JPS623784Y2 - - Google Patents
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- JPS623784Y2 JPS623784Y2 JP1978060865U JP6086578U JPS623784Y2 JP S623784 Y2 JPS623784 Y2 JP S623784Y2 JP 1978060865 U JP1978060865 U JP 1978060865U JP 6086578 U JP6086578 U JP 6086578U JP S623784 Y2 JPS623784 Y2 JP S623784Y2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2581—Multimode transmission
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は薄膜およびフアイバーの光導波路とと
もに用いる結合器、スイツチおよびマルチプレク
サに関するものである。
もに用いる結合器、スイツチおよびマルチプレク
サに関するものである。
材料の屈折率に変化をもたらすために上にのせ
た電極を用いて電圧をかけられているLiTaO3や
LiNbO3のような電気光学材料が1970年1月18日
に公告された「光導波路回路」という名称の米国
特許第3695745号の中で古川によつて開示された
光導波管のような光導波管を提供するために用い
られてきた。この屈折率の変化は、屈折率を増加
させるとき、励起電極の下の領域に光導波管を形
成したり、または屈折率を減少させるとき、2組
の電極の間の領域に光導波管を形成したりする。
適当な電極形状でプログラムされた電圧励起を行
なうと、これらの材料を電気光学変調器、スイツ
チおよびマルチプレクサを提供するのに利用でき
る。
た電極を用いて電圧をかけられているLiTaO3や
LiNbO3のような電気光学材料が1970年1月18日
に公告された「光導波路回路」という名称の米国
特許第3695745号の中で古川によつて開示された
光導波管のような光導波管を提供するために用い
られてきた。この屈折率の変化は、屈折率を増加
させるとき、励起電極の下の領域に光導波管を形
成したり、または屈折率を減少させるとき、2組
の電極の間の領域に光導波管を形成したりする。
適当な電極形状でプログラムされた電圧励起を行
なうと、これらの材料を電気光学変調器、スイツ
チおよびマルチプレクサを提供するのに利用でき
る。
変調切換装置や多重送信装置を実現させるため
に種々の形態が用いられてきた。これらの中には
様々な切換可能な3dB結合器の組合せがある。2
つの切換可能な3dB結合器を組合せて非常に高い
分離のSPDTスイツチを作ることができるが、N
個のそのような結合器を用いてN:1のマルチプ
レクサまたは多重分離装置を作つてもよいし、他
の装置を作つてスイツチング・マトリツクスとし
て実施することもできる。
に種々の形態が用いられてきた。これらの中には
様々な切換可能な3dB結合器の組合せがある。2
つの切換可能な3dB結合器を組合せて非常に高い
分離のSPDTスイツチを作ることができるが、N
個のそのような結合器を用いてN:1のマルチプ
レクサまたは多重分離装置を作つてもよいし、他
の装置を作つてスイツチング・マトリツクスとし
て実施することもできる。
従来からある切換可能な3dB結合器は、アプラ
イド・フイジツクス・レターズ(Applied
Physics Letters)、第28巻、第12号の716頁にソ
レフ(Soref)他によつて記載された結合器を除
いては、すべてアプライド・オプテイツクス
(Applied Optics)、第15巻の1053頁にバーンズ
(Burns)によつて記載された結合器のような単
一モード放射で作動する。ソレフ他の結合には主
チヤネルと分岐チヤネルとを作るために間をギヤ
ツプで電気的に減結合された電極が備えてある。
その主チヤネルに結晶の厚み方向に屈折率の増加
を生じさせるように電圧をかけて、電極の下に光
導波路を作つている。分岐電極に電圧がかからな
い場合または逆電圧がかつた場合は、光エネルギ
ーは理論的には分岐チヤネルに結合しない。分岐
チヤネルに電圧がかゝつたとき、主チヤネルを伝
播する光エネルギーは2つのチヤネルに分けられ
るようになる。しかし、不連続な導波路と、主チ
ヤネルと分岐チヤネルとの間のギヤツプに完全に
は収つていないので、分岐チヤネルに入る光波に
対してわずかな屈折率の障壁を作るフリンジング
電界とのために結合が効果的でなくなる。本発明
は低い挿入損失と高いチヤネル間の分離で結合、
多重送信およびスイツチングの機能を果たすもの
である。
イド・フイジツクス・レターズ(Applied
Physics Letters)、第28巻、第12号の716頁にソ
レフ(Soref)他によつて記載された結合器を除
いては、すべてアプライド・オプテイツクス
(Applied Optics)、第15巻の1053頁にバーンズ
(Burns)によつて記載された結合器のような単
一モード放射で作動する。ソレフ他の結合には主
チヤネルと分岐チヤネルとを作るために間をギヤ
ツプで電気的に減結合された電極が備えてある。
その主チヤネルに結晶の厚み方向に屈折率の増加
を生じさせるように電圧をかけて、電極の下に光
導波路を作つている。分岐電極に電圧がかからな
い場合または逆電圧がかつた場合は、光エネルギ
ーは理論的には分岐チヤネルに結合しない。分岐
チヤネルに電圧がかゝつたとき、主チヤネルを伝
播する光エネルギーは2つのチヤネルに分けられ
るようになる。しかし、不連続な導波路と、主チ
ヤネルと分岐チヤネルとの間のギヤツプに完全に
は収つていないので、分岐チヤネルに入る光波に
対してわずかな屈折率の障壁を作るフリンジング
電界とのために結合が効果的でなくなる。本発明
は低い挿入損失と高いチヤネル間の分離で結合、
多重送信およびスイツチングの機能を果たすもの
である。
本考案の原理によれば、光障壁導波路を用いる
が、その導波路は、電気光学結晶の上面と下面に
