JPS6239809B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6239809B2 JPS6239809B2 JP57015581A JP1558182A JPS6239809B2 JP S6239809 B2 JPS6239809 B2 JP S6239809B2 JP 57015581 A JP57015581 A JP 57015581A JP 1558182 A JP1558182 A JP 1558182A JP S6239809 B2 JPS6239809 B2 JP S6239809B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- voltage
- point contact
- contact method
- quartz tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
- H10D62/8325—Silicon carbide
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なCu−Si−Te半導体に関する
ものである。
ものである。
従来、数多くの半導体が知られており、ダイオ
ード、トランジスタをはじめ今日の各種電気的素
子の基礎を築いている。半導体とは、例えば「電
気的伝導度が導体と絶縁体の中間で105〜10-7モ
ー（mho）の領域にあり、通常強い温度依存性を
示す結晶物質」（マクグローヒル科学技術用語大
辞典）と定義されており、代表的な半導体として
はGe、Si等が知られている。また、半導体化合
物としては、Cu2O、ZnS、CdSe、GaAs、InPな
どの化合物が知られていて、その中でもGaAs、
InPなどのpn接合はその光起電力効果を利用して
太陽電池素子として使用されている。
ード、トランジスタをはじめ今日の各種電気的素
子の基礎を築いている。半導体とは、例えば「電
気的伝導度が導体と絶縁体の中間で105〜10-7モ
ー（mho）の領域にあり、通常強い温度依存性を
示す結晶物質」（マクグローヒル科学技術用語大
辞典）と定義されており、代表的な半導体として
はGe、Si等が知られている。また、半導体化合
物としては、Cu2O、ZnS、CdSe、GaAs、InPな
どの化合物が知られていて、その中でもGaAs、
InPなどのpn接合はその光起電力効果を利用して
太陽電池素子として使用されている。
しかしながら、従来知られている半導体材料と
しては周期表〜族の元素が良く用いられてお
り、族の元素を使用した半導体は数少なかつ
た。
しては周期表〜族の元素が良く用いられてお
り、族の元素を使用した半導体は数少なかつ
た。
本発明の目的は、比較的低純度の原料で優秀な
物理的性質を得ることができる、新規なCu−Si
−Te半導体を提供しようとするものである。
物理的性質を得ることができる、新規なCu−Si
−Te半導体を提供しようとするものである。
本発明は、重量％でCu90〜５％、Si90〜５
％、Te90〜５％よりなるCu−Si−Te半導体を特
徴とするものである。
％、Te90〜５％よりなるCu−Si−Te半導体を特
徴とするものである。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
本発明の半導体を製造するには、まず純度が
各々99.999％、99.99999％、99.999％のCu、Si、
Teの高純度微粉末状金属を所定の重量だけ秤量
する。このときのCu、Si、Teの配合割合は、三
つの元素とも上限の重量％が90％、下限の重量％
が５％でCu、Si、Teの重量総和が100％になるよ
うに秤量する。Cu、Si、Te原料は混合後、焼成
ルツボに充填しルツボを封じる。原料の焼成は高
温度で結晶を成長させるために、例えば1200℃に
て20時間〜70時間加熱し半導体を製造する。その
後、点接触法により、上述の方法で作製したCu
−Si−Te半導体の−特性を測定する。
各々99.999％、99.99999％、99.999％のCu、Si、
Teの高純度微粉末状金属を所定の重量だけ秤量
する。このときのCu、Si、Teの配合割合は、三
つの元素とも上限の重量％が90％、下限の重量％
が５％でCu、Si、Teの重量総和が100％になるよ
うに秤量する。Cu、Si、Te原料は混合後、焼成
ルツボに充填しルツボを封じる。原料の焼成は高
温度で結晶を成長させるために、例えば1200℃に
て20時間〜70時間加熱し半導体を製造する。その
後、点接触法により、上述の方法で作製したCu
