JPS6239694B2 - - Google Patents
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- JPS6239694B2 JPS6239694B2 JP55043353A JP4335380A JPS6239694B2 JP S6239694 B2 JPS6239694 B2 JP S6239694B2 JP 55043353 A JP55043353 A JP 55043353A JP 4335380 A JP4335380 A JP 4335380A JP S6239694 B2 JPS6239694 B2 JP S6239694B2
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- Japan
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- capacitor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 48
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
- G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K3/00—Thermometers giving results other than momentary value of temperature
- G01K3/005—Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はある温度にて急激に発振周波数が変化
するもので例えば温度を検出する検出信号発生源
として採用するのに適した温度応答型発振回路に
関するものである。
するもので例えば温度を検出する検出信号発生源
として採用するのに適した温度応答型発振回路に
関するものである。
従来より被検出温度に応じて発振周波数が変化
する温度応答型発振回路が知られているが、温度
一周波数特性の傾斜が小さいため、所望の温度を
検出するため厳密にしきい値を定める必要があつ
た。
する温度応答型発振回路が知られているが、温度
一周波数特性の傾斜が小さいため、所望の温度を
検出するため厳密にしきい値を定める必要があつ
た。
本発明は簡単な回路構成により、所望の温度に
て発振周波数が急変し、そのため容易に正確な温
度を検出することができる温度応答型発振回路を
提供することを目的とするものである。
て発振周波数が急変し、そのため容易に正確な温
度を検出することができる温度応答型発振回路を
提供することを目的とするものである。
以下本発明の一実施例を図面により説明する
と、第１図において符号１０は公知の無安定マル
チバイブレータ回路を示している。この発振回路
は第１、第２のトランジスタ１１，１２と抵抗１
３，１４，１５，１６及びコンデンサ１７，１８
とより構成されている。端子１０１と１０３は定
電圧電源１１０に接続されている。そして前記無
安定マルチバイブレータ回路１０の第２のトラン
ジスタ１２のコレクタは抵抗５を介して出力トラ
ンジスタ４のベースに接続され、このトランジス
タ４のコレクタは出力端子１０２に接続され、こ
の端子に発振パルス信号が現われる。又前記無安
定マルチバイブレータ回路１０の第１のトランジ
スタ１１のコレクタは抵抗２を介して信号反転用
トランジスタ１のベースに接続され、このトラン
ジスタ１のコレクタはコンデンサ８（以後帰還コ
ンデンサと呼ぶ）を介して前記無安定マルチバイ
ブレータ回路の第２のトランジスタ１２のベース
に接続されている。そして前記無安定マルチバイ
ブレータの発振周期を決める一つの要素であるコ
ンデンサ１７（以後基準コンデンサと呼ぶ）と前
記帰還コンデンサ８とはトランジスタ１の反転作
用により互いに逆方向の電圧を付与される。
と、第１図において符号１０は公知の無安定マル
チバイブレータ回路を示している。この発振回路
は第１、第２のトランジスタ１１，１２と抵抗１
３，１４，１５，１６及びコンデンサ１７，１８
とより構成されている。端子１０１と１０３は定
電圧電源１１０に接続されている。そして前記無
安定マルチバイブレータ回路１０の第２のトラン
ジスタ１２のコレクタは抵抗５を介して出力トラ
ンジスタ４のベースに接続され、このトランジス
タ４のコレクタは出力端子１０２に接続され、こ
の端子に発振パルス信号が現われる。又前記無安
定マルチバイブレータ回路１０の第１のトランジ
スタ１１のコレクタは抵抗２を介して信号反転用
トランジスタ１のベースに接続され、このトラン
ジスタ１のコレクタはコンデンサ８（以後帰還コ
