JPS6240433A - エレクトロクロミツク・デバイス - Google Patents
エレクトロクロミツク・デバイスInfo
- Publication number
- JPS6240433A JPS6240433A JP60181423A JP18142385A JPS6240433A JP S6240433 A JPS6240433 A JP S6240433A JP 60181423 A JP60181423 A JP 60181423A JP 18142385 A JP18142385 A JP 18142385A JP S6240433 A JPS6240433 A JP S6240433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrochromic device
- oxide
- electrochromic
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は新規で有用なエレクトロクロミック・デバイス
に関するものである。
に関するものである。
(発明の背景)
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が起
こり可逆的に着色する減少をエレクトロクロミズムと言
う。このような減少を示すエレクトロクロミック(以下
、ECと略称する)物質を用いて、電圧操作により着消
色するECデバイス(以下、ECDと略す)を作り、こ
のECDを光量制御素子(例えば、防眩ミラー)や7セ
グメントを利用した数字表示素子に利用しようとする試
みは、20年以上前から行われている。例えば、ガラス
基板の上に透明電極膜(陰掻)、三酸化タングステン薄
膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜(陽極)を順
次積層してなるECD (特公昭52−46098参照
)が全固体型ECDとして知られている。このECDに
電圧を印加すると三酸化タングステン(WOz)薄膜が
可逆的に電解還元されて青色に着色する。その後、この
ECDに逆の電圧を印加すると、WO1薄膜の青色が消
えて無色になる。
こり可逆的に着色する減少をエレクトロクロミズムと言
う。このような減少を示すエレクトロクロミック(以下
、ECと略称する)物質を用いて、電圧操作により着消
色するECデバイス(以下、ECDと略す)を作り、こ
のECDを光量制御素子(例えば、防眩ミラー)や7セ
グメントを利用した数字表示素子に利用しようとする試
みは、20年以上前から行われている。例えば、ガラス
基板の上に透明電極膜(陰掻)、三酸化タングステン薄
膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜(陽極)を順
次積層してなるECD (特公昭52−46098参照
)が全固体型ECDとして知られている。このECDに
電圧を印加すると三酸化タングステン(WOz)薄膜が
可逆的に電解還元されて青色に着色する。その後、この
ECDに逆の電圧を印加すると、WO1薄膜の青色が消
えて無色になる。
今日まで、種々のタイプ0ECDが提案されたが、有用
性に欠け、実用化されることはなかった。
性に欠け、実用化されることはなかった。
(発明の目的)
本発明の目的は、新規でかつ有用なECDを提供するこ
とにある。
とにある。
(発明の概要)
本発明はX線回折したとき、C軸方向に■20゜格子面
が配向し、a、b軸方向にはランダムな非晶質構造であ
るか、又はa、b軸方向の格子が整列安定化して層状構
造である7203層(1)、イオン導電層(2)、可逆
的電極還元層(3)、表示電極(4)及び対向電極<5
)からなることを特徴とするエレクトロクロミック・デ
バイスを提供する。
が配向し、a、b軸方向にはランダムな非晶質構造であ
るか、又はa、b軸方向の格子が整列安定化して層状構
造である7203層(1)、イオン導電層(2)、可逆
的電極還元層(3)、表示電極(4)及び対向電極<5
)からなることを特徴とするエレクトロクロミック・デ
バイスを提供する。
前記の如き、V2O6層(1)は、化学成分的にはv2
0.をマトリックスとする非晶質酸化物であり、一般式
: %式%) で表される。ここに於いて、M、0□は、金属酸化物又
は半金属酸化物であり、0≦X<tである。
0.をマトリックスとする非晶質酸化物であり、一般式
