JPS623786Y2 - - Google Patents
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- JPS623786Y2 JPS623786Y2 JP1979130890U JP13089079U JPS623786Y2 JP S623786 Y2 JPS623786 Y2 JP S623786Y2 JP 1979130890 U JP1979130890 U JP 1979130890U JP 13089079 U JP13089079 U JP 13089079U JP S623786 Y2 JPS623786 Y2 JP S623786Y2
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1326—Liquid crystal optical waveguides or liquid crystal cells specially adapted for gating or modulating between optical waveguides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は改良された電気光学開閉器、特に電界
効果型液晶材料を使用した大型集積化多重開閉器
マトリツクス配列における使用に適合する新しい
方向性結合チヤネル導波管電気光学開閉器に関す
るものである。
効果型液晶材料を使用した大型集積化多重開閉器
マトリツクス配列における使用に適合する新しい
方向性結合チヤネル導波管電気光学開閉器に関す
るものである。
LiNbO3またはLiTaO3のような電気光学材料を
使用する光学開閉装置は当該技術分野において公
知である。マトリツクス形でのこのような電界開
閉装置の考案においてある程度の成果が達成され
たが、これらの固体結晶材料の使用はその位置に
対し或る重大な制約を賦課する。
使用する光学開閉装置は当該技術分野において公
知である。マトリツクス形でのこのような電界開
閉装置の考案においてある程度の成果が達成され
たが、これらの固体結晶材料の使用はその位置に
対し或る重大な制約を賦課する。
一般に、得られるLiNbO3またはLiTaO3結晶の
大きさは約2.5cm×7.5cmに制限され、またこの大
きさの制限を膨大な費用なしに克服するためのは
つきりした機会は何もない。大きな電気光学係数
を有しまた他の適当な光学特性を有する他の固体
電気光学材料は存在しない。配列基板の大きさが
そのように制限されるとこのような材料から組み
立てられたマトリツクス開閉器において使用でき
る開閉器の数は明らかに多くの制限を受ける。
大きさは約2.5cm×7.5cmに制限され、またこの大
きさの制限を膨大な費用なしに克服するためのは
つきりした機会は何もない。大きな電気光学係数
を有しまた他の適当な光学特性を有する他の固体
電気光学材料は存在しない。配列基板の大きさが
そのように制限されるとこのような材料から組み
立てられたマトリツクス開閉器において使用でき
る開閉器の数は明らかに多くの制限を受ける。
本考案は大型集積化多重開閉器平面マトリツク
ス配列における使用に適する新しい方向性結合チ
ヤネル導波管から成る。あまり大きくない電場が
屈折率の大きな変化を引き起こす電気光学開閉媒
質として液晶フイルムを用いる。各々の単位開閉
器において、内部チヤネル光学導波管を第1の固
体基板表面の下部に配置する。同様に内部チヤネ
ル光学導波管コアを第2の固体基板表面の下部に
配置する。これらの基板は、液晶層を閉じ込める
ためにチヤネルガイドコアを向かい合わせて配置
される。組み立ての前に、各々のチヤネルの上
の、チヤネルガイドが小さな角度で交差する全体
的な中央点に、1つの電極を置く。多くのこのよ
うな開閉領域は、平行チヤネル導波管の第1の組
が平行チヤネル導波管の第2の組の上を交差し2
つの平行な配列が互いに小さな角度を形成するよ
うに平面集積回路マトリツクスに組み入れること
ができる。
ス配列における使用に適する新しい方向性結合チ
ヤネル導波管から成る。あまり大きくない電場が
屈折率の大きな変化を引き起こす電気光学開閉媒
質として液晶フイルムを用いる。各々の単位開閉
器において、内部チヤネル光学導波管を第1の固
体基板表面の下部に配置する。同様に内部チヤネ
ル光学導波管コアを第2の固体基板表面の下部に
配置する。これらの基板は、液晶層を閉じ込める
ためにチヤネルガイドコアを向かい合わせて配置
される。組み立ての前に、各々のチヤネルの上
の、チヤネルガイドが小さな角度で交差する全体
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うな開閉領域は、平行チヤネル導波管の第1の組
が平行チヤネル導波管の第2の組の上を交差し2
つの平行な配列が互いに小さな角度を形成するよ
うに平面集積回路マトリツクスに組み入れること
ができる。
注目すべきことは、本考案による基本的な液晶
開閉器が、開閉装置を通る光学データの最大伝送
速度に要求される10乃至100のメガヘルツオーダ
ーの広い伝送帯域を有するという付加的な有益な
特性を備えることである。1つのマトリツクス内
の有用な開閉素子もまた薄い液晶層において容易
に達成される速度である約1ミリ秒の開閉速度を
示す。単一モード信号伝送に対し、液晶材料の大
きくて容易に切換わる異方性に付随するかなりの
光散乱損失があるということがあり、多くの理由
から光学システムの他のところでは多重モード光
学伝送を使用するのが好ましい。開閉器における
所望されない散乱損失は、単一モード伝送のため
のものよりも相対的に大きい数値の口径を占める
多重モード信号ではかなり小さくなる。
開閉器が、開閉装置を通る光学データの最大伝送
速度に要求される10乃至100のメガヘルツオーダ
ーの広い伝送帯域を有するという付加的な有益な
特性を備えることである。1つのマトリツクス内
の有用な開閉素子もまた薄い液晶層において容易
に達成される速度である約1ミリ秒の開閉速度を
示す。単一モード信号伝送に対し、液晶材料の大
きくて容易に切換わる異方性に付随するかなりの
光散乱損失があるということがあり、多くの理由
から光学システムの他のところでは多重モード光
学伝送を使用するのが好ましい。開閉器における
所望されない散乱損失は、単一モード伝送のため
のものよりも相対的に大きい数値の口径を占める
多重モード信号ではかなり小さくなる。
好ましい多重モード伝送においてさえも、各々
の基本的な開閉器における損失を可能な限り低い
レベルに限定することが所望される。これは本考
案において光の伝播を実質的に低損失チヤネル導
波管に限定することにより有利に成し遂げられ
る。液晶媒質を通つて伝播する光は切換電場に能
動的に関連するその媒質の非常に小さい部分に限
定されるので、損失は再び最小化される。さら
に、光が開閉される時に協同の通路を供給するチ
ヤネル導波管は光学結合が最大化されるように互
いに非常に小さい角度で配置される。
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レベルに限定することが所望される。これは本考
案において光の伝播を実質的に低損失チヤネル導
波管に限定することにより有利に成し遂げられ
る。液晶媒質を通つて伝播する光は切換電場に能