取付けた電極に電極間の結晶の屈折率を小さくす
るように電圧をかけて形成され、電極が輪郭とな
つている光導波路となつている。電極は、主光導
波路、分岐光導波路および主導波路と分岐導波路
との交差点にある光ゲートを形成するように取付
けられている。主導波路から分岐導波路へ光のエ
ネルギーを3dBで結合することは、ゲート電極か
ら電圧を除いて2つの導波路の間にある障壁をな
くすことによつて遂げられる。光のエネルギー
は、主導波路の径路に第2のゲートを設けること
および2つのゲート電極の間に電圧を交互にかけ
ることによつて切換えることができる。追加の分
岐導波路とさらに複雑なゲート電極形態を使つて
光マルチプレクサを形成できる。
が、その導波路は、電気光学結晶の上面と下面に
取付けた電極に電極間の結晶の屈折率を小さくす
るように電圧をかけて形成され、電極が輪郭とな
つている光導波路となつている。電極は、主光導
波路、分岐光導波路および主導波路と分岐導波路
との交差点にある光ゲートを形成するように取付
けられている。主導波路から分岐導波路へ光のエ
ネルギーを3dBで結合することは、ゲート電極か
ら電圧を除いて2つの導波路の間にある障壁をな
くすことによつて遂げられる。光のエネルギー
は、主導波路の径路に第2のゲートを設けること
および2つのゲート電極の間に電圧を交互にかけ
ることによつて切換えることができる。追加の分
岐導波路とさらに複雑なゲート電極形態を使つて
光マルチプレクサを形成できる。
光導波路の間の分離は、その出力ポートの前に
ある種々の分岐の中にスポイラ電極を挿入するこ
とによつて増大でき、その電極は付勢されると付
勢されたゲートを通してまたはまわりに漏洩する
光信号を偏向する。スポイラ電極とゲート電極を
電気的に接続して、同時につけたり消したりでき
る。スポイラ電極の考え方はまた結晶の一方の端
にある入力ポートから他の端にある様々な出力ポ
ートへ結晶を通して自由に光学信号を広げること
のできるマルチプレクサ/多重分離装置を与える
ために用いられる。スポイラ電極は光信号を偏向
するためまたは光信号を引寄せるためには付勢さ
れる各出力ポートの前に取付けられる。
ある種々の分岐の中にスポイラ電極を挿入するこ
とによつて増大でき、その電極は付勢されると付
勢されたゲートを通してまたはまわりに漏洩する
光信号を偏向する。スポイラ電極とゲート電極を
電気的に接続して、同時につけたり消したりでき
る。スポイラ電極の考え方はまた結晶の一方の端
にある入力ポートから他の端にある様々な出力ポ
ートへ結晶を通して自由に光学信号を広げること
のできるマルチプレクサ/多重分離装置を与える
ために用いられる。スポイラ電極は光信号を偏向
するためまたは光信号を引寄せるためには付勢さ
れる各出力ポートの前に取付けられる。
本考案の原理に従つて設計された結合器、マル
チプレクサおよびスイツチに生じるいくつかの長
所がある。これらには金属で被覆した界面からの
反射の除去と、光電効果の電界強度の高い領域を
通して光エネルギーを導くことを無くすことによ
り電界によつて誘導される光学的損傷(LiNbO3
やSrxBax-1Nb2O6(SBN)における主要な効果で
ある可能性がある)を最小にすることとによる挿
入損失の低減と;漂遊外部光源からの光導波路の
分離を強めることによるチヤネル間信号対漏話の
比を大きくすることがある。このほかに、前記の
ソレフの結合器に固有のフリンジング電界の不完
全な広がりに起因する結合障壁が本質的に除かれ
て、結果として主導波路と分岐導波路との間にさ
らに有効な結合が実現される。さらに、本考案の
電極構成によつてLiNbO3またはLiTaO3の電気光
学係数の6ないし60倍の係数を持つているSBNを
利用することが可能になる。
チプレクサおよびスイツチに生じるいくつかの長
所がある。これらには金属で被覆した界面からの
反射の除去と、光電効果の電界強度の高い領域を
通して光エネルギーを導くことを無くすことによ
り電界によつて誘導される光学的損傷(LiNbO3
やSrxBax-1Nb2O6(SBN)における主要な効果で
ある可能性がある)を最小にすることとによる挿
入損失の低減と;漂遊外部光源からの光導波路の
分離を強めることによるチヤネル間信号対漏話の
比を大きくすることがある。このほかに、前記の
ソレフの結合器に固有のフリンジング電界の不完
全な広がりに起因する結合障壁が本質的に除かれ
て、結果として主導波路と分岐導波路との間にさ
らに有効な結合が実現される。さらに、本考案の
電極構成によつてLiNbO3またはLiTaO3の電気光
学係数の6ないし60倍の係数を持つているSBNを
利用することが可能になる。
第1図について説明すると、多重モード切換え
可能な3dB結合器10にはZカツトした
LiTaO3、LiNbO3、またはSBNである薄いウエー
ハ11があつて、その両面に光導波路を形成する
電極12が蒸着されている。3dB光導波路結合器
を作るためには、薄いウエーハの向い合いの側面
にある電極間に電圧をウエーハ11の両側の電極
間の屈折率を減らす極性をもつている電圧源(図
示なし)を経て印加する。こうすることによつて
電極配置によつて決まる障壁ができ、その障壁
は、これらの障壁の間の領域に送り出された入射
光を反射するので、電極のパターンに従つて光導
波路ができる。結晶の上面及び下面に同じ電極パ
ターンを作ることは位置を完全に一致させる問題
が出てくることがある。これらの問題は、下側の
面を完全に金属電極で被覆し、上側の面を所望の
電極パターンで被覆することによつて除くことが
できる。以下の説明においては、電極へ電圧を印
加するという言葉はすべて、上面と下面とにある
電極が電圧源の端子間に接続されて、屈折率の増
加または減少を生じさせるように結晶の厚さの方
向に電圧を与えることを意味する。
可能な3dB結合器10にはZカツトした
LiTaO3、LiNbO3、またはSBNである薄いウエー
ハ11があつて、その両面に光導波路を形成する
電極12が蒸着されている。3dB光導波路結合器
を作るためには、薄いウエーハの向い合いの側面
にある電極間に電圧をウエーハ11の両側の電極
間の屈折率を減らす極性をもつている電圧源(図