: %式%) で表される。ここに於いて、M、0□は、金属酸化物又
は半金属酸化物であり、0≦X<tである。
M、、0□としては、目的に応じて各種の酸化物を使用
することができ、例えばI族のLi、Na。
することができ、例えばI族のLi、Na。
K、Csの酸化物、■族のBe、Mg、Ca、Sr。
Baの酸化物、■族のYの酸化物、■族のTi。
Zrの酸化物、■族のNb、Taの酸化物、VIa族の
Cr、Mo、Wの酸化物、■a族のMn酸化物、■族の
Fe、 Co、 Ni、 Ru、 Rh、 Pd。
Cr、Mo、Wの酸化物、■a族のMn酸化物、■族の
Fe、 Co、 Ni、 Ru、 Rh、 Pd。
O3の酸化物、Ib族のCu、Ag、Auの酸化物、m
b族のZn、Cd、Hgの酸化物、mb族のB、Al、
Ga、In、TIの酸化物、Nb族のS i+ G e
、S n 、P bの酸化物、vb族のP。
b族のZn、Cd、Hgの酸化物、mb族のB、Al、
Ga、In、TIの酸化物、Nb族のS i+ G e
、S n 、P bの酸化物、vb族のP。
As、Sb、Biの酸化物、vtb族のSe、Teの酸
化物、ランタニド系のLa、(、e、Nd、Cd。
化物、ランタニド系のLa、(、e、Nd、Cd。
Tb、Erの酸化物が使用できる。これらの酸化物の効
果としては、例えば、Bi、Ti、Te。
果としては、例えば、Bi、Ti、Te。
Ge、Cr、Fe、Ag、W等の酸化物は、光学的に感
度を向上させること、Cr、Mo、W、Fe。
度を向上させること、Cr、Mo、W、Fe。
c o 、 T s 2 N b + N t
+ Cu 、 A g 、 T ! + P
b 。
+ Cu 、 A g 、 T ! + P
b 。
Bi、Nd等の酸化物は、光学的な効果を付与すること
などがあげられる。これらの酸化物は、単独で使用して
もよく、目的に応じて適宜に2成分以上組み合わせて使
用することもできる。
などがあげられる。これらの酸化物は、単独で使用して
もよく、目的に応じて適宜に2成分以上組み合わせて使
用することもできる。
(Vz Os ) +−x ・ (My Oz )X
の組成を有する非晶質酸化物の液状物例えば水溶液、ゾ
ル溶液又はゲル溶液は、例えば次のような方法で調製す
ることができる。
の組成を有する非晶質酸化物の液状物例えば水溶液、ゾ
ル溶液又はゲル溶液は、例えば次のような方法で調製す
ることができる。
i ) (Vz Os ) +−x ・ (M、O
z )になる組成の非晶質酸化物を形成させ、これを溶
媒に溶解または分散せしめる方法。この場合、非晶質酸
化物の製法は、公知の方法でよく、例えば原料酸化物を
加熱溶融せしめ、高速回転ロール面または冷却板上に吹
き出して急冷する方法、原料酸化物をぜ 加熱溶融きしめ、高圧ガスにてアトマイズ化せしめて急
冷する方法、PVDまたはCVD法により原料を蒸発、
イオン化または気相反応せしめて基板上に堆積させる方
法等をあげることができる。
z )になる組成の非晶質酸化物を形成させ、これを溶
媒に溶解または分散せしめる方法。この場合、非晶質酸
化物の製法は、公知の方法でよく、例えば原料酸化物を
加熱溶融せしめ、高速回転ロール面または冷却板上に吹
き出して急冷する方法、原料酸化物をぜ 加熱溶融きしめ、高圧ガスにてアトマイズ化せしめて急
冷する方法、PVDまたはCVD法により原料を蒸発、
イオン化または気相反応せしめて基板上に堆積させる方
法等をあげることができる。
ii ) 原料酸化物を加熱溶融せしめ、溶媒中に流
し込み急冷と同時に溶解させる方法。
し込み急冷と同時に溶解させる方法。
iii ) バナジウム及び他の添加物のアルコラー
ドから溶液を調製する方法、バナジウム酸塩より溶液を
調製する方法。
ドから溶液を調製する方法、バナジウム酸塩より溶液を
調製する方法。
前記の液状物は、水を溶媒とし、酸化物の濃度は0.0
01〜10重量%程度とすればよいが、均−な薄膜を形
成させるためにはo、 o’ o i〜5.0重量%程
度とすることが好ましい。濃度が0.001重量%未満
では塗布むらが発生しやすく、5.0重量%を上回ると
塗布膜の厚さむらが発生しやすいので好ましくない。
01〜10重量%程度とすればよいが、均−な薄膜を形
成させるためにはo、 o’ o i〜5.0重量%程
度とすることが好ましい。濃度が0.001重量%未満
では塗布むらが発生しやすく、5.0重量%を上回ると
塗布膜の厚さむらが発生しやすいので好ましくない。
