JPS6242519A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6242519A JPS6242519A JP60181998A JP18199885A JPS6242519A JP S6242519 A JPS6242519 A JP S6242519A JP 60181998 A JP60181998 A JP 60181998A JP 18199885 A JP18199885 A JP 18199885A JP S6242519 A JPS6242519 A JP S6242519A
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- light
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- semiconductor substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
- H10P34/422—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing using incoherent radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にインコヒー
レント光線を用い、た熱処理方法に関する。
レント光線を用い、た熱処理方法に関する。
この発明は、半導体基板の熱処理を行う半導体装置の製
造方法において、半導体基板と光吸収率の異なる薄膜を
選択的に形成しハロゲンランラ°光線等のインコヒーレ
ント光線を照射することにより、膜厚によらず均一で効
率の良い熱処理をｊテうものである。
造方法において、半導体基板と光吸収率の異なる薄膜を
選択的に形成しハロゲンランラ°光線等のインコヒーレ
ント光線を照射することにより、膜厚によらず均一で効
率の良い熱処理をｊテうものである。
一般に、半導体装置の製造工程においては、７ニールや
りフローあるいはシリサイド形成、オーミックメタルの
形成等種々の熱処理が行われている。
りフローあるいはシリサイド形成、オーミックメタルの
形成等種々の熱処理が行われている。
この熱処理においては、電気炉、レーザービームを用い
たアニール、フラッシュ・ランプ・アニール、電子線ア
ニール等の熱源を用いて行う方法が知られている。
たアニール、フラッシュ・ランプ・アニール、電子線ア
ニール等の熱源を用いて行う方法が知られている。
従来の加熱方法の一例として、レーザービーム等をシリ
コンなどの半導体基板に照射するアニール法が知られて
いる。このようなレーザービーム等を半導体基板に照射
するアニール法は、短時間熱処理１局所的加熱、制御性
に優れる等の長所を有しているが、反面、基板の加熱に
不均一性がある等の短所を有している。
コンなどの半導体基板に照射するアニール法が知られて
いる。このようなレーザービーム等を半導体基板に照射
するアニール法は、短時間熱処理１局所的加熱、制御性
に優れる等の長所を有しているが、反面、基板の加熱に
不均一性がある等の短所を有している。
即ち、従来の半導体基板たとえばシリコンウェハーなど
をアニールする場合は、上記レーザービーム等をウェハ
ーの表面等に対して照射するが、該ウェハーの周辺部分
から熱の放射が生じ、このウェハー周辺部分からの熱の
損失によってウェハーが均一な温度分布でなく熱勾配を
持ったものになってしまう。
をアニールする場合は、上記レーザービーム等をウェハ
ーの表面等に対して照射するが、該ウェハーの周辺部分
から熱の放射が生じ、このウェハー周辺部分からの熱の
損失によってウェハーが均一な温度分布でなく熱勾配を
持ったものになってしまう。
そして、このようにウェハーに熱勾配を生ずる場合には
、該熱勾配によってウェハー内部等に熱応力を発生させ
、結局アニールによって熱的な歪が生じ、ウェハーにス