−Si−Te半導体の−特性を測定する。
このCu−Si−Te半導体の製造時、空気中で溶
融すると原料が酸化して半導体の結晶は得られな
い。また、溶融した結晶試料は湿度をきらい、そ
の影響で物理的測定値はかなりの変動をきたし、
結晶の質も悪くなる。以下、実施例とともに点接
触法によつて測定した−特性を表示する。
融すると原料が酸化して半導体の結晶は得られな
い。また、溶融した結晶試料は湿度をきらい、そ
の影響で物理的測定値はかなりの変動をきたし、
結晶の質も悪くなる。以下、実施例とともに点接
触法によつて測定した−特性を表示する。
実施例 １
各々99.999％、99.99999％、99.999％に精製し
たCu、Si、Teの重量比を10.0：68.5：21.5の割合
で充分に混合した後、石英管に充填し、石英管内
圧力を1.3×10-3Paにして封じる。溶融は電気炉
で1250℃の温度で50時間かけて結晶を育成した。
測定は、結晶試料を切り出して両面を研磨し、点
接触法によつて電圧−電流特性を測定した。第１
図にCu10.0％−Si68.5％−Te21.5％半導体の点接
触法による電圧−電流特性を示す。
たCu、Si、Teの重量比を10.0：68.5：21.5の割合
で充分に混合した後、石英管に充填し、石英管内
圧力を1.3×10-3Paにして封じる。溶融は電気炉
で1250℃の温度で50時間かけて結晶を育成した。
測定は、結晶試料を切り出して両面を研磨し、点
接触法によつて電圧−電流特性を測定した。第１
図にCu10.0％−Si68.5％−Te21.5％半導体の点接
触法による電圧−電流特性を示す。
実施例 ２
実施例１と同様に精製したCu、Si、Teの重量
比を33.3：33.3：33.3の割合で充分に混合した
後、石英管に充填し石英管内圧力を1.3×10-3pa
にして封じ、電気炉により1250℃の温度で50間か
けて結晶を育成した。測定は実施例１と同様点接
触法によつて測定した。第２図にCu33.3％−
Si33.3％−Ta33.3％半導体の点接触法による電圧
−電流特性を示す。
比を33.3：33.3：33.3の割合で充分に混合した
後、石英管に充填し石英管内圧力を1.3×10-3pa
にして封じ、電気炉により1250℃の温度で50間か
けて結晶を育成した。測定は実施例１と同様点接
触法によつて測定した。第２図にCu33.3％−
Si33.3％−Ta33.3％半導体の点接触法による電圧
−電流特性を示す。
実施例 ３
実施例１と同様に精製したCu、Si、Teの重量
比を60：30：10の割合で充分に混合した後、石英
管に充填し石英管内の圧力を1.3×10-3paにして
封じ、電気炉1250℃の温度で50時間かけて結晶を
育成した。測定は実施例１と同様点接触法によつ
て測定した。第３図にCu60％−Si30％−Te10％
半導体の点接触法による電圧−電流特性を示す。
比を60：30：10の割合で充分に混合した後、石英
管に充填し石英管内の圧力を1.3×10-3paにして
封じ、電気炉1250℃の温度で50時間かけて結晶を
育成した。測定は実施例１と同様点接触法によつ
て測定した。第３図にCu60％−Si30％−Te10％
半導体の点接触法による電圧−電流特性を示す。
実施例 ４
実施例１と同様に精製したCu、Si、Teの重量
比10：20：70の割合で充分に混合した後、石英管
に充填し石英管内の圧力を1.3×10-3paにして封
じ、電気炉で1250℃の温度で50時間かけて結晶を
育成した。測定は実施例１と同様点接触法によつ
て測定した。第４図にCu10％−Si20％、Te70％
半導体の点接触法による電圧−電流特性を示す。
比10：20：70の割合で充分に混合した後、石英管
に充填し石英管内の圧力を1.3×10-3paにして封
じ、電気炉で1250℃の温度で50時間かけて結晶を
育成した。測定は実施例１と同様点接触法によつ
て測定した。第４図にCu10％−Si20％、Te70％
半導体の点接触法による電圧−電流特性を示す。
上述した実施例における測定は、試料作成後約
３ケ月間空気中に放置しておいたものを測定した
値であり、用いている原料の純度もCu、Teが
99.999％、Siが99.99999％であるので、不純物に
よる影響も考えられ特性値は必ずしも固有の値に
なつていない。しかしながら、上述した各実施例
の電圧−電流特性が市販の半導体と比べても遜色
はなく優秀な値を示すのは明らかである。また、
本発明のCu−Si−Te半導体はその実施例におけ
る測定中の電流の向きからＰ型とｎ型の性質があ
ることが判明した。
３ケ月間空気中に放置しておいたものを測定した
