JPS6239846B2 - - Google Patents
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- JPS6239846B2 JPS6239846B2 JP55502633A JP50263380A JPS6239846B2 JP S6239846 B2 JPS6239846 B2 JP S6239846B2 JP 55502633 A JP55502633 A JP 55502633A JP 50263380 A JP50263380 A JP 50263380A JP S6239846 B2 JPS6239846 B2 JP S6239846B2
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- conductive
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0286—Programmable, customizable or modifiable circuits
- H05K1/0293—Individual printed conductors which are adapted for modification, e.g. fusable or breakable conductors, printed switches
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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- H10D86/80—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors
- H10D86/85—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors characterised by only passive components
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09736—Varying thickness of a single conductor; Conductors in the same plane having different thicknesses
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- H05K2203/171—Tuning, e.g. by trimming of printed components or high frequency circuits
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- H05K2203/17—Post-manufacturing processes
- H05K2203/175—Configurations of connections suitable for easy deletion, e.g. modifiable circuits or temporary conductors for electroplating; Processes for deleting connections
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
請求の範囲
１ 非導電性ウエーハを準備するステツプ、
前記ウエアの第１主表面上に、少なくとも１個
の導電性回路素子を与えるステツプ、 前記基板の第２主表面上に、第１所定厚さを有
し、少なくとも１つの回路素子に対向して第２所
定厚さの部分を有し、その第２所定厚さは、前記
第１所定厚さよりも実質的に薄い比較的大きな導
電性領域を与えるステツプ、 第２主表面上の導電性領域の薄い部分を蒸発さ
せるには充分なエネルギーを有し、厚い部分を蒸
発させるには不充分なエネルギーを有する低電力
レーザビームによつて、大きな導電性領域の薄い
部分の適当部分を蒸発させ、それによつて、前記
ウエーハの対向面上の導電性素子間の容量を変更
するステツプ、 を具える通信装置に使用する薄膜構造体を調整
する方法。
の導電性回路素子を与えるステツプ、 前記基板の第２主表面上に、第１所定厚さを有
し、少なくとも１つの回路素子に対向して第２所
定厚さの部分を有し、その第２所定厚さは、前記
第１所定厚さよりも実質的に薄い比較的大きな導
電性領域を与えるステツプ、 第２主表面上の導電性領域の薄い部分を蒸発さ
せるには充分なエネルギーを有し、厚い部分を蒸
発させるには不充分なエネルギーを有する低電力
レーザビームによつて、大きな導電性領域の薄い
部分の適当部分を蒸発させ、それによつて、前記
ウエーハの対向面上の導電性素子間の容量を変更
するステツプ、 を具える通信装置に使用する薄膜構造体を調整
する方法。
２ 大きな導電性領域部分を蒸発させるステツプ
