JPS6242006A - 光学薄膜の膜厚測定装置 - Google Patents
光学薄膜の膜厚測定装置Info
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- JPS6242006A JPS6242006A JP18041885A JP18041885A JPS6242006A JP S6242006 A JPS6242006 A JP S6242006A JP 18041885 A JP18041885 A JP 18041885A JP 18041885 A JP18041885 A JP 18041885A JP S6242006 A JPS6242006 A JP S6242006A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス基板上に成膜された透明な光学薄膜の
膜厚測定装置に関するものである。
膜厚測定装置に関するものである。
ガラス基板上に成膜された透明な光学薄膜の膜厚の測定
法としては、種々の方法が従来より用いられてきたが、
測定に時間がかかったり、測定物に加工が必要だったり
、あるいはまた、大型ガラス基板の測定をするには、大
がかりな装置が必要になったりするなど大型ガラス用と
しては不向きであった。また、薄膜の干渉色を見れば、
膜厚を推定できることは従来から知られていたが、異な
った膜厚でも同色相を示ごともあり、膜厚を特定するこ
とは困難であった。
法としては、種々の方法が従来より用いられてきたが、
測定に時間がかかったり、測定物に加工が必要だったり
、あるいはまた、大型ガラス基板の測定をするには、大
がかりな装置が必要になったりするなど大型ガラス用と
しては不向きであった。また、薄膜の干渉色を見れば、
膜厚を推定できることは従来から知られていたが、異な
った膜厚でも同色相を示ごともあり、膜厚を特定するこ
とは困難であった。
本発明の目的は前記従来の薄膜測定法の欠点を解消し、
薄膜の干渉色の色度Yxyを測定することにより、膜厚
の測定時間が短く、測定装置が大型化せず、正確に膜厚
を求めることができる光学薄膜の膜厚測定装置を提供す
ることである。
薄膜の干渉色の色度Yxyを測定することにより、膜厚
の測定時間が短く、測定装置が大型化せず、正確に膜厚
を求めることができる光学薄膜の膜厚測定装置を提供す
ることである。
前記目的を達成する本発明の光学薄膜の膜厚測定装置は
、ガラス等の基板上の薄膜の膜厚を測定する光学薄膜の
膜厚測定装置であって、この光学薄膜に閃光を発する発
光手段と、前記薄膜からの発光手段の反射光、および、
発光手段の直接光をスペクトル三刺激値XYZに分解し
て測光する測光部と、この三刺激値XYZから色度Yx
yを演算して薄膜の膜厚を求める演算部を有することを
特徴としている。
、ガラス等の基板上の薄膜の膜厚を測定する光学薄膜の
膜厚測定装置であって、この光学薄膜に閃光を発する発
光手段と、前記薄膜からの発光手段の反射光、および、
発光手段の直接光をスペクトル三刺激値XYZに分解し
て測光する測光部と、この三刺激値XYZから色度Yx
yを演算して薄膜の膜厚を求める演算部を有することを
特徴としている。
以下添付図面を用いて本発明の実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の主要構成部を示す図である。
1は測定しようとする薄膜が成膜されているガラス基板
、2は膜厚を測定しようとする薄膜、3は薄膜2が成膜
されている側とは反対側のガラス基板上に塗布された、
黒色塗膜である。
、2は膜厚を測定しようとする薄膜、3は薄膜2が成膜
されている側とは反対側のガラス基板上に塗布された、
黒色塗膜である。
10は本発明の中心をなす膜厚測定装置であって、光源
及び光ファイバを内臓した測定ヘッド20、測光部10
0、演算部200の各ブロックから成っている。
及び光ファイバを内臓した測定ヘッド20、測光部10
0、演算部200の各ブロックから成っている。
次に、各ブロックの構成について第4図〜第6図を用い
て説明する。まず、第4図を見ると、測定ヘンド20は
、発光手段の一例であるXeランプ30と、これを点灯
させるXeランプ駆動部40と、光ファイバ50.60
.70とから構成されている。光ファイバ50はまた、
光ファイバ51.52.53に分岐され、光ファイバー
60は、光ファイバ61.62.63に分岐されている
。これらは第5図に示すように組立てられている。即ち
、ケース21内にXeランプ30.光ファイバ50.6
0等が収められている。22は反射筒で、円錐台形状を
している。23は光導入筒で、その入口に光ファイバ5
0が挿入されており、その周囲にXeランプ30および
遮蔽板24が設置され、光ファイバが挿入されている口
の反対の端面の周囲には光拡散板25が取り付けられて
いる。光ファイバ60は、光ファイバ50とは別にケー
ス21内に導入されている。今ここで、Xeランプ30
が発光すると、光はケース21の内面で反射を繰り返し
、拡散板25の表から拡散光として外に出る。反射筒2
