JPS6237374A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6237374A JPS6237374A JP17557385A JP17557385A JPS6237374A JP S6237374 A JPS6237374 A JP S6237374A JP 17557385 A JP17557385 A JP 17557385A JP 17557385 A JP17557385 A JP 17557385A JP S6237374 A JPS6237374 A JP S6237374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction
- gas supply
- reaction tube
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化合物法）等の化
学反応を利用した気相成長装置、特に、目的とする物質
の成長反応が円滑に行われる気相成長装置に関する。
学反応を利用した気相成長装置、特に、目的とする物質
の成長反応が円滑に行われる気相成長装置に関する。
化学反応を利用した気相成長法において、反応管内に反
応ガスを導入する方法としては、第３図に示すように、
テーパの付いていない断面円形成いは角形の反応管１内
に、その管の端壁を貫通して反応ガス供給管２．２′と
雰囲気ガス供給管３を臨ませ、それ等の管から基板等を
セットした反応管内のサセプタ４近辺に反応ガスを導入
する方法や、第４図に示すように、テーパ１ａのついた
反応管１の上記テーパによって挾められた入口部に反応
ガス供給管２を接続し、管１の入口部より導入する方法
、或いは第５図に示すように、テーパのついた反応管１
．の端部より反応ガス供給管２をサセプタ４の近く迄延
ばして挿入し、その管２を通して反応ガスを導入する方
法が知られている。
応ガスを導入する方法としては、第３図に示すように、
テーパの付いていない断面円形成いは角形の反応管１内
に、その管の端壁を貫通して反応ガス供給管２．２′と
雰囲気ガス供給管３を臨ませ、それ等の管から基板等を
セットした反応管内のサセプタ４近辺に反応ガスを導入
する方法や、第４図に示すように、テーパ１ａのついた
反応管１の上記テーパによって挾められた入口部に反応
ガス供給管２を接続し、管１の入口部より導入する方法
、或いは第５図に示すように、テーパのついた反応管１
．の端部より反応ガス供給管２をサセプタ４の近く迄延
ばして挿入し、その管２を通して反応ガスを導入する方
法が知られている。
しかしながら、これ等の従来法のうち、第３図及び第５
図に示す方法は、反応管１とその中に挿入した反応ガス
供給管２との間の空間に、ガス流から切り離れて長時間
滞在するいわゆる剥離渦Ａが生じ、反応管内のガス組成
の急峻な交換を妨げる欠点がある。
図に示す方法は、反応管１とその中に挿入した反応ガス
供給管２との間の空間に、ガス流から切り離れて長時間
滞在するいわゆる剥離渦Ａが生じ、反応管内のガス組成
の急峻な交換を妨げる欠点がある。
また、第４図の方法を含めて上記３つの方法は、反応促
進のために加熱されているサセプタ４の近傍において反
応ガスの熱分解によって生じる不揮発性分解物が反応管
の内壁に付着し、管内を汚す、欠点があり、従って、い
ずれの方法も、高品質の皮膜を長時間°にわたって成長
させることができず、装置の稼動率をより高めたりする
には無理があった。
進のために加熱されているサセプタ４の近傍において反
応ガスの熱分解によって生じる不揮発性分解物が反応管
の内壁に付着し、管内を汚す、欠点があり、従って、い
ずれの方法も、高品質の皮膜を長時間°にわたって成長
させることができず、装置の稼動率をより高めたりする
には無理があった。
この発明は、上述の問題点を無くすことを目的として提
案されたものである。
案されたものである。
この発明は、上記の欠点を無くすため、第１図に示すよ
うに、テーパ１ａをつけて一端を細くした反応管１の一
端側よりその反応管の内部に、反応ガス供給管２を、こ
の管の全周において反応管内壁との間に空間５が生じる
状態に挿入し、さらに、上記反応管の一端側において上
記空間に成長反応に対して不活性なキャリアガスの供給
管６を連通せしめたものである。
うに、テーパ１ａをつけて一端を細くした反応管１の一
端側よりその反応管の内部に、反応ガス供給管２を、こ
の管の全周において反応管内壁との間に空間５が生じる
状態に挿入し、さらに、上記反応管の一端側において上
記空間に成長反応に対して不活性なキャリアガスの供給
管６を連通せしめたものである。
このようにして反応管１内にガス供給管２より反応ガス
を導入し、同時にガス供給管６よりキャリアガスを導入
すると、キャリアガス流が反応ガス供給管２の外周空間
における剥離渦を防止するので、反応管内のガス組成の
急峻は交換が可能になる。
を導入し、同時にガス供給管６よりキャリアガスを導入
すると、キャリアガス流が反応ガス供給管２の外周空間
における剥離渦を防止するので、反応管内のガス組成の
急峻は交換が可能になる。
また、キャリアガスは、サセプタ４近傍で熱分解によっ
て生じた不揮発性分解物が反応管内壁に到来する際のス
クリーニングガスとしても働き、。
て生じた不揮発性分解物が反応管内壁に到来する際のス
クリーニングガスとしても働き、。
不揮発性分解物の反応管内壁への付着を抑制するため、
反応管の汚れも少なくなる。
反応管の汚れも少なくなる。
添付第２図に、反応管内に複数種の反応ガスを導入する
装置の一例を示す。
装置の一例を示す。
図の符号１は、一端にテーパ１ａを付した円筒状の反応
管であり、その管の細くなった端部にガス導入部７が設
けられている。このガス導入部７は、反応管１の軸心部
に挿入した反応ガス供給管２、先端に管２の外周を同心
的に取り巻くガス通路を備えた反応ガス供給管２′、こ