は、レーザビームにより実行される、前記請求の
範囲第１項記載の方法。
は、レーザビームにより実行される、前記請求の
範囲第１項記載の方法。
３ ａ 非導電性ウエーハを準備するステツプ、
a′ ウエーハの第１主表面上に導電性回路素子を
与えるステツプ、 ｂ ウエーハの第２主表面上の比較的薄い金属層
を蒸発させるステツプ、 ｃ 光電検出材料により前記薄い金属層を被覆す
るステツプ、 ｄ 前記光電検出材料の上にマスクを配置するス
テツプ、 ｅ 前記光電検出材料の少なくとも一部を、前記
マスクを通して放射光に露出するステツプ、 ｆ 光電検出材料を現象するステツプ、 ｇ 前記光電検出材料の未硬化部分を除去するス
テツプ、 ｈ 硬化光電検出材料で被覆されていないそれら
第１金属上に比較的大量の金属層をメツキする
ステツプ、 ｉ 光電検出材料の硬化部分を除去するステツ
プ、 ｊ 全露出金属表面上に貴金属層をメツキするス
テツプ、 ｋ 比較的大量にメツキした層のない適当な金属
領域部分を蒸発することにより装置を調整し、
それにより、第２主表面の導電性領域の薄い部
分を蒸発させるには充分なエネルギーを有し、
厚い部分を蒸発させるには不充分なエネルギー
を有する低電力レーザビームによつて、対向す
る金属層間の容量を減少するステツプ、 を具える通信装置に使用する薄膜構造体を調整す
る方法。
与えるステツプ、 ｂ ウエーハの第２主表面上の比較的薄い金属層
を蒸発させるステツプ、 ｃ 光電検出材料により前記薄い金属層を被覆す
るステツプ、 ｄ 前記光電検出材料の上にマスクを配置するス
テツプ、 ｅ 前記光電検出材料の少なくとも一部を、前記
マスクを通して放射光に露出するステツプ、 ｆ 光電検出材料を現象するステツプ、 ｇ 前記光電検出材料の未硬化部分を除去するス
テツプ、 ｈ 硬化光電検出材料で被覆されていないそれら
第１金属上に比較的大量の金属層をメツキする
ステツプ、 ｉ 光電検出材料の硬化部分を除去するステツ
プ、 ｊ 全露出金属表面上に貴金属層をメツキするス
テツプ、 ｋ 比較的大量にメツキした層のない適当な金属
領域部分を蒸発することにより装置を調整し、
それにより、第２主表面の導電性領域の薄い部
分を蒸発させるには充分なエネルギーを有し、
厚い部分を蒸発させるには不充分なエネルギー
を有する低電力レーザビームによつて、対向す
る金属層間の容量を減少するステツプ、 を具える通信装置に使用する薄膜構造体を調整す
る方法。
発明の背景
本発明は通信用に使用する金属処理基板の分野
に関し、より詳細には自動小電力レーザ処理（ト
リミング）によりストリツプラインフイルタなど
薄膜構造物を調整する方法に関する。
に関し、より詳細には自動小電力レーザ処理（ト
リミング）によりストリツプラインフイルタなど
薄膜構造物を調整する方法に関する。
ストリツプラインフイルタなど回路素子につい
ては、セラミツクスなど非導電性基板に金属処理
を施すことが技術上周知である。こうしたフイル
タでは一般に、セラミツク板の片面に導電性素子
のパターンが存在し、これら素子は反対側に存在
する比較的面積の大きな基面との間に相互作用を
生じる。電気的理由からこの基面は導電率の非常
に高い層である必要があり、一般に厚い（１ミ
ル）銅メツキ層を備えている。フイルタその他の
素子では、調整上の必要から導電性基面の一部を
除去する必要のある場合がある。こうした調整は
従来研摩法により行つてきた。即ちダイヤモンド
のといし車もしくはサンドトリマを用いて基面の
一部を機械的に除去する方法である。こうした方
法は、調整しながら回路を監視し、監視装置によ
りレーザビームを極めて正確に制御するという自
動処理法になじまないことは明らかである。基板
上の厚膜レジスタは小電力（入力1.6KW）レー
ザビームで正確に処理出来るが、この電力では厚
いメツキを施した基面の処理には不十分である。
ては、セラミツクスなど非導電性基板に金属処理
を施すことが技術上周知である。こうしたフイル
タでは一般に、セラミツク板の片面に導電性素子
のパターンが存在し、これら素子は反対側に存在
する比較的面積の大きな基面との間に相互作用を
生じる。電気的理由からこの基面は導電率の非常
に高い層である必要があり、一般に厚い（１ミ
ル）銅メツキ層を備えている。フイルタその他の
素子では、調整上の必要から導電性基面の一部を
除去する必要のある場合がある。こうした調整は
従来研摩法により行つてきた。即ちダイヤモンド
のといし車もしくはサンドトリマを用いて基面の
一部を機械的に除去する方法である。こうした方
法は、調整しながら回路を監視し、監視装置によ
りレーザビームを極めて正確に制御するという自
動処理法になじまないことは明らかである。基板
上の厚膜レジスタは小電力（入力1.6KW）レー
ザビームで正確に処理出来るが、この電力では厚
いメツキを施した基面の処理には不十分である。
発明の要約
従つて、本発明の目的は、基面などを小電力レ
ーザビームで処理する方法を提供することであ
る。
ーザビームで処理する方法を提供することであ
る。