動的に関連するその媒質の非常に小さい部分に限
定されるので、損失は再び最小化される。さら
に、光が開閉される時に協同の通路を供給するチ
ヤネル導波管は光学結合が最大化されるように互
いに非常に小さい角度で配置される。
本考案は特に多重モード光学信号システムにお
ける使用に適しまた従つてこのようなシステムの
所望の特性の故に有利である。誘導光学データ通
信方法における経験は、以前には光学繊維末およ
び単一モード集積化光学技術に強く関わるものだ
つたが、今や中間的なアプローチ、多重モード、
単一光学繊維技術は広範な通信問題、特に中間帯
域幅および中間距離が含まれているところに最も
首尾よく適用できるという確信に導く。受動イン
ターコネクタの製作は単純化されまた繊維束方法
のパツキング断片損失は除去される。単一モード
技術は大きく進歩した。しかしながら重要な未解
決の結合問題がまだ残つている。
ける使用に適しまた従つてこのようなシステムの
所望の特性の故に有利である。誘導光学データ通
信方法における経験は、以前には光学繊維末およ
び単一モード集積化光学技術に強く関わるものだ
つたが、今や中間的なアプローチ、多重モード、
単一光学繊維技術は広範な通信問題、特に中間帯
域幅および中間距離が含まれているところに最も
首尾よく適用できるという確信に導く。受動イン
ターコネクタの製作は単純化されまた繊維束方法
のパツキング断片損失は除去される。単一モード
技術は大きく進歩した。しかしながら重要な未解
決の結合問題がまだ残つている。
単純な光源が存在し、それは容易にかなりの電
力を入手可能な多重モード、単一フアイバーガイ
ドへ結合することができ、またこのような単一フ
アイバーガイドを通る光の流れを検出するのに適
切な光検出装置も入手可能である。明らかに、多
重モード、単一フアイバ通信の計画は、光学信号
の径路指示を電気的に制御してデータバス、マル
チプレクス、デマルチプレクスおよび開閉の機能
を信頼できかつ安価なデータ端末器によつて全体
的に光学ドメインにおいて実行できることについ
ての概念が存在すれば有用になる。
力を入手可能な多重モード、単一フアイバーガイ
ドへ結合することができ、またこのような単一フ
アイバーガイドを通る光の流れを検出するのに適
切な光検出装置も入手可能である。明らかに、多
重モード、単一フアイバ通信の計画は、光学信号
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を信頼できかつ安価なデータ端末器によつて全体
的に光学ドメインにおいて実行できることについ
ての概念が存在すれば有用になる。
第1図乃至第5図は第1の構成方法を使用した
本考案の1つの好ましい形を図示している。本構
造は、完成されると、特に第1図および第2図で
絶縁基板1、その中に内部チヤネル光学導波管3
が形成されている材料の隣接層2、第3図の参照
番号15によつて指定される能動開閉領域に関連
する電界効果液晶層15、その中に第2の内部チ
ヤネル光学導波管3aが形成されている材料の第
2の層2a、および基板層1と同様の最後の主絶
縁層1aを含む層配列として見られる構成部分か
ら形成される。第1図において層1および2は協
同して第1の絶縁板を形成すると考えることがで
き、一方第2図の層1aおよび2aは第2の絶縁
板を形成すると考えることができる。内部チヤネ
ル導波管3および3aは本構造の組み立ての前に
各々の層2,2a内にさらに記述する方法により
形成し、またそれから光学的に透明な導電電極
4,4aも通常の方法により各々の内部チヤネル
ガイド3,3aの上中央に形成する。各々の電極
4,4aは、薄い液晶材料層を横切る電界を生じ
させるために端子6,6aから電圧を得るための
各々の透明導体5,5aと共に適所に配置され
る。電極4,4aは示されているようにダイヤモ
ンド型でもよく、または楕円形その他の形でもよ
い。スペーサ10,11,12,13は、15で
示す液晶材料を入れる容積が1973年6月28日に出
願されたR.A.Sorefによる「液晶電界検知測定お
よび表示装置」と題する米国特許第3834794号に
おいて開示された一般的は方法によるほぼ一様な
厚みを与えている。スペーサは層7,7aの1つ
または両方に取り付けることができ、または例え
ば基板1aと一体となつた部分として形成される
ことによつて層の1つを通つて延長してもよい。
液晶材料の囲いを完全にするために、例えば市販
の固体重合ふつ化炭素樹脂から成る薄い長四角形
のガスケツト、すなわち壁14を用いて層7,7
aの周囲を密閉状態に接合する。1971年9月9日
に出願されたR.A.Soref、M.J.Rafuseによる「電
界制御可能複屈折液晶媒質およびその使用のため
の光学表示装置」と題する米国特許第3756694号
において記述されている一般的な方法に使用する
ことができる。構成にあたり第1図の構成部分を
その長軸のまわりに180゜回転させた後、隔離板
10,11,12,13の上に置き、液晶材料を
容積15内へ注入しまた封印すなわちガスケツト
14を本構造の周囲の適所に置き、それを共に保
ちまた液晶材料をカプセル封じするようにする。
この方法または同等の方法で一諸にされると、上
からの見かけのながめは第5図のながめと同様で
2つの内部に形成された導波管3,3aは組立の
中央または開閉領域において角度Aで互いに交差
している。一般に角度Aは設置の明解さの便宜の
ために第5図において強調されているが、かなり
小さい角度Aは典型的には2度乃至6度の間の範
囲の値を有し、導波管3,3aが比較的広い角度
範囲の光線を捕える能力がある時には大きい方の
角度を用いる。通常Aは、導波管制限角度Qc=
(2△n/n)1/2、△nを導波管コアとその周囲
の屈折率の間の差とした場合約0.25Qcである。
本考案の1つの好ましい形を図示している。本構
造は、完成されると、特に第1図および第2図で
絶縁基板1、その中に内部チヤネル光学導波管3
が形成されている材料の隣接層2、第3図の参照
番号15によつて指定される能動開閉領域に関連
する電界効果液晶層15、その中に第2の内部チ
ヤネル光学導波管3aが形成されている材料の第
2の層2a、および基板層1と同様の最後の主絶
縁層1aを含む層配列として見られる構成部分か
ら形成される。第1図において層1および2は協
同して第1の絶縁板を形成すると考えることがで
き、一方第2図の層1aおよび2aは第2の絶縁
板を形成すると考えることができる。内部チヤネ
ル導波管3および3aは本構造の組み立ての前に
各々の層2,2a内にさらに記述する方法により
形成し、またそれから光学的に透明な導電電極
4,4aも通常の方法により各々の内部チヤネル
ガイド3,3aの上中央に形成する。各々の電極
4,4aは、薄い液晶材料層を横切る電界を生じ
させるために端子6,6aから電圧を得るための
各々の透明導体5,5aと共に適所に配置され
る。電極4,4aは示されているようにダイヤモ
ンド型でもよく、または楕円形その他の形でもよ
い。スペーサ10,11,12,13は、15で
示す液晶材料を入れる容積が1973年6月28日に出
願されたR.A.Sorefによる「液晶電界検知測定お
よび表示装置」と題する米国特許第3834794号に
おいて開示された一般的は方法によるほぼ一様な
厚みを与えている。スペーサは層7,7aの1つ
または両方に取り付けることができ、または例え