リップラインを発生させるような弊害が生じている。
、該熱勾配によってウェハー内部等に熱応力を発生させ
、結局アニールによって熱的な歪が生じ、ウェハーにス
リップラインを発生させるような弊害が生じている。
そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、半導体基板を短
時間熱処理し、しかも、均一に熱的な応力の発生するよ
うな弊害のない半導体装置の製造方法の提供を目的とす
る。
時間熱処理し、しかも、均一に熱的な応力の発生するよ
うな弊害のない半導体装置の製造方法の提供を目的とす
る。
本発明は、半導体基板の表面に該半導体基板と光吸収率
の異なる薄膜を選択的に形成し、インコヒーレント光線
を照射して上記半導体基板を熱処理する半導体装置の製
造方法により上述の問題点を解決することとしている。
の異なる薄膜を選択的に形成し、インコヒーレント光線
を照射して上記半導体基板を熱処理する半導体装置の製
造方法により上述の問題点を解決することとしている。
本発明の半導体装置の製造方法は、熱処理の熱源として
、ハロゲンランプ光線等のインコヒーレント光線を用い
ている。そして、半導体基板の表面に半導体基板と光吸
収率の異なる薄膜を基板上で選択的に形成し、上記イン
コヒーレント光線ヲ光吸収率の異なる薄膜が選択的に形
成された表面に照射して熱処理をする。このとき、上記
薄膜の形成された領域は、光吸収率が異なるため、薄膜
の形成されていない領域とは、同一の光強度で照射した
場合の加熱に差を生ずる。そして、この加熱の差を利用
して、熱勾配を生ずる部分例えば周辺部分での熱損失を
補償するようにする。
、ハロゲンランプ光線等のインコヒーレント光線を用い
ている。そして、半導体基板の表面に半導体基板と光吸
収率の異なる薄膜を基板上で選択的に形成し、上記イン
コヒーレント光線ヲ光吸収率の異なる薄膜が選択的に形
成された表面に照射して熱処理をする。このとき、上記
薄膜の形成された領域は、光吸収率が異なるため、薄膜
の形成されていない領域とは、同一の光強度で照射した
場合の加熱に差を生ずる。そして、この加熱の差を利用
して、熱勾配を生ずる部分例えば周辺部分での熱損失を
補償するようにする。
ここで、光吸収率は、薄膜を形成する材料に固有の値で
ある。例えば、半導体基板としてシリコン基板を用い、
上記光吸収率の異なる薄膜として酸化シリコン膜を用い
た場合には、上記酸化シリコン膜が後述するように光の
透過率を強め、かつ、熱保持部材として作用する。この
ため、上述したように半導体基（反の周辺部分の熱損失
を填補する目的で周辺部分に酸化シリコン膜を形成すれ
ば、基板は均一に熱処理されスリップライン等の弊害は
生じない。また、半導体基板と選択的に形成する光吸収
率の異なる薄膜の材料の関係は、光吸収率の高い方を薄
膜とするのみならず、薄膜の方を相対的に低くしても良
い。
ある。例えば、半導体基板としてシリコン基板を用い、
上記光吸収率の異なる薄膜として酸化シリコン膜を用い
た場合には、上記酸化シリコン膜が後述するように光の
透過率を強め、かつ、熱保持部材として作用する。この
ため、上述したように半導体基（反の周辺部分の熱損失
を填補する目的で周辺部分に酸化シリコン膜を形成すれ
ば、基板は均一に熱処理されスリップライン等の弊害は
生じない。また、半導体基板と選択的に形成する光吸収
率の異なる薄膜の材料の関係は、光吸収率の高い方を薄
膜とするのみならず、薄膜の方を相対的に低くしても良
い。
このように半導体基板の表面に光吸収率の異なる薄膜を
形成して、インコヒーレント光線を照射することにより
、本発明の半導体装置の製造方法は実現されるが、イン
コヒーレント光線であるが故に、レーザービーム等のコ
ヒーレント光線にない効果をあげることができる。
形成して、インコヒーレント光線を照射することにより
、本発明の半導体装置の製造方法は実現されるが、イン
コヒーレント光線であるが故に、レーザービーム等のコ