本発明の特定の目的は、標準処理段階を利用し
てこうした処理方法を提供することである。
てこうした処理方法を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、以上に加えて、基
板のその他の部分に存在するあらゆる導電層の除
去方法を提供することである。
板のその他の部分に存在するあらゆる導電層の除
去方法を提供することである。
これらの目的及びその他自明な本発明の目的
は、本発明による構造物とその作成にかかわる方
法によつて達成される。非導電性ウエーハには、
その第一の面に１個もしくはそれ以上の導電性回
路素子が形成される。ウエーハのもう一方の面に
は、微調整処理を必要とする少なくとも１個の回
路素子と対向する部分に相当な面積の導電層即ち
基面が形成される。基面はチタンの上から銅を蒸
着させた薄い導電層と、銅メツキ層など厚い導電
層と、金など貴金属の薄い保護層で構成される。
厚い銅メツキ層には、調整を必要とする素子の少
なくとも一部と対向する部分に開口部がある。従
つて調整処理は、厚膜レジスタ処理用に使用する
ような比較的小電力のレーザビームを用いて、厚
い銅メツキ層中の開口部の中にある薄い層の不連
続領域を除去することにより行なうことができ
る。
は、本発明による構造物とその作成にかかわる方
法によつて達成される。非導電性ウエーハには、
その第一の面に１個もしくはそれ以上の導電性回
路素子が形成される。ウエーハのもう一方の面に
は、微調整処理を必要とする少なくとも１個の回
路素子と対向する部分に相当な面積の導電層即ち
基面が形成される。基面はチタンの上から銅を蒸
着させた薄い導電層と、銅メツキ層など厚い導電
層と、金など貴金属の薄い保護層で構成される。
厚い銅メツキ層には、調整を必要とする素子の少
なくとも一部と対向する部分に開口部がある。従
つて調整処理は、厚膜レジスタ処理用に使用する
ような比較的小電力のレーザビームを用いて、厚
い銅メツキ層中の開口部の中にある薄い層の不連
続領域を除去することにより行なうことができ
る。
第１図はストリツプラインフイルタ基板の下面
図である。第２図は第１図の基板を線２−２で切
断した透視図である。第３図は本発明の一つの好
ましい実施例における連続階段を示した図であ
る。第４図はもう一つの実施例における連続段階
を示した図で、これにより裸（露出）基板領域も
形成される。
図である。第２図は第１図の基板を線２−２で切
断した透視図である。第３図は本発明の一つの好
ましい実施例における連続階段を示した図であ
る。第４図はもう一つの実施例における連続段階
を示した図で、これにより裸（露出）基板領域も
形成される。
好ましい実施態様の詳細な説明
わかり易くするため、既存の薄膜処理法を簡単
に記載する。先ず非導電性基板上に、その後金属
層を付着しやすいように極く薄いチタン層を施
す。次いでこのチタンの上から銅を薄く蒸着させ
る。フオトレジストを適用し、マスクを介してこ
れに紫外光を照射すると、露光しなかつた領域が
導電性領域となる。レジストを現像した後、未硬
化部を剥離し、銅の露出領域に厚い銅メツキ層を
施す。全体に金を薄くメツキし、その後基板から
硬化レジストを剥離する。これにエツチングを施
すと目的の領域では薄層が全て除去され、裸基板
が露出する。
に記載する。先ず非導電性基板上に、その後金属
層を付着しやすいように極く薄いチタン層を施
す。次いでこのチタンの上から銅を薄く蒸着させ
る。フオトレジストを適用し、マスクを介してこ
れに紫外光を照射すると、露光しなかつた領域が
導電性領域となる。レジストを現像した後、未硬
化部を剥離し、銅の露出領域に厚い銅メツキ層を
施す。全体に金を薄くメツキし、その後基板から
硬化レジストを剥離する。これにエツチングを施
すと目的の領域では薄層が全て除去され、裸基板
が露出する。
図からわかるように、本発明はセラミツクウエ
ーハ等基板１０（第２図乃至第４図を見よ）の上
のストリツプラインフイルタの微調整処理に有用
である。この実施例では、基板の可視面には、３
個の開口部即ち窓１４のある基面１２が存在す
る。基板１０の反対面には、第１図の破線に示す
ようにフイルタ回路の素子１６Ａ，１６Ｂ，１６
Ｃがある。
ーハ等基板１０（第２図乃至第４図を見よ）の上
のストリツプラインフイルタの微調整処理に有用
である。この実施例では、基板の可視面には、３
個の開口部即ち窓１４のある基面１２が存在す
る。基板１０の反対面には、第１図の破線に示す
ようにフイルタ回路の素子１６Ａ，１６Ｂ，１６
Ｃがある。
ストリツプラインフイルタは技術上周知であ
り、従来は基面全体に厚い銅層を用いた構造であ
つた。微調整処理は、ダイヤモンド研削車による
研摩法で行なわれてきた。本発明は、小電力レー
ザビームによる基面の不連続領域の除去で微調整
を行うことに関するものであるので、このフイル
タの回路面についてはこれ以上記載しない。
り、従来は基面全体に厚い銅層を用いた構造であ
つた。微調整処理は、ダイヤモンド研削車による
研摩法で行なわれてきた。本発明は、小電力レー