示なし)を経て印加する。こうすることによつて
電極配置によつて決まる障壁ができ、その障壁
は、これらの障壁の間の領域に送り出された入射
光を反射するので、電極のパターンに従つて光導
波路ができる。結晶の上面及び下面に同じ電極パ
ターンを作ることは位置を完全に一致させる問題
が出てくることがある。これらの問題は、下側の
面を完全に金属電極で被覆し、上側の面を所望の
電極パターンで被覆することによつて除くことが
できる。以下の説明においては、電極へ電圧を印
加するという言葉はすべて、上面と下面とにある
電極が電圧源の端子間に接続されて、屈折率の増
加または減少を生じさせるように結晶の厚さの方
向に電圧を与えることを意味する。
第1図に示した電極パターンは、前述の電圧が
電極12へ印加されるとき、主導波路13および
分岐導波路14を設定する。また光導波路13お
よび14を、障壁通路に沿つた屈折率を減少させ
るのに用いる周知の技術を使つて作られる障壁を
設けることによつて形成できることは、当業者に
明らかであろう。電極12と電気的に分離されて
いるゲート電極15は、主光導波路13と分岐光
導波路14の間の接合部に沿つて取付けられてい
る。ゲート電極15の間に電圧がかかつていない
とき、主光導波路13と分岐導波路14との間の
接合部における屈折率は、2つの光導波路の伝播
領域の屈折率に等しい。この条件がある場合、光
学フアイバのような突き合わせ接合された光導波
路16から主導波路13へ入射する光信号が主チ
ヤネル13と分岐チヤネル14の間に自由に分割
できる。交さ点に入る光のエネルギーの実際の割
合は、交さ点の形と入射光信号の角度範囲に関係
する。3dB結合器を結晶内の±2゜の光の円錐と
1゜の分岐角で使用することができる。この状態
の場合、光のエネルギーは接合部で等しく分れ
て、等しい光のエネルギーが主光導波路13の出
力端子17と分岐光導波路14の出力端子18と
に現われる。適当な極性の電圧がゲート電極15
に印加されると、主光導波路と分岐光導波路の交
点に沿つた屈折率が減少して、それに沿つて光障
壁を形成し、分岐光導波路14を主光導波路13
から分離する。このとき、主光導波路13に入射
する光信号は、分岐光導波路14の中に殆んどエ
ネルギーを漏洩させないで入力ポート16から出
力ポート17へ伝播する。
電極12へ印加されるとき、主導波路13および
分岐導波路14を設定する。また光導波路13お
よび14を、障壁通路に沿つた屈折率を減少させ
るのに用いる周知の技術を使つて作られる障壁を
設けることによつて形成できることは、当業者に
明らかであろう。電極12と電気的に分離されて
いるゲート電極15は、主光導波路13と分岐光
導波路14の間の接合部に沿つて取付けられてい
る。ゲート電極15の間に電圧がかかつていない
とき、主光導波路13と分岐導波路14との間の
接合部における屈折率は、2つの光導波路の伝播
領域の屈折率に等しい。この条件がある場合、光
学フアイバのような突き合わせ接合された光導波
路16から主導波路13へ入射する光信号が主チ
ヤネル13と分岐チヤネル14の間に自由に分割
できる。交さ点に入る光のエネルギーの実際の割
合は、交さ点の形と入射光信号の角度範囲に関係
する。3dB結合器を結晶内の±2゜の光の円錐と
1゜の分岐角で使用することができる。この状態
の場合、光のエネルギーは接合部で等しく分れ
て、等しい光のエネルギーが主光導波路13の出
力端子17と分岐光導波路14の出力端子18と
に現われる。適当な極性の電圧がゲート電極15
に印加されると、主光導波路と分岐光導波路の交
点に沿つた屈折率が減少して、それに沿つて光障
壁を形成し、分岐光導波路14を主光導波路13
から分離する。このとき、主光導波路13に入射
する光信号は、分岐光導波路14の中に殆んどエ
ネルギーを漏洩させないで入力ポート16から出
力ポート17へ伝播する。
第2図は、主光導波路13から分岐光導波路1
4への光のエネルギーの結合を増し、光導波路ス
イツチとして用いることのできる電極パターンを
示している。電極12および15から電気的に分
離された電極20が主光導波路13の中に分岐導
波路14の1つの境界を形成する電極12のセグ
メント21と直線になるように取付けられてい
る。この電極配置があると、入力ポート16に入
る光信号は、電極15に電圧がかかつていないで
電極20に適当な極性の電圧がかかつていると、
事実上分岐光導波路14の中に伝播し、電極22
に電圧がかかつていないで電極15に適当な極性
の電圧がかかつていると、主導波路13に伝播す
るようになる。
4への光のエネルギーの結合を増し、光導波路ス
イツチとして用いることのできる電極パターンを
示している。電極12および15から電気的に分
離された電極20が主光導波路13の中に分岐導
波路14の1つの境界を形成する電極12のセグ
メント21と直線になるように取付けられてい
る。この電極配置があると、入力ポート16に入
る光信号は、電極15に電圧がかかつていないで
電極20に適当な極性の電圧がかかつていると、
事実上分岐光導波路14の中に伝播し、電極22
に電圧がかかつていないで電極15に適当な極性
の電圧がかかつていると、主導波路13に伝播す
るようになる。
第3図には2対1のマルチプレクサを与える電
極パターンが示されている。電極22は、電気光
学材料のウエーハ23の両側に取付けられ、電極
22に適当な振幅と極性の電圧が印加されると、
主光導波路24、第1の分岐光導波路25および
第2の分岐光導波路26を設定する。ゲート電極
27,28,29,30および31はすべて電気
的に分離されているが、主光導波路24の分岐光
導波路25および26との相互作用領域に取付け
られる。電極27は、第1の分岐光導波路25と
主光導波路24との間の交さ点に光導波路24の
1つの境界を決めている電極22のセグメント3
2と同一線上に取付けられ、一方電極28は、第
2の分岐光導波路26と主光導波路24との間の
交さ点に主光導波路24の第2の境界を決めてい
る電極22のセグメント33と同一線上に取付け
られている。電極29,30および31は、主光
