記録
媒体(特に穴あき]の高感度化が期待できる。すなわち
、高感度の記録再生特性?Mする。これらに使えるフォ
トポリマは、エポキシ系、ポリオールアクリレート系光
1合性シロキサン系にかぎらず、エポキシアクリレート
。
、基板上に、これに対して密着性の高い第1層を設け、
この@1層の上にスタンバ離型性4゜の良い第2f曽を
設けたので、この構造に依存する感度がみられ1元記録
媒体(特に穴あき]の高感度化が期待できる。すなわち
、高感度の記録再生特性?Mする。これらに使えるフォ
トポリマは、エポキシ系、ポリオールアクリレート系光
1合性シロキサン系にかぎらず、エポキシアクリレート
。
ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなど
多(のものがあげられ、これらを組合わせることに工り
檀々の基板、媒体に適合した溝つき元ディスクが得られ
る。
多(のものがあげられ、これらを組合わせることに工り
檀々の基板、媒体に適合した溝つき元ディスクが得られ
る。
f7S:、本発明の製造方法によれば、基板に対して密
着性の高いフォトポリマで第1層を形成した後、この上
にスタンパ離型性の良いフォトポリマで第27#/z形
成する工程と、この第2層の上に溝つきスタンバtJj
Lねる工種とを行ない、さらに。
着性の高いフォトポリマで第1層を形成した後、この上
にスタンパ離型性の良いフォトポリマで第27#/z形
成する工程と、この第2層の上に溝つきスタンバtJj
Lねる工種とを行ない、さらに。
光学的に透明な側から紫外線を照射して第1層。
第2層乞硬化させるので1m転写注、基板密着性。
スタンパ趨型t!、%楓の熱物理符注等を同時に満足す
る14つぎ元ディスク基板?得ることができる。
る14つぎ元ディスク基板?得ることができる。
第1図は本比病の夾厖丙馨示す概略断面図、第2図は同
じく他の実施例?示す概略Wr南図、第3図にシび第4
図は、従来の元ディスク基板の概略断面図である。 2).31°・・基板、23.33・・・第1層(フォ
トボ+)−rr@)、22t32・・・第2層(フォト
ポリマ鳩ン、34・・・中間層。 22:第2層 31: 基j阪 32: 第2層
じく他の実施例?示す概略Wr南図、第3図にシび第4
図は、従来の元ディスク基板の概略断面図である。 2).31°・・基板、23.33・・・第1層(フォ
トボ+)−rr@)、22t32・・・第2層(フォト
ポリマ鳩ン、34・・・中間層。 22:第2層 31: 基j阪 32: 第2層
Claims (3)
- (1)基板上にフォトポリマ層を積層し、このフォトポ
リマ層に溝つきスタンパ金型を用いて溝を形成してなる
光ディスク基板において、 前記フォトポリマ層は、基板に直接積層されるとともに
基板に対して密着性の高い第1層と、この第1層の上に
積層されるとともにスタンパ離型性の良い第2層とから
なることを特徴とする溝つき光ディスク基板。 - (2)前記第2層は、前記第1層および第2層に対し親
和性の良好な中間層を介して第1層の上に積層されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の溝つき
光ディスク基板。 - (3)基板上のフォトポリマ層に溝が形成されてなる光
ディスク基板を製造する方法において、前記基板上にこ
の基板と密着性の高いフォトポリマを塗布して第1層を
形成し、次いで、第1層の上に、スタンパ離型性の良い
フォトポリマを積層して第2層を形成する工程と、第2
層の上に溝つきスタンパを重ねる工程とを行ない、しか
る後に、光学的に透明な基板側から紫外線を照射してフ
ォトポリマ層を硬化させることを特徴とする溝つき光デ
イスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175156A JPS6236756A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 溝つき光デイスク基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175156A JPS6236756A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 溝つき光デイスク基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236756A true JPS6236756A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15991245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175156A Pending JPS6236756A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 溝つき光デイスク基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236756A (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| WO2006033410A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多層情報記録媒体およびその製造方法、並びに感光性粘着シート |
| JP2007294076A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体の製造装置 |
| WO2007135907A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Panasonic Corporation | 多層光記録媒体の製造方法 |
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-
1985
- 1985-08-09 JP JP60175156A patent/JPS6236756A/ja active Pending
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