JPS6239565B2 - - Google Patents

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JPS6239565B2
JPS6239565B2 JP54157350A JP15735079A JPS6239565B2 JP S6239565 B2 JPS6239565 B2 JP S6239565B2 JP 54157350 A JP54157350 A JP 54157350A JP 15735079 A JP15735079 A JP 15735079A JP S6239565 B2 JPS6239565 B2 JP S6239565B2
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JP
Japan
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line
conductive
impedance
quadrupole
substrate
Prior art date
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JP54157350A
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Inventor
Beeru Aran
Kamansukii Deideie
Kantoroitsu Jeraaru
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TOMUSON SA
Original Assignee
TOMUSON SA
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Publication date
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Publication of JPS6239565B2 publication Critical patent/JPS6239565B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/605—Distributed amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/18—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of distributed coupling, i.e. distributed amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超高周波用分配増幅器及びこの増幅器
を備えた増幅装置に関する。
通常、分配増幅器は増幅エレメントもしくは能
動四極子により接続している入力、出力用伝達線
２本から形成されている。前記増幅エレメントの
２つの電極は入力線上に、他の２つの電極は出力
線上に夫々並列に備えられている。増幅される電
力は第一線の入力に注入されてからいくつかの増
幅器に分割される。これらの増幅器の出力は再結
合されて、増幅された電力が第二線の出力に与え
られる。
こ様なの増幅器は先行技術により公知である。
この様な増幅器に於て使用される増幅エレメント
は主に電子管又は入力インピーダンスの高い半導
体増幅器、例えば電界効果を有するトランジスタ
で、特にＸ帯に於ける超高周波用伝達構造に組み
込まれやすいトランジスタである。
この様な増幅器は1948年８月雑誌プロシーデイ
ングズ・オブ・ザ・アイ・アール・イー
（Proceedings of the I.R.E.）、Vol.36No.８に発表
された“分布増幅（Distributed
Amplification）”と題するエドワード、エル・ギ
ンツトン他（Edward L.GINZTON et al）によ
る文献に於て説明されている。又、英国特許第
464977号に於ても説明されている。これらの増幅
器の製造例は数多くあり、それらは入力に於ける
増幅器間での電力分割及び出力に於ける増幅電力
の再結合を可能とする構成により特徴づけられて
いる。
しかしながらいずれの場合に於ても、電力利得
の問題を別として、上述の原理に基づいた増幅器
の製造に於ける主要条件の１つは可能作動周波数
帯、もしくは帯域の広さに関する条件である。何
故ならこれらの構造の作動は中央周波数近辺の周
波数に於て急速に低下するからである。増幅器は
この中央周波数のために設けられている。各偏移
のインピーダンスの線に沿つた変成は事実ほぼ周
波数と共に変化する。このことにより中央周波数
を満足させる全体調整はその近辺周波数に於ては
るかに不満足なものとなり、その結果帯域の幅が
限定されたものとなる。
本発明の目的は他の点については従来のままで
作動周波数の帯域のみを拡げることの可能な構成
を利用した分配増幅器を提供することにある。