上記、液状物を塗布する基板や電極の親水性が悪い場合
には、液状物と基板や電極とのなじみ性を向上させる目
的で上記液状物に有機系溶媒を添加してもよい。有機系
溶媒としては、一般的なものでもよく、代表例としてメ
タノール、エタノール、アセトン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等をあげることができる。有
機系溶媒の添加量は、上記液状物量の0.01〜10倍
程度と程度ばよい。また、上記液状物の粘性を均一にし
て、均質な塗布膜を形成させ、且つ、基板や電極との密
着性を向上させるために該液状物に高分子材料を添加し
てもよい。高分子材料としては、例えばポリビニルアル
コール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリ呈
チレングリコール等の有機系材料、ポリリン酸、水ガラ
ス等の無機系材料を使用することができる。また、有機
系溶剤と併用することにより、ポリメチルメタアクリレ
ート、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエステル
等を使用することもできる。高分子材料の添加量は、液
状物に対して0.01〜10%程度とすればよい。本発
明では、更に、これらの溶液に、溶液の安定性を向上さ
せるための安定化材、PH調整材、乳化材等を添加する
こともできる。
には、液状物と基板や電極とのなじみ性を向上させる目
的で上記液状物に有機系溶媒を添加してもよい。有機系
溶媒としては、一般的なものでもよく、代表例としてメ
タノール、エタノール、アセトン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等をあげることができる。有
機系溶媒の添加量は、上記液状物量の0.01〜10倍
程度と程度ばよい。また、上記液状物の粘性を均一にし
て、均質な塗布膜を形成させ、且つ、基板や電極との密
着性を向上させるために該液状物に高分子材料を添加し
てもよい。高分子材料としては、例えばポリビニルアル
コール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリ呈
チレングリコール等の有機系材料、ポリリン酸、水ガラ
ス等の無機系材料を使用することができる。また、有機
系溶剤と併用することにより、ポリメチルメタアクリレ
ート、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエステル
等を使用することもできる。高分子材料の添加量は、液
状物に対して0.01〜10%程度とすればよい。本発
明では、更に、これらの溶液に、溶液の安定性を向上さ
せるための安定化材、PH調整材、乳化材等を添加する
こともできる。
本発明では、上記した方法によって調製した液状物を電
極(4)又は(5)を設けた基板又はイオン導電層(2
)、電解還元層(3)及び電極(4)又は(5)を設け
た基↓ 板上に塗布する。基板としは、特に制限はなく、目的に
応じて、ガラス製、金属製、合成樹脂製のものなどが使
用できる。色変化を見せたい層(1)又は(3)の上に
乗る表示電極(4)に使用できる透明電極としては、特
に制限はなく、例えばITO1SnO2、In、Oz
、Sbz 03等をあげることができ、常法に従って基
板上に設置すればよい。また、対向電極(5)として使
用できるものも、特に制限はなく、例えばアルミニウム
1.金、銅、インジウム、スズ等の金属やSn○z、1
nz03.ITOlZnO等の透明電極を目的に応じて
使用すればよく、常法により、例えば、蒸着、スパッタ
リング、メッキ等の方法で基板上に形成させることがで
きる。
極(4)又は(5)を設けた基板又はイオン導電層(2
)、電解還元層(3)及び電極(4)又は(5)を設け
た基↓ 板上に塗布する。基板としは、特に制限はなく、目的に
応じて、ガラス製、金属製、合成樹脂製のものなどが使
用できる。色変化を見せたい層(1)又は(3)の上に
乗る表示電極(4)に使用できる透明電極としては、特
に制限はなく、例えばITO1SnO2、In、Oz
、Sbz 03等をあげることができ、常法に従って基
板上に設置すればよい。また、対向電極(5)として使
用できるものも、特に制限はなく、例えばアルミニウム
1.金、銅、インジウム、スズ等の金属やSn○z、1
nz03.ITOlZnO等の透明電極を目的に応じて
使用すればよく、常法により、例えば、蒸着、スパッタ