2の開口部Aの面に測定しようとする薄膜形成されたガ
ラス板が設置されているが、拡散した光はA部のガラス
面で反射し、その一部が光導入筒23の中に入ってくる
。その光は光ファイバ50を通じて、次のブロックに送
られる。すなわち、本測定ヘッドによれば、JIS 8
722に規定する拡散照明−垂直受光の条件が満たされ
ることになる。光ファイバ60は反射光でなく、Xeラ
ンプの発光そのもの(直接光)を検出し、ランプの変動
を補正するために用いるものである。
て説明する。まず、第4図を見ると、測定ヘンド20は
、発光手段の一例であるXeランプ30と、これを点灯
させるXeランプ駆動部40と、光ファイバ50.60
.70とから構成されている。光ファイバ50はまた、
光ファイバ51.52.53に分岐され、光ファイバー
60は、光ファイバ61.62.63に分岐されている
。これらは第5図に示すように組立てられている。即ち
、ケース21内にXeランプ30.光ファイバ50.6
0等が収められている。22は反射筒で、円錐台形状を
している。23は光導入筒で、その入口に光ファイバ5
0が挿入されており、その周囲にXeランプ30および
遮蔽板24が設置され、光ファイバが挿入されている口
の反対の端面の周囲には光拡散板25が取り付けられて
いる。光ファイバ60は、光ファイバ50とは別にケー
ス21内に導入されている。今ここで、Xeランプ30
が発光すると、光はケース21の内面で反射を繰り返し
、拡散板25の表から拡散光として外に出る。反射筒2
2の開口部Aの面に測定しようとする薄膜形成されたガ
ラス板が設置されているが、拡散した光はA部のガラス
面で反射し、その一部が光導入筒23の中に入ってくる
。その光は光ファイバ50を通じて、次のブロックに送
られる。すなわち、本測定ヘッドによれば、JIS 8
722に規定する拡散照明−垂直受光の条件が満たされ
ることになる。光ファイバ60は反射光でなく、Xeラ
ンプの発光そのもの(直接光)を検出し、ランプの変動
を補正するために用いるものである。
第4図における測光部100は、101〜106のフィ
ルタ、111〜116の受光素子、121〜126の測
光回路から成っている。フィルタ101〜106は、そ
れぞれ、光ファイバ51〜53.61〜63の一端に設
けられ、反射光及びXeランプの光を受けるようになっ
ている。受光素子111〜116は、フィルタ101〜
106の背後に設けられており、光を検出する。測光回
路121〜126は全て同じ構成をしており、その実施
回路の一例を第7図に示す。130は受光素子111に
直列接続されたバイアス電圧源、131ハ増幅用オペア
ンプ、132 、133はオペアンプ131に接続され
た抵抗である。このオペアンプ131により、受光素子
111で検出された光は、電圧に変換増幅される。13
4はダイオード、135はダイオード134に直列接続
された抵抗、136は充電用コンデンサ、137は、図
示していないが、後述するCPUからの指令により0N
−OFF して、コンデンサ136の電荷を放電させる
スイッチ、138はオペアンプで、電圧フォロワの役目
を有している。134〜138の回路素子により、ピー
クホールドの機能をこの測光回路121は持っている。
ルタ、111〜116の受光素子、121〜126の測
光回路から成っている。フィルタ101〜106は、そ
れぞれ、光ファイバ51〜53.61〜63の一端に設
けられ、反射光及びXeランプの光を受けるようになっ
ている。受光素子111〜116は、フィルタ101〜
106の背後に設けられており、光を検出する。測光回
路121〜126は全て同じ構成をしており、その実施
回路の一例を第7図に示す。130は受光素子111に
直列接続されたバイアス電圧源、131ハ増幅用オペア
ンプ、132 、133はオペアンプ131に接続され
た抵抗である。このオペアンプ131により、受光素子
111で検出された光は、電圧に変換増幅される。13
4はダイオード、135はダイオード134に直列接続
された抵抗、136は充電用コンデンサ、137は、図
示していないが、後述するCPUからの指令により0N
−OFF して、コンデンサ136の電荷を放電させる
スイッチ、138はオペアンプで、電圧フォロワの役目
を有している。134〜138の回路素子により、ピー
クホールドの機能をこの測光回路121は持っている。
フィルタ101〜106の透過特性は3種類ある。
その透過特性は、いわゆるルータ条件を満たす特性を有
している。ルータ条件とは、光源の分光エネルギー分布
をP(λ)、3種類のフィルタの透過特性をTx(λ)
、TV(λ) 、 TZ(λ)、受光素子の分光感度特
性をS(λ)、標準の光Cの分光ネルギー分布をPC(
λ)、スペクトル三刺激値をT了λ)、7″″Tλ)、
T]λ)とすると、次式%式% 以上の条件を満たすフィルタを通り、受光素子で検出さ
れた光の総合感度特性は、第6図に示すようになる。フ
ィルタ101と104は、第6図中のYで示す感度特性
を存するような透過特性を持ち、フィルタ102 と1