先行技術のある構成によれば増幅エレメント
各々は整合エレメントを備えている。偏移部の
各々は増幅器を１個備えており、この増幅器が入
力線から見られるようにそのインピーダンスが整
合される。この入力線のいくつかの区画に於ける
特性インピーダンスとして実部インピーダンスZ0
を有する前記増幅器はこの入力線に接続されてい
る。出力線に関しても同様である。上記のインピ
ーダンス整合は各区画の増幅器のための配線の前
に別々に行われる。整合エレメントを備えた増幅
エレメントの各々は、さらに、両方の伝達線上に
設けられた挿入点に接続される。このような製造
例は、特に、ホワイト（WHITE）の1971年７月
13日付米国特許第3593174号に於て説明されてい
る。
しかしながら、このような製造例に於て増幅エ
レメントが自然分散しているにもかかわらず、増
幅エレメント全部について問題の実部値及び同一
の実部値を正確に得ることは稀である。その結果
整合は中央周波数に於てさえも不完全となり、各
線内に於ていくつかの反射が不可避となる。この
ことは増幅器の利得を損う。又、中央周波数を離
れるとこの状態は悪化し、可能作動帯域が減少す
る。
本発明による問題の整合手段は上記の構成のよ
うに偏移支線上に集中していない、又、四極子の
接続の前に限定されない。
しかし、前記整合手段は、入力及び出力に於て
も、各線を分離する線区画の一部となつている。
かくして、厳密な科学的説明をしなくても整合エ
レメントの値に対する線の長さの効果が、特に作
動中央周波数の外側では先行技術による構成に於
けるより小であることが判る。整合エレメントが
偏移部に於てのみに集中しているのではなく線区
画上にも分布しているからである。
さらに、半導体基板上の堅固な状態の分配増幅
器のいくつかの型式に於ては、線区画上の整合手
段を集積形状に製造することがとりわけ容易であ
る。
本発明は次の説明から又添付図面からより良く
理解されよう。
第１図は、連続四極子、例えばQ5，Q6，Q7，
Q8に限定された先行技術による分配増幅器の概
略部分図である。
とは夫々分配増幅器の入力、出力線を示
す。これらの線上に入力線についてはab，cd，
ef，hj、出力線についてはAB，CD，EF，HJの
四極子を担持する偏移部が挿入されている。
各々の分岐線もしくは偏移部は整合エレメント
を担持している。整合エレメントの役割は四極子
の各々の入力及び出力に於て四極子のインピーダ
ンスを線のインピーダンスに整合したインピーダ
ンスに変えることである。問題のインピーダンス
とは、入力に関してはａとｂ、ｃとｄ、ｅとｆ、
ｈとｊ、出力についてはＡとＢ、ＣとＤ、Ｅと
Ｆ、ＨとＪの各点間に現われるインピーダンスで
ある。アダプタは５０と５１，６０と６１、７０
と７１、８０と８１の符号で示されており、Ｘ印
の付いた長方形で示されている。勿論のこと入力
及び出力に於て、即ちａ，ｂ及びＡ，Ｂの端子間
に現われるインピーダンスは前記アダプタの存
在、さらに、これらのアダプタを前記端子に接続
する線の長さの結果生じるインピーダンスであ
る。公知の通り線の長さを超高周波の場合無視す
ることはできない。
電力Peの増幅信号は本図面の左側の線の入
力で注入され、そして本図面の下部の矢印方向に
線に沿つて伝播する。この図面の下部に於て電
力がいくつかの偏移部（垂直方向の矢印）に分割
される。
増幅された信号、電力Psは線の出力方向、
本図面上部の矢印右方向に伝播される。
先行技術に於て通常使用されている構成によれ
ば前記の線，はそれら自体単に実部インピー
ダンスを呈する区画から成り、そして整合エレメ
ントは挿入点（ａ，ｂ，Ａ，Ｂ、等）に現われる
インピーダンスも実部のものであるように選択さ
れる。
そこで次のことが判る。四極子間で電力を均等
分割するという通常認められている条件を付け加
えると、その時前記四極子は夫々入力電力Peの
同一フラクシヨンを受け、線区画、即ち線上の
hjとef、efとcd、cdとab、さらに本図面左側の方
の各点間の間の部分は特性インピーダンスを呈す
るはずである。前記特性インピーダンスは左の方
に進んで減少する。出力線上ではこの減少は右側
の方で生じる。例えば本図面の場合見積りを可能
にするために記載の４つの四極子に限定し、hjに
於けるインピーダンスを実部のものとし且100オ
ームに等しいとすると、点hjとef間の線の区画
は100オームに等しい特性インピーダンスで選定
され、efとcd間の区画は四極子８，７の入力に等
しい電力が望まれる場合単に50オームの特性イン
ピーダンスで選定される。一方cdとab間の区画
は33オームのインピーダンスで選定される。次の
区画は25オームであろう。出力線に於けるこれら
の値はABとCD、CDとEF、EFとHJ間で上記と
逆の順序で割当てられる。出力はPs＝GPeであ
り、Ｇは四極子１個の利得値であり、この利得値
は四極子全部についてほぼ同一である。
上記の諸条件特に各能動四極子の入力に於て電
力が等しいという条件は必須ではないが、上述の
