JPS6239539B2 - - Google Patents
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- JPS6239539B2 JPS6239539B2 JP3186280A JP3186280A JPS6239539B2 JP S6239539 B2 JPS6239539 B2 JP S6239539B2 JP 3186280 A JP3186280 A JP 3186280A JP 3186280 A JP3186280 A JP 3186280A JP S6239539 B2 JPS6239539 B2 JP S6239539B2
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- Japan
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- laser
- plate
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- shaped body
- grooves
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/009—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a non-absorbing, e.g. transparent, reflective or refractive, layer on the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はたとえばサフアイヤなどの透明な板
状体をレーザ照射によつて分割する板状体の分割
方法に関する。
状体をレーザ照射によつて分割する板状体の分割
方法に関する。
サフアイヤなどの表面に半導体素子を形成した
ウエハを素子形成したのち、細かい方形のチツプ
に分割するダイシング工程において、ダイヤモン
ドポイントで表面に線を引き、その線に沿つて折
り曲げて分割するダイヤモンドスクライブ方法や
レーザ光線を集光照射し、線状の溝を形成し、こ
の溝に沿つて分割する方法がとられている。
ウエハを素子形成したのち、細かい方形のチツプ
に分割するダイシング工程において、ダイヤモン
ドポイントで表面に線を引き、その線に沿つて折
り曲げて分割するダイヤモンドスクライブ方法や
レーザ光線を集光照射し、線状の溝を形成し、こ
の溝に沿つて分割する方法がとられている。
しかしながら、サフアイヤウエハの大きさが大
形化するにつれてウエハの厚さも厚くなり、従来
の方法では分割できにくくなり、生産工程で難点
を生じた。すなわち、ダイヤモンドポイントによ
るスクライブ方法では、ウエハの厚みが厚くなる
と傷をつけ、線を引いてから折り曲げても線に沿
つて割れない欠点があり、レーザスクライブ方法
ではCO2レーザをウエハの素子パターンに照射す
ると、サフアイヤでCO2レーザの10.6μｍの波長
の光線をよく吸収して溝の形成が能率的に行なわ
れるが、レーザスポツトサイズが大きいので溝幅
が大きくなるため素子の集積度の低下を生じ、生
産性の低下につながる。
形化するにつれてウエハの厚さも厚くなり、従来
の方法では分割できにくくなり、生産工程で難点
を生じた。すなわち、ダイヤモンドポイントによ
るスクライブ方法では、ウエハの厚みが厚くなる
と傷をつけ、線を引いてから折り曲げても線に沿
つて割れない欠点があり、レーザスクライブ方法
ではCO2レーザをウエハの素子パターンに照射す
ると、サフアイヤでCO2レーザの10.6μｍの波長
の光線をよく吸収して溝の形成が能率的に行なわ
れるが、レーザスポツトサイズが大きいので溝幅
が大きくなるため素子の集積度の低下を生じ、生
産性の低下につながる。
一方、CO2レーザより波長の短かいYAGレー
ザの波長1.06μｍのビームの集光して照射すると
YAGレーザ光はサフアイヤ基板での吸収率が低
いために加工能率が悪く、深溝の形成は困難であ
る。しかし、表面に幅の狭い溝を形成することは
可能である。すなわち、CO2レーザでは溝幅が広
く、深い加工は可能であるが、幅の狭い溝加工は
困難である。YAGレーザでは溝幅の狭い、浅い
溝加工はできるが分割に充分な溝加工は困難であ
り、特にウエハの厚みが0.5mm以上のものでは分
割が難かしくなるなどの問題点が生じてきた。
ザの波長1.06μｍのビームの集光して照射すると
YAGレーザ光はサフアイヤ基板での吸収率が低
いために加工能率が悪く、深溝の形成は困難であ
る。しかし、表面に幅の狭い溝を形成することは
可能である。すなわち、CO2レーザでは溝幅が広
く、深い加工は可能であるが、幅の狭い溝加工は
困難である。YAGレーザでは溝幅の狭い、浅い
溝加工はできるが分割に充分な溝加工は困難であ