05 は、Tの、フィルタ103 と106は、丁の特
性を持っている。なおここでYの特性は2つの山を持っ
ており、フィルタ特性の実現は困難であるためYの短波
長側の山は、Tの特製と相似的であることを利用し、T
の特性に係数を掛けて用いても良い。
している。ルータ条件とは、光源の分光エネルギー分布
をP(λ)、3種類のフィルタの透過特性をTx(λ)
、TV(λ) 、 TZ(λ)、受光素子の分光感度特
性をS(λ)、標準の光Cの分光ネルギー分布をPC(
λ)、スペクトル三刺激値をT了λ)、7″″Tλ)、
T]λ)とすると、次式%式% 以上の条件を満たすフィルタを通り、受光素子で検出さ
れた光の総合感度特性は、第6図に示すようになる。フ
ィルタ101と104は、第6図中のYで示す感度特性
を存するような透過特性を持ち、フィルタ102 と1
05 は、Tの、フィルタ103 と106は、丁の特
性を持っている。なおここでYの特性は2つの山を持っ
ており、フィルタ特性の実現は困難であるためYの短波
長側の山は、Tの特製と相似的であることを利用し、T
の特性に係数を掛けて用いても良い。
次に第4図の演算部200の構成について説明する。演
算部200の中心をなすのは、マイクロプロセッサを用
いたC P U210である。その周辺にパスラインを
介して、メモリ220、バッファメモリ230.240
. I 10250,260 、A/D変換器2701
マルチプレクサ280、入力部290、表示部300
、 Xeランプ制御部310、発光ダイオード320な
どが接続されている。
算部200の中心をなすのは、マイクロプロセッサを用
いたC P U210である。その周辺にパスラインを
介して、メモリ220、バッファメモリ230.240
. I 10250,260 、A/D変換器2701
マルチプレクサ280、入力部290、表示部300
、 Xeランプ制御部310、発光ダイオード320な
どが接続されている。
そこで次に、本発明の装置を用いて膜厚を測定する方法
について、第2図〜第4図を参照し、第8図のフローチ
ャートを用いて説明する。
について、第2図〜第4図を参照し、第8図のフローチ
ャートを用いて説明する。
第4図の入力部290から測定開始のスタート信号を入
れると(ステップ■)、I / O250,260を介
してXeランプ制御部310に信号が行き、発光ダイオ
ード320が発光する。この光は光ファイバー70によ
り、Xeランプ駆動部40に伝えられ、Xeランプ30
を発光させる(ステップ■)。この光はガラス基板1と
薄膜2の表面で反射してくる。この反射光は、薄膜の光
干渉により、波長により反射強度が異なっており、色づ
いている。なお、ガラス基板1の裏面の黒色塗膜3は、
Xeランプ30の光が、ガラス基板1の裏面で極力反射
しないようにするためのものである。
れると(ステップ■)、I / O250,260を介
してXeランプ制御部310に信号が行き、発光ダイオ
ード320が発光する。この光は光ファイバー70によ
り、Xeランプ駆動部40に伝えられ、Xeランプ30
を発光させる(ステップ■)。この光はガラス基板1と
薄膜2の表面で反射してくる。この反射光は、薄膜の光
干渉により、波長により反射強度が異なっており、色づ
いている。なお、ガラス基板1の裏面の黒色塗膜3は、
Xeランプ30の光が、ガラス基板1の裏面で極力反射
しないようにするためのものである。
反射光は光ファイバー50より導光され、光ファイバ5
1.52.53により等分割されて、それぞれ、フィル
タ101.102.103の方に導びかれる。一方、光
ファイバ60は、Xeランプ30の直接光を導光し、光
ファイバ61.62.63で分割して、フィルタ104
゜105、106の方に導(。この光ファイバ60によ
り導かれた直接光は、Xeランプ30、即ち光源のモニ
タ光であり、電圧変動や経時変化によるXeランプ30
の光量変化を、後述する演算時に補正するためのもので
ある。光フィルタ101〜106を通った反射光および
モニタ光は、受光素子111〜116で検出され、測光
回路121〜126で増幅されてピークホールドされる
(ステップ■、■)。このピークホールドされた値は、
光ファイバ50を通ってきた光の場合は、反射光がそれ
ぞれの測光回路により色の三刺激値XYZに分解された
ものとなる。
1.52.53により等分割されて、それぞれ、フィル
タ101.102.103の方に導びかれる。一方、光
ファイバ60は、Xeランプ30の直接光を導光し、光
ファイバ61.62.63で分割して、フィルタ104
゜105、106の方に導(。この光ファイバ60によ
り導かれた直接光は、Xeランプ30、即ち光源のモニ
タ光であり、電圧変動や経時変化によるXeランプ30
の光量変化を、後述する演算時に補正するためのもので
ある。光フィルタ101〜106を通った反射光および
モニタ光は、受光素子111〜116で検出され、測光
回路121〜126で増幅されてピークホールドされる
(ステップ■、■)。このピークホールドされた値は、
光ファイバ50を通ってきた光の場合は、反射光がそれ