リング、メッキ等の方法で基板上に形成させることがで
きる。
液状物の塗布方法は、通常の方法でよく、例えばスプレ
ー法、コーター法、ハケ塗り法、スピンナー法、浸漬法
等によって行えばよい。
ー法、コーター法、ハケ塗り法、スピンナー法、浸漬法
等によって行えばよい。
塗布後は、室温から500℃程度までの温度で乾燥する
。乾燥(熱処理)する。乾燥により、水分が除去され、
酸化物の分子構造が安定化して、平滑で均一な薄膜(1
1が得られる。膜厚は0.05〜10μm程度とすれば
よい。具体的な乾燥温度は、(V20S ) +−x
・ (M、0□)Xの種類によって決まり、結晶化温
度よりも低い温度とする。
。乾燥(熱処理)する。乾燥により、水分が除去され、
酸化物の分子構造が安定化して、平滑で均一な薄膜(1
1が得られる。膜厚は0.05〜10μm程度とすれば
よい。具体的な乾燥温度は、(V20S ) +−x
・ (M、0□)Xの種類によって決まり、結晶化温
度よりも低い温度とする。
乾燥により得られる薄膜(1)は、X線回折によれば、
乾燥温度が室温からガラス転移点の間の場合には、C軸
方向にV2O5格子面が配向し、a、b軸方向には非常
にランダムな非晶質構造である。
乾燥温度が室温からガラス転移点の間の場合には、C軸
方向にV2O5格子面が配向し、a、b軸方向には非常
にランダムな非晶質構造である。
また乾燥温度がガラス転移点から結晶化温度までの間で
は、a軸、b軸方向の格子が整列安定化し、層状構造と
なる。非晶質構造または層状構造を構成する酸化物はV
2O,であり、M、O,は、V2O5の眉間に存在し、
除去されずに残留する水分がある場合には、水分と共に
■20.の層間に存在する。
は、a軸、b軸方向の格子が整列安定化し、層状構造と
なる。非晶質構造または層状構造を構成する酸化物はV
2O,であり、M、O,は、V2O5の眉間に存在し、
除去されずに残留する水分がある場合には、水分と共に
■20.の層間に存在する。
また、(Vz Os ) +−x ・(MyOz )
x T:表される非晶質酸化物を含む液状物に他のE
C物質、染料、色素及び液晶の少なくとも1種を加え、
この液状物を、電極(4)又は(5)を設けた基板その
他に塗布し、乾燥させてもよい。これにより、着色効率
の向上や、表示前又は表示時の色の変更を図る。
x T:表される非晶質酸化物を含む液状物に他のE
C物質、染料、色素及び液晶の少なくとも1種を加え、
この液状物を、電極(4)又は(5)を設けた基板その
他に塗布し、乾燥させてもよい。これにより、着色効率
の向上や、表示前又は表示時の色の変更を図る。
この様なV2O3層(1)は、電極(4)と電極(5)
との間に電圧を印加するとイオン導電層(2)よりH”
(やLi”)等の陽イオンR゛電極(4)より電子
がV2O 0、層(1)ニ注入され、RXV20s (ただし0
〈Xく1)を生成する。そして、これにともなって色調
も変化する。HXVz Osは、Xが1に近づくと暗緑
色を呈し、eに近づくと黄ないし橙色を呈する。この場
合、7205層(11に他の添加物例えば酸化物MyO
zを混合することにより、他の色に変えることも可能で
ある。
との間に電圧を印加するとイオン導電層(2)よりH”
(やLi”)等の陽イオンR゛電極(4)より電子
がV2O 0、層(1)ニ注入され、RXV20s (ただし0
〈Xく1)を生成する。そして、これにともなって色調
も変化する。HXVz Osは、Xが1に近づくと暗緑
色を呈し、eに近づくと黄ないし橙色を呈する。この場
合、7205層(11に他の添加物例えば酸化物MyO
zを混合することにより、他の色に変えることも可能で
ある。
電解還元層(3)が還元状態にあるときには、V2O、
層(1)は酸化状態にあり、N(3)が酸化状態にある
ときには、V2O6層(1)は還元状態にあり、電圧印
加の方向によって、 を繰り返す。
層(1)は酸化状態にあり、N(3)が酸化状態にある
ときには、V2O6層(1)は還元状態にあり、電圧印
加の方向によって、 を繰り返す。
上記方法によってV2O5層(1)を形成させた後、必
要に応じてイオン導電層(2)、電解還元層(3)、電
極(4)又は(5)を積層してECDを作成する。
要に応じてイオン導電層(2)、電解還元層(3)、電
極(4)又は(5)を積層してECDを作成する。
イオン導電N(2)は、本発明のECDにメモリ性即ち