ザビームによる基面の不連続領域の除去で微調整
を行うことに関するものであるので、このフイル
タの回路面についてはこれ以上記載しない。
第２図の切断透視図は第１図のフイルタを線２
−２で切断した図であり、回路素子１６Ａ，１６
Ｂ，１６Ｃの縁が下面（普通はこれがフイルタの
上面と考えられる）に見える。この図では基面１
２と窓１４がセラミツクウエーハ１０の上面に存
在し、窓１４の内部の銅がその周囲の領域より薄
いのは明らかである。作図にあたつては特に厚さ
など寸法には考慮を払つておらず、一般的な寸法
関係は必要に応じて明細書本文に記載する。
−２で切断した図であり、回路素子１６Ａ，１６
Ｂ，１６Ｃの縁が下面（普通はこれがフイルタの
上面と考えられる）に見える。この図では基面１
２と窓１４がセラミツクウエーハ１０の上面に存
在し、窓１４の内部の銅がその周囲の領域より薄
いのは明らかである。作図にあたつては特に厚さ
など寸法には考慮を払つておらず、一般的な寸法
関係は必要に応じて明細書本文に記載する。
第３図は本発明の一つの実施例につき、基面の
みの一連の連続的製作段階を示したものである。
第３図Ａは裸基板１０を示しており、第３図Ｂで
はその上に極く薄い（500Å）チタン層１８がお
かれている。第３図Ｃではチタン層１８の上から
薄い（10000Å）銅の蒸着層２０が蒸着されてい
る。第３図Ｄでは、フオトレジスト薄膜２２
（RistonTM218Rのような市販製品など）を置いて
あり、フオトレジストフイルム２２のうち窓１４
（第１図及び第２図）を作るための領域１４′が露
光されるような位置関係にマスク２４を示してあ
る。このマスクを介してフオトレジストに紫外光
を照射し、現像した後、第３図Ｅに示すように未
硬化領域を除去する。領域１４以外の全ての領域
に、第３図Ｆに示すように厚い（0.7ミル乃至1.2
ミル）銅メツキ層２５をかぶせる。次いで第３図
Ｇに示すように硬化レジスト２２を剥離する。第
３図Ｈに示すように、厚い部分と薄い部分とを問
わず露出した銅の上全体に薄い（5000Å）金メツ
キ層２６をかぶせる。調整処理としては、小電力
レーザビームを手動もしくは自動制御して、窓１
４の中の薄い金や銅を、例えばストリツプライン
フイルタ調整処理の場合等必要なだけ除去するこ
とが出来る。
みの一連の連続的製作段階を示したものである。
第３図Ａは裸基板１０を示しており、第３図Ｂで
はその上に極く薄い（500Å）チタン層１８がお
かれている。第３図Ｃではチタン層１８の上から
薄い（10000Å）銅の蒸着層２０が蒸着されてい
る。第３図Ｄでは、フオトレジスト薄膜２２
（RistonTM218Rのような市販製品など）を置いて
あり、フオトレジストフイルム２２のうち窓１４
（第１図及び第２図）を作るための領域１４′が露
光されるような位置関係にマスク２４を示してあ
る。このマスクを介してフオトレジストに紫外光
を照射し、現像した後、第３図Ｅに示すように未
硬化領域を除去する。領域１４以外の全ての領域
に、第３図Ｆに示すように厚い（0.7ミル乃至1.2
ミル）銅メツキ層２５をかぶせる。次いで第３図
Ｇに示すように硬化レジスト２２を剥離する。第
３図Ｈに示すように、厚い部分と薄い部分とを問
わず露出した銅の上全体に薄い（5000Å）金メツ
キ層２６をかぶせる。調整処理としては、小電力
レーザビームを手動もしくは自動制御して、窓１
４の中の薄い金や銅を、例えばストリツプライン
フイルタ調整処理の場合等必要なだけ除去するこ
とが出来る。
第４図に、第３図に示したような窓１４のほ
か、調整処理以外の目的に役立つ裸基板領域を作
成することのできるもう一つの実施例の連続処理
段階を示す。
か、調整処理以外の目的に役立つ裸基板領域を作
成することのできるもう一つの実施例の連続処理
段階を示す。
第４図ＡからＤまでは、マスク２４−１に窓も
しくは開口部１４のための領域１４′のほか裸基
板領域２８（第４図Ｍを見よ）のための領域２
８′が備わつている点を除いて、第３図ＡからＤ
までと同じである。マスク２４−１を介してフオ
トレジスト２２に紫外光照射を施してから現像し
た後、第４図Ｅに見るように未硬化レジストを除
去し、領域２２−１と２２−２を残す。その後、
厚い銅メツキ層２５を（第４図Ｆ）、次いで薄い
金メツキ層２６をかぶせる（第４図Ｇ）。第４図
Ｈに示すようにフオトレジスト２２の硬化領域を
剥離してから、全体にわたつてもう一度フオトレ
ジスト層３０を当てがう（第４図Ｉ）。このフオ
トレジストには領域１４′を除いて全体にわた
り、第２のマスク２４−２を介して露光処理を行
い、フオトレジストを現像する。未硬化レジス
ト、即ち領域１４′内のレジストを除去した後
（第４図Ｊ）、第４図Ｋに示すようにその領域を金
でメツキする（金メツキ層２６）。硬化レジスト
を除去し（第４図Ｌ）、領域２８′を除いて全露出
表面に金メツキを施す。ここでエツチングを行う
と（第４図Ｍ）、領域２８では銅とチタンの薄層
が除去されて、裸基板が露出する。
しくは開口部１４のための領域１４′のほか裸基