詳細事項は問題を検討しやすくするために挙げら
れた。
ともかくも、上記に一例のみを挙げた減少の法
則がどの様なものであれ困難なことは各線上の四
極子を接続する前に予め正確に規定した値を生ぜ
しめることである。所望の値との差異は線上に反
射を惹起す。通常この反射を償うことは不可能で
ある。補足的整合手段が線上自体に設けられてい
ないからである。
反対に本発明に於ては整合手段は全部線の一部
となつている。この手段は各線が構成される時に
整えられる。このことを示しているのは第２図で
ある。第２図の整合手段は前述の例と同様の４つ
の四極子のために入力及び出力に於ける伝播線に
合体されている。整合手段を示す符号は０５〜０
８，１５〜１８である。
本発明の構造に於ける増幅エレメントは共振器
に合体されており、共振器は種々の構成に応じて
互いに連結している。
第３図は４つの四極子を備えた本発明による分
配増幅器の一具体例に相当する回路図である。こ
の具体例の四極子増幅器の入力及び出力インピー
ダンスは電界効果トランジスタの場合の様に抵抗
容量、Ｃ，Ｒ回路と同値である。入力インピーダ
ンスはエレメントL11，L21，C21（第一セルにつ
いて）、L12，L22，C22（第二セルについて）、
L13，L23，C23（第三セルについて）等と共に共
振器を形成する。前記共振器はエレメントL1，
γ１，L2，γ２，L3，γ３により互いに連結し
ている。同様に出力インピーダンスはエレメント
L11′，L21′，C21′（第一セルについて）、L12′，
L22′，C22′（第二セルについて）、L13′，L23′，
C23′（第三セルについて）等と共に共振器を形成
する。前記共振器はエレメントL1′，γ1′，L2′，
γ2′，L3′，γ3′により互いに連結している。
さらに第３図には長方形で示された２個のイン
ピーダンス変成器と線区画が表わされている。こ
れら変成器及び線区画は超高周波に関して公知で
ある様に装置全体を入力及び出力に整合するため
に必要なものであることが判る。これらのエレメ
ントを符号Te，le及びTs，lsで示す。
第４図は混成体に於ける本発明の四極子４個付
分配増幅器の一具体例を示す。この混成体に於け
る増幅四極子は各線を担持する絶縁基板１上に
別々に準備されて備えられたトランジスタT1，
T2，T3，T4である。各線それら自体は“マイク
ロ―バンド”技術により製造されたものである。
この具体例のこれらの線は基板面上に備えられた
導体及びこの基板の裏面に備えられた伝導電極と
前記半導体とを相対せしめる部分とから成る。連
結された線が中央周波数の波長の約1/4の長さを
有する場合、この図面の構成は第３図の回路図に
電気的に同値であることを示すことができる。
各々の線の連結によりこの型のフイルタバスバン
ド製造技術に於て公知の法則に従つたインピーダ
ンス反転が保証される。各線は第３図と同じ符号
L11〜L14及びL11′〜L14で示された例えば熱圧縮で
形成された伝導体を介してトランジスタに接続し
ている。トランジスタの容量は本図に記載されて
いない。容量は記載されたたトランジスタ内に含
まれている。１本の連結線が入力及び出力に於て
本装置に付け足される。これは符号le，lsで示さ
れている。
前述の構造はフイルタバスバンドを有する構造
以外のなにものでもない。しかしこの構造に於け
るフイルタはその長手方向に分布した能動エレメ
ントを備えていることを特徴としており、前記能
動エレメントの第一エレメントは各フイルタの入
力に接続しており、最後のエレメントは出力に接
続している。フイルタから成るこの構造は本発明
による能動四極子に結合された共振器の連結によ
るものである。
第５図は前述の絶縁基板上の金属載設物を線エ
レメントとして使用したマイクロ―バンド技術に
よつて一体構造で堅固な状態で製造した本発明の
超高周波分配増幅器の一具体例である。
平面図で示したこの一体構造の製造例に於ける
増幅器はヒ化ガリウム（Ga，As）の半絶縁基板
に形成された電界効果トランジスタである。この
トランジスタはＲ，Ｃ回路に同等であり、そのソ
ース、格子、ドレンは夫々Ｓ，Ｇ，Ｄの文字で示
されている。これらの増幅器の数は本具体例に於
いては４個であり、これらは点線で四角に囲われ
たT1，T2，T3，T4である。
これらのトランジスタの格子は入力線の一部
であり且つ基板内のトランジスタ設置区域に接す
る第一伝導載設物２０に接続しており、ドレンは
もう一方の側の設置ゾーンに接し且つ第二線の一
部である伝導載設物２６に接続している。これら
の載設物は前述の図面に関して既に述べた様にマ
イクロ―バンドもしくはマイクロ―リボンから成
る。
インダクタンス２０，２６の部分からそれらの
部分に平行で且つ線，の接触バンドである別
の２つの部分２２，２４へ拡がつているマイクロ
―リボン形状に形成される。このマイクロ―リボ
ンは前記のマイクロ―リボンに対し垂直であり且
つそれらに接触している。線，は作動する時
このような回路に関する技術に於て公知の条件下