ヒーレント光線にない効果をあげることができる。
ここで、インコヒーレント光線による作用を図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
先ず、インコヒーレント光線と対比するためコヒーレン
ト光線（例えばレーザービーム）を用いた場合について
説明すると、コヒーレント光線はその可干渉性から膜厚
に対する依存性がある。
ト光線（例えばレーザービーム）を用いた場合について
説明すると、コヒーレント光線はその可干渉性から膜厚
に対する依存性がある。
即ち、コヒーレント光線として例えばＮｄ−ＹＡＧレー
ザ−（波長λ＝１．０６μｍ）を用いた場合において、
膜厚に対する透過率の比の特性は、コヒーレント光であ
るレーザービームの干渉効果によって正弦関数的な変化
をする。ここで膜厚に依存する光吸収特性は、 Ｔ（ｄ、 λ）＝Ａ／ （Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）−・−・・−
■Ａ＝３ｎｌ ｎｔ ２ｎ３ Ｂ−（ｎｔ２ ｎ２２）（ｎ２２−ｎ３２）Ｃ＝４ｎ１
ｎ２２ｎ３ Ｄ＝ （ｎｔ ２＋ｆｉ２２）（ｎ２２＋ｎ３２）ＸＣ
Ｏ５（４ｒｃ ｎ ２ ｄ／λ） ｎ：屈折率 ｎｌ ；外気の屈折率 ｎｔ ：薄膜の屈折率 ｎ３ ；基板の屈折率 ｄ；薄膜の膜厚 λ：コヒーレント光の波長 となり、■式で表される下地吸収特性は、第７図に示す
ような特性になる。尚、第７図において、横軸に薄膜（
酸化シリコン膜）の厚み（μｍ）をとり、一方縦軸に透
過率の比（薄膜のない場合の値をＴｏとしている。）を
とっている。
ザ−（波長λ＝１．０６μｍ）を用いた場合において、
膜厚に対する透過率の比の特性は、コヒーレント光であ
るレーザービームの干渉効果によって正弦関数的な変化
をする。ここで膜厚に依存する光吸収特性は、 Ｔ（ｄ、 λ）＝Ａ／ （Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）−・−・・−
■Ａ＝３ｎｌ ｎｔ ２ｎ３ Ｂ−（ｎｔ２ ｎ２２）（ｎ２２−ｎ３２）Ｃ＝４ｎ１
ｎ２２ｎ３ Ｄ＝ （ｎｔ ２＋ｆｉ２２）（ｎ２２＋ｎ３２）ＸＣ
Ｏ５（４ｒｃ ｎ ２ ｄ／λ） ｎ：屈折率 ｎｌ ；外気の屈折率 ｎｔ ：薄膜の屈折率 ｎ３ ；基板の屈折率 ｄ；薄膜の膜厚 λ：コヒーレント光の波長 となり、■式で表される下地吸収特性は、第７図に示す
ような特性になる。尚、第７図において、横軸に薄膜（
酸化シリコン膜）の厚み（μｍ）をとり、一方縦軸に透
過率の比（薄膜のない場合の値をＴｏとしている。）を
とっている。
以上のように、コヒーレント光（可干渉光線）の場合に
は、光吸収率の異なる薄膜の膜厚に依存した下地吸収の
変化がみられる。このため上記下地吸収特性（第７図参
照）のピークの膜厚では、熱損失を補償するように薄膜
を選択的に形成することが有効であるが、ピークとピー
クの間の谷間を与える膜厚は、殆ど熱損失を補償するよ
うに作用することができない。
は、光吸収率の異なる薄膜の膜厚に依存した下地吸収の
変化がみられる。このため上記下地吸収特性（第７図参
照）のピークの膜厚では、熱損失を補償するように薄膜
を選択的に形成することが有効であるが、ピークとピー
クの間の谷間を与える膜厚は、殆ど熱損失を補償するよ
うに作用することができない。
次に、インコヒーレント光線を用いた場合の作用につい
て、第１図〜第２図を参照しながら説明する。
て、第１図〜第２図を参照しながら説明する。
インコヒーレンＩ・光線例えばハロゲンランプ光線等は
、コヒーレント光であるレーザービーム等と異なり波長
に分布を持っている。この波長分布を第２図に示す。例
示したインコヒーレント光線の光源は、赤外線照射ハロ
ゲンランプ光であり、横軸に波長（μｍ）、縦軸に強度
（相対値で、ランプ電圧を１４４■としたときのピーク
強度を１とする。）をとっている。
、コヒーレント光であるレーザービーム等と異なり波長
