JPS6241449Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電子ボリユームを利用した信号減衰
回路の改良に関する。

電子ボリユーム回路は一般に差動回路の99段接
続で成り、印加する直流電圧のレベルによつて減
衰量を調整するものであり、最大減衰量は約−
80dβ〜−90dβ（0dβ＝0.775V）である。とこ
ろがこの電子ボリユーム回路は多くの電流を必要
とし、このためトランジスタから発生するノイズ
が多く、従つて次段に増幅器を接続するとそのノ
イズが大きく増幅されると共に、最大減衰量でも
前記の程度であるので入力信号の漏れが生じてこ
れが増幅されるようになる。

本考案は斯る点に鑑みたもので、電子ボリユー
ムにミユーテイング素子を接続して、減衰増大時
には電子ボリユーム回路の最大減衰点付近で該素
子によりミユーテイングを徐々にかけ、減衰減少
時にはその逆を行なうようにして、前記したよう
なノイズや漏れた信号が次段の増幅器等に至らな
いようにせんとするものである。

以下、図を参照して本考案の一実施例を説明す
る。第１図において、電子ボリユーム回路１は一
定の直流電圧が印加されている可変抵抗VRによ
り分割して得た第１の制御電圧としての調整電圧
を制御端子１ａに印加することにより、第２図に
示すような減衰特性をもつ。この第２図の横軸は
制御端子１ａに加わる直流電圧、縦軸は入力端子
１ｂを0dβ（＝0.775V）とした場合の出力端子
１ｃに現われるレベルを示す。この場合調整電圧
が2Vで減衰量は最大の−90dβとなつている。

ＰチヤンネルのFETQ₁はそのドレーン・ソー
スが電子ボリユーム回路１と増幅器２とに接続さ
れたミユーテイング回路を構成し、電圧＋Ｂが抵
抗R₁，R₂を介して第２の制御電圧としてゲート
に加わることにより、ドレーン・ソース間の抵抗
値を最少にするが、トランジスタQ₂の導通の程
度に比例してゲートへの印加電圧が減少し、ドレ
ーン・ソース間の抵抗値を増大してミユーテイン
グ作用を行なう。そして、このトランジスタQ₂
は抵抗R₄，R₅とコンデンサＣとの共通接続点Ａ
の電位によつて制御される。

並列接続されたトランジスタQ₃とQ₄はカレン
トスイツチ回路を構成し、一方のトランジスタ
Q₃のベースには抵抗R₆とR₇で電圧＋Ｂを分割し
て得た電圧Ｖ_B1がスイツチ動作基準電圧として印
加されている。この電圧Ｖ_B1は電子ボリユーム回
路１の減衰量が最大（−90dβ）となる直前の制
御端子１ａの調整電圧（2.5V）に相当する電圧
点Ｐに設定する。抵抗R₈は共通のエミツタ抵
抗、抵抗R₉，R₁₀は同値のコレクタ抵抗である。
従つてこのカレントスイツチ回路においては、電
子ボリユーム回路１の制御端子１ａに抵抗R₁₁を
介して接続される他方のトランジスタQ₄のベー
ス電圧Ｖ_B2が、Ｖ_B2＜Ｖ_B1の時トランジスタQ₄導
通、Q₃遮断する第１の状態となり、Ｖ_B2＞Ｖ_B1の
時はその逆の第２の状態となる。

抵抗R₄とコンデンサＣは積分回路を構成し、
トランジスタQ₄の導通によつて生じる抵抗R₁₀の
電圧をＣ・R₄の時定数でＡ点に与える。トラン
ジスタQ₅はトランジスタQ₃の導通によつて導通
し、コンデンサＣの電荷を抵抗R₅を介して放電
させる。

以上において、可変抵抗VRを調整することに
より、電子ボリユーム回路１の減衰特性は第２図
のようになるが、これによりＶ_B2＞Ｖ_B1の範囲内
にあればトランジスタQ₃が導通、Q₄が遮断して
おり、このためトランジスタQ₅も導通してお
り、従つてトランジスタQ₂は遮断しており、
FETQ₁はこの導通度が最大となつて、増幅器２
には電子ボリユーム回路１からの信号がそのまま
入力する。