発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が保持さ
れる性質をもたせるために設けられる。
発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が保持さ
れる性質をもたせるために設けられる。
イオン導電層(2)は、層(11及び層(3)の酸化・
還元に伴って必要な電荷を供給又は収奪する陽イオンを
透過し、且つ電子を透過しないものである。このような
陽イオンとしては、H” 、Li” 、Na” 。
還元に伴って必要な電荷を供給又は収奪する陽イオンを
透過し、且つ電子を透過しないものである。このような
陽イオンとしては、H” 、Li” 、Na” 。
K+などが使用される。イオンは常体(電圧非印加時)
にイオンである必要は特になく、電圧が印加されたとき
にイオンが生成すればよい。従って、イオン源として水
Drzo)を利用することも可能である。水は大気中か
ら層内に侵入する水分でも十分である。
にイオンである必要は特になく、電圧が印加されたとき
にイオンが生成すればよい。従って、イオン源として水
Drzo)を利用することも可能である。水は大気中か
ら層内に侵入する水分でも十分である。
イオン導電層(2)は、それを通して下層の色変化を見
せようとする場合には、当然のことながら透明でなけれ
ばならない。
せようとする場合には、当然のことながら透明でなけれ
ばならない。
具体的なイオン導電層(2)の材料としては次のものが
例示される。
例示される。
■少量の水分を含む酸化タンタル(TazO3)、酸化
ニオブ(Nb20.)、酸化ジルコニウム(ZrO2)
、酸化チタン(T i Oz ) 、酸化ハフニウム(
Hf O□)、酸化イツトリウム(V2O3)、酸化ラ
ンタン(L az O:l ) 、酸化硅素(S i
Ox ) 、フッ化マグネシウム、リン酸ジルコニウム
あるいはこれらの混合物質〔これらの物質は、電子に対
して絶縁体であるが、プロトン(Hl及びヒドロキシイ
オン(OH−)に対しては良導体である。〕 ; ■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、Na:+ Z r2S iz POlz、
Na、、Z rs S ix P3−X 012、Na
5YSi40+2.RbAg4 Is等の固体電解質;
■イオン又はイオン供給源を含有する合成樹脂、例えば
メタクリル酸β−ヒドロキシエチルと2−アクリルアミ
ド−2−メチルプロパンスルホン酸との共重合体、メタ
クリルン酸メチル共重合体のようなビニル重合体、ポリ
エステルなど;■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸、
酢酸、酪酸、しゅう酸のような無機酸、有機酸またはそ
の水溶液、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのような
アルカリの水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩
化カリウム、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶
液; ■半固体ゲル電解質、例えば電解水溶液をゲル化剤例え
ばポリビニルアルコール、cMc、寒天、ゼラチン等で
ゲル化させたちの; などがあげられる。
ニオブ(Nb20.)、酸化ジルコニウム(ZrO2)
、酸化チタン(T i Oz ) 、酸化ハフニウム(
Hf O□)、酸化イツトリウム(V2O3)、酸化ラ
ンタン(L az O:l ) 、酸化硅素(S i
Ox ) 、フッ化マグネシウム、リン酸ジルコニウム
あるいはこれらの混合物質〔これらの物質は、電子に対
して絶縁体であるが、プロトン(Hl及びヒドロキシイ
オン(OH−)に対しては良導体である。〕 ; ■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、Na:+ Z r2S iz POlz、
Na、、Z rs S ix P3−X 012、Na
5YSi40+2.RbAg4 Is等の固体電解質;
■イオン又はイオン供給源を含有する合成樹脂、例えば
メタクリル酸β−ヒドロキシエチルと2−アクリルアミ
ド−2−メチルプロパンスルホン酸との共重合体、メタ
クリルン酸メチル共重合体のようなビニル重合体、ポリ
エステルなど;■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸、