に分布を持っている。この波長分布を第２図に示す。例
示したインコヒーレント光線の光源は、赤外線照射ハロ
ゲンランプ光であり、横軸に波長（μｍ）、縦軸に強度
（相対値で、ランプ電圧を１４４■としたときのピーク
強度を１とする。）をとっている。
このようにインコヒーレント光線による照射の場合には
、コヒーレント光線のような極端な干渉性はなく、第１
図に対比して示すような特性になる。すなわち、インコ
ヒーレント光線の場合、上述したコヒーレント光線の下
地吸収特性の式■に波長分布項Ｆ（λ）が重みとして乗
算されることなり、 Ａ＝ ８ ｎｌ ｎ２２ ｎｌ Ｂ＝ （ｎ１２ ｎ２２）（ｎ２２ ｎ３２）Ｃ
＝４ｎ１ ｎ２２ ｎ３ Ｄ−（ｎ１２ ＋ｎ２２）（ｎ２２ ＋ｎ３２）Ｘｃｏ
ｓ （４４ｎ２ ｄ／λ） ｎ：屈折率 ｎｌ ；外気の屈折率 ｎ２ ；薄膜の屈折率 ｎ３ ；基板の屈折率 ｄ：薄膜の膜厚 λ：光の波長 で表記されるようなインコヒーレント光線の干渉効果が
得られることになる。尚、第１図では、第７図と同様に
横軸に薄膜（酸化シリコン膜）の厚み（μｍ）をとり、
一方縦軸に透過率の比（薄膜のない場合の値をＴｏとし
ている。）をとっている。
、コヒーレント光線のような極端な干渉性はなく、第１
図に対比して示すような特性になる。すなわち、インコ
ヒーレント光線の場合、上述したコヒーレント光線の下
地吸収特性の式■に波長分布項Ｆ（λ）が重みとして乗
算されることなり、 Ａ＝ ８ ｎｌ ｎ２２ ｎｌ Ｂ＝ （ｎ１２ ｎ２２）（ｎ２２ ｎ３２）Ｃ
＝４ｎ１ ｎ２２ ｎ３ Ｄ−（ｎ１２ ＋ｎ２２）（ｎ２２ ＋ｎ３２）Ｘｃｏ
ｓ （４４ｎ２ ｄ／λ） ｎ：屈折率 ｎｌ ；外気の屈折率 ｎ２ ；薄膜の屈折率 ｎ３ ；基板の屈折率 ｄ：薄膜の膜厚 λ：光の波長 で表記されるようなインコヒーレント光線の干渉効果が
得られることになる。尚、第１図では、第７図と同様に
横軸に薄膜（酸化シリコン膜）の厚み（μｍ）をとり、
一方縦軸に透過率の比（薄膜のない場合の値をＴｏとし
ている。）をとっている。
以上のように、インコヒーレント光線を用いた場合には
、干渉効果が和らぎ例えば多少の膜厚のばらつきが生じ
ても有効に所定の効果をあげることができる。第２図に
示すようなハロゲンランプ光線（ピーク波長１．１５μ
ｍ）を用いて、選択的に形成する薄膜の材料を酸化シリ
コンとした場合には、酸化シリコン膜の膜厚が０．２μ
ｍで最も吸収効率が大きく、また０、３μｍ以上の膜厚
に対しては依存性が薄くなり、多少の膜厚のばらつきが
生じても有効に所定の効果をあげることができる。
、干渉効果が和らぎ例えば多少の膜厚のばらつきが生じ
ても有効に所定の効果をあげることができる。第２図に
示すようなハロゲンランプ光線（ピーク波長１．１５μ
ｍ）を用いて、選択的に形成する薄膜の材料を酸化シリ
コンとした場合には、酸化シリコン膜の膜厚が０．２μ
ｍで最も吸収効率が大きく、また０、３μｍ以上の膜厚
に対しては依存性が薄くなり、多少の膜厚のばらつきが
生じても有効に所定の効果をあげることができる。
また、ハロゲンランプ光線等のインコヒーレント光線を
使用することよって、短時間熱処理が可能であることは
言うまでもない。
使用することよって、短時間熱処理が可能であることは
言うまでもない。
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
本実施例の半導体装置の製造方法は、アニール等の熱処
理を行う熱源としてインコヒーレント光線であるハロゲ
ンランプ光線（ピーク波長１． １５μｍ）を使用し、
シリコン基板等の半導体基板の表面に照射する。この半
導体基板の周辺部分の中心部分に比べて大きい熱損失等
の悪影響を防止するために、例えば酸化シリコン等の材
料による上記半導体基板とは光吸収率の異なる薄膜を選
択的に形成する。すなわち、例えば第３図に示すように
、半導体基板１両面の周辺部に選択的に所定の膜厚ｄ１