り、特にウエハの厚みが0.5mm以上のものでは分
割が難かしくなるなどの問題点が生じてきた。
この発明は上記事情に着目してなされたもの
で、その目的とするところは、板状体の表面に短
波長Ｑスイツチパルスレーザを照射するととも
に、その裏面に長波長レーザを照射して板状体を
分割することにより歩留り向上を図ることができ
る板状体の分割方法を提供しようとするものであ
る。
で、その目的とするところは、板状体の表面に短
波長Ｑスイツチパルスレーザを照射するととも
に、その裏面に長波長レーザを照射して板状体を
分割することにより歩留り向上を図ることができ
る板状体の分割方法を提供しようとするものであ
る。
以下、この発明を図面に示す一実施例にもとず
いて説明する。第１図および第２図はこの発明の
第１の実施例を示すもので、板状体としてサフア
イヤ基板ａ上に半導体素子ｂを形成した半導体ウ
エハｃを分割する方法を実施する装置である。１
は連続励起の短波長Ｑスイツチパルスレーザとし
てのYAGレーザ発振器で、この出力光路にはビ
ームシヤツタ２、ダイクロイツクミラー３が設け
られている。そして、このダイクロイツクミラー
３によつてレーザビーム４を屈折し、集光レンズ
５によつて上記半導体ウエハｃに照射するように
なつている。この場合、上記半導体ウエハｃには
半導体素子ｂを保護するプラスチツクフイルムｄ
などがコーテイングされている。また、上記ダイ
クロイツクミラー３の上方には視野レンズ６を介
してパターン観察用TVモニタカメラ７が設置さ
れている。そして、上記半導体ウエハｃの表面を
照明する照明装置（図示しない。）で照射した反
射ビーム８を視野レンズ６を介してパターン観察
用TVモニタカメラ７によつて位置合せできるよ
うになつている。
いて説明する。第１図および第２図はこの発明の
第１の実施例を示すもので、板状体としてサフア
イヤ基板ａ上に半導体素子ｂを形成した半導体ウ
エハｃを分割する方法を実施する装置である。１
は連続励起の短波長Ｑスイツチパルスレーザとし
てのYAGレーザ発振器で、この出力光路にはビ
ームシヤツタ２、ダイクロイツクミラー３が設け
られている。そして、このダイクロイツクミラー
３によつてレーザビーム４を屈折し、集光レンズ
５によつて上記半導体ウエハｃに照射するように
なつている。この場合、上記半導体ウエハｃには
半導体素子ｂを保護するプラスチツクフイルムｄ
などがコーテイングされている。また、上記ダイ
クロイツクミラー３の上方には視野レンズ６を介
してパターン観察用TVモニタカメラ７が設置さ
れている。そして、上記半導体ウエハｃの表面を
照明する照明装置（図示しない。）で照射した反
射ビーム８を視野レンズ６を介してパターン観察
用TVモニタカメラ７によつて位置合せできるよ
うになつている。
一方、上記半導体ウエハｃは載置台９に載置さ
れ、この載置台９はＹ方向駆動テーブル１０に支
承され、このテーブル１０はＸ方向駆動テーブル
１１に支承されている。そしてこれらテーブル１
０，１１は架台１２上を決められたプログラム
で、XY方向の移動が制御部１３で制御されるよ
うにつている。さらに、上記YAGレーザ用の集
光レンズ５と並列にCO2レーザ光用の集光レンズ
１４が設けられ、これにはCO2レーザ発振器１５
からのレーザビーム１６をON，OFF制御させる
ビームシヤツタ１７および反射鏡１８を介して入
射集光されるようになつている。
れ、この載置台９はＹ方向駆動テーブル１０に支
承され、このテーブル１０はＸ方向駆動テーブル
１１に支承されている。そしてこれらテーブル１
０，１１は架台１２上を決められたプログラム
で、XY方向の移動が制御部１３で制御されるよ
うにつている。さらに、上記YAGレーザ用の集
光レンズ５と並列にCO2レーザ光用の集光レンズ
１４が設けられ、これにはCO2レーザ発振器１５
からのレーザビーム１６をON，OFF制御させる
ビームシヤツタ１７および反射鏡１８を介して入
射集光されるようになつている。
つぎに、上述のように構成された装置を用いて
半導体ウエハｃを分割する方法について説明す
る。まず、第１図で示すように、半導体ウエハｃ
の表面に形成された半導体素子ｂにパターン形成
された間の線（スクライブライン）に沿つて
YAGレーザビーム４を照射できるように、パタ
ーン観察用TVモニタカメラ７によつて観察しな
がら位置決めし、半導体ウエハｃの表面に細くて
浅い溝ｅ，ｅを形成する。この場合、YAGレー
ザビームの集光スポツトは15μｍφ〜30μｍφに
形成でき、半導体素子ｂ，ｂ間隔が通常100μｍ
程度の幅で形成されたものに対して充分な細い溝
ｅ，ｅを形成できる。しかもこのとき半導体ウエ
ハｃに被覆されたプラスチツクフイルムｄはサフ
アイヤ基板ａからのレーザビームによつて照射さ
れたときに飛散した物質が半導体素子ｂに付着し
て損傷するのを防止することができる。