導波路24の中に取付けられて、次に説明するよ
うに主光導波路24の中の光のエネルギーを分岐
光導波路24または26のいずれかに導くのを容
易にするような形になつている。適当な振幅と極
性の電圧が電極27にだけかけられると、入力ポ
ート34にあるマルチプレクサに入る光のエネル
ギーは、主光導波路24と第2の分岐光導波路2
6との間に分割される。同様に電圧が電極28に
だけかけられる、光のエネルギーは主光導波路2
4と第1の分岐光導波路25との間に分割され
る。入力ポート34に入射する光信号は、電圧が
電極27および28にかかつていて、電極29,
30および31にかかつていないとき、分岐光導
波路25および26と殆んど結合することなく光
導波路24を通つて伝播する。さらに、電極2
8,29および30に適当な極性と振幅の電圧が
かかつていて、電極27および31が殺されてい
ると、事実上すべての光のエネルギーが第1の分
岐光導波路25へそらされ、電極27,29およ
び31に電圧がかかつていて、電極28および3
0が殺されていると、光のエネルギーは第2の分
岐光導波路26へそらされる。
極パターンが示されている。電極22は、電気光
学材料のウエーハ23の両側に取付けられ、電極
22に適当な振幅と極性の電圧が印加されると、
主光導波路24、第1の分岐光導波路25および
第2の分岐光導波路26を設定する。ゲート電極
27,28,29,30および31はすべて電気
的に分離されているが、主光導波路24の分岐光
導波路25および26との相互作用領域に取付け
られる。電極27は、第1の分岐光導波路25と
主光導波路24との間の交さ点に光導波路24の
1つの境界を決めている電極22のセグメント3
2と同一線上に取付けられ、一方電極28は、第
2の分岐光導波路26と主光導波路24との間の
交さ点に主光導波路24の第2の境界を決めてい
る電極22のセグメント33と同一線上に取付け
られている。電極29,30および31は、主光
導波路24の中に取付けられて、次に説明するよ
うに主光導波路24の中の光のエネルギーを分岐
光導波路24または26のいずれかに導くのを容
易にするような形になつている。適当な振幅と極
性の電圧が電極27にだけかけられると、入力ポ
ート34にあるマルチプレクサに入る光のエネル
ギーは、主光導波路24と第2の分岐光導波路2
6との間に分割される。同様に電圧が電極28に
だけかけられる、光のエネルギーは主光導波路2
4と第1の分岐光導波路25との間に分割され
る。入力ポート34に入射する光信号は、電圧が
電極27および28にかかつていて、電極29,
30および31にかかつていないとき、分岐光導
波路25および26と殆んど結合することなく光
導波路24を通つて伝播する。さらに、電極2
8,29および30に適当な極性と振幅の電圧が
かかつていて、電極27および31が殺されてい
ると、事実上すべての光のエネルギーが第1の分
岐光導波路25へそらされ、電極27,29およ
び31に電圧がかかつていて、電極28および3
0が殺されていると、光のエネルギーは第2の分
岐光導波路26へそらされる。
これまで説明したように、光導波路の間の分離
は、ゲート電極が適当に付勢されるとき、結晶内
にできる光学障壁によつて達成される。しかしこ
の分離は、付勢されたゲートを通つてまわりに漏
洩する光に対しては完全ではない。次に第4図に
は切換え可能な3dB結合器40の分岐光導波路3
9の中に挿入されたスポイラ電極38が示してあ
り、その電極は適当に付勢されると光信号を分岐
導波路出力ポート45から偏向させるものであ
る。スポイラ電極38の動作の説明を第5Aない
し5D図および第6図を参照して行う。第5A図
には電気光学結晶50の断面図が示してあり、そ
こには結晶の上面52および下面53に取付けた
細い電極51(すなわち電極の巾が結晶の厚さよ
り小さい)がある。電極51は、スイツチ55を
経て電圧源54に結合している。スイツチ55を
閉じると、負の電圧Vが結晶50にかかり、結晶
50の上面52および下面53の間に横断面の電
界56を生ずる。第5B図には電界56によつて
生じた屈折率の変化の曲線が示してある。屈折率
の変化は、電極51の間の面積内で極小値57に
なり電極の両側で電圧がかかつていないときの結
晶の屈折率にまで増大する。屈折率が横方向で変
化している媒質の中を進行する光は、屈折率の大
きい方の領域へ向つて偏向するので、電極51に
かかつた負の電圧Vは、光を電極のその領域から
結晶50のふち61および62の方へそらすよう
にする。従つて細い付勢された電極を光導波路の
中に取付けて光信号を狭い出力ポートからそらす
ことができる。次に第5C図について説明する
と、結晶65の上面67と下面68に取付けた巾
の広い電極66(すなわち結晶の厚さより巾の広
い電極)をもつた電気光学結晶65の断面図が示
されている。スイツチ72を経て電圧源72へ電
極66を結合することによつて結晶65に負の電
圧をかけて、第5D図に示した屈折率の変化の曲
線を生じさせることができる。第5D図に示して
あるように屈折率の分布は、光信号がどちらの側
へもそらされることなく伝播できる比較的巾の広
い平らな領域をもつている。従つて比較的巾の広
い出力ポートから光学信号を反射するためには、
狭い電極から巾の広い電極への転換が必要であ
る。第6図にそのような転換を果す三角形の形を
した電極75が示されている。適当に付勢される
と、三角形の電極は横の屈折率のプロフイルを三
角形の電極75の横の寸法が増加するにつれて狭
い電極のプロフイルから広巾の電極のプロフイル
へ大きくさせる。この屈折率のプロフイルの転換
は、全内部反射に対する角度より小さい入射角を
もつた屈折率の変化する領域に入射する光線77
を連続に偏向するようにする。このようにして入
力ポート76からの入射光エネルギーの殆んどの
割合が出力ポート78からそらされる。
は、ゲート電極が適当に付勢されるとき、結晶内
にできる光学障壁によつて達成される。しかしこ
の分離は、付勢されたゲートを通つてまわりに漏
洩する光に対しては完全ではない。次に第4図に
は切換え可能な3dB結合器40の分岐光導波路3
9の中に挿入されたスポイラ電極38が示してあ