ぞれの測光回路により色の三刺激値XYZに分解された
ものとなる。
モニター光の場合も同様である。上記のピークホールド
された電圧は、マルチプレクサ280により順次A/D
変換器270に送られ(ステップ■)、ディジタル値に
変換された後(ステップ■)、バッファメモリ230に
一時格納される。CP 0210は、上記反射光の三刺
激値と、モニタ光の三刺激値から光源の発光変動を補正
して、真の反射光の三刺激値XYZを得る(ステップ■
)。
された電圧は、マルチプレクサ280により順次A/D
変換器270に送られ(ステップ■)、ディジタル値に
変換された後(ステップ■)、バッファメモリ230に
一時格納される。CP 0210は、上記反射光の三刺
激値と、モニタ光の三刺激値から光源の発光変動を補正
して、真の反射光の三刺激値XYZを得る(ステップ■
)。
次に、前記XYZから色度座標xyを、cpu210は
計算する。XYZと、xyの関係は次のようである。
計算する。XYZと、xyの関係は次のようである。
x=X/ (X+Y+Z)
y−Y/ (X+Y+Z)
これにより、反射光の色度座標Yxyは求められたこと
になる(ステップ■)。
になる(ステップ■)。
次にYxyから膜厚を求める方法について説明する。ま
ず、ガラス基板1上に薄膜2がある場合の反射光の色度
がどうなるかをあらかじめ計算し′ておく、この計算方
法は、通常の、単層膜の光の干渉理論により求められる
ので詳述を避け、結果を第2図に示す、第2図は薄膜2
がTiO□で、その屈折率は光の波長が500nmの時
〜2.68で、600nmの時2.59であるような波
長分散性を持つ場合について計算しである。図中・印は
、TiO□の膜厚が4nm毎の値を示しx印は20na
+毎の値であり、数字はTiO□の膜厚である。このx
yの値と膜厚の関係を(XA、3Ft+膜厚)の形でメ
モリ220に格納しておく。そこで、測定されたxyO
値から、膜厚を求める方法は、測定値X+yと、メモリ
値Xi+ yiの間でもっとも近い値を捜すことであ
る。すなわちθ” x−Xt ” y yt
)が最小になるようなx、、yえを捜し出し、その時の
膜厚が求める値となるわけである(ステップ■)。この
時、膜厚の値は、前述したようなdnm毎でなく、もっ
と細く、たとえばlnm毎にとっておけばそれだけ精度
は向上する。あるいはまた、隣りあったデータで、θが
最も小さくなるような2点から補間法で、膜厚を求めて
も良い。そこでたとえば、測定したx+yが第2図に示
す○印の点P (x =0.33 、 )’ ”0.2
2)であったとする。前述した方法により、膜厚は、9
6.5nmか、195nmであるとわかる。次に、この
いずれの膜厚値が真の値であるかを決めなければならな
い。そのためには、Yの値を用いる。第3図はYの値と
膜厚の関係を表わしたもので、この関係も(Yi 、膜
厚)の形でメモリ220の中に格納しておく。測定した
Y値、ここでは、x −0,33、Y =0.22 、
Y =10%とすると、膜厚は96.5nmの方であ
ることがわかる(ステップ[相])。得られた結果は表
示部300により表示され、測定者は膜厚を知ることが
できる(ステップ■)。
ず、ガラス基板1上に薄膜2がある場合の反射光の色度
がどうなるかをあらかじめ計算し′ておく、この計算方
法は、通常の、単層膜の光の干渉理論により求められる
ので詳述を避け、結果を第2図に示す、第2図は薄膜2
がTiO□で、その屈折率は光の波長が500nmの時
〜2.68で、600nmの時2.59であるような波
長分散性を持つ場合について計算しである。図中・印は
、TiO□の膜厚が4nm毎の値を示しx印は20na
+毎の値であり、数字はTiO□の膜厚である。このx
yの値と膜厚の関係を(XA、3Ft+膜厚)の形でメ
モリ220に格納しておく。そこで、測定されたxyO
値から、膜厚を求める方法は、測定値X+yと、メモリ
値Xi+ yiの間でもっとも近い値を捜すことであ
る。すなわちθ” x−Xt ” y yt
)が最小になるようなx、、yえを捜し出し、その時の
膜厚が求める値となるわけである(ステップ■)。この
時、膜厚の値は、前述したようなdnm毎でなく、もっ
と細く、たとえばlnm毎にとっておけばそれだけ精度
は向上する。あるいはまた、隣りあったデータで、θが
最も小さくなるような2点から補間法で、膜厚を求めて
も良い。そこでたとえば、測定したx+yが第2図に示
す○印の点P (x =0.33 、 )’ ”0.2
2)であったとする。前述した方法により、膜厚は、9
6.5nmか、195nmであるとわかる。次に、この
いずれの膜厚値が真の値であるかを決めなければならな
い。そのためには、Yの値を用いる。第3図はYの値と
膜厚の関係を表わしたもので、この関係も(Yi 、膜
厚)の形でメモリ220の中に格納しておく。測定した
Y値、ここでは、x −0,33、Y =0.22 、
Y =10%とすると、膜厚は96.5nmの方であ
ることがわかる(ステップ[相])。得られた結果は表
示部300により表示され、測定者は膜厚を知ることが