ば基板1aと一体となつた部分として形成される
ことによつて層の1つを通つて延長してもよい。
液晶材料の囲いを完全にするために、例えば市販
の固体重合ふつ化炭素樹脂から成る薄い長四角形
のガスケツト、すなわち壁14を用いて層7,7
aの周囲を密閉状態に接合する。1971年9月9日
に出願されたR.A.Soref、M.J.Rafuseによる「電
界制御可能複屈折液晶媒質およびその使用のため
の光学表示装置」と題する米国特許第3756694号
において記述されている一般的な方法に使用する
ことができる。構成にあたり第1図の構成部分を
その長軸のまわりに180゜回転させた後、隔離板
10,11,12,13の上に置き、液晶材料を
容積15内へ注入しまた封印すなわちガスケツト
14を本構造の周囲の適所に置き、それを共に保
ちまた液晶材料をカプセル封じするようにする。
この方法または同等の方法で一諸にされると、上
からの見かけのながめは第5図のながめと同様で
2つの内部に形成された導波管3,3aは組立の
中央または開閉領域において角度Aで互いに交差
している。一般に角度Aは設置の明解さの便宜の
ために第5図において強調されているが、かなり
小さい角度Aは典型的には2度乃至6度の間の範
囲の値を有し、導波管3,3aが比較的広い角度
範囲の光線を捕える能力がある時には大きい方の
角度を用いる。通常Aは、導波管制限角度Qc=
(2△n/n)1/2、△nを導波管コアとその周囲
の屈折率の間の差とした場合約0.25Qcである。
2つの導電性透明電極4,4aは光学開閉領域
内に1方をもう1方の上にして配置され、またそ
れらに関連する導体6,6aは本構造の向かい側
に都合よく出て来ているのが見える。第4図およ
び第5図に見られるように、入力および出力光学
繊維導波管20,20a,21,21aは内部チ
ヤネル光学導波管3,3aの幾つかの各々の端部
8,8a,9,9aに取り付けられる。幾つかの
繊維導波管は内部導波管3,3aの端部へ突合わ
せ封印してもよく、または各々の繊維導波管軸が
関連する内部チヤネル導波管の軸と一致するよう
に小さな角度で切断されてもよい。
内に1方をもう1方の上にして配置され、またそ
れらに関連する導体6,6aは本構造の向かい側
に都合よく出て来ているのが見える。第4図およ
び第5図に見られるように、入力および出力光学
繊維導波管20,20a,21,21aは内部チ
ヤネル光学導波管3,3aの幾つかの各々の端部
8,8a,9,9aに取り付けられる。幾つかの
繊維導波管は内部導波管3,3aの端部へ突合わ
せ封印してもよく、または各々の繊維導波管軸が
関連する内部チヤネル導波管の軸と一致するよう
に小さな角度で切断されてもよい。
本考案の1実施例においては安定した内部チヤ
ネル導波管3,3aは各々のフオトポリマ層7,
7a内に形成され、基板1,1aはnが約1.47で
ある溶解珪土のような比較的低い屈折率nの屈折
材料から作られる。一般にn<1.55である材料は
有用である。フオトポリマ層2,2aは選択され
た従来の1つの方法により各々の基板の低損失の
なめらかな表面にそれらが生成されたように取り
付ける。層2,2aは内部誘電体チヤネル導波管
3,3aの位置として生成されている。例えば層
2,2aおよび内部チヤネル導波管3,3aは
E.A.Chandross等によりApplied Physics
Letters,24,No.2,72頁、1974年1月15日付で
報告されている方法またはT.Kurokawa等によつ
てApplied Optics16,No.4,1033頁1977年4月
付で報告されている方法により形成することがで
きる。フオトポリマ層はきれいにした基板表面を
ポリメチルメタクリレートのようなマトリツクス
ポリマー、ベンジルメタクリレートおよびメチル
メタクリレートのようなドーパントモノマー、エ
チレングリコールデイメタクリレートのようなク
ロスリンキング剤、ベンゾイネチルエーテルのよ
うな光増感剤、ハイドロキノンのような抑制剤、
および溶剤としてのデイクロルメタンから成る溶
液に浸すことにより形成される。基板上に形成さ
れたフイルム内のドーパントはホトレジストのよ
うな適当なマスク材料を経てくる320乃至370ナノ
メータの高圧水銀灯からの光により重合される。
フイルムは露光の後に水とメタノールの混合液に
約1時間浸すことにより反応しなかつたドーパン
トを除去する。ドーパントが光に当たると、ドー
パントからフイルム材料の屈折率を増大させる結
合した不溶解性の分子の形成を生じ、また内部導
波管3,3aの形成を生じる。T.Kurokawa等に
より1978年2月5日付のApplied Optics,17,
No.4,646頁に記述されているものも含めて、フ
イルム2,2aに関する内部誘電体チヤネル導波
管の屈折率の選択を可能にするために様々な種類
の組成材料が入手可能である。このような手順に
より周囲のフイルムより約1パーセント大きい屈
折率を有しまた例えば約0.1ミリメートルの直径
を有する内部チヤネル光学導波管が作成される。
ネル導波管3,3aは各々のフオトポリマ層7,
7a内に形成され、基板1,1aはnが約1.47で
ある溶解珪土のような比較的低い屈折率nの屈折
材料から作られる。一般にn<1.55である材料は
有用である。フオトポリマ層2,2aは選択され
た従来の1つの方法により各々の基板の低損失の
なめらかな表面にそれらが生成されたように取り
付ける。層2,2aは内部誘電体チヤネル導波管
3,3aの位置として生成されている。例えば層
2,2aおよび内部チヤネル導波管3,3aは
E.A.Chandross等によりApplied Physics
Letters,24,No.2,72頁、1974年1月15日付で
報告されている方法またはT.Kurokawa等によつ
てApplied Optics16,No.4,1033頁1977年4月
付で報告されている方法により形成することがで
きる。フオトポリマ層はきれいにした基板表面を
ポリメチルメタクリレートのようなマトリツクス
ポリマー、ベンジルメタクリレートおよびメチル
メタクリレートのようなドーパントモノマー、エ
チレングリコールデイメタクリレートのようなク
ロスリンキング剤、ベンゾイネチルエーテルのよ
うな光増感剤、ハイドロキノンのような抑制剤、
および溶剤としてのデイクロルメタンから成る溶
液に浸すことにより形成される。基板上に形成さ
れたフイルム内のドーパントはホトレジストのよ
うな適当なマスク材料を経てくる320乃至370ナノ
メータの高圧水銀灯からの光により重合される。
フイルムは露光の後に水とメタノールの混合液に
約1時間浸すことにより反応しなかつたドーパン
トを除去する。ドーパントが光に当たると、ドー
パントからフイルム材料の屈折率を増大させる結
合した不溶解性の分子の形成を生じ、また内部導
波管3,3aの形成を生じる。T.Kurokawa等に
より1978年2月5日付のApplied Optics,17,
No.4,646頁に記述されているものも含めて、フ
イルム2,2aに関する内部誘電体チヤネル導波
管の屈折率の選択を可能にするために様々な種類
の組成材料が入手可能である。このような手順に
より周囲のフイルムより約1パーセント大きい屈
折率を有しまた例えば約0.1ミリメートルの直径
を有する内部チヤネル光学導波管が作成される。
基板1,1a、光を受ける光学チヤネル導波管