の酸化シリコン膜２ａ、２ｂを被着形成する。この膜厚
ｄ１については、インコヒーレント光線であるハロゲン
ランプ光線を用い該膜厚ｄ１のばらつきによる透過率の
変化を緩和して、熱損失を補うことができるように作用
することは上述した通りである。そして、この選択的に
形成された酸化シリコン膜２ａ、２ｂが、周辺部で生じ
ていた熱損失を上述したように補償するため、半導体基
板１は均一に加熱処理されることになる。
理を行う熱源としてインコヒーレント光線であるハロゲ
ンランプ光線（ピーク波長１． １５μｍ）を使用し、
シリコン基板等の半導体基板の表面に照射する。この半
導体基板の周辺部分の中心部分に比べて大きい熱損失等
の悪影響を防止するために、例えば酸化シリコン等の材
料による上記半導体基板とは光吸収率の異なる薄膜を選
択的に形成する。すなわち、例えば第３図に示すように
、半導体基板１両面の周辺部に選択的に所定の膜厚ｄ１
の酸化シリコン膜２ａ、２ｂを被着形成する。この膜厚
ｄ１については、インコヒーレント光線であるハロゲン
ランプ光線を用い該膜厚ｄ１のばらつきによる透過率の
変化を緩和して、熱損失を補うことができるように作用
することは上述した通りである。そして、この選択的に
形成された酸化シリコン膜２ａ、２ｂが、周辺部で生じ
ていた熱損失を上述したように補償するため、半導体基
板１は均一に加熱処理されることになる。
形成する薄膜は、半導体基板工の主面に対して一定の膜
厚とするのみならず、熱勾配に応じた膜厚としても良い
。
厚とするのみならず、熱勾配に応じた膜厚としても良い
。
この半導体基板に対して酸化シリコン膜を選択的に被着
形成した場合の効果を、本発明者が行った実験データ（
第４図）に基づき説明する。この実験は、半導体装置を
形成する半導体基板に通常行われるようなイオン注入（
ドーパントをＢ＋とする。）を施し、酸化シリコン膜の
各膜厚を形成し、本実施例の熱処理によってアニールし
た後、シート抵抗ρＳを測定したものである。
形成した場合の効果を、本発明者が行った実験データ（
第４図）に基づき説明する。この実験は、半導体装置を
形成する半導体基板に通常行われるようなイオン注入（
ドーパントをＢ＋とする。）を施し、酸化シリコン膜の
各膜厚を形成し、本実施例の熱処理によってアニールし
た後、シート抵抗ρＳを測定したものである。
そして、その結果を第４図に・および○で示している。
この実験データからも明らかなように、図中計算値とし
て示すインコヒーレント光線の光強度分布く透過率の比
）に略沿ったシート抵抗ρＳの向上が見られる。従って
、半導体基板１上に酸化シリコン膜２ａ、２ｂ等の光吸
収率の異なる材料で薄膜を形成することにより、熱的な
特性が向上し、アニールによって活性化されていること
が判る。
て示すインコヒーレント光線の光強度分布く透過率の比
）に略沿ったシート抵抗ρＳの向上が見られる。従って
、半導体基板１上に酸化シリコン膜２ａ、２ｂ等の光吸
収率の異なる材料で薄膜を形成することにより、熱的な
特性が向上し、アニールによって活性化されていること
が判る。
このように本実施例の半導体装置の製造方法は、インコ
ヒーレント光線としてハロゲンランプ光線を用い、半導
体基板と光吸収率の異なる薄膜を選択的に形成して、短
時間熱処理によって熱１貝失を填補し、熱的な歪の発生
を抑え、スリップラインの発生等の弊害のない均一な熱
処理をすることができる。そして、インコヒーレント光
線を用いるため、膜厚のばらつきが生じても透過率の変
化が少なくこれを補うことが可能であり、また、所定の
膜厚によっては、有効に熱処理を行うことができる。
ヒーレント光線としてハロゲンランプ光線を用い、半導
体基板と光吸収率の異なる薄膜を選択的に形成して、短
時間熱処理によって熱１貝失を填補し、熱的な歪の発生
を抑え、スリップラインの発生等の弊害のない均一な熱
処理をすることができる。そして、インコヒーレント光
線を用いるため、膜厚のばらつきが生じても透過率の変