の管２′の先端のガス通路をサセプタ４の近く迄延長す
る反応ガス供給管２“、この管２“の後部外周を取り巻
くフランジ付きスリーブ８の周壁に接続するキャリアガ
ス供給管６．６及びそれ等の部材の接合界面を気密に封
止するＯリング９によって構成されており、管２″と反
応管１との間に生じた環状の空間５を通ってキャリアガ
ス（例えば Ｈ２）がサセプタ４側に流れるようにな
っている。
管であり、その管の細くなった端部にガス導入部７が設
けられている。このガス導入部７は、反応管１の軸心部
に挿入した反応ガス供給管２、先端に管２の外周を同心
的に取り巻くガス通路を備えた反応ガス供給管２′、こ
の管２′の先端のガス通路をサセプタ４の近く迄延長す
る反応ガス供給管２“、この管２“の後部外周を取り巻
くフランジ付きスリーブ８の周壁に接続するキャリアガ
ス供給管６．６及びそれ等の部材の接合界面を気密に封
止するＯリング９によって構成されており、管２″と反
応管１との間に生じた環状の空間５を通ってキャリアガ
ス（例えば Ｈ２）がサセプタ４側に流れるようにな
っている。
管２″は、管２から供給される反応ガス（例えば（ＣＨ
３）３Ｇａや（ＣＨ３） ３ＡＩ２．）と管２″から供
給される反応ガス（例えばＡｓＨ３）とを混合しサセプ
タ４近傍に導く働きをするが、反応ガスの混合をより良
くするためには、図のように、管２の端部を閉鎖し【そ
の近辺の外周面に小孔２ａをあけ、この小孔から管２を
通ったガスを管２′より供給されるガス中に放射状に吹
き込むのがよい。
３）３Ｇａや（ＣＨ３） ３ＡＩ２．）と管２″から供
給される反応ガス（例えばＡｓＨ３）とを混合しサセプ
タ４近傍に導く働きをするが、反応ガスの混合をより良
くするためには、図のように、管２の端部を閉鎖し【そ
の近辺の外周面に小孔２ａをあけ、この小孔から管２を
通ったガスを管２′より供給されるガス中に放射状に吹
き込むのがよい。
また、キャリアガス供給管６は、少なくとも１個あれば
よいが、管２“の周りにまんべんなくキャリアガス流を
生じさせるために、その数を増やして周方向に等間隔で
スリーブ８に接続しておくのが望ましい。
よいが、管２“の周りにまんべんなくキャリアガス流を
生じさせるために、その数を増やして周方向に等間隔で
スリーブ８に接続しておくのが望ましい。
以上述べたように、この発明によれば、テーパのついた
反応管の端部より反応管内に臨む反応ガス供給管と反応
管の内壁との間の空間に、キャリアガスをサセプタ側に
向けて流す構成としであるので、反応ガス供給管の周囲
に発生し易すがった剥離渦がキャリアガス流によって防
止され、それによって反応管内のガス組成の急峻な交換
が行われる結果、半導体多層薄膜等の成長において急速
な界面形成が行われると云う効果が得られる。
反応管の端部より反応管内に臨む反応ガス供給管と反応
管の内壁との間の空間に、キャリアガスをサセプタ側に
向けて流す構成としであるので、反応ガス供給管の周囲
に発生し易すがった剥離渦がキャリアガス流によって防
止され、それによって反応管内のガス組成の急峻な交換
が行われる結果、半導体多層薄膜等の成長において急速
な界面形成が行われると云う効果が得られる。
また、キャリアガスは反応ガスの熱分解によって生じる
不揮発性分解物の反応管内壁への付着を抑制するのにも
役立つため、反応管内壁の汚れも防止され、そのために
反応管の洗浄周期を長くすることが可能になる。
不揮発性分解物の反応管内壁への付着を抑制するのにも
役立つため、反応管内壁の汚れも防止され、そのために
反応管の洗浄周期を長くすることが可能になる。
従って、長時間にわたる安定した成長反応が期待でき、
装置の稼動率等が高まる。
装置の稼動率等が高まる。
第１図は、この発明の装置の基本構成を示す線図、第２
図は一実施例の要部を示す断面図、第３図乃至第５図は
いずれも従来の気相成長装置を示す線図である。 １・・・反応管、１ａ・・・テーパ、２．２′、２″・
・・反応ガス供給管、４・・・サセプタ、５・・・周方
向に連続した空間、６・・・キャリアガス供給管、７・
・・ガス導入部、８・・・フランジ付きスリーブ、９・
・・０リング
図は一実施例の要部を示す断面図、第３図乃至第５図は
いずれも従来の気相成長装置を示す線図である。 １・・・反応管、１ａ・・・テーパ、２．２′、２″・
・・反応ガス供給管、４・・・サセプタ、５・・・周方
向に連続した空間、６・・・キャリアガス供給管、７・
・・ガス導入部、８・・・フランジ付きスリーブ、９・
・・０リング
Claims (2)
- （１）テーパをつけて一端を細くした反応管の一端側よ
りその反応管の内部に、反応ガス供給管を、この管の全
周において反応管内壁との間に空間の生じる状態に挿入
し、さらに、上記反応管の一端側において上記空間に成
長反応に対して不活性なキャリアガスの供給管を連通せ
しめたことを特徴とする気相成長装置。 - （２）上記キャリアガス供給管が周方向に等間隔で複数
存在することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557385A JPS6237374A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557385A JPS6237374A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237374A true JPS6237374A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=15998440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17557385A Pending JPS6237374A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237374A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001501161A (ja) * | 1996-10-01 | 2001-01-30 | エービービー リサーチ リミテッド | 目的物をエピタキシャル成長させるための装置およびそのような成長をさせるための方法 |