3,3aおよび液晶層は、透明電極4,4aの間
の電場がない時に、内部チヤネル導波管3,3a
が最も高い屈折率を有し、ガラス基板1,1aが
最も低い屈折率を有し、また液晶層15が他の2
つの層の中間の屈折率を有するように容易に選択
することができる。層15間に通常の動作電界が
存在する時、液晶層の屈折率はフオトポリマチヤ
ネル導波管3,3aよりわずかに高い新しい値へ
上がる。前述のように溶融シリカより大きい屈折
率を有する内部チヤネル導波管をもたらすフオト
ポリマ材料を得ることには何ら問題はない。
3,3aおよび液晶層は、透明電極4,4aの間
の電場がない時に、内部チヤネル導波管3,3a
が最も高い屈折率を有し、ガラス基板1,1aが
最も低い屈折率を有し、また液晶層15が他の2
つの層の中間の屈折率を有するように容易に選択
することができる。層15間に通常の動作電界が
存在する時、液晶層の屈折率はフオトポリマチヤ
ネル導波管3,3aよりわずかに高い新しい値へ
上がる。前述のように溶融シリカより大きい屈折
率を有する内部チヤネル導波管をもたらすフオト
ポリマ材料を得ることには何ら問題はない。
文献によれば、特に温度が通常の方法で適度に
一定に保たれている場合に、通常のフオトポリマ
から成る内部導波管チヤネルに用いるに適した低
い屈折率を有する多くの液晶配合が記述されてい
る。電圧印加による乱流がなく、また結果として
生ずる動的散乱のない組成すなわち電界印加によ
る再整列のみを示す材料が所望される。満足でき
る液晶材料は低電界においてよく応答し、高度の
複屈折を有し、広い温度領域を有し、またフイー
ルドオンおよびフイールドオフ状態において予測
できる分子配列を有するものである。
一定に保たれている場合に、通常のフオトポリマ
から成る内部導波管チヤネルに用いるに適した低
い屈折率を有する多くの液晶配合が記述されてい
る。電圧印加による乱流がなく、また結果として
生ずる動的散乱のない組成すなわち電界印加によ
る再整列のみを示す材料が所望される。満足でき
る液晶材料は低電界においてよく応答し、高度の
複屈折を有し、広い温度領域を有し、またフイー
ルドオンおよびフイールドオフ状態において予測
できる分子配列を有するものである。
例えば、1つの適当な液晶材料はニユーヨーク
10532,ElmsfordのE.M.Laboratoriesによりコー
ド番号684のもとに売られており、np=1.52およ
びne=1.73の屈折率を有している。コード番号
10に第2のE.M.Laboratoriesの混合物は屈折率
np=1.56およびne=1.77を有している。イギリ
スDorsetのBDH Chemicals Companyにより供
給される材料はその混合物E7としてnp=1.52お
よびne=1.72を有している。屈折率npおよびnp
は導波管コア3,3aの屈折率ncpreに対し重要
な関係を有している。値ncpreは液晶の有効クラ
デイングが光をすつかり電界ゼロ状態のコア内に
閉じ込めるために0.05乃至0.10だけncpre>npに
なつている。また光がすつかりひとつのガイドか
ら液晶媒質へ放射し、液晶媒質を横切つて第2の
ガイドへ入るのを許すためncprenvになつてい
る。ここでnvは電界が存在する場合の有効液晶
屈折率である。ここでnvは大体neに等しい。さ
らに最適な電界オン条件はncpre=neである。
10532,ElmsfordのE.M.Laboratoriesによりコー
ド番号684のもとに売られており、np=1.52およ
びne=1.73の屈折率を有している。コード番号
10に第2のE.M.Laboratoriesの混合物は屈折率
np=1.56およびne=1.77を有している。イギリ
スDorsetのBDH Chemicals Companyにより供
給される材料はその混合物E7としてnp=1.52お
よびne=1.72を有している。屈折率npおよびnp
は導波管コア3,3aの屈折率ncpreに対し重要
な関係を有している。値ncpreは液晶の有効クラ
デイングが光をすつかり電界ゼロ状態のコア内に
閉じ込めるために0.05乃至0.10だけncpre>npに
なつている。また光がすつかりひとつのガイドか
ら液晶媒質へ放射し、液晶媒質を横切つて第2の
ガイドへ入るのを許すためncprenvになつてい
る。ここでnvは電界が存在する場合の有効液晶
屈折率である。ここでnvは大体neに等しい。さ
らに最適な電界オン条件はncpre=neである。
好ましい液晶材料はBDH Chemical Company
から得られる4−チアノ−4′−n−ヘクシルビフ
エニルと呼ばれるビフエニル材料である。この組
成においてnpは光学波長により約1.54乃至1.55
でありまたneは約1.63乃至1.71である。液晶層
15の厚さは能動開閉領域の付近で両方の内部導
波管チヤネル3,3aから放射される光の量を最
小化し、また開閉時間を縮小すると同様に開閉に
要求される電圧レベルを最小化するために薄くな
ければならない。フオトポリマチヤネル導波管
3,3aは典型的なマルチモードフアイバーに適
合させるために例えば約50乃至75マイクロメータ
になるので液晶層15の厚さは一般に約15乃至25
マイクロメータになる。
から得られる4−チアノ−4′−n−ヘクシルビフ
エニルと呼ばれるビフエニル材料である。この組
成においてnpは光学波長により約1.54乃至1.55
でありまたneは約1.63乃至1.71である。液晶層
15の厚さは能動開閉領域の付近で両方の内部導
波管チヤネル3,3aから放射される光の量を最
小化し、また開閉時間を縮小すると同様に開閉に
要求される電圧レベルを最小化するために薄くな
ければならない。フオトポリマチヤネル導波管
3,3aは典型的なマルチモードフアイバーに適
合させるために例えば約50乃至75マイクロメータ
になるので液晶層15の厚さは一般に約15乃至25
マイクロメータになる。
液晶層15を横切る電場がない時に内部導波管
チヤネル3または3aのどれでも1つへ流れ込む
光はフオトポリマ層2,2aおよび液晶層15の
上下の界面により内部で反射される。その光はま
た各々の内部チヤネル内で層2,2aの残りのチ
ヤネルとの垂直な界面により境界つけられる。従
つて光学繊維20を経て入射する光は通常光学繊
維21aに出力として現れる。液晶層15の屈折
率が今度は内部チヤネル導波管の屈折率よりわず
かに高くなるように端子6,6aに切換電圧を加
えることによつて変化すると、もはや光はフオト
ポリマ液晶界面によつて反射されなくなる。この
状態において最初に導入された光の実質的な小部
分は液晶層15を通つてフオトポリマチヤネル3
からフオトポリマチヤネル3aへ、あるいはその
逆に伝播することができる。電場が存在すると、
電極4,4aの間の液晶層内の能動領域は光学分
割器として働く。第5図においてフアイバーオプ
テイツクガイド20aを経てフオトポリマ層2の
チヤネル導波管3へ入射する光は励起した液晶層
15内で分離して例えばチヤネル導波管3および
3aの右手側からフアイバーオプテイツクガイド
21,21aを経て出て行く。同様な方法で、フ
アイバーオプテイツクガイド20を経てフオトポ
リマ層2aのチヤネル導波管3aへ入射する光は
励起した液晶層15内で分離してチヤネル導波管
3aおよび3の右手側から各々のフアイバーオプ