り、その電極は適当に付勢されると光信号を分岐
導波路出力ポート45から偏向させるものであ
る。スポイラ電極38の動作の説明を第5Aない
し5D図および第6図を参照して行う。第5A図
には電気光学結晶50の断面図が示してあり、そ
こには結晶の上面52および下面53に取付けた
細い電極51(すなわち電極の巾が結晶の厚さよ
り小さい)がある。電極51は、スイツチ55を
経て電圧源54に結合している。スイツチ55を
閉じると、負の電圧Vが結晶50にかかり、結晶
50の上面52および下面53の間に横断面の電
界56を生ずる。第5B図には電界56によつて
生じた屈折率の変化の曲線が示してある。屈折率
の変化は、電極51の間の面積内で極小値57に
なり電極の両側で電圧がかかつていないときの結
晶の屈折率にまで増大する。屈折率が横方向で変
化している媒質の中を進行する光は、屈折率の大
きい方の領域へ向つて偏向するので、電極51に
かかつた負の電圧Vは、光を電極のその領域から
結晶50のふち61および62の方へそらすよう
にする。従つて細い付勢された電極を光導波路の
中に取付けて光信号を狭い出力ポートからそらす
ことができる。次に第5C図について説明する
と、結晶65の上面67と下面68に取付けた巾
の広い電極66(すなわち結晶の厚さより巾の広
い電極)をもつた電気光学結晶65の断面図が示
されている。スイツチ72を経て電圧源72へ電
極66を結合することによつて結晶65に負の電
圧をかけて、第5D図に示した屈折率の変化の曲
線を生じさせることができる。第5D図に示して
あるように屈折率の分布は、光信号がどちらの側
へもそらされることなく伝播できる比較的巾の広
い平らな領域をもつている。従つて比較的巾の広
い出力ポートから光学信号を反射するためには、
狭い電極から巾の広い電極への転換が必要であ
る。第6図にそのような転換を果す三角形の形を
した電極75が示されている。適当に付勢される
と、三角形の電極は横の屈折率のプロフイルを三
角形の電極75の横の寸法が増加するにつれて狭
い電極のプロフイルから広巾の電極のプロフイル
へ大きくさせる。この屈折率のプロフイルの転換
は、全内部反射に対する角度より小さい入射角を
もつた屈折率の変化する領域に入射する光線77
を連続に偏向するようにする。このようにして入
力ポート76からの入射光エネルギーの殆んどの
割合が出力ポート78からそらされる。
再び第4図について説明する。ゲート電極41
が付勢されると、入力ポート43で主光導波路4
2へ入射する光信号の殆んどすべてが出力ポート
44へ伝播するが、この入射信号のある割合がゲ
ート41を通つて漏洩して、分岐光導波路39の
中に伝播する。しかしスポイラ電極が適当に付勢
されると、分岐光導波路39の出力ポート45か
ら光信号のかなりの割合を反射して、2つの出力
ポート間の分離を大きくする。この分離はゲート
電極41とスポイラ電極38とが同時に付勢され
るとき最大になる。同時に付勢することは、ゲー
ト41を細いスポイラ電極46を用いてスポイラ
電極38につなぐことによつて達成することがで
きる。この構造は、スイツチング電圧を追加する
ことなくスポイラ電極38および46を含むこと
によつて達成される追加の分離を与える。
が付勢されると、入力ポート43で主光導波路4
2へ入射する光信号の殆んどすべてが出力ポート
44へ伝播するが、この入射信号のある割合がゲ
ート41を通つて漏洩して、分岐光導波路39の
中に伝播する。しかしスポイラ電極が適当に付勢
されると、分岐光導波路39の出力ポート45か
ら光信号のかなりの割合を反射して、2つの出力
ポート間の分離を大きくする。この分離はゲート
電極41とスポイラ電極38とが同時に付勢され
るとき最大になる。同時に付勢することは、ゲー
ト41を細いスポイラ電極46を用いてスポイラ
電極38につなぐことによつて達成することがで
きる。この構造は、スイツチング電圧を追加する
ことなくスポイラ電極38および46を含むこと
によつて達成される追加の分離を与える。
第7図は、必要なスイツチングを与えるスポイ
ラ電極だけを含むマルチプレクサ/多重分離装置
の図である。この配置においては、結合された入
力光導波路81からの光信号は、電気光学結晶8
2を通して自由に入力ポート83から広がること
ができる。結晶の反対の端に、多数の出力ポート
84aないし84dが一様に備えられ、その数は
(入力光導波路81の開口数によつて決められ
る)入力光の広がり角2α、照らされる巾Wを決
める結晶82の長さLおよび出力ポート84aな
いし84dへそれぞれ結合されている光導波路8
5aないし85dの寸法によつて制限されてい
る。偏向電極として用いられている三角形のスポ
イラ86aないし86dがそれぞれ出力ポート8
4aないし84dへ導いている。光信号は適当な
極性と振幅の電圧をスポイラ電極にかけることに
よつて各出力ポートから偏向されて、付勢された
スポイラの領域にある電気光学結晶82の屈折率
を減らすが、一方電極で逆になつた極性が電極の
領域の屈折率を増加させて対応する出力ポートへ
の光導波路を与える。この形態の場合、多重分離
は光信号を順次に出力ポート84aないし84d
へ連結させるように負の電圧を各スポイラ電極か
ら順次に取除くかまたは正の電圧をスポイラ電極
にかけることによつて得られる。相反的なので、
多重送信は入力ポートと出力ポートの役目を逆に
することによつて達成される。
ラ電極だけを含むマルチプレクサ/多重分離装置
の図である。この配置においては、結合された入
力光導波路81からの光信号は、電気光学結晶8
2を通して自由に入力ポート83から広がること
ができる。結晶の反対の端に、多数の出力ポート
84aないし84dが一様に備えられ、その数は
(入力光導波路81の開口数によつて決められ
る)入力光の広がり角2α、照らされる巾Wを決
める結晶82の長さLおよび出力ポート84aな
いし84dへそれぞれ結合されている光導波路8
5aないし85dの寸法によつて制限されてい
る。偏向電極として用いられている三角形のスポ
イラ86aないし86dがそれぞれ出力ポート8
4aないし84dへ導いている。光信号は適当な