で連続電流給電装置（本図面には記載せず）に前
記接触バンドを介して接続する。これらの接触バ
ンドは容量１２，１４を介して本システムのアー
スに高周波で連結している。このアースは本図面
に表れていない基板下の伝導電極のアースであ
る。トランジスタの電源はこのアースに接続して
いる。判りやすくするために伝導部分を本図面で
は線影で示した。
容量連結はかくの如く構成された増幅器の各々
に結合した共振器間で形成される。各インダクタ
ンス間のいくつかの点で中断されたマイクロ―バ
ンド２０，２６が設けられており、これらのマイ
クロバンドはその部分では絶縁層により分離され
た２個の重合伝導載設物から形成されている（点
線の線影）。本図面のインダクタンスは符号l1，
l4，及びl1′，l4′で示される。連結用容量は入力、
出力線夫々について符号C1〜C3，C1′〜C3′で示さ
れている。これら載設物全部について写真製版技
術が使用された。
かくして、ヒ化ガリウムのクリスタル上で、垂
直方向に1200マイクロメートル、伝播方向に600
マイクロメートルの長方形面を覆つている一体構
造が得られた。この一体構造は１オクターブの帯
域に於て８ギガヘルツ周辺で作動し得且つ6dBの
利得を呈する電界効果トランジスタ４個でワツト
以上の電力を放出する。
本発明に含まれる第５図の構成に同等の構成は
第６図の部分図で示されるような第５図とは逆の
配列でインダクタンス、容量を備えた構成であ
る。第６図には極性が示されていないが２個のイ
ンダクタンス及び２個の容量が図示されている。
第５図の様に、符号Ｆ（本部分図ではF3，
４）で示される容量は細い点線による線影で覆れ
た面で表わされている。インダクタンスm2，m3
は導体２０の凹部から形成されている。
上述の本発明による分配増幅器の２つの具体例
は非限定例として説明されたものであり、これら
の具体例から当業者が製造可能な別の具体例も又
本発明に含まれる。
本発明の超高周波増幅器はＸ帯域に於ける超高
周波電気信号の電力増幅装置に於て、又拡い帯域
の超高周波信号受信発信装置に於て適用される。
【図面の簡単な説明】
第１図は先行技術による分配増幅器に於ける増
幅エレメントの挿入説明図、第２図は本発明によ
る分配増幅器に関する同様の説明図、第３図は本
発明による分配増幅器の一具体例に相当する電気
回路図、第４図はマイクロ―バンド技術に於ける
堅固な状態の本発明による分配増幅器の一具体例
の説明図、第５図は一体構造の本発明による分配
増幅器の一具体例の説明図、第６図は第５図の本
発明による増幅器の一変形例の部分図である。 ……入力線、１……基板、……出力線、１
２，１４……容量、Q5〜Q8……四極子、２２，
２４……接触バンド、５０〜８１……アダプタ、
２０，２６……第一、第二伝導載設物、Ｓ……ソ
ース、Ｇ……格子、Ｄ……ドレン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ２つの伝送ライン、即ちマイクロ波電力源に
    接続された入力ライン及び負荷に接続された出力
    ラインと、２つの極が入力ラインに接続され２つ
    の他の極が出力ラインに接続された分路として装
    着された複数の能動四極子と、前記四極子を各伝
    送ラインに整合させる手段とを含み、前記整合手
    段がライン自体の部分から成り、電力源及び負荷
    の反対側の前記伝送ラインの端子インピーダンス
    の各々が、前記複数の四極子のうちで最も遠い四
    極子の入力インピーダンス及び出力インピーダン
    スから成るマイクロ波用分布増幅器であつて、能
    動四極子が、半絶縁性基板の１つの面の１つのゾ
    ーンに互いに並んで形成された電界効果トランジ
    スタから成り、伝送ラインが、基板の前記面に設
    けられた導電堆積層と基板の反対面を覆う導電電
    極の対向する部分に設けられた導電堆積層とから
    成り、入力ラインがトランジスタのゲートに接続
    された位置合わせ導電堆積層から成り、出力ライ
    ンが前記ゾーンの別の側でトランジスタのドレイ
    ンに接続された別の位置合わせ導電堆積層から成
    り、リアクタンスが、前記位置合わせ堆積層に直
    角を成しかつ一端で前記位置合わせ堆積層と接触
    している導電ストリツプから成るインダクタンス
    素子であり、前記ストリツプの他端が、前記位置
    合わせ堆積層に平行な方向で延びる基板に堆積さ
    れた導線を介して相互接続されており、結合素子
    が、インダクタンス素子間に配置されかつ連続す
    る２つの堆積層の重層末端により形成されるコン
    デンサから成り、前記末端は該末端と接触して配
    置された絶縁材料層によつて分離されていること
    を特徴とするマイクロ波周波数用分布増幅器。 ２ ２つの伝送ライン、即ちマイクロ波電力源に
    接続された入力ライン及び負荷に接続された出力
    ラインと、２つの極が入力ラインに接続され２つ