テイツクガイド21a,21を経て出て行く。
チヤネル3または3aのどれでも1つへ流れ込む
光はフオトポリマ層2,2aおよび液晶層15の
上下の界面により内部で反射される。その光はま
た各々の内部チヤネル内で層2,2aの残りのチ
ヤネルとの垂直な界面により境界つけられる。従
つて光学繊維20を経て入射する光は通常光学繊
維21aに出力として現れる。液晶層15の屈折
率が今度は内部チヤネル導波管の屈折率よりわず
かに高くなるように端子6,6aに切換電圧を加
えることによつて変化すると、もはや光はフオト
ポリマ液晶界面によつて反射されなくなる。この
状態において最初に導入された光の実質的な小部
分は液晶層15を通つてフオトポリマチヤネル3
からフオトポリマチヤネル3aへ、あるいはその
逆に伝播することができる。電場が存在すると、
電極4,4aの間の液晶層内の能動領域は光学分
割器として働く。第5図においてフアイバーオプ
テイツクガイド20aを経てフオトポリマ層2の
チヤネル導波管3へ入射する光は励起した液晶層
15内で分離して例えばチヤネル導波管3および
3aの右手側からフアイバーオプテイツクガイド
21,21aを経て出て行く。同様な方法で、フ
アイバーオプテイツクガイド20を経てフオトポ
リマ層2aのチヤネル導波管3aへ入射する光は
励起した液晶層15内で分離してチヤネル導波管
3aおよび3の右手側から各々のフアイバーオプ
テイツクガイド21a,21を経て出て行く。
出力フアイバー21,21aの間の光の正確な
分離度は通常の因子に依存する。例えば使用可能
な液晶組成には幾つかの分子配向がある。最適形
状に対し零電圧の状態において、ロングネマチツ
ク液晶分子はその分子軸が液晶層15の平面内の
チヤネル導波管の伝播方向に沿つて均一に配列さ
れる。電圧励起状態において例えば液晶層間に約
50ボルトr.m.s.の電圧をかけると、液晶長軸は一
様に液晶層15の平面に垂直になる。零電圧状態
において、TEおよびTMモードは両方とも入力
チヤネル導波管に捕えられる。一方第2または限
定された電圧状態におたて、TMモードの光は入
力チヤネル3から仮に出力チヤネル導波管3aへ
伝達すると所望の開閉事象を提供する。TEモー
ドの光は通常防害されない。従つて第5図の装置
は開閉光学方向性カツプラとして動作し、電極
4,4aの間の能動接合領域内に散乱される少量
の光を除くと例えばフアイバーオプテイツクガイ
ド20に入射する光は全く入力フアイバーオプテ
イツクガイド20aへは到達しない。
分離度は通常の因子に依存する。例えば使用可能
な液晶組成には幾つかの分子配向がある。最適形
状に対し零電圧の状態において、ロングネマチツ
ク液晶分子はその分子軸が液晶層15の平面内の
チヤネル導波管の伝播方向に沿つて均一に配列さ
れる。電圧励起状態において例えば液晶層間に約
50ボルトr.m.s.の電圧をかけると、液晶長軸は一
様に液晶層15の平面に垂直になる。零電圧状態
において、TEおよびTMモードは両方とも入力
チヤネル導波管に捕えられる。一方第2または限
定された電圧状態におたて、TMモードの光は入
力チヤネル3から仮に出力チヤネル導波管3aへ
伝達すると所望の開閉事象を提供する。TEモー
ドの光は通常防害されない。従つて第5図の装置
は開閉光学方向性カツプラとして動作し、電極
4,4aの間の能動接合領域内に散乱される少量
の光を除くと例えばフアイバーオプテイツクガイ
ド20に入射する光は全く入力フアイバーオプテ
イツクガイド20aへは到達しない。
内部導波管チヤネルは層2,2aのようなフオ
トポリマ層の存在に依存することなく直接に適当
な誘電体板に形成することができる。例えばT.
G.Giallorenze等により1973年6月付のApplied
Optics12,No.6,1240頁に記述されている方法
によりドープされたガラスの内部導波管チヤネル
を形成するために例えばガラスまたは他の基板に
おけるイオン交換または熱移動処理を使用するこ
とができる。このようなドープされたガラスのチ
ヤネル導波管はよりよいじようぶさ、および写真
平板マスキングにより得られる注文の大集積化の
実現を含めてフオトポリマ導波管と同様の大量生
産性を提供するが、内部チヤネル導波管それ自体
は完全に一様な屈折率では特徴づけられない。
トポリマ層の存在に依存することなく直接に適当
な誘電体板に形成することができる。例えばT.
G.Giallorenze等により1973年6月付のApplied
Optics12,No.6,1240頁に記述されている方法
によりドープされたガラスの内部導波管チヤネル
を形成するために例えばガラスまたは他の基板に
おけるイオン交換または熱移動処理を使用するこ
とができる。このようなドープされたガラスのチ
ヤネル導波管はよりよいじようぶさ、および写真
平板マスキングにより得られる注文の大集積化の
実現を含めてフオトポリマ導波管と同様の大量生
産性を提供するが、内部チヤネル導波管それ自体
は完全に一様な屈折率では特徴づけられない。
第6図においてこのようなドープされたガラス
の内部導波管チヤネル32が適当な第1の誘電体
板30内に直接配置されてその各々の入力および
出力フエイス31,33の間に伸びている。表面
34上の透明電極4およびコネクタ5が再び端子
6に関連している。第6図の素子は第1図の素子
に類似しておりまた第6図の素子は第2図のもの
に類似した同様な誘電体板素子30a(第7図)
と共に用いて完全なサンドイツチ構造を形成する
ことが当業者には理解されるだろう。入力(また
は出力)フアイバー導波管20,20aは再び各
各の交差した内部チヤネル導波管の端部フエイス
31,31aに組み合わせられる。完成したサン
ドイツチ構造の外観は再び第5図の外観と同様に
なる。
の内部導波管チヤネル32が適当な第1の誘電体
板30内に直接配置されてその各々の入力および
出力フエイス31,33の間に伸びている。表面
34上の透明電極4およびコネクタ5が再び端子
6に関連している。第6図の素子は第1図の素子
に類似しておりまた第6図の素子は第2図のもの
に類似した同様な誘電体板素子30a(第7図)
と共に用いて完全なサンドイツチ構造を形成する
ことが当業者には理解されるだろう。入力(また
は出力)フアイバー導波管20,20aは再び各
各の交差した内部チヤネル導波管の端部フエイス
31,31aに組み合わせられる。完成したサン
ドイツチ構造の外観は再び第5図の外観と同様に
なる。
再び第6図を参照し例を上げると例えば屈折率
が約1.51の通常のソーダ石灰ガラスの1対の誘電
体板30,30aは光学的に研摩されてきれいに
なつている。Giallorenzi等の方法に従つて銀また
は他の金属イオンを研摩されてマスクされた表面
へ拡散し結果としてリチウムおよびナトリウムを
外方拡散するとチヤネル導波管を形成するための
ガラスの屈折率の大きな増大をもたらす。0.63ナ
ノメートルの光に対するソーダ石灰ガラス板にお
ける銀でドープされたチヤネル導波管について測
定された屈折率は約1.59である。これは特に前述
のBDH Chemical Companyのビフエニル液晶配
合のnpおよびne屈折率の間のざつとまん中にあ
たるので本考案のチヤネル導波管のための屈折率
として適当な値である。他の液晶組成と協同で用
いるための他の有用な屈折率も容易に達成するこ
とができる。Stewart等によつて1977年4月のI.