そして可変抵抗VRによつて制御端子１ａへの
電圧を徐々に下げてゆき、Ｖ_B2＜Ｖ_B1となると、
トランジスタQ₃が遮断してQ₄が導通するように
なり、Ａ点の電位が徐々に上昇し、これによりト
ランジスタQ₂の導通度が徐々に向上し、従つて
FETQ₁のドレーン・ソース間の抵抗が徐々に増
加するようになる。この場合のFETQ₁の減衰特
性は第３図のようになり、電子ボリユーム回路１
における減衰がＰ点となつた時点t₀から減衰すな
わちミユーテイングを開始する。従つて増幅器２
へのノイズや漏れ信号が伝達しない減衰レベルＳ
になるまでの時間t₁をＣ・R₄で決める。

次に以上の状態から可変抵抗VRを調整して今
度はＶ_B2＞Ｖ_B1にすると、トランジスタQ₄が遮断
してQ₃が導通し、これによりトランジスタQ₅が
導通するようになる。このためコンデンサＣの電
荷は、抵抗R₄とR₁₀、抵抗R₃とトランジスタQ₂の
ルート以外に抵抗R₅とトランジスタQ₅のルート
を介しても放電されるようになり、このためトラ
ンジスタQ₂の導通度が徐々に下り、FETQ₁のド
レーン・ソース間の低抗が徐々に減少してミユー
テイングを解除するようになる。

従つて以上から、可変抵抗VRを調整して制御
端子１ａへの電圧を徐々に減少してゆき、電子ボ
リユーム回路１の減衰量がＰ点に至るとFETQ₁
により徐々にミユーテイングがかかり、増幅器２
へのノイズや漏れ信号が効果的に減衰されるよう
になる。そして次に制御端子１ａへの電圧を徐々
に上昇してゆけば、減衰量がＰ点にまで至つてか
らFETQ₁によるミユーテイングが徐々に解除さ
れるようになる。この場合の総合減衰特性は第４
図のようになる。Ｐ点から上の範囲は電子ボリユ
ーム回路１の制御端子１ａへの直流電圧による減
衰特性、下の範囲はFETQ₁の時間的変化による
減衰特性である。

以上から本考案によれば、電子ボリユームがあ
る減衰量以上になるとミユーテイング回路が働く
ので理論的に減衰量を−∞にすることが可能とな
り、ノイズや信号の漏れを完全に無くすることが
できるようになると共に、前記ミユーテイング回
路は時間経過に略比例してその伝達量を低下させ
るので、音声信号伝送回路に利用する場合には音
量或いは電子ボリユーム回路等からの残留ノイズ
成分を徐々に低化させることになり聴感上好まし
いものとなる。また、この時点より音量を増大さ
せるよう電子ボリユーム回路を制御すると、減衰
量が−∞の状態から徐々に小さくなつて音量が
徐々に増大することになり、自然な聴感感覚を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
電子ボリユームの減衰特性図、第３図はFETQ₁
の減衰特性図、第４図は本実施例による総合減衰
特性図である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 信号伝送回路に挿入され第１の制御電圧により
   入力信号の減衰量が制御される電子ボリユーム回
   路と、 この電子ボリユーム回路の出力端に接続され前
   記電子ボリユーム回路からの出力信号の伝達量を
   第２の制御電圧に応じて制御するミユーテイング
   回路と、 前記電子ボリユーム回路に与える前記第１の制
   御電圧を一方の入力とし、基準電圧を他方の入力
   として前記第１の制御電圧が、前記電子ボリユー
   ム回路の減衰量を最大減衰量近傍の第１の値から
   それ以上の減衰量に制御する第２の値に設定され
   た場合に第１の状態から第２の状態にスイツチン
   グし、前記第２の値から前記第１の値に設定され
   た場合に前記第２の状態から前記第１の状態にス
   イツチングするスイツチング回路と、 このスイツチング回路の前記第１の状態から前
   記第２の状態にスイツチングした時に充電を開始
   し、又前記第２の状態から前記第１の状態にスイ
   ツチングした時に放電を開始する積分回路とを備
   え、 この積分回路の充電電圧を前記第２の制御電圧
   として用いるようにしたことを特徴とする信号減
   衰回路。