ンデンサと呼ぶ）を介して前記無安定マルチバイ
ブレータ回路の第２のトランジスタ１２のベース
に接続されている。そして前記無安定マルチバイ
ブレータの発振周期を決める一つの要素であるコ
ンデンサ１７（以後基準コンデンサと呼ぶ）と前
記帰還コンデンサ８とはトランジスタ１の反転作
用により互いに逆方向の電圧を付与される。
以上のように構成した本実施例の作用を第１図
の各部に現われる電圧波形を示した第２図及び第
３図と共に説明する。この第２図の２１，２２，
２３，２４及び２５の電圧波形と第３図の３１，
３２，３３，３４及び３５の電圧波形は第１図の
トランジスタ１１のコレクタ、トランジスタ１の
コレクタ、トランジスタ１２のベース、トランジ
スタ１２のコレクタ及びトランジスタ１１のベー
スに各々現われる信号である。
の各部に現われる電圧波形を示した第２図及び第
３図と共に説明する。この第２図の２１，２２，
２３，２４及び２５の電圧波形と第３図の３１，
３２，３３，３４及び３５の電圧波形は第１図の
トランジスタ１１のコレクタ、トランジスタ１の
コレクタ、トランジスタ１２のベース、トランジ
スタ１２のコレクタ及びトランジスタ１１のベー
スに各々現われる信号である。
第２図に示すごとく、仮に時間ｔ＝t1にて第１
のトランジスタ１１が遮断状態（以後オフと呼
ぶ）に、第２のトランジスタ１２が導通状態（以
後オンと呼ぶ）になつたとする。トランジスタ１
１のコレクタ電位は第２図２１１に示す如く基準
コンデンサ１７と抵抗１３と時定数で上昇する。
この時トランジスタ１は、ベース電位がトランジ
スタがオン可能な電位になる（以後ＶBEと呼ぶ）
までの時間と、トランジスタ自身の伝搬遅れ時間
とにより第２図２２に示す如くオフ状態にある。
よつて帰還コンデンサ８にはトランジスタ１のコ
レクタに接続されている側に正、トランジスタ１
２のベースに接続されている側に負の電荷が蓄え
られていることになる。
のトランジスタ１１が遮断状態（以後オフと呼
ぶ）に、第２のトランジスタ１２が導通状態（以
後オンと呼ぶ）になつたとする。トランジスタ１
１のコレクタ電位は第２図２１１に示す如く基準
コンデンサ１７と抵抗１３と時定数で上昇する。
この時トランジスタ１は、ベース電位がトランジ
スタがオン可能な電位になる（以後ＶBEと呼ぶ）
までの時間と、トランジスタ自身の伝搬遅れ時間
とにより第２図２２に示す如くオフ状態にある。
よつて帰還コンデンサ８にはトランジスタ１のコ
レクタに接続されている側に正、トランジスタ１
２のベースに接続されている側に負の電荷が蓄え
られていることになる。
時間ｔがt2に達すると、前記トランジスタ１が
オン状態となる。すると帰還コンデンサ８のトラ
ンジスタ１のコレクタに接続されている側がアー
ス電位（以後“０”電位と呼ぶ）になるため、瞬
間にトランジスタ１２のベースは第２図２３１に
示す如く逆バイアスされる。よつてトランジスタ
１２は第２図２４１に示す如く、その逆バイアス
分だけオフ状態となり、コレクタ電位が上昇す
る。このため、前記コレクタ電位の上昇によりこ
のコレクタに接続されるコンデンサ１８の他端側
すなわち、トランジスタ１１のベースは第２図２
５１に示す如く電位が持ち上がる。前記帰還コン
デンサ８には基準コンデンサ１７から電荷が流れ
込むため、帰還コンデンサ８による逆バイアスは
すぐに解除され、トランジスタ１１のベース電位
は第２図２５２に示す如く抵抗１５とコンデンサ
１８の時定数で上昇する。
オン状態となる。すると帰還コンデンサ８のトラ
ンジスタ１のコレクタに接続されている側がアー
ス電位（以後“０”電位と呼ぶ）になるため、瞬
間にトランジスタ１２のベースは第２図２３１に
示す如く逆バイアスされる。よつてトランジスタ
１２は第２図２４１に示す如く、その逆バイアス
分だけオフ状態となり、コレクタ電位が上昇す
る。このため、前記コレクタ電位の上昇によりこ
のコレクタに接続されるコンデンサ１８の他端側
すなわち、トランジスタ１１のベースは第２図２
５１に示す如く電位が持ち上がる。前記帰還コン
デンサ８には基準コンデンサ１７から電荷が流れ
込むため、帰還コンデンサ８による逆バイアスは
すぐに解除され、トランジスタ１１のベース電位
は第２図２５２に示す如く抵抗１５とコンデンサ
１８の時定数で上昇する。
時間ｔがt3に達すると、前記抵抗１５とコンデ
ンサ１８の時定数で上昇するトランジスタ１１の
ベース電位がこのトランジスタのＶBEになりトラ
ンジスタ１１はオン状態となる。するとそれまで
基準コンデンサ１７のトランジスタ１１のコレク
タ側に正、トランジスタ１２のベース側に負の電
荷が蓄えられており、前記トランジスタ１１のコ
レクタ電位が“０”電位となるため、トランジス
タ１２のベースは基準コンデンサ１７により、第