酢酸、酪酸、しゅう酸のような無機酸、有機酸またはそ
の水溶液、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのような
アルカリの水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩
化カリウム、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶
液; ■半固体ゲル電解質、例えば電解水溶液をゲル化剤例え
ばポリビニルアルコール、cMc、寒天、ゼラチン等で
ゲル化させたちの; などがあげられる。
従って、イオン導電層(C1は、真空薄膜形成技術、厚
膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成される。
膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成される。
C01層の厚さは材料によって0.001μm−1mm
位まで様々となる。
位まで様々となる。
回腸的電解還元N(3)は、V2O,(1)の補助的な
役割を果たし、VzOs層(1)の酸化時に還元し、還
元時には酸化して、V2O,層(1)の反応に伴う望ま
しくない副反応を抑制すると共にVzOsli(1)の
反応速度を高める。従って、層(3)は層(3)のない
ECDに比べて、ECDの寿命を延ばし、着消色応答速
度、着色濃度、高温耐久性及び定温時の応答速度などを
それぞれ高める。
役割を果たし、VzOs層(1)の酸化時に還元し、還
元時には酸化して、V2O,層(1)の反応に伴う望ま
しくない副反応を抑制すると共にVzOsli(1)の
反応速度を高める。従って、層(3)は層(3)のない
ECDに比べて、ECDの寿命を延ばし、着消色応答速
度、着色濃度、高温耐久性及び定温時の応答速度などを
それぞれ高める。
このような層(3)は、常体で透明でも不透明でも無色
でも着色していてもよく、還元後、どのように変化して
もよい。仮に還元後、着色するか色変化が生じるECD
物質で構成してもよい。
でも着色していてもよく、還元後、どのように変化して
もよい。仮に還元後、着色するか色変化が生じるECD
物質で構成してもよい。
可逆的電解還元層(3)の具体的な材料としては、無機
系ではWO,、PWA (phosphotungst
ic acid ) 、Mo5s 、WOs /MOO
3、Nbz Os、T i O2、Wq N b604
?、WO3/ReO3、WOz /Aus F ea
” (MII (CN)b ):r”−(ただし、M=
Fe” 、Ru” 、Os■)等があげられ、 有機系では、ビオロゲンコンプレックス、テトラチオフ
ルバレン、ボソフェナンスオロリン錯体、希土類シフタ
ロジアニン錯体、アントラキノンとピラゾリンの組合せ
等があげられる。
系ではWO,、PWA (phosphotungst
ic acid ) 、Mo5s 、WOs /MOO
3、Nbz Os、T i O2、Wq N b604
?、WO3/ReO3、WOz /Aus F ea
” (MII (CN)b ):r”−(ただし、M=
Fe” 、Ru” 、Os■)等があげられ、 有機系では、ビオロゲンコンプレックス、テトラチオフ
ルバレン、ボソフェナンスオロリン錯体、希土類シフタ
ロジアニン錯体、アントラキノンとピラゾリンの組合せ
等があげられる。
このような層(3)は、真空薄膜形成技術例えば真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティングまたは厚膜
法やプレスで形成され、厚さは一般に0.001μm〜
0.11もあれば十分である。
着、スパッタリング、イオンブレーティングまたは厚膜
法やプレスで形成され、厚さは一般に0.001μm〜
0.11もあれば十分である。
層(1)にせよ層(3)にせよ、その層の色変化を見せ
たい層の上に来る電極層は透明電極である表示電極(4
)にする必要がある。仮にイオン導電層(2)が透明で
対向電極(5)も透明であれば、透過型0ECDが得ら
れる。
たい層の上に来る電極層は透明電極である表示電極(4
)にする必要がある。仮にイオン導電層(2)が透明で
対向電極(5)も透明であれば、透過型0ECDが得ら
れる。
こうして本発明0ECDが構成される。本発明のECD
は、第1図に示すように一般には、V2C、層(1)イ