できる(ステップ■)。
以上の方法により、薄膜の膜厚を求めることができるわ
けであるが、上述したのは、屈折率がわかっている薄膜
の場合であった。しかしながら、同じTi0z薄膜でも
、成膜方法により屈折率は若干具なるわけで、その場合
、前述した方法では、求める膜厚に多少の誤差が生じる
場合がある。そこで、そういう場合は、予め屈折率を種
々の値にふらせて、第2図、第3図に示すようなデータ
を計算しておく。即ち、(x5.y、、Yi、屈折率、
膜厚)の形で、メモリ220に格納しておく。
けであるが、上述したのは、屈折率がわかっている薄膜
の場合であった。しかしながら、同じTi0z薄膜でも
、成膜方法により屈折率は若干具なるわけで、その場合
、前述した方法では、求める膜厚に多少の誤差が生じる
場合がある。そこで、そういう場合は、予め屈折率を種
々の値にふらせて、第2図、第3図に示すようなデータ
を計算しておく。即ち、(x5.y、、Yi、屈折率、
膜厚)の形で、メモリ220に格納しておく。
そこで
θsa x−Xi + y−y4 + Y−Y
りが最小となるような、屈折率、膜厚の組合せデータを
選び出せば、その値が真値となるわけである。
りが最小となるような、屈折率、膜厚の組合せデータを
選び出せば、その値が真値となるわけである。
この手法はまた、吸収のある膜、即ち、屈折率nがn=
n ’ −i kの複素屈折率となる場合にも適用でき
る。なお、以上に述べたのは単層膜の場合であったが多
層膜の場合も本発明は適用できる。
n ’ −i kの複素屈折率となる場合にも適用でき
る。なお、以上に述べたのは単層膜の場合であったが多
層膜の場合も本発明は適用できる。
例えば2層膜の場合は、ガラス基板上にTiO□膜が成
膜されており、その上にSiO□膜が成膜されている場
合、TiO□の屈折率、膜厚が予めわかっていれば、S
i0g膜の屈折率、膜厚を種々変えて、第2図のごとき
データを計算して、メモリ220に入れておけば良いわ
けである。
膜されており、その上にSiO□膜が成膜されている場
合、TiO□の屈折率、膜厚が予めわかっていれば、S
i0g膜の屈折率、膜厚を種々変えて、第2図のごとき
データを計算して、メモリ220に入れておけば良いわ
けである。
次にガラス裏面からの反射を抑えるため用いた黒色塗膜
3のことについて述べる。ガラス面と空気との境界での
反射は約4%あるため、この黒色塗膜3は、測定精度向
上のため必要である。ところが測定のたびに黒色塗膜3
を塗布することはたいへんである。我々の実験では、黒
色塗膜3の代わりに、黒色の粘着テープを使用したが、
テープでも精度良く測定することができた。しかし、以
上2方法は、建築用や自動車用の大型ガラスの場合に用
いるには、ガラスが大きすぎ、塗膜をぬったり後で落と
したりすると大変である。また、粘着テープを貼る時に
、ガラスとの間に空気が入ったりすると、測定精度は大
幅に落ちる。そこで、そのような場合には、第9図に示
す方法を用いる。
3のことについて述べる。ガラス面と空気との境界での
反射は約4%あるため、この黒色塗膜3は、測定精度向
上のため必要である。ところが測定のたびに黒色塗膜3
を塗布することはたいへんである。我々の実験では、黒
色塗膜3の代わりに、黒色の粘着テープを使用したが、
テープでも精度良く測定することができた。しかし、以
上2方法は、建築用や自動車用の大型ガラスの場合に用
いるには、ガラスが大きすぎ、塗膜をぬったり後で落と
したりすると大変である。また、粘着テープを貼る時に
、ガラスとの間に空気が入ったりすると、測定精度は大
幅に落ちる。そこで、そのような場合には、第9図に示
す方法を用いる。
この図において、1はガラス基板、2は測定しようとす
る薄膜、3′は前述した黒色塗膜や粘着テープに代わる
、黒色の樹脂フィルムである。4は硬質ゴムでできたフ
レームで、測定するガラス基板1の縁の形状に合ってお
り、ガラス基板1にぴったりと手ではめこむことができ
る。樹脂フィルム3′と、フレーム4は接着されている
ため、ガラス基板1にフレーム4をはめ込むと、樹脂フ
ィルム3′とガラス基板1は重なることになる。
る薄膜、3′は前述した黒色塗膜や粘着テープに代わる
、黒色の樹脂フィルムである。4は硬質ゴムでできたフ
レームで、測定するガラス基板1の縁の形状に合ってお
り、ガラス基板1にぴったりと手ではめこむことができ
る。樹脂フィルム3′と、フレーム4は接着されている
ため、ガラス基板1にフレーム4をはめ込むと、樹脂フ
ィルム3′とガラス基板1は重なることになる。
5はフレーム4に取り付けられ、その開口部の一端がガ
ラス基板1と樹脂フィルム3′の間に来るようになって
いる排気筒である。排気筒5のもう一つの開口端には、
図示していないが、排気ポンプが接続され、ガラス基板
1と樹脂フィルム3′の間の空気が排気される。これに
より、ガラス基板1と、樹脂フィルム3′は密着し、黒
色塗膜3を塗布したのと同じ効果が得られることになる
。
ラス基板1と樹脂フィルム3′の間に来るようになって
いる排気筒である。排気筒5のもう一つの開口端には、