２図２３２に示す如く逆バイアスされマイナス電
位となる。よつてトランジスタ１２はオフ状態と
なる。この時トランジスタ１は前述した如く遅れ
があるためオン状態にある。
ンサ１８の時定数で上昇するトランジスタ１１の
ベース電位がこのトランジスタのＶBEになりトラ
ンジスタ１１はオン状態となる。するとそれまで
基準コンデンサ１７のトランジスタ１１のコレク
タ側に正、トランジスタ１２のベース側に負の電
荷が蓄えられており、前記トランジスタ１１のコ
レクタ電位が“０”電位となるため、トランジス
タ１２のベースは基準コンデンサ１７により、第
２図２３２に示す如く逆バイアスされマイナス電
位となる。よつてトランジスタ１２はオフ状態と
なる。この時トランジスタ１は前述した如く遅れ
があるためオン状態にある。
時間ｔがt4に達すると、トランジスタ１がオフ
状態になる。するとこれまで抵抗１４と基準コン
デンサ１７の時定数で上昇していたトランジスタ
１２のベース電位は電源→抵抗３→帰還コンデン
サ１７と電流が流れるため第２図２３４に示す如
く、急激に上昇し、帰還コンデンサ１７が満充電
されると当初の抵抗１４と基準コンデンサ１７の
時定数で上昇する。
状態になる。するとこれまで抵抗１４と基準コン
デンサ１７の時定数で上昇していたトランジスタ
１２のベース電位は電源→抵抗３→帰還コンデン
サ１７と電流が流れるため第２図２３４に示す如
く、急激に上昇し、帰還コンデンサ１７が満充電
されると当初の抵抗１４と基準コンデンサ１７の
時定数で上昇する。
時間ｔがt5に達すると、前記トランジスタ１２
のベース電位がこのトランジスタのＶBEになるた
め、トランジスタ１２はオン状態となる。すると
前記同様、トランジスタ１１のベースはコンデン
サ１８により第２図２５３に示す如く逆バイアス
され、マイナス電位となるためトランジスタ１１
はオフ状態となる。この時間ｔがt5に達した時の
動作は時間ｔがt1の時と同様である。
のベース電位がこのトランジスタのＶBEになるた
め、トランジスタ１２はオン状態となる。すると
前記同様、トランジスタ１１のベースはコンデン
サ１８により第２図２５３に示す如く逆バイアス
され、マイナス電位となるためトランジスタ１１
はオフ状態となる。この時間ｔがt5に達した時の
動作は時間ｔがt1の時と同様である。
以上記述した動作がくり返されて、本発明の回
路は発振する。
路は発振する。
ここで帰還コンデンサ８の逆バイアスで生じる
電圧（第２図２５１）は基準コンデンサ１７と帰
還コンデンサ８の容量値で定まる。すなわち基準
コンデンサ１７の容量値C17と帰還コンデンサ８
の容量値C8がC17≫C8の場合には第２図２５１の
電位が上昇しない。そして帰還コンデンサ８の容
量値C8を大きくすると、第２図２５１の電位が
大きく上昇する。
電圧（第２図２５１）は基準コンデンサ１７と帰
還コンデンサ８の容量値で定まる。すなわち基準
コンデンサ１７の容量値C17と帰還コンデンサ８
の容量値C8がC17≫C8の場合には第２図２５１の
電位が上昇しない。そして帰還コンデンサ８の容
量値C8を大きくすると、第２図２５１の電位が
大きく上昇する。
今第２図２５１の電位がトランジスタ１１のＶ
BEになるように帰還コンデンサ８の容量値C8を
設定した時の作動を第３図の電圧波形を基に説明
する。
BEになるように帰還コンデンサ８の容量値C8を
設定した時の作動を第３図の電圧波形を基に説明
する。
第３図に示す如く、仮に時間ｔ＝t′1にて前記
第２図の時間ｔ＝t1と同様で、トランジスタ１１
がオフ状態トランジスタ１２がオン状態であり、
かつトランジスタ１がオフ状態にあるとする。し
かしてトランジスタ１１のコレクタ電位は抵抗１
３と基準コンデンサ１７の時定数で上昇する。
第２図の時間ｔ＝t1と同様で、トランジスタ１１
がオフ状態トランジスタ１２がオン状態であり、
かつトランジスタ１がオフ状態にあるとする。し
かしてトランジスタ１１のコレクタ電位は抵抗１
３と基準コンデンサ１７の時定数で上昇する。
時間ｔがt′2に達すると、前述同様トランジス
タ１がオン状態となる。よつて帰還コンデンサ８
の逆バイアスによりトランジスタ１２のベース電
位は前記第２図２３１に示す電位より大きく下が
る。このためトランジスタ１２は完全にオフ状態
となり、コレクタの電位は前記第２図２４１の電
位より高くなる。よつてトランジスタ１１のベー
ス電位は前記第２図２５１の電位より上昇して、
トランジスタ１１のＶBEに達する。するとトラン
ジスタ１１はオン状態となるため、前述同様にト
ランジスタ１２のベースには第３図３３１に示す
如く基準コンデンサ１７で逆バイアスされる電位
が加わる。よつてトランジスタ１２はオフ状態を
保つことになる。又トランジスタ１はトランジス