E.E.E.Journal of Quantum Electronics QE−
13,No.4,192頁にさらに記述されているチヤネ
ル導波管構成の金属イオン交換法には例えば約
250℃の融解硝酸銀中において50乃至100時間正し
くマスクして処理すべきソーダ石灰ガラス表面の
浸入が含まれている。各々のチヤネル導波管の輪
郭を描くために最初に金またはアルミニウムのマ
スキングを行なう。Chartierにより1978年3月2
日付でElectronics Letters,14,132頁に記述さ
れている方法によればncpre=1.60の低損失の銀
でドープされたチヤネルを得るための便利な方法
が提供される。
が約1.51の通常のソーダ石灰ガラスの1対の誘電
体板30,30aは光学的に研摩されてきれいに
なつている。Giallorenzi等の方法に従つて銀また
は他の金属イオンを研摩されてマスクされた表面
へ拡散し結果としてリチウムおよびナトリウムを
外方拡散するとチヤネル導波管を形成するための
ガラスの屈折率の大きな増大をもたらす。0.63ナ
ノメートルの光に対するソーダ石灰ガラス板にお
ける銀でドープされたチヤネル導波管について測
定された屈折率は約1.59である。これは特に前述
のBDH Chemical Companyのビフエニル液晶配
合のnpおよびne屈折率の間のざつとまん中にあ
たるので本考案のチヤネル導波管のための屈折率
として適当な値である。他の液晶組成と協同で用
いるための他の有用な屈折率も容易に達成するこ
とができる。Stewart等によつて1977年4月のI.
E.E.E.Journal of Quantum Electronics QE−
13,No.4,192頁にさらに記述されているチヤネ
ル導波管構成の金属イオン交換法には例えば約
250℃の融解硝酸銀中において50乃至100時間正し
くマスクして処理すべきソーダ石灰ガラス表面の
浸入が含まれている。各々のチヤネル導波管の輪
郭を描くために最初に金またはアルミニウムのマ
スキングを行なう。Chartierにより1978年3月2
日付でElectronics Letters,14,132頁に記述さ
れている方法によればncpre=1.60の低損失の銀
でドープされたチヤネルを得るための便利な方法
が提供される。
これまで論じてきた本考案の実施例において電
極4,4aは薄くて比較的透明な導電性金属の層
であり液晶組成を破壊することなくチヤネル導波
管の関連する対の各々の交差点をおおつている。
10乃至15オングストロームの厚さのクロムを用い
てもよく、または電極4,4aは蒸着またはスパ
ツタリングにより通常の方法で透明な導電性の酸
化スズで作つてもよい。
極4,4aは薄くて比較的透明な導電性金属の層
であり液晶組成を破壊することなくチヤネル導波
管の関連する対の各々の交差点をおおつている。
10乃至15オングストロームの厚さのクロムを用い
てもよく、または電極4,4aは蒸着またはスパ
ツタリングにより通常の方法で透明な導電性の酸
化スズで作つてもよい。
同様な電極の組60,61,62,63を電極
導入線60a,60b,61a,61b,62
a,62bおよび63a,63bの各々の制御の
もとに第8図の四重開閉器マトリツクスに用いる
ことができる。第8図において、先行する図にお
けるように4つの各々の開閉位置に対になつた透
明電極があり各々の対の1つの電極は液晶層の
各々の側にある。両方の電極が電圧源に接続され
ている時のみに電界が存在するように一致アドレ
シングが使用される。あるいは交替に充電される
平行棒電極を液晶層の一方の側に置いてもよい。
チヤネル導波管77,78の下方のフオトポリマ
層内に配置し、一方チヤネル導波管75,76は
上方のフオトポリマ層内に配置する。
導入線60a,60b,61a,61b,62
a,62bおよび63a,63bの各々の制御の
もとに第8図の四重開閉器マトリツクスに用いる
ことができる。第8図において、先行する図にお
けるように4つの各々の開閉位置に対になつた透
明電極があり各々の対の1つの電極は液晶層の
各々の側にある。両方の電極が電圧源に接続され
ている時のみに電界が存在するように一致アドレ
シングが使用される。あるいは交替に充電される
平行棒電極を液晶層の一方の側に置いてもよい。
チヤネル導波管77,78の下方のフオトポリマ
層内に配置し、一方チヤネル導波管75,76は
上方のフオトポリマ層内に配置する。
第8図においてフアイバーオプテイツク導波管
50は開閉器61または63によつて各々の出力
フアイバー70または71へ開閉され、一方フア
イバーオプテイツク導波管51により注入された
光は同様に開閉器60または62によつて出力フ
アイバー70または72の1つへ転換させる。入
力チヤネル導波管77または78内の転換されな
かつた光は本構造の端の面80へ取り付けられた
適当な光吸収器72により吸収される。散乱して
出力導波管75および76へ戻る光は全て吸収器
72の反対側の表面79に取り付けられた吸収器
52によつて同様に吸収される。全ての光がこの
配列に開閉されるわけではないので、全ての光路
は唯一つの能動開閉位置を含まねばならない。言
い換えると、もしN個の入力とN個に出力フアイ
バーが第8図に展開されている開閉マトリツクス
内に存在すれば最大値Nの同時会話が許される。
挿入された開閉器が能動化する時のチヤネル導波
管の間の結合を最大にするために結合チヤネル導
波管の間の角度は小さいことが好ましい。
50は開閉器61または63によつて各々の出力
フアイバー70または71へ開閉され、一方フア
イバーオプテイツク導波管51により注入された
光は同様に開閉器60または62によつて出力フ
アイバー70または72の1つへ転換させる。入
力チヤネル導波管77または78内の転換されな
かつた光は本構造の端の面80へ取り付けられた
適当な光吸収器72により吸収される。散乱して
出力導波管75および76へ戻る光は全て吸収器
72の反対側の表面79に取り付けられた吸収器
52によつて同様に吸収される。全ての光がこの
配列に開閉されるわけではないので、全ての光路
は唯一つの能動開閉位置を含まねばならない。言
い換えると、もしN個の入力とN個に出力フアイ
バーが第8図に展開されている開閉マトリツクス
内に存在すれば最大値Nの同時会話が許される。
挿入された開閉器が能動化する時のチヤネル導波
管の間の結合を最大にするために結合チヤネル導
波管の間の角度は小さいことが好ましい。
従つて本考案はマルチモード光学データ伝送お
よび処理システムにおける使用に適合する種類の
方向性開閉器カツプラであることがわかる。とり
わけ本考案は電界効果型液晶材料、特に大型で用
いるのに適する高速動作開閉器、集積化多重開閉
器マトリツクスまたは他の光学配列を使用する新
しい方向性結合チヤネル導波管電気光学開閉器を
提供するものである。本開閉器は開閉器の間の光
の伝播と開閉器の機能自体のための実質的に分離
した最適な媒質の有益な提供と同様に構造上の単
純さと組み立ての容易性を含む多くの所望の特性
を有している。
よび処理システムにおける使用に適合する種類の
方向性開閉器カツプラであることがわかる。とり
わけ本考案は電界効果型液晶材料、特に大型で用
いるのに適する高速動作開閉器、集積化多重開閉
器マトリツクスまたは他の光学配列を使用する新
しい方向性結合チヤネル導波管電気光学開閉器を
提供するものである。本開閉器は開閉器の間の光
の伝播と開閉器の機能自体のための実質的に分離
した最適な媒質の有益な提供と同様に構造上の単
純さと組み立ての容易性を含む多くの所望の特性
を有している。
本考案をその好ましい実施例において記述して
きたが、用いてきた言葉は限定的なものというよ
り記述のための言葉であり添付の実用新案登録請
求の範囲内で本考案のより広い見地における真の
範囲および精神から逸脱することなく変更を行な
うことができることを理解されたい。
きたが、用いてきた言葉は限定的なものというよ
り記述のための言葉であり添付の実用新案登録請
求の範囲内で本考案のより広い見地における真の
範囲および精神から逸脱することなく変更を行な
うことができることを理解されたい。
第1図および第2図は新しい電気光学液晶開閉
器の第1および第2の部分の概観図、第3図は第
1図および第2図の組み立てられた開閉器の部分
的な断面を示す末端図、第4図は第3図の装置の
一端の概観的な断片図、第5図は第3図の装置の
上面図、第6図は第1図の装置のもう1つの形の
概観図、第7図は第6図の装置に関連する概観的
な断片図、第8図は第5図の装置の大型多重開閉
器化の上面図である。 参照番号の説明、1……絶縁基板、2……隣接
層、3……内部チヤネル光学導波管、4……電
極、5……透明導体、10,11,12,13…
…スペーサ、15……液晶層、20,20a,2
1,21a……入力および出力光学繊維導波管、
30……第1の誘電体板、32……ドープされた
ガラスの内部導波管チヤネル、50……フアイバ
ーオプテイツク導波管、52……吸収器、60,
61,62,63……電極、72……吸収器、7
5,76……出力チヤネル導波管。
器の第1および第2の部分の概観図、第3図は第
1図および第2図の組み立てられた開閉器の部分
的な断面を示す末端図、第4図は第3図の装置の
一端の概観的な断片図、第5図は第3図の装置の
上面図、第6図は第1図の装置のもう1つの形の
概観図、第7図は第6図の装置に関連する概観的
な断片図、第8図は第5図の装置の大型多重開閉
器化の上面図である。 参照番号の説明、1……絶縁基板、2……隣接
層、3……内部チヤネル光学導波管、4……電
極、5……透明導体、10,11,12,13…
…スペーサ、15……液晶層、20,20a,2
1,21a……入力および出力光学繊維導波管、
30……第1の誘電体板、32……ドープされた
ガラスの内部導波管チヤネル、50……フアイバ
ーオプテイツク導波管、52……吸収器、60,
61,62,63……電極、72……吸収器、7
5,76……出力チヤネル導波管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第1の平表面装置を有する第1の誘電体板装
置、 前記第1の平表面装置に第1の境界装置を有
する第1の内部チヤネル光学導波管装置、 第2の平表面装置を有する第2の誘電体板装
置、 前記第2の平表面装置に第2の境界装置を有
する第2の内部チヤネル光学導波管装置、 を含み、前記第1および第2の誘電体板は、前
記第1および第2の平表面装置が向かい合つて
平行に間隔を置いた関係で配置され前記第1お
よび第2の内部チヤネル光学導波管装置の1方
が他方の上に交差してクロスオーバー領域を形
成するように配置され、さらに 前記第1および第2の平表面装置の間に配置
された液晶流体装置、 前記液晶流体装置の実質的に前記クロスオー