半導体ウエハｃを分割する方法について説明す
る。まず、第１図で示すように、半導体ウエハｃ
の表面に形成された半導体素子ｂにパターン形成
された間の線（スクライブライン）に沿つて
YAGレーザビーム４を照射できるように、パタ
ーン観察用TVモニタカメラ７によつて観察しな
がら位置決めし、半導体ウエハｃの表面に細くて
浅い溝ｅ，ｅを形成する。この場合、YAGレー
ザビームの集光スポツトは15μｍφ〜30μｍφに
形成でき、半導体素子ｂ，ｂ間隔が通常100μｍ
程度の幅で形成されたものに対して充分な細い溝
ｅ，ｅを形成できる。しかもこのとき半導体ウエ
ハｃに被覆されたプラスチツクフイルムｄはサフ
アイヤ基板ａからのレーザビームによつて照射さ
れたときに飛散した物質が半導体素子ｂに付着し
て損傷するのを防止することができる。
つぎに、第２図で示すように、半導体ウエハｃ
を上下反転し、サフアイヤ基板ａの裏面を上にし
て載置台９に載置する。この状態で、既に形成さ
れた溝ｅ，ｅに合せてＹ方向駆動テーブル１０と
Ｘ方向駆動テーブル１１が移動するように再度位
置合わせし、その後Ｘ方向駆動テーブル１１を図
において右方に移動する。そして、CO2レーザビ
ーム１６のスポツト形成位置１９が第２図で示す
ように既に形成された溝ｅ，ｅに対向する裏面を
照射するように制御部１３で制御し溝，を形
成する。この場合CO2レーザビーム１６のスポツ
トサイズが大きくても裏面には半導体素子ｂが形
成されていないので半導体ウエハの中間まで幅広
い溝，を形成しても表面の半導体素子ｂに損
傷させることがない。
を上下反転し、サフアイヤ基板ａの裏面を上にし
て載置台９に載置する。この状態で、既に形成さ
れた溝ｅ，ｅに合せてＹ方向駆動テーブル１０と
Ｘ方向駆動テーブル１１が移動するように再度位
置合わせし、その後Ｘ方向駆動テーブル１１を図
において右方に移動する。そして、CO2レーザビ
ーム１６のスポツト形成位置１９が第２図で示す
ように既に形成された溝ｅ，ｅに対向する裏面を
照射するように制御部１３で制御し溝，を形
成する。この場合CO2レーザビーム１６のスポツ
トサイズが大きくても裏面には半導体素子ｂが形
成されていないので半導体ウエハの中間まで幅広
い溝，を形成しても表面の半導体素子ｂに損
傷させることがない。
このようにして、半導体ウエハｃの表面と裏面
に対応して溝ｅ…，…を形成したのち、この半
導体ウエハｃに溝ｅ……に沿つて折り曲げ力を
加えると、溝ｅ，に沿つて分割され、半導体素
子ｂは溝ｅ…に沿つて複数に分割される。
に対応して溝ｅ…，…を形成したのち、この半
導体ウエハｃに溝ｅ……に沿つて折り曲げ力を
加えると、溝ｅ，に沿つて分割され、半導体素
子ｂは溝ｅ…に沿つて複数に分割される。
この場合、半導体素子ｂはサフアイヤ基板ａの
表面に形成されているため、CO2レーザによつて
裏面に幅広い溝…が形成されても影響されない
とともに表面はYAGレーザによつて幅の狭い溝
ｅ…が形成され、半導体素子ｂを高密度に集積可
能となる。また、サフアイヤ基板ａが大形で、厚
みが増加しても、その裏面に形成する溝…を深
くすることにより容易に分割できる。
表面に形成されているため、CO2レーザによつて
裏面に幅広い溝…が形成されても影響されない
とともに表面はYAGレーザによつて幅の狭い溝
ｅ…が形成され、半導体素子ｂを高密度に集積可
能となる。また、サフアイヤ基板ａが大形で、厚
みが増加しても、その裏面に形成する溝…を深
くすることにより容易に分割できる。
なお、上記一実施例では、まずYAGレーザで
溝加工し、つぎにCO2レーザで溝加工を行なうよ
うにしたが、この順序は反対でもよい。また、
YAGレーザで表面に溝を細く形成したのちは
CO2レーザでのビーム照射はパルス的ビームでも
連続的ビームでもよい。
溝加工し、つぎにCO2レーザで溝加工を行なうよ
うにしたが、この順序は反対でもよい。また、
YAGレーザで表面に溝を細く形成したのちは
CO2レーザでのビーム照射はパルス的ビームでも
連続的ビームでもよい。
また、第３図はこの発明の第２の実施例を示す
もので、半導体ウエハｃの表面側にYAGレーザ
発振器１、裏面側にCO2レーザ発振器１５を設置
したものである。すなわち、半導体ウエハｃを保
持具２０によつて立位状態に保持し、この保持具
２０をＸ方向駆動テーブル２１に支持し、このテ
ーブル２１をＹ方向駆動テーブル２２を架台２３
に支持したものである。
もので、半導体ウエハｃの表面側にYAGレーザ
発振器１、裏面側にCO2レーザ発振器１５を設置
したものである。すなわち、半導体ウエハｃを保
持具２０によつて立位状態に保持し、この保持具
２０をＸ方向駆動テーブル２１に支持し、このテ
ーブル２１をＹ方向駆動テーブル２２を架台２３
に支持したものである。
このように構成することによつて、YAGレー