板領域２８（第４図Ｍを見よ）のための領域２
８′が備わつている点を除いて、第３図ＡからＤ
までと同じである。マスク２４−１を介してフオ
トレジスト２２に紫外光照射を施してから現像し
た後、第４図Ｅに見るように未硬化レジストを除
去し、領域２２−１と２２−２を残す。その後、
厚い銅メツキ層２５を（第４図Ｆ）、次いで薄い
金メツキ層２６をかぶせる（第４図Ｇ）。第４図
Ｈに示すようにフオトレジスト２２の硬化領域を
剥離してから、全体にわたつてもう一度フオトレ
ジスト層３０を当てがう（第４図Ｉ）。このフオ
トレジストには領域１４′を除いて全体にわた
り、第２のマスク２４−２を介して露光処理を行
い、フオトレジストを現像する。未硬化レジス
ト、即ち領域１４′内のレジストを除去した後
（第４図Ｊ）、第４図Ｋに示すようにその領域を金
でメツキする（金メツキ層２６）。硬化レジスト
を除去し（第４図Ｌ）、領域２８′を除いて全露出
表面に金メツキを施す。ここでエツチングを行う
と（第４図Ｍ）、領域２８では銅とチタンの薄層
が除去されて、裸基板が露出する。
以上に、標準的な処理段階のみを使用して基板
上に調整可能な回路素子を作成し、且つこの素子
を小電力レーザビームで調整処理する方法を明ら
かにした。本発明には、本発明の精神と請求の範
囲に属するあらゆる変形及び変更が含まれるもの
とする。
上に調整可能な回路素子を作成し、且つこの素子
を小電力レーザビームで調整処理する方法を明ら
かにした。本発明には、本発明の精神と請求の範
囲に属するあらゆる変形及び変更が含まれるもの
とする。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/084,941 US4288530A (en) | 1979-10-15 | 1979-10-15 | Method of tuning apparatus by low power laser beam removal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56501149A JPS56501149A (ja) | 1981-08-13 |
| JPS6239846B2 true JPS6239846B2 (ja) | 1987-08-25 |
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ID=22188178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55502633A Expired JPS6239846B2 (ja) | 1979-10-15 | 1980-09-15 |
Country Status (6)
| Country | Link |
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| US (1) | US4288530A (ja) |
| EP (1) | EP0037421B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6239846B2 (ja) |
| CA (1) | CA1145858A (ja) |
| DE (1) | DE3068442D1 (ja) |
| WO (1) | WO1981001079A1 (ja) |
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1979
- 1979-10-15 US US06/084,941 patent/US4288530A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-09-15 JP JP55502633A patent/JPS6239846B2/ja not_active Expired
- 1980-09-15 WO PCT/US1980/001202 patent/WO1981001079A1/en not_active Ceased
- 1980-09-15 DE DE8080902196T patent/DE3068442D1/de not_active Expired
- 1980-09-23 CA CA000360829A patent/CA1145858A/en not_active Expired
-
1981
- 1981-04-21 EP EP80902196A patent/EP0037421B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0037421A1 (en) | 1981-10-14 |
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| WO1981001079A1 (en) | 1981-04-16 |
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