バー領域のみに選択的に電界を加える装置、 を含むことを特徴とする電気光学開閉器。 (2) 実用新案登録請求の範囲第1項において、前
記液晶流体に選択的に電界を加えるための前記
装置が、前記第1および第2の平表面装置およ
び前記第1および第2の境界装置に向かい合つ
た関係で各々取り付けられた第1および第2の
透明電極装置を含むことを特徴とする電気光学
開閉器。 (3) 実用新案登録請求の範囲第1項において、前
記第1および第2の内部チヤネル光学導波管装
置が、前記第1および第2の平表面装置の適所
に第1および第2の屈折率の増大した領域を永
久的に誘導することにより形成されることを特
徴とする電気光学開閉器。 (4) 実用新案登録請求の範囲第1項において、前
記第1および第2の誘電体板がガラス材料を有
し、また前記第1および第2の内部チヤネル光
学導波管装置が金属イオン注入によりその屈折
率が局部的に変えられる前記ガラス材料を有す
ることを特徴とする電気光学開閉器。 (5) 実用新案登録請求の範囲第4項において、前
記液晶流体装置が4−チアノ−4′−n−ヘクシ
ルビフエニルを有することを特徴とする電気光
学開閉器。 (6) 実用新案登録請求の範囲第1項において、さ
らに前記第1および第2の誘電体板装置によつ
て部分的に定められる液晶流体包囲体を完成さ
せるための壁装置を含むことを特徴とする電気
光学開閉器。 (7) 実用新案登録請求の範囲第4項において、前
記ガラス材料がソーダ石灰ガラスを含むことを
特徴とする電気光学開閉器。 (8) 実用新案登録請求の範囲第1項において、前
記電界が存在しない時に前記液晶流体装置の屈
折率が前記第1および第2の内部チヤネル光学
導波管装置の屈折率より低くなることを特徴と
する電気光学開閉器。 (9) 実用新案登録請求の範囲第8項において、前
記電界が存在する時に前記液晶流体装置の屈折
率が前記第1および第2の内部チヤネル光学導
波管装置の屈折率よりも大きくなることを特徴
とする電気光学開閉器。 (10) 実用新案登録請求の範囲第9項において、前
記第1および第2の誘電体板装置の屈折率が前
記第1および第2の内部チヤネル光学導波管装
置の屈折率より低いことを特徴とする電気光学
開閉器。 (11) 実用新案登録請求の範囲第1項において、前
記第1および第2の誘電体板装置が各々隣接す
る基板およびフオトポリマの層を有し、前記フ
オトポリマ層が平行に間隔を置いて向かい合う
前記第1および第2の平表面装置を提供し、ま
た前記第1および第2の内部チヤネル光学導波
管装置が完全に前記フオトポリマ層内に延在し
ていることを特徴とする電気光学開閉器。 (12) 実用新案登録請求の範囲第11項において、前
記フオトポリマ層内の前記第1および第2の内
部チヤネル光学導波管装置が前記フオトポリマ
層のマスクされた部分の光重合によつて定位置
に形成されることを特徴とする電気光学開閉
器。 (13) 実用新案登録請求の範囲第1項において、
前記液晶流体装置が乱流なしに実質的に分子の
電界印加再配列のみを示すネマチツク材料を含
むことを特徴とする電気光学開閉器。 (14) 実用新案登録請求の範囲第1項において、
前記クロスオーバー領域における前記第1およ
び第2の内部チヤネル光学導波管装置の間の角
度が2度と6度の間にあることを特徴とする電
気光学開閉器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/947,983 US4201442A (en) | 1978-10-02 | 1978-10-02 | Liquid crystal switching coupler matrix |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5555816U JPS5555816U (ja) | 1980-04-15 |
| JPS623786Y2 true JPS623786Y2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=25487077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979130890U Expired JPS623786Y2 (ja) | 1978-10-02 | 1979-09-20 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4201442A (ja) |
| JP (1) | JPS623786Y2 (ja) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4278327A (en) * | 1979-11-26 | 1981-07-14 | Sperry Corporation | Liquid crystal matrices |
| US4385799A (en) * | 1980-06-26 | 1983-05-31 | Sperry Corporation | Dual array fiber liquid crystal optical switches |
| US4478494A (en) * | 1981-11-19 | 1984-10-23 | Sperry Corporation | Optical bypass switch |
| GB8313484D0 (en) * | 1983-05-16 | 1983-06-22 | King L H | Optical waveguide |
| DE3327417A1 (de) * | 1983-07-29 | 1985-02-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Optische verzweigungsvorrichtung |
| DE3337282A1 (de) * | 1983-10-13 | 1985-04-25 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Optische zeitmultiplex-einrichtung |
| US4696059A (en) * | 1984-03-07 | 1987-09-22 | Canadian Patents And Development Limited-Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee | Reflex optoelectronic switching matrix |
| GB8516108D0 (en) * | 1985-06-26 | 1985-07-31 | Gen Electric Co Plc | Optical switch |
| US4784470A (en) * | 1985-11-05 | 1988-11-15 | Itt Defense Communications, A Division Of Itt Corporation | Optical switching device |
| GB8608276D0 (en) * | 1986-04-04 | 1986-05-08 | British Telecomm | Optical devices |
| US4781426A (en) * | 1986-09-30 | 1988-11-01 | Itt Defense Communications, A Division Of Itt Corporation | Optical fiber collimator/switch including liquid crystal polarizing material |
| CA1285643C (en) * | 1986-10-06 | 1991-07-02 | Christopher Simon Winter | Optical switching devices |
| US4813757A (en) * | 1986-11-26 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Optical switch including bypass waveguide |
| US4813771A (en) * | 1987-10-15 | 1989-03-21 | Displaytech Incorporated | Electro-optic switching devices using ferroelectric liquid crystals |
| US5044712A (en) * | 1990-06-29 | 1991-09-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Waveguided electrooptic switches using ferroelectric liquid crystals |
| US5440654A (en) * | 1993-12-30 | 1995-08-08 | Raytheon Company | Fiber optic switching system |
| US6704474B1 (en) | 1994-05-24 | 2004-03-09 | Raytheon Company | Optical beam steering system |
| US5963682A (en) * | 1994-05-24 | 1999-10-05 | Raytheon Company | Optical beam steering system |
| DE19602232A1 (de) * | 1996-01-23 | 1997-07-24 | Bosch Gmbh Robert | Integriert optische Schaltung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| US6091867A (en) * | 1997-05-02 | 2000-07-18 | Neos Technologies, Inc. | M input port by N output port optical switching system |
| US6768572B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-07-27 | Teloptics Corporation | Solid state free space switch array on a substrate |