図示していないが、排気ポンプが接続され、ガラス基板
1と樹脂フィルム3′の間の空気が排気される。これに
より、ガラス基板1と、樹脂フィルム3′は密着し、黒
色塗膜3を塗布したのと同じ効果が得られることになる
。
なお、上述した中で基板としてガラス基板1を用いて説
明してきたが、本発明による装置ではガラス基板だけで
なく、樹脂も用いることができるし、そういった基板上
に金属膜が形成されており、その上に薄膜が成膜されて
いても予め、金属膜の複素屈折率を、他の方法、たとえ
ばエリプソメータなどにより求めて、やはり第2図のよ
うなデータを計算しメモリ220内に格納しておけば良
い。
明してきたが、本発明による装置ではガラス基板だけで
なく、樹脂も用いることができるし、そういった基板上
に金属膜が形成されており、その上に薄膜が成膜されて
いても予め、金属膜の複素屈折率を、他の方法、たとえ
ばエリプソメータなどにより求めて、やはり第2図のよ
うなデータを計算しメモリ220内に格納しておけば良
い。
以上述べてきた装置によれば、薄膜の王渉による反射光
の色を分析することにより、薄膜の膜厚を求めることが
できるので、従来から薄膜の膜厚測定法として用いられ
てきた、分光法、エリプソメトリ−法、段差針法などと
比べ、次のような利点があり、非常に有用である。
の色を分析することにより、薄膜の膜厚を求めることが
できるので、従来から薄膜の膜厚測定法として用いられ
てきた、分光法、エリプソメトリ−法、段差針法などと
比べ、次のような利点があり、非常に有用である。
10回折格子を用いた分光法に比べ、本Wlは波長スキ
ャンの必要がないため、測定時間は発光手段の発光時間
0.5 m5ecと、計算時間のごくわずかな時間です
む。
ャンの必要がないため、測定時間は発光手段の発光時間
0.5 m5ecと、計算時間のごくわずかな時間です
む。
2、装置が小型になるので、大型ガラスの測定時も容易
に行うことができる。
に行うことができる。
第1図は本発明の主要構成を示す概略図、第2図はガラ
ス基板上に薄膜がある場合の反射光の色度を示す線図、
第3図は薄膜厚と三刺激値の−っであるYとの関係を示
す線図、第4図は本発明の光学薄膜の膜厚測定装置の一
実施例の構成を詳細に示す構成図、第5図は本発明の測
定ヘッドの一例の構成を拡大して示す断面図、第6図は
ルーフ条件を満たすフィルタを通り受光素子で検出され
た光の総合怒度特性を示す線図、第7図は第4図の測光
回路の回路構成を示す回路図、第8図は本発明の光学薄
膜の膜厚測定装置の制御手順を示すフトーチャート図、
第9図は本発明の他の実施例のガラス基板部の構成を示
す断面図である。 1・・・ガラス基板、 2・・・薄膜、3・・・黒
色塗装、 3゛・・・黒色の樹脂フィルム、 4・・・フレーム、 5・・・排気筒、10・・
・薄膜測定装置、 20・・・測定ヘッド、21・・・
ケース、 22・・・反射筒、23・・・光導入
筒、 24・・・遮蔽板、25・・・光拡散板、
30・・・Xeランプ、50〜53・・・光ファイ
バ、 60〜63.70・・・光ファイバ、 100・・・測
光部、101〜106・・・フィルタ、 111〜116・・・受光素子、 130・・・バイアス電圧源、 131.138・・・オペアンプ。
ス基板上に薄膜がある場合の反射光の色度を示す線図、
第3図は薄膜厚と三刺激値の−っであるYとの関係を示
す線図、第4図は本発明の光学薄膜の膜厚測定装置の一
実施例の構成を詳細に示す構成図、第5図は本発明の測
定ヘッドの一例の構成を拡大して示す断面図、第6図は
ルーフ条件を満たすフィルタを通り受光素子で検出され
た光の総合怒度特性を示す線図、第7図は第4図の測光
回路の回路構成を示す回路図、第8図は本発明の光学薄
膜の膜厚測定装置の制御手順を示すフトーチャート図、
第9図は本発明の他の実施例のガラス基板部の構成を示
す断面図である。 1・・・ガラス基板、 2・・・薄膜、3・・・黒
色塗装、 3゛・・・黒色の樹脂フィルム、 4・・・フレーム、 5・・・排気筒、10・・
・薄膜測定装置、 20・・・測定ヘッド、21・・・
ケース、 22・・・反射筒、23・・・光導入
筒、 24・・・遮蔽板、25・・・光拡散板、
30・・・Xeランプ、50〜53・・・光ファイ
バ、 60〜63.70・・・光ファイバ、 100・・・測
光部、101〜106・・・フィルタ、 111〜116・・・受光素子、 130・・・バイアス電圧源、 131.138・・・オペアンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ガラス等の基板上の薄膜の膜厚を測定する光学薄膜
の膜厚測定装置であって、この光学薄膜に閃光を発する
発光手段と、前記薄膜からの発光手段の反射光、および
、発光手段の直接光ををスペクトル三刺激値XYZに分
解して測光する測光部と、この三刺激値XYZから色度
Yxyを演算して薄膜の膜厚を求める演算部を有するこ
とを特徴とする光学薄膜の膜厚測定装置。 2、該演算部が(Y_i、x_i、y_i、膜厚)のデ
ータを格納したメモリを有し、測定および演算により得