タ１１がオン状態となるため、オン状態からオフ
状態に移る。ここでオン状態からオフ状態に移る
時間が第２図のそれと比べて早いのはトランジス
タ１のベースに印加される電圧が第３図３１に示
される如く、第２図２１に示される電圧に比べて
低いためである。他方トランジスタ１２のベース
電位は第３図３３２に示す如く抵抗１４とコンデ
ンサ１７との時定数で上昇する。
タ１がオン状態となる。よつて帰還コンデンサ８
の逆バイアスによりトランジスタ１２のベース電
位は前記第２図２３１に示す電位より大きく下が
る。このためトランジスタ１２は完全にオフ状態
となり、コレクタの電位は前記第２図２４１の電
位より高くなる。よつてトランジスタ１１のベー
ス電位は前記第２図２５１の電位より上昇して、
トランジスタ１１のＶBEに達する。するとトラン
ジスタ１１はオン状態となるため、前述同様にト
ランジスタ１２のベースには第３図３３１に示す
如く基準コンデンサ１７で逆バイアスされる電位
が加わる。よつてトランジスタ１２はオフ状態を
保つことになる。又トランジスタ１はトランジス
タ１１がオン状態となるため、オン状態からオフ
状態に移る。ここでオン状態からオフ状態に移る
時間が第２図のそれと比べて早いのはトランジス
タ１のベースに印加される電圧が第３図３１に示
される如く、第２図２１に示される電圧に比べて
低いためである。他方トランジスタ１２のベース
電位は第３図３３２に示す如く抵抗１４とコンデ
ンサ１７との時定数で上昇する。
時間ｔがt′3に達すると、トランジスタ１２の
ベース電位がＶBEに達してトランジスタ１２はオ
ン状態となり以後t′1時点と同様の作動を行う。
ベース電位がＶBEに達してトランジスタ１２はオ
ン状態となり以後t′1時点と同様の作動を行う。
以上の動作がくり返されて、第２図の状態に比
べて高い発振周波数で発振する。
べて高い発振周波数で発振する。
以上述べたことより明らかなように、発振周波
数の高低は基準コンデンサ１７と帰還コンデンサ
８の容量値で決まる。ここで、着目すべきこと
は、トランジスタのＶBEが温度に依存することで
ある。すなわち、ある温度において、第２図２３
１に現われる電位がトランジスタ１２を完全にオ
フする電位まで下がつており高い発振周波数で発
振しているとする。そして温度が上昇してトラン
ジスタのＶBEが下がると、前記電位ではトランジ
スタ１２は完全にオフしなくなる。すなわち第２
図に示されるような低い発振周波数で発振するこ
とになる。よつて帰還コンデンサ８の容量値C8
を設定することにより発振周波数が急激に変化す
る温度が定まることになる。
数の高低は基準コンデンサ１７と帰還コンデンサ
８の容量値で決まる。ここで、着目すべきこと
は、トランジスタのＶBEが温度に依存することで
ある。すなわち、ある温度において、第２図２３
１に現われる電位がトランジスタ１２を完全にオ
フする電位まで下がつており高い発振周波数で発
振しているとする。そして温度が上昇してトラン
ジスタのＶBEが下がると、前記電位ではトランジ
スタ１２は完全にオフしなくなる。すなわち第２
図に示されるような低い発振周波数で発振するこ
とになる。よつて帰還コンデンサ８の容量値C8
を設定することにより発振周波数が急激に変化す
る温度が定まることになる。
次に実験したデータの一部を第４図及び第５図
に示す。この実験で用いた主な抵抗、コンデン
サ、トランジスタは、抵抗１３，１６及び３が
11KΩ、抵抗１４，１５及び２が100KΩ、コン
デンサ１７及び１８が1000pF、トランジスタ１
１，１２及び１が2SC735（東芝社製）である。
に示す。この実験で用いた主な抵抗、コンデン
サ、トランジスタは、抵抗１３，１６及び３が
11KΩ、抵抗１４，１５及び２が100KΩ、コン
デンサ１７及び１８が1000pF、トランジスタ１
１，１２及び１が2SC735（東芝社製）である。
第４図は帰環コンデンサ８の容量値C8を163pF
にすると、常温（15℃）では約60KHzの高い発
振周波数で発振しているが、温度を上げてゆくと
約25℃で62KHzから9KHzの低い発振周波数とな
りそれ以後温度を上昇させても発振周波数は低い
周波数の傾斜にそつて上昇するだけである。次に
逆に高い温度から温度を下げてゆくと約24℃で約
61.5KHzの高い発振周波数となる。又前記容量値
C8を171pFにすると、約54℃にて高い発振周波数
から低い発振周波数に移り、５１℃で低い発振周
波数から高い発振周波数に移ることを示してい
る。このように復帰還コンデンサ８の容量値C8
と周波数急変温度の関係を図にしたのが第５図で
あり、仮に帰還コンデンサ８の容量値C8をC8＝
165pFにすれば約30℃にて発振周波数が急激に変
化することを示している。すなわち帰還コンデン