極性と振幅の電圧をスポイラ電極にかけることに
よつて各出力ポートから偏向されて、付勢された
スポイラの領域にある電気光学結晶82の屈折率
を減らすが、一方電極で逆になつた極性が電極の
領域の屈折率を増加させて対応する出力ポートへ
の光導波路を与える。この形態の場合、多重分離
は光信号を順次に出力ポート84aないし84d
へ連結させるように負の電圧を各スポイラ電極か
ら順次に取除くかまたは正の電圧をスポイラ電極
にかけることによつて得られる。相反的なので、
多重送信は入力ポートと出力ポートの役目を逆に
することによつて達成される。
第7図のスポイラマルチプレクサ/多重分離装
置の設計の過程は反復的である。巾Wは出力ポー
ト84aないし84dへ結合された光導波路85
aないし85dの寸法と数およびそれらの間の所
望の間隔を決めることによつて規定される。入力
ポート83に結合される光導波路81の寸法dと
開口数が規定されると、結晶82の光信号の広が
り角2αが決められ、結晶の長さLがL=W−d/2 cotαから計算され出力区間の全体の巾Wを全部
照らすことができるようになる。次に入力ポート
から出力ポートへ進行できる光信号の最大の角度
範囲が計算される。この角度範囲が用いられる電
気光学結晶の偏光に対して偏向され得る最大の都
合のよい角度内にあれば設計は完了する。しかし
角度範囲が偏向され得る最大の都合のよい角度よ
り大きい場合は、結晶の長さLが大きくされなけ
ればならない。これはスループツト損失を増すこ
となく入力光導波路の開口数を円柱配置法または
他の何らかの適当な方法によつて減らすことによ
つて達成される。この手続を入力ポートから出力
ポートへ受入れることのできる角度範囲が見出さ
れるまで繰返す。第7図のスポイラ・マルチプレ
クサ/多重分離装置のための最適偏向子の電極の
設計は第8図に示した幾何学的手順で決めること
ができる。結晶の出力端における出力ポートの位
置が最初に決められ、そのポートの中の1つが第
8図の出力ポート91によつて表わされている。
直線92が出力ポート91の1つの端から入力ポ
ート93の遠い端にひかれる。もう1つの直線9
4が出力ポート91の別の端から入力ポート93
の別の端にひかれる。これらの直線はほぼ結晶の
中心線95の上で交わり、そこで角度φをなす。
角φは光線が入力ポート93から出力ポート91
へ進行できる最大の角度範囲を表わしている。こ
の角φはすべてのスポイラに対して近似式 tanφ〓2W/L から決められ、三角形偏向子の電極96の頂角の
最初の概算値を与える。
置の設計の過程は反復的である。巾Wは出力ポー
ト84aないし84dへ結合された光導波路85
aないし85dの寸法と数およびそれらの間の所
望の間隔を決めることによつて規定される。入力
ポート83に結合される光導波路81の寸法dと
開口数が規定されると、結晶82の光信号の広が
り角2αが決められ、結晶の長さLがL=W−d/2 cotαから計算され出力区間の全体の巾Wを全部
照らすことができるようになる。次に入力ポート
から出力ポートへ進行できる光信号の最大の角度
範囲が計算される。この角度範囲が用いられる電
気光学結晶の偏光に対して偏向され得る最大の都
合のよい角度内にあれば設計は完了する。しかし
角度範囲が偏向され得る最大の都合のよい角度よ
り大きい場合は、結晶の長さLが大きくされなけ
ればならない。これはスループツト損失を増すこ
となく入力光導波路の開口数を円柱配置法または
他の何らかの適当な方法によつて減らすことによ
つて達成される。この手続を入力ポートから出力
ポートへ受入れることのできる角度範囲が見出さ
れるまで繰返す。第7図のスポイラ・マルチプレ
クサ/多重分離装置のための最適偏向子の電極の
設計は第8図に示した幾何学的手順で決めること
ができる。結晶の出力端における出力ポートの位
置が最初に決められ、そのポートの中の1つが第
8図の出力ポート91によつて表わされている。
直線92が出力ポート91の1つの端から入力ポ
ート93の遠い端にひかれる。もう1つの直線9
4が出力ポート91の別の端から入力ポート93
の別の端にひかれる。これらの直線はほぼ結晶の
中心線95の上で交わり、そこで角度φをなす。
角φは光線が入力ポート93から出力ポート91
へ進行できる最大の角度範囲を表わしている。こ
の角φはすべてのスポイラに対して近似式 tanφ〓2W/L から決められ、三角形偏向子の電極96の頂角の
最初の概算値を与える。
正の極性の電圧が電気光学結晶の上面と下面と
の間にかけられると、屈折率の変化は正であつ
て、電圧源が結合されている電極間の領域にある
結晶の屈折率を結晶の残りの部分の屈折率より大
きくする。この形状の場合、電極間の屈折率と結
晶の残りの部分の屈折率とによつて決められる範
囲内にある分岐角をもつている光信号は、結晶の
残りの部分へ事実上漏洩することなく電極間の領
域で伝播する。次に第9図について説明するとソ
レフによつて記載された種類の切換え可能な結合
器が示されている。正の電圧が主光導波路の電極
101にかけられて分岐光導波路の電極102へ
電圧がかかつていないとき、入力ポート103に
ある主光導波路へ入る事実上すべての光のエネル
ギーは、主光導波路の出力ポート104へ伝播す
る。また正の電圧が分岐光導波路の電極102へ
かけられるとき、主光導波路内の光のエネルギー
の幾分かが分岐光導波路を経て出力ポート105
に結合される。電極102が細いとき(すなわち
電極の巾が結晶の厚さより小さいとき)、追加の
分離は、分岐光導波路のオフの状態の代りに分岐
光導波路を限定している領域内の結晶に負の電圧
を与える電圧を電極102へかけることによつて
達成することができる。前に説明したように、こ
の負の電圧は、主光学導波路から漏洩した光信号
を分岐光導波路の出力ポート105から偏向す
る。
の間にかけられると、屈折率の変化は正であつ
て、電圧源が結合されている電極間の領域にある
結晶の屈折率を結晶の残りの部分の屈折率より大
きくする。この形状の場合、電極間の屈折率と結
晶の残りの部分の屈折率とによつて決められる範
囲内にある分岐角をもつている光信号は、結晶の
残りの部分へ事実上漏洩することなく電極間の領