オン導電N(2)、還元層(3)及び表示電極(4)及
び対向電極(5)、5層構造からなるが、第2A図及び
第2B図に示すような構造であってもよい。
は、第1図に示すように一般には、V2C、層(1)イ
オン導電N(2)、還元層(3)及び表示電極(4)及
び対向電極(5)、5層構造からなるが、第2A図及び
第2B図に示すような構造であってもよい。
図中、(slは基板、(6)は補助電極である。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。
本発明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
シート抵抗約20Ω/d膜厚:約2000人のI T
O+1)の蒸着されたガラス基板(3)上にVz 05
10wt%コロイド水溶液をスピナーで回転塗布し、8
0℃で乾燥し、厚さ約2000人の水和型非晶質V2O
,層(1)を成膜した。
O+1)の蒸着されたガラス基板(3)上にVz 05
10wt%コロイド水溶液をスピナーで回転塗布し、8
0℃で乾燥し、厚さ約2000人の水和型非晶質V2O
,層(1)を成膜した。
次に層(1)上にイオン導電層(2)として7’az
os膜を真空蒸着法により膜厚約5000人になるよう
に成膜した。条件は以下の通りであった。
os膜を真空蒸着法により膜厚約5000人になるよう
に成膜した。条件は以下の通りであった。
蒸発源:Ta、O。
真空度:5X10−’ Torr
O□分圧: 4 X 10−’ Torr基板温度=
20℃ その上に更に下記条件: 蒸発源:WO3 真空度:5X10−b Torr Ar分圧: 4 X 10−’ Torr基板温度:
20℃ の下に真空蒸着により、可逆的電解還元層(3)として
膜厚15000人の透明な非晶質WO3層を形成させた
。
20℃ その上に更に下記条件: 蒸発源:WO3 真空度:5X10−b Torr Ar分圧: 4 X 10−’ Torr基板温度:
20℃ の下に真空蒸着により、可逆的電解還元層(3)として
膜厚15000人の透明な非晶質WO3層を形成させた
。
最後にWO3層(3)の上に下記条件のRFイオンプレ
ティングで膜厚約2000人のITO(SnO□5wt
%添加rnzo)の対向電極(5)を成膜した。
ティングで膜厚約2000人のITO(SnO□5wt
%添加rnzo)の対向電極(5)を成膜した。
得られたECDの構造は第1図に示す通りである。
表示電極(4)に対して対向電極(5)が−1,5■に
なるように電圧を印加すると青黒色に着色し、+1.5
V印加すると薄縁色になった。対向電極(5)をグラン
ドレベルとした時のI−Vカーブを第3図に示す。
なるように電圧を印加すると青黒色に着色し、+1.5
V印加すると薄縁色になった。対向電極(5)をグラン
ドレベルとした時のI−Vカーブを第3図に示す。
(発明の効果)
以上の通り、本発明によれば、着色効率が高く、色の種
類及び変化が多様で寿命が長く、応答速度及び着色濃度
及び高温耐久性及び定温時の応答速度などがいずれも高
いECDが得られる。更に第3図にあげたI−Vカーブ
より着色濃度を一定にする駆動が容易であることがわか
る。また塗布による成膜法を用いる為、大面積素子を造
ることが容易である。従って、本発明0ECDは有用で
実用化価値が高い。
類及び変化が多様で寿命が長く、応答速度及び着色濃度
及び高温耐久性及び定温時の応答速度などがいずれも高
いECDが得られる。更に第3図にあげたI−Vカーブ
より着色濃度を一定にする駆動が容易であることがわか
る。また塗布による成膜法を用いる為、大面積素子を造
ることが容易である。従って、本発明0ECDは有用で
実用化価値が高い。
第1図は、本発明のECDの代表的な構造を示す説明図
である。 ぴ” 第2A図およヂ第2B図も、同じく説明図である。 第3図は、実施例のECDのI−Vカーブを示すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 1−・−・−・−・−・−・V、 O,層2 −−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−イオン導電層3−−
−−−−一・−−一−−−−−−−・可逆的電解還元層
4−・・−・−−一−−・・・−・−・表示電極5−・
−・・−・−・・−・対向電極 出願人 日本光学工業株式会社