化が少なくこれを補うことが可能であり、また、所定の
膜厚によっては、有効に熱処理を行うことができる。
他の光吸収率の異なる薄膜の選択的な形成例としては、
例えば、第５図〜第６図に示すような薄膜の選択的形成
による。尚、第５図〜第６図は、半導体装置を形成する
半導体基板１の各々概略断面図である。
例えば、第５図〜第６図に示すような薄膜の選択的形成
による。尚、第５図〜第６図は、半導体装置を形成する
半導体基板１の各々概略断面図である。
第５図に示すように、半導体基板１の裏面１ｂに選択的
に薄膜の不純物含有ポリシリコン３を被着しても良い。
に薄膜の不純物含有ポリシリコン３を被着しても良い。
この不純物含有ポリシリコン３を用いた場合には、フリ
ーキャリアの影響から不純物濃度に光吸収率が依存する
為、不純物濃度に分布を持たせることによって熱）賢夫
を填補することができる。尚、裏面１ｂに限定されず、
両面に不純物含有ポリシリコン３を形成しても良い。ま
た、膜厚ｄ２を不純物濃度とともに変化させても良い。
ーキャリアの影響から不純物濃度に光吸収率が依存する
為、不純物濃度に分布を持たせることによって熱）賢夫
を填補することができる。尚、裏面１ｂに限定されず、
両面に不純物含有ポリシリコン３を形成しても良い。ま
た、膜厚ｄ２を不純物濃度とともに変化させても良い。
また、第６図に示す例のように、半導体基板１の裏面の
中心部分に光吸収率の異なる薄膜として、相対的に光吸
収率の低い、光を反射するような薄膜４を被着形成し、
中心部分に吸収される光が反射されることから中心部分
の加熱を抑えて半導体基板ｌを均一に加熱するようにし
ても良い。更に、熱損失を補償するため、上記薄膜４を
半導体基板１の両面に被着形成しても良い。
中心部分に光吸収率の異なる薄膜として、相対的に光吸
収率の低い、光を反射するような薄膜４を被着形成し、
中心部分に吸収される光が反射されることから中心部分
の加熱を抑えて半導体基板ｌを均一に加熱するようにし
ても良い。更に、熱損失を補償するため、上記薄膜４を
半導体基板１の両面に被着形成しても良い。
尚、本発明の半導体装置の製造方法の具体的な適用は、
上述したような各側に限定されるものではない。
上述したような各側に限定されるものではない。
尚、本実施例においては、シリコン基板に対して酸化シ
リコン膜や不純物含有ポリシリコンを選択的に形成して
好適な薄膜として説明したが、これに限定されず、半導
体基板と光吸収率の異なるような材料で選択的に形成す
る薄膜を形成すれば良い。
リコン膜や不純物含有ポリシリコンを選択的に形成して
好適な薄膜として説明したが、これに限定されず、半導
体基板と光吸収率の異なるような材料で選択的に形成す
る薄膜を形成すれば良い。
又、インコヒーレント光線は、ハロゲンランプ光線に限
定されるものではなく、波長の分布を有する。熱源であ
れば良い。
定されるものではなく、波長の分布を有する。熱源であ
れば良い。
本発明の半導体基板の製造方法は、半導体基板を短時間
熱処理し、しかも、選択的に形成される薄膜の作用によ
って、熱の損失を補償するため、基板を均一に加熱し、
熱的な応力の発生するような弊害を防止することができ
る。
熱処理し、しかも、選択的に形成される薄膜の作用によ
って、熱の損失を補償するため、基板を均一に加熱し、
熱的な応力の発生するような弊害を防止することができ
る。
第１図は本発明に係るコヒーレント光とインコヒーレン
ト光の５ｉ０２膜厚に対する干渉効果を示する特性図で
あり、第２図は赤外線照射ハロゲンランプ光の波長分布
を示す特性図であり、第３図は本発明の半導体装置の製
造方法に用いられる薄膜を形成した半導体基板の一例を
示す概略断面図であり、第４図は本発明に係る各種５ｉ
Ｏｚ膜厚をキャッピング膜とした時のＩＲアニール（イ
オン注入層Ｂ＋）のｐＳ値と干渉効果を示す特性図であ
る。また、第５図及び第６図は各々本発明の半導体装置
の製造方法に用いられる薄膜を形成した半導体基