られた色度(Y、x、y)と比較して、最も近い組合せ
のデータの膜厚を測定値とする特許請求の範囲第1項記
載の光学薄膜の膜厚測定装置。 3、該演算部が(Y_i、x_i、y_i、屈折率、膜
厚)のデータを格納したメモリを有し、測定および演算
により得られた色度(Y、x、y)と比較して、最も近
い組合せのデータの屈折率と膜厚を測定値とする特許請
求の範囲第1項記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 4、該ガラス等の基板の裏面には、反射防止処理が施さ
れている特許請求の範囲第1項記載の光学薄膜の膜厚測
定装置。 5、該反射防止処理が黒色塗膜である特許請求の範囲第
4項記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 6、該反射防止処理が黒色粘着テープなどの貼着である
特許請求の範囲第4項記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 7、該反射防止処理がガラス等基板の裏面への黒色樹脂
フィルムの真空吸着である特許請求の範囲第4項記載の
光学薄膜の膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18041885A JPS6242006A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光学薄膜の膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18041885A JPS6242006A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光学薄膜の膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242006A true JPS6242006A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16082910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18041885A Pending JPS6242006A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光学薄膜の膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242006A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210206A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学式膜厚測定装置 |
| WO1997000423A1 (fr) * | 1995-06-14 | 1997-01-03 | Kirin Beer Kabushiki Kaisha | Appareil et methode pour le controle d'une pellicule de revetement |
| WO2008114471A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-25 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 膜厚計測方法及びその装置ならびに薄膜デバイスの製造システム |
| JP2009025181A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Fujinon Corp | 厚み測定用光干渉測定装置 |
| JP2011191252A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Nippon Steel Engineering Co Ltd | 金属の表面品質評価方法および金属の表面品質評価装置 |
| KR20190036569A (ko) * | 2016-08-26 | 2019-04-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 컬러 계측을 사용한 기판의 두께 측정 |
| CN118999376A (zh) * | 2024-10-18 | 2024-11-22 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 基于光谱共聚焦的膜厚测量方法及设备 |
| US12288724B2 (en) | 2021-03-04 | 2025-04-29 | Applied Materials, Inc. | Region classification of film non-uniformity based on processing of substrate images |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP18041885A patent/JPS6242006A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210206A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学式膜厚測定装置 |