値であり、用いている原料の純度もCu、Teが
99.999％、Siが99.99999％であるので、不純物に
よる影響も考えられ特性値は必ずしも固有の値に
なつていない。しかしながら、上述した各実施例
の電圧−電流特性が市販の半導体と比べても遜色
はなく優秀な値を示すのは明らかである。また、
本発明のCu−Si−Te半導体はその実施例におけ
る測定中の電流の向きからＰ型とｎ型の性質があ
ることが判明した。
最後に、Cu、Si、Teの成分を各々重量％で10
％〜90％と限定した理由はこの範囲内では半導体
として優秀な値を示すためである。
％〜90％と限定した理由はこの範囲内では半導体
として優秀な値を示すためである。
以上詳細に説明したように本発明のCu−Si−
Te半導体は、族のCuを使用した新規な半導体
であり、その原料であるCu、Si、Teの純度はSi
半導体製造の純度99.9999999999％と比較して低
純度であるが、電圧−電流の静特性は非常に優秀
な値を示す。また本発明のCu−Te半導体は、そ
の光起電力効果を利用して太陽電池素子として使
用できる可能性もある。
Te半導体は、族のCuを使用した新規な半導体
であり、その原料であるCu、Si、Teの純度はSi
半導体製造の純度99.9999999999％と比較して低
純度であるが、電圧−電流の静特性は非常に優秀
な値を示す。また本発明のCu−Te半導体は、そ
の光起電力効果を利用して太陽電池素子として使
用できる可能性もある。
第１図はCu10.0％−Si68.5％−Te21.5％半導体
の電圧−電流特性図、第２図はCu33.3％−Si33.3
％−Te33.3％半導体の電圧−電流特性図、第３
図はCu60％−Si30％、Te10％半導体の電圧−電
流特性図、第４図はCu10％−Si20％−Te70％半
導体の電圧−電流特性図である。
の電圧−電流特性図、第２図はCu33.3％−Si33.3
％−Te33.3％半導体の電圧−電流特性図、第３
図はCu60％−Si30％、Te10％半導体の電圧−電
流特性図、第４図はCu10％−Si20％−Te70％半
導体の電圧−電流特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量％でCu90〜５％、Si90〜５％、Te90〜
５％よりなることを特徴とするCu−Si−Te半導
体。 ２ 前記Cu、SiとTeの純度が、それぞれ99.999
％、99.99999％、99.999％であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のCu−Te半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015581A JPS58134421A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Ｃｕ‐Ｓｉ‐Ｔｅ半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015581A JPS58134421A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Ｃｕ‐Ｓｉ‐Ｔｅ半導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58134421A JPS58134421A (ja) | 1983-08-10 |
| JPS6239809B2 true JPS6239809B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=11892691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015581A Granted JPS58134421A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Ｃｕ‐Ｓｉ‐Ｔｅ半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58134421A (ja) |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP57015581A patent/JPS58134421A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58134421A (ja) | 1983-08-10 |
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