サの容量値で検出温度を任意に設定することがで
きる。
にすると、常温（15℃）では約60KHzの高い発
振周波数で発振しているが、温度を上げてゆくと
約25℃で62KHzから9KHzの低い発振周波数とな
りそれ以後温度を上昇させても発振周波数は低い
周波数の傾斜にそつて上昇するだけである。次に
逆に高い温度から温度を下げてゆくと約24℃で約
61.5KHzの高い発振周波数となる。又前記容量値
C8を171pFにすると、約54℃にて高い発振周波数
から低い発振周波数に移り、５１℃で低い発振周
波数から高い発振周波数に移ることを示してい
る。このように復帰還コンデンサ８の容量値C8
と周波数急変温度の関係を図にしたのが第５図で
あり、仮に帰還コンデンサ８の容量値C8をC8＝
165pFにすれば約30℃にて発振周波数が急激に変
化することを示している。すなわち帰還コンデン
サの容量値で検出温度を任意に設定することがで
きる。
なお、上述の実施例ではトランジスタ１１，１
２が温度に依存するものとして説明したが、トラ
ンジスタ１２のみ温度に依存するように構成して
も同様の動作が可能である。また、逆にトランジ
スタ１１のみ温度に依存するように構成すれば、
このトランジスタ１１のＶBEと第２図２５１に現
われるベース電位との関係で、このトランジスタ
１１のオン、オフ点が変わるため、トランジスタ
１２の場合とは逆に、温度がある値まで上昇する
と発振周波数が急激に高くなる特性が得られる。
２が温度に依存するものとして説明したが、トラ
ンジスタ１２のみ温度に依存するように構成して
も同様の動作が可能である。また、逆にトランジ
スタ１１のみ温度に依存するように構成すれば、
このトランジスタ１１のＶBEと第２図２５１に現
われるベース電位との関係で、このトランジスタ
１１のオン、オフ点が変わるため、トランジスタ
１２の場合とは逆に、温度がある値まで上昇する
と発振周波数が急激に高くなる特性が得られる。
なお、上述した実施例ではトランジスタ１１，
１２、および１にNPNトランジスタを用いてい
るが、PNPトランジスタを使用してもよい。ま
た、トランジスタ１１，１２として複数のトラン
ジスタを組合せた複合回路、例えばダーリントン
接続回路などを用いてもよい。
１２、および１にNPNトランジスタを用いてい
るが、PNPトランジスタを使用してもよい。ま
た、トランジスタ１１，１２として複数のトラン
ジスタを組合せた複合回路、例えばダーリントン
接続回路などを用いてもよい。
また信号反転用トランジスタ１の代わりに複数
のトランジスタを組合せたスイツチング回路を使
用してもよく、また第１のトランジスタ１１から
そのスイツチング回路への出力信号伝達のために
ホトカプラなどを使用してもよい。
のトランジスタを組合せたスイツチング回路を使
用してもよく、また第１のトランジスタ１１から
そのスイツチング回路への出力信号伝達のために
ホトカプラなどを使用してもよい。
以上述べた如く本発明においては無安定マルチ
バイブレータを構成するコンデンサの１つに逆バ
イアス電圧が印加されるように反転回路と帰還コ
ンデンサを設けたことにより、前記帰還コンデン
サの容量値で発振周波数が急激に変化する温度を
任意に設定でき、しかも出力には周波数変化とし
て現われるため、デジタル処理に適するという優
れた効果がある。
バイブレータを構成するコンデンサの１つに逆バ
イアス電圧が印加されるように反転回路と帰還コ
ンデンサを設けたことにより、前記帰還コンデン
サの容量値で発振周波数が急激に変化する温度を
任意に設定でき、しかも出力には周波数変化とし
て現われるため、デジタル処理に適するという優
れた効果がある。
第１図は本発明発振回路の一実施例を示す電気
結線図、第２図及び第３図は第１図に示した発振
回路の各部に生じる電圧波形図、第４図は第１図
に示した発振回路の発振周波数特性を示す図、第
５図は第１図に示した発振回路の周波数急変温度
と帰還コンデンサの容量値との関係を示した図で
ある。 １……反転回路をなすトランジスタ、８……帰
還コンデンサ、１０……無安定マルチバイブレー
タ、１１……第１のトランジスタ回路をなすトラ
ンジスタ、１２……第２のトランジスタ回路をな
すトランジスタ、１４，１５……時定数を定める
抵抗、１７，１８……時定数を定めるコンデン
サ。
結線図、第２図及び第３図は第１図に示した発振
回路の各部に生じる電圧波形図、第４図は第１図
に示した発振回路の発振周波数特性を示す図、第
５図は第１図に示した発振回路の周波数急変温度
と帰還コンデンサの容量値との関係を示した図で
ある。 １……反転回路をなすトランジスタ、８……帰
還コンデンサ、１０……無安定マルチバイブレー
タ、１１……第１のトランジスタ回路をなすトラ
ンジスタ、１２……第２のトランジスタ回路をな