域で伝播する。次に第9図について説明するとソ
レフによつて記載された種類の切換え可能な結合
器が示されている。正の電圧が主光導波路の電極
101にかけられて分岐光導波路の電極102へ
電圧がかかつていないとき、入力ポート103に
ある主光導波路へ入る事実上すべての光のエネル
ギーは、主光導波路の出力ポート104へ伝播す
る。また正の電圧が分岐光導波路の電極102へ
かけられるとき、主光導波路内の光のエネルギー
の幾分かが分岐光導波路を経て出力ポート105
に結合される。電極102が細いとき(すなわち
電極の巾が結晶の厚さより小さいとき)、追加の
分離は、分岐光導波路のオフの状態の代りに分岐
光導波路を限定している領域内の結晶に負の電圧
を与える電圧を電極102へかけることによつて
達成することができる。前に説明したように、こ
の負の電圧は、主光学導波路から漏洩した光信号
を分岐光導波路の出力ポート105から偏向す
る。
第10図は、電極の下の光導波路で構成された
切換え可能な結合器に対する分離を大きくしてい
る分岐光導波路と出力ポートが結晶の厚さに比べ
て巾広い電極配置とを示している。第10図に示
されるように、分岐電極は、2つの部分、すなわ
ち出力ポート107から分岐電極の内部に延びて
いる三角形の部分106と、三角形区間106か
ら電気的に分離され完全な分岐電極を形成するた
めに2つの部分をはめ合うように配置されている
分岐電極の結合部分108とに分けられている。
電極109に正の電圧がかけられ、分岐光導波路
がオフの状態にあるとき、電極108が付勢され
ないで電極106に負の電圧がかけられる。従つ
て主光導波路から結合領域に漏洩する光信号は、
スポイラ電極106に向つて伝播し、分岐光導波
路の出力ポート107から偏向される。この形式
の切換え可能な3dB結合器の別の配置は、主光導
波路の電極109を分岐光導波路の結合電極10
8へ電気的に結合している。この装置は、電極1
06に正の電圧をかけると、主光導波路の中を伝
播する信号を分岐光導波路へ光学的に結合させ、
電極106に負の電圧をかけると、分岐光導波路
の出力ポート107を分離させる。
切換え可能な結合器に対する分離を大きくしてい
る分岐光導波路と出力ポートが結晶の厚さに比べ
て巾広い電極配置とを示している。第10図に示
されるように、分岐電極は、2つの部分、すなわ
ち出力ポート107から分岐電極の内部に延びて
いる三角形の部分106と、三角形区間106か
ら電気的に分離され完全な分岐電極を形成するた
めに2つの部分をはめ合うように配置されている
分岐電極の結合部分108とに分けられている。
電極109に正の電圧がかけられ、分岐光導波路
がオフの状態にあるとき、電極108が付勢され
ないで電極106に負の電圧がかけられる。従つ
て主光導波路から結合領域に漏洩する光信号は、
スポイラ電極106に向つて伝播し、分岐光導波
路の出力ポート107から偏向される。この形式
の切換え可能な3dB結合器の別の配置は、主光導
波路の電極109を分岐光導波路の結合電極10
8へ電気的に結合している。この装置は、電極1
06に正の電圧をかけると、主光導波路の中を伝
播する信号を分岐光導波路へ光学的に結合させ、
電極106に負の電圧をかけると、分岐光導波路
の出力ポート107を分離させる。
本考案は特定の実施態様で説明したが、用いら
れた言葉は限定するものではなく説明の言葉であ
つて実用新案登録請求の範囲内の変化が本考案の
真の範囲と精神から離れることなくそのより広い
面においてなされ得ることはいうまでもない。
れた言葉は限定するものではなく説明の言葉であ
つて実用新案登録請求の範囲内の変化が本考案の
真の範囲と精神から離れることなくそのより広い
面においてなされ得ることはいうまでもない。
第1図は本考案による切換え可能な3dB結合器
の図、第2図は本考案による光導波路スイツチの
図、第3図は本考案による2対1マルチプレクサ
の図、第4図はスポイラ電極が分岐導波路の分離
を大きくするために含まれている切換え可能な
3dB結合器の図、第5A−5D図は電圧が電気光
学材料にかけられるときの屈折率の変化を示しス
ポイラ電極を含むことによる分離増加を説明する
に有用な図、第6図は付勢されたスポイラ電極の
付近の光ビームの偏向の図、第7図は4対1のガ
イドのないマルチプレクサに用いるスポイラ電極
配置の図、第8図は第7図のスポイラマルチプレ
クサを設計する方法を説明するに有用な線図、第
9および10図はギヤツプ型結合器に対する分岐
導波路分離を改善するスポイラ電極の利用の図で
ある。 11,23……ウエーハ、12,20,22,
51,66,101,102,106,109…
…電極、13,24,42……主光導波路、1
4,25,26,39……分岐光導波路、15,
27〜31,41……ゲート電極、16,81…
…入力光導波路、17,18,44,45,7
8,84,91,104,105,107……出
力ポート、34,43,76,83,93,10
3……入力ポート、38……スポイラ電極、5
0,65,82……電気光学結晶。
の図、第2図は本考案による光導波路スイツチの
図、第3図は本考案による2対1マルチプレクサ
の図、第4図はスポイラ電極が分岐導波路の分離
を大きくするために含まれている切換え可能な
3dB結合器の図、第5A−5D図は電圧が電気光
学材料にかけられるときの屈折率の変化を示しス
ポイラ電極を含むことによる分離増加を説明する
に有用な図、第6図は付勢されたスポイラ電極の
付近の光ビームの偏向の図、第7図は4対1のガ
イドのないマルチプレクサに用いるスポイラ電極
配置の図、第8図は第7図のスポイラマルチプレ
クサを設計する方法を説明するに有用な線図、第
9および10図はギヤツプ型結合器に対する分岐
導波路分離を改善するスポイラ電極の利用の図で
ある。 11,23……ウエーハ、12,20,22,
51,66,101,102,106,109…
…電極、13,24,42……主光導波路、1
4,25,26,39……分岐光導波路、15,
27〜31,41……ゲート電極、16,81…
…入力光導波路、17,18,44,45,7