    の他の極が出力ラインに接続された分路として装
    着された複数の能動四極子と、前記四極子を各伝
    送ラインに整合させる手段とを含み、前記整合手
    段がライン自体の部分から成り、電力源及び負荷
    の反対側の前記伝送ラインの端子インピーダンス
    の各々が、前記複数の四極子のうちで最も遠い四
    極子の入力インピーダンス及び出力インピーダン
    スから成るマイクロ波用分布増幅器であつて、能
    動四極子が半絶縁性基板の１つの面の１つのゾー
    ンに互いに並んで形成された電界効果トランジス
    タから成り、伝送ラインが基板の前記面に設けら
    れた導電堆積層と基板の反対面を覆う導電電極の
    対向する部分に設けられた導電堆積層とから成
    り、入力ラインがトランジスタのゲートに接続さ
    れた位置合わせ導電堆積層から成り、出力ライン
    が前記ゾーンの別の側でトランジスタのドレイン
    に接続された別の位置合わせ導電堆積層から成
    り、リアクタンスが前記位置合わせ堆積層から離
    れた処で互いに接続されてループを形成する２つ
    の連続導線の末端部分から成るインダクタンス素
    子であり、結合素子がインダクタンス素子の間に
    配置されたコンデンサから成り、該コンデンサ
    は、前記位置合わせ堆積層に直角を成しかつその
    一端で前記堆積層と接触している導電ストリツプ
    と、該ストリツプの上方に配置されかつ絶縁材料
    層によつて前記ストリツプから分離されている別
    のストリツプとから成り、該別のストリツプは、
    基板に堆積されかつ前記位置合わせ堆積層に平行
    な方向に延びる導線を介して互いに接続されてい
    ることを特徴とするマイクロ波用分布増幅器。
JP15735079A 1978-12-05 1979-12-04 Ultrahigh freounecy distribution amplifier and amplifier having same amplifier Granted JPS5579511A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7834224A FR2443765A1 (fr) 1978-12-05 1978-12-05 Amplificateur distribue pour hyperfrequences et dispositif d'amplification comportant un tel amplificateur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5579511A JPS5579511A (en) 1980-06-16
JPS6239565B2 true JPS6239565B2 (ja) 1987-08-24

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ID=9215697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15735079A Granted JPS5579511A (en) 1978-12-05 1979-12-04 Ultrahigh freounecy distribution amplifier and amplifier having same amplifier

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4311966A (ja)
EP (1) EP0012093B1 (ja)
JP (1) JPS5579511A (ja)
DE (1) DE2962648D1 (ja)
FR (1) FR2443765A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2095945B (en) * 1981-03-26 1986-02-26 Raytheon Co Radio frequency network having plural electrically interconnected field effect transistor cells
US4456888A (en) * 1981-03-26 1984-06-26 Raytheon Company Radio frequency network having plural electrically interconnected field effect transistor cells
GB2124049B (en) * 1982-07-10 1986-04-03 Marconi Co Ltd High power amplifier arrangement
GB2143392A (en) * 1983-05-27 1985-02-06 Gen Electric Co Plc Microwave transistor distributed amplifiers