| US6310712B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6816296B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-11-09 | Teloptics Corporation | Optical switching network and network node and method of optical switching |
| US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6559921B1 (en) * | 1999-11-01 | 2003-05-06 | Corning Incorporated | Liquid crystal planar non-blocking NxN cross-connect |
| US6563973B1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-05-13 | Corning Incorporated | Low-index waveguide liquid crystal cross-connect |
| US6546163B2 (en) * | 2000-10-09 | 2003-04-08 | John I. Thackara | Planar waveguide switch and optical cross-connect |
| US6768856B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-07-27 | Corning Incorporated | High germanium content waveguide materials |
| US20020176651A1 (en) * | 2001-03-19 | 2002-11-28 | Jeffrey Scott | Modular fiber optic switch core |
| US6963441B2 (en) * | 2001-05-04 | 2005-11-08 | Teloptics, Corporation | Deactivated electro-optic material and method of forming the same |
| US6954592B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-10-11 | Jds Uniphase Corporation | Systems, methods and apparatus for bi-directional optical transceivers |
| US6832028B2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-12-14 | Innovative Technology Licensing, Llc | Liquid crystal adaptive coupler for steering a light beam relative to a light-receiving end of an optical waveguide |
| JP2005064051A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Fibest Ltd | 光モジュールおよび光通信システム |
| USRE46672E1 (en) | 2006-07-13 | 2018-01-16 | Velodyne Lidar, Inc. | High definition LiDAR system |
| US8116632B2 (en) * | 2007-11-30 | 2012-02-14 | Raytheon Company | Space-time division multiple-access laser communications system |
| US9703050B2 (en) * | 2013-12-27 | 2017-07-11 | City University Of Hong Kong | Device for routing light among a set of optical waveguides |
| US9529079B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-12-27 | Google Inc. | Multiplexed multichannel photodetector |
| US10627490B2 (en) | 2016-01-31 | 2020-04-21 | Velodyne Lidar, Inc. | Multiple pulse, LIDAR based 3-D imaging |
| CN109154661A (zh) | 2016-03-19 | 2019-01-04 | 威力登激光雷达有限公司 | 用于基于lidar的3-d成像的集成照射和检测 |
| US10393877B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-27 | Velodyne Lidar, Inc. | Multiple pixel scanning LIDAR |
| US10502618B2 (en) | 2016-12-03 | 2019-12-10 | Waymo Llc | Waveguide diffuser for light detection using an aperture |
| WO2018183843A1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Velodyne Lidar, Inc. | Integrated lidar illumination power control |
| CN110809704B (zh) | 2017-05-08 | 2022-11-01 | 威力登激光雷达美国有限公司 | Lidar数据获取与控制 |
| US10890650B2 (en) | 2017-09-05 | 2021-01-12 | Waymo Llc | LIDAR with co-aligned transmit and receive paths |
| US11294041B2 (en) | 2017-12-08 | 2022-04-05 | Velodyne Lidar Usa, Inc. | Systems and methods for improving detection of a return signal in a light ranging and detection system |
| US11971507B2 (en) | 2018-08-24 | 2024-04-30 | Velodyne Lidar Usa, Inc. | Systems and methods for mitigating optical crosstalk in a light ranging and detection system |
| US10712434B2 (en) | 2018-09-18 | 2020-07-14 | Velodyne Lidar, Inc. | Multi-channel LIDAR illumination driver |
| US11082010B2 (en) | 2018-11-06 | 2021-08-03 | Velodyne Lidar Usa, Inc. | Systems and methods for TIA base current detection and compensation |
| US12061263B2 (en) | 2019-01-07 | 2024-08-13 | Velodyne Lidar Usa, Inc. | Systems and methods for a configurable sensor system |
| US11885958B2 (en) | 2019-01-07 | 2024-01-30 | Velodyne Lidar Usa, Inc. | Systems and methods for a dual axis resonant scanning mirror |
| US10613203B1 (en) | 2019-07-01 | 2020-04-07 | Velodyne Lidar, Inc. | Interference mitigation for light detection and ranging |
| CN117331260B (zh) * | 2023-11-20 | 2024-06-14 | 南京邮电大学 | 铁电向列相液晶内低驱动电场微秒级电光响应的实现方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3980395A (en) * | 1973-02-20 | 1976-09-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Liquid crystal switch for optical waveguide |
| DE2434443C2 (de) * | 1974-07-17 | 1983-02-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur steuerbaren Kopplung von Lichtwellen aus einem ersten in einen zweiten Wellenleiter |
| US3918794A (en) * | 1974-11-29 | 1975-11-11 | Us Navy | Liquid crystal optical switch coupler |
| US4120560A (en) * | 1975-06-09 | 1978-10-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical waveguide network |
-
1978
- 1978-10-02 US US05/947,983 patent/US4201442A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-09-20 JP JP1979130890U patent/JPS623786Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5555816U (ja) | 1980-04-15 |
| US4201442A (en) | 1980-05-06 |
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