ザ発振器１による溝加工の後に、半導体ウエハｃ
を裏返すことなくCO2レーザ発振器１５による溝
加工ができ、作業性を向上することができる。ま
た、この場合半導体ウエハｃの表面側からの
YAGレーザ発振と裏面側からのCO2レーザ発振
とを同時に行なつてもよいこと勿論である。
ザ発振器１による溝加工の後に、半導体ウエハｃ
を裏返すことなくCO2レーザ発振器１５による溝
加工ができ、作業性を向上することができる。ま
た、この場合半導体ウエハｃの表面側からの
YAGレーザ発振と裏面側からのCO2レーザ発振
とを同時に行なつてもよいこと勿論である。
なお、第３図において第１図と同一構成部分は
同一番号を付して説明を省略する。
同一番号を付して説明を省略する。
この発明は以上説明したように、板状体の表面
に短波長Ｑスイツチパルスレーザを照射するとと
もに、その裏面に長波長レーザを照射して表裏面
に対応する溝加工を施し、この溝に沿つて板状体
を分割するようにしたから、板状体を正確かつ容
易に分割することができ、たとえば半導体ウエハ
の分割に好適し、素子の歩留りを向上することが
できるという効果を奏する。
に短波長Ｑスイツチパルスレーザを照射するとと
もに、その裏面に長波長レーザを照射して表裏面
に対応する溝加工を施し、この溝に沿つて板状体
を分割するようにしたから、板状体を正確かつ容
易に分割することができ、たとえば半導体ウエハ
の分割に好適し、素子の歩留りを向上することが
できるという効果を奏する。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す概略的
構成図、第２図は同じくCO2レーザ加工時の概略
的構成図、第３図はこの発明の第２の実施例を示
す概略的構成図。 １……YAGレーザ発振器（短波長Ｑスイツチ
パルスレーザ）、１５……CO2レーザ発振器（長
波長レーザ）、ｃ……半導体ウエハ（板状体）。
構成図、第２図は同じくCO2レーザ加工時の概略
的構成図、第３図はこの発明の第２の実施例を示
す概略的構成図。 １……YAGレーザ発振器（短波長Ｑスイツチ
パルスレーザ）、１５……CO2レーザ発振器（長
波長レーザ）、ｃ……半導体ウエハ（板状体）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 板状体の表面に短波長Ｑスイツチパルスレー
ザを照射し、幅の狭い浅い溝を形成する工程と、
同じく板状体の裏面に長波長レーザを照射し板状
体を短波長Ｑスイツチパルスレーザ照射線に沿つ
て分割する工程とからなる板状体の分割方法。 ２ 板状体はサフアイヤ基板上に半導体素子を形
成したウエハ面を表面とし、短波長Ｑスイツチパ
ルスレーザはYAGレーザ、長波長レーザはCO2
レーザからなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の板状体の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186280A JPS56129340A (en) | 1980-03-13 | 1980-03-13 | Method of dividing platelike material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186280A JPS56129340A (en) | 1980-03-13 | 1980-03-13 | Method of dividing platelike material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56129340A JPS56129340A (en) | 1981-10-09 |
| JPS6239539B2 true JPS6239539B2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=12342853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186280A Granted JPS56129340A (en) | 1980-03-13 | 1980-03-13 | Method of dividing platelike material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56129340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138080U (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-21 | ||