8,84,91,104,105,107……出
力ポート、34,43,76,83,93,10
3……入力ポート、38……スポイラ電極、5
0,65,82……電気光学結晶。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 電気光学材料ウエーハと; 前記ウエーハの一方の大部分の表面に形成さ
れた第1の電極パターンで、主光導波路用の領
域と分岐光導波路用の領域とそれらの間の結合
領域との輪郭を作る多数の電極と、前記電極パ
ターン内の前記多数の電極から電気的に絶縁さ
れ、前記結合領域、前記主光導波路領域および
前記分岐光導波路領域に置かれる制御電極とを
含む前記第1の電極パターンと; 前記ウエーハの反対側の表面に形成され、前
記第1の電極パターンと事実上同じで、それと
位置が事実上一致している第2の電極パターン
と; 前記主光導波路と前記分岐光導波路を形成す
るためにそれらの光導波路に対応する領域より
屈折率の低い障壁を作るために所定の極性の一
定電圧を前記第1および第2の電極パターン内
の前記主光導波路領域と前記分岐光導波路領域
の輪郭を作る対向する前記電極の間の前記ウエ
ーハに加える手段と; 前記第1および第2の電極パターン内の対向
する前記制御電極の間にある前記ウエーハの部
分の屈折率を選択的に変化させるために、制御
電圧を対向する前記制御電極の間の前記ウエー
ハに選択的に加える手段と、 を備え、 前記制御電極の少なくとも一つは前記結合領
域に置かれるゲート電極であつて、前記制御電
圧を加えられたとき、前記結合領域に障壁を形
成して事実上連続した主光導波路を与え、前記
制御電圧を加えられないときは、前記主光導波
路を進行する光が前記分岐光導波路に入ること
ができるようにすることを特徴とする切換可能
な光結合装置。 2 前記制御電極が前記結合領域に置かれた前記
ゲート電極と前記分岐光導波路領域内の前記第
1および第2の電極パターンの中に置かれたス
ポイラ電極とを含む実用新案登録請求の範囲第
1項に記載の切換可能な光結合装置。 3 前記第1および第2の電極パターンの中の前
記スポイラ電極が前記第1および第2の電極パ
ターンの中の前記ゲート電極にそれぞれ電気的
に接続されている実用新案登録請求の範囲第2
項記載の切換可能な光結合装置。 4 前記パターンの中の他の電極から電気的に分
離され、前記分岐光導波路の一つの障壁の形を
定めている前記電極パターンの部分と事実上同
一線上で前記主光導波路にあつて前記第1およ
び第2の電極パターン内にある第2のゲート電
極とを前記制御電極がさらに含む実用新案登録
請求の範囲第1項記載の切換可能な光結合装
置。 5 前記制御電極が、他の電極から電気的に分離
されて、前記分岐光導波路領域内に置かれてい
るスポイラ電極を含む、実用新案登録請求の範
囲第4項記載の切換可能な光結合装置。 6 前記制御電極が、他の電極から分離されて前
記主光導波路領域内に置かれている第2のスポ
イラ電極を含む実用新案登録請求の範囲第5項
記載の切換可能な光結合装置。 7 前記主光導波路領域に置かれた前記第1およ
び第2の電極パターンの中にある前記第2のス
ポイラ電極が前記第1および第2の電極パター
ン内の前記第2のゲート電極にそれぞれ電気的
に接続され、前記分岐光導波路領域内に置かれ
た前記第1および第2の電極パターンの中の前
記スポイラ電極がそれぞれ前記第1および第2
の電極パターンの中の前記ゲート電極に電気的
に接続されている実用新案登録請求の範囲第6
項記載の切換可能な光結合装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/796,103 US4145109A (en) | 1977-05-12 | 1977-05-12 | Electro-optic multiplexing with high interchannel isolation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53157742U JPS53157742U (ja) | 1978-12-11 |
| JPS623784Y2 true JPS623784Y2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=25167303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978060865U Expired JPS623784Y2 (ja) | 1977-05-12 | 1978-05-08 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4145109A (ja) |
| JP (1) | JPS623784Y2 (ja) |
Families Citing this family (12)
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| US4571024A (en) * | 1983-10-25 | 1986-02-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wavelength selective demultiplexer tuner |
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1977
- 1977-05-12 US US05/796,103 patent/US4145109A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-05-08 JP JP1978060865U patent/JPS623784Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4145109A (en) | 1979-03-20 |
| JPS53157742U (ja) | 1978-12-11 |
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