| US6299683B1 (en) * | 1996-01-30 | 2001-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for the production of SiC by means of CVD with improved gas utilization |
| DE102005056322A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | VPE-Reaktor mit koaxial zueinander angeordneten Quellgasrohren |
| KR101228184B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2013-01-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 성막 장치와 성막 방법 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17557385A patent/JPS6237374A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6299683B1 (en) * | 1996-01-30 | 2001-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for the production of SiC by means of CVD with improved gas utilization |
| JP2001501161A (ja) * | 1996-10-01 | 2001-01-30 | エービービー リサーチ リミテッド | 目的物をエピタキシャル成長させるための装置およびそのような成長をさせるための方法 |
| DE102005056322A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | VPE-Reaktor mit koaxial zueinander angeordneten Quellgasrohren |
| KR101228184B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2013-01-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 성막 장치와 성막 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6639095B2 (ja) | ガス供給マニホールド及びガス供給マニホールドを使用してチャンバにガスを供給する方法 | |
| CN102127752B (zh) | 气体处理系统 | |
| CN101802254B (zh) | 化学气相沉积反应器 | |
| CN109075038B (zh) | 成膜装置 | |
| US6089472A (en) | Shower head | |
| US5304247A (en) | Apparatus for depositing compound semiconductor crystal | |
| JP5212455B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
| CN105839077B (zh) | 用于沉积iii-v主族半导体层的方法和装置 | |
| JPS63227011A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| ES354047A1 (es) | Procedimiento y aparato para efectuar reacciones entre ga- ses. | |
| CN102325921A (zh) | 带有圆柱形进气机构的金属有机化合物化学气相沉积反应器 | |
| TWI887240B (zh) | 基材加工方法及裝置 | |
| CN104498904A (zh) | 一种用于mocvd设备的喷淋头 | |
| JPS6237374A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2020532130A (ja) | エピタキシャル堆積プロセスのための注入アセンブリ | |
| CN204401102U (zh) | 一种用于mocvd设备的喷淋头 | |
| KR100580062B1 (ko) | 화학기상성장장치 및 막 성장방법 | |
| US10987644B2 (en) | Fluid dispersing device and heat treatment device | |
| JP2011114081A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP5747647B2 (ja) | バレル型気相成長装置 | |
| JP3867616B2 (ja) | 半導体製造装置および方法 | |
| JPS62171115A (ja) | 気相成長装置の反応管 | |
| JPH0613256Y2 (ja) | 反応室ガス導入器 | |
| JPS6276516A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| CN218756027U (zh) | 一种气相沉积设备的气体组件及气相沉积设备 |