| JP2008131008A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6424469A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Sanyo Electric Co | Photosensor manufacturing equipment |
| JPH01266983A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-24 | Hitachi Seiko Ltd | プリント基板穴明機 |
| JPH04180649A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体チップサンプリング装置 |
| JPH0929472A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-04 | Hitachi Ltd | 割断方法、割断装置及びチップ材料 |
| JP4592855B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| DE10144008A1 (de) * | 2001-09-07 | 2003-03-27 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Bohrung in einem Werkstück mit Laserstrahlung |
| TWI327340B (en) * | 2004-10-07 | 2010-07-11 | Showa Denko Kk | Production method for semiconductor device |
| JP2006203251A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-08-03 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
| JP4908936B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2007142277A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2012199399A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2013058536A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスウェーハの分割方法 |
| JP5472242B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP6422693B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2018-11-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| TW201603927A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-01 | Youngtek Electronics Corp | 雷射切割方法及其裝置 |
| JP7219590B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-02-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP7518646B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2024-07-18 | 株式会社カネカ | 太陽電池セル、太陽電池モジュール及び太陽電池セル製造方法 |
-
1980
- 1980-03-13 JP JP3186280A patent/JPS56129340A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138080U (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-21 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56129340A (en) | 1981-10-09 |
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|---|---|---|
| JPS6239539B2 (ja) | ||
| CN102357738B (zh) | 激光加工方法 | |
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