である。 ぴ” 第2A図およヂ第2B図も、同じく説明図である。 第3図は、実施例のECDのI−Vカーブを示すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 1−・−・−・−・−・−・V、 O,層2 −−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−イオン導電層3−−
−−−−一・−−一−−−−−−−・可逆的電解還元層
4−・・−・−−一−−・・・−・−・表示電極5−・
−・・−・−・・−・対向電極 出願人 日本光学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 C軸方向にV_2O_5格子面が配向し、a、b軸
方向にはランダムな非晶質構造であるか、又はa、b軸
方向の格子が整列安定化して層状構造であるV_2O_
5層(1)、イオン導電層(2)、可逆的電解還元層(
3)、表示電極(4)及び対向電極(5)からなること
を特徴とするエレクトロクロミック・デバイス。 2 前記V_2O_5層(1)が、酸化バナジウムをマ
トリックスとする非晶質酸化物を水に見掛け上溶かして
得られる液状物を塗布し、乾燥して作成したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のエレクト
ロクロミック・デバイス。 3 前記V_2O_5層(1)が一般式: (V_2O_5)_1_−_x・(M_yO_2)_x
・(H_2O)_nの化合物からなることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック・デ
バイス。 4 前記V_2O_5層(1)がH^+及びH_2Oあ
るいは他の金属又は半金属酸化物によってインターカレ
ートされていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のエレクトロクロミック・デバイス。 5 前記V_2O_5層(1)が、他のエレクトロクロ
ミック物質によってインターカレートされていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のエレクトロクロ
ミック・デバイス。 6 前記エレクトロクロミック物質が有機化合物である
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載のエレクト
ロクロミック・デバイス。 7 前記可逆的電解還元層(3)がエレクトロクロミッ
ク物質からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のエレクトロクロミック・デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181423A JPS6240433A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | エレクトロクロミツク・デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181423A JPS6240433A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | エレクトロクロミツク・デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240433A true JPS6240433A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16100512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181423A Pending JPS6240433A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | エレクトロクロミツク・デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240433A (ja) |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60181423A patent/JPS6240433A/ja active Pending
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