すトランジスタ、１４，１５……時定数を定める
抵抗、１７，１８……時定数を定めるコンデン
サ。
Claims (1)
- １ 出力端子と入力端子とがCR時定数回路を介
して互いに結合され無安定マルチバイブレータを
構成する第１、第２のトランジスタ回路と、この
第１のトランジスタ回路の出力信号に応答してそ
の反転信号を作成する反転回路と、この反転回路
の反転信号を前記第２のトランジスタ回路の入力
端子に印加する帰還コンデンサとを具備し、少な
くとも前記第１、第２のトランジスタ回路の少な
くとも一方が被検出温度にさらされるようにした
ことを特徴とする温度応答型発振回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335380A JPS56140224A (en) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Temperature response-type oscillation circuit |
| US06/248,443 US4384262A (en) | 1980-04-02 | 1981-03-27 | Temperature responsive astable multivibrator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335380A JPS56140224A (en) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Temperature response-type oscillation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56140224A JPS56140224A (en) | 1981-11-02 |
| JPS6239694B2 true JPS6239694B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12661482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4335380A Granted JPS56140224A (en) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Temperature response-type oscillation circuit |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4384262A (ja) |
| JP (1) | JPS56140224A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106023890B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 温度检测电路和方法、温度补偿装置和方法、及显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2984729A (en) * | 1958-11-10 | 1961-05-16 | Collins Radio Co | Multivibrator type oven control |
| SU527607A1 (ru) * | 1975-06-02 | 1976-09-05 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Строительный Институт Имени В.В.Куйбышева | Термопреобразователь |
| US4184126A (en) * | 1978-09-27 | 1980-01-15 | Eaton Corporation | Temperature sensitive astable multivibrator |
-
1980
- 1980-04-02 JP JP4335380A patent/JPS56140224A/ja active Granted
-
1981
- 1981-03-27 US US06/248,443 patent/US4384262A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56140224A (en) | 1981-11-02 |
| US4384262A (en) | 1983-05-17 |
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