DE3375545D1 (en) * 1983-09-02 1988-03-03 Marconi Co Ltd High power amplifier arrangement
US4543535A (en) * 1984-04-16 1985-09-24 Raytheon Company Distributed power amplifier
US4612548A (en) * 1984-06-01 1986-09-16 Raytheon Company Multi-port radio frequency networks for an antenna array
US4788511A (en) * 1987-11-30 1988-11-29 Raytheon Company Distributed power amplifier
US5021756A (en) * 1989-01-03 1991-06-04 Raytheon Company Transversal and recursive filters useable in a diplexer
US5012203A (en) * 1989-12-27 1991-04-30 Wisconsin Alumni Research Foundation Distributed amplifier with attenuation compensation
JP2752883B2 (ja) * 1993-06-11 1998-05-18 日本電気株式会社 高周波増幅器
KR100381685B1 (ko) * 1994-08-15 2003-07-10 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 리액티브보상전력트랜지스터회로
FR2778801B1 (fr) * 1998-05-14 2000-06-16 Alsthom Cge Alcatel Amplificateur de puissance a encombrement reduit pour circuit micro-ondes
ATE365994T1 (de) * 1999-09-15 2007-07-15 Univ Northwest Verstärkungsanordnung mit niedrigem rauschen
JP4399321B2 (ja) * 2004-06-25 2010-01-13 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 分布型増幅器
KR100696205B1 (ko) * 2005-08-26 2007-03-20 한국전자통신연구원 광 모듈 및 광 모듈 패키지
KR100824783B1 (ko) * 2006-10-17 2008-04-24 삼성전자주식회사 다중 대역용 저잡음 증폭기 및 다중 대역용 무선 신호수신기
JP6837602B2 (ja) 2018-05-09 2021-03-03 三菱電機株式会社 分布型増幅器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495183A (en) * 1965-10-28 1970-02-10 Jfd Electronics Corp Distributional amplifier means
FR1466827A (fr) * 1966-02-01 1967-01-20 Spencer Kennedy Lab Réseau amplificateur à amplification répartie
US3593174A (en) * 1969-06-05 1971-07-13 Westinghouse Electric Corp Solid state amplifier for microwave frequency signals
FR2367378A1 (fr) * 1976-10-08 1978-05-05 Thomson Csf Amplificateur hyperfrequence distribue a quadripoles actifs et dispositif d'amplification comportant un tel amplificateur
US4092616A (en) * 1976-11-22 1978-05-30 General Dynamics Corporation Electronics Division Traveling wave power combining apparatus

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Publication number Publication date
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