| WO1997000423A1 (fr) * | 1995-06-14 | 1997-01-03 | Kirin Beer Kabushiki Kaisha | Appareil et methode pour le controle d'une pellicule de revetement |
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| US8184303B2 (en) | 2007-02-20 | 2012-05-22 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Film-thickness measurement method and apparatus therefor, and thin-film device fabrication system |
| JP2009025181A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Fujinon Corp | 厚み測定用光干渉測定装置 |
| JP2011191252A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Nippon Steel Engineering Co Ltd | 金属の表面品質評価方法および金属の表面品質評価装置 |
| JP2019532274A (ja) * | 2016-08-26 | 2019-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 色計測学を用いた基板の厚さ測定 |
| CN109716494A (zh) * | 2016-08-26 | 2019-05-03 | 应用材料公司 | 使用颜色测量的基板的厚度测量 |
| KR20190036569A (ko) * | 2016-08-26 | 2019-04-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 컬러 계측을 사용한 기판의 두께 측정 |
| JP2022130452A (ja) * | 2016-08-26 | 2022-09-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 色計測学を用いた基板の厚さ測定 |
| US11682114B2 (en) | 2016-08-26 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Thickness measurement of substrate using color metrology |
| CN116878403A (zh) * | 2016-08-26 | 2023-10-13 | 应用材料公司 | 使用颜色测量的基板的厚度测量 |
| US12148148B2 (en) | 2016-08-26 | 2024-11-19 | Applied Materials, Inc. | Thickness measurement of substrate using color metrology |
| US12288724B2 (en) | 2021-03-04 | 2025-04-29 | Applied Materials, Inc. | Region classification of film non-uniformity based on processing of substrate images |
| US12322659B2 (en) | 2021-03-04 | 2025-06-03 | Applied Materials, Inc. | Pixel classification of film non-uniformity based on processing of substrate images |
| CN118999376A (zh) * | 2024-10-18 | 2024-11-22 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 基于光谱共聚焦的膜厚测量方法及设备 |
| CN118999376B (zh) * | 2024-10-18 | 2025-01-21 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 基于光谱共聚焦的膜厚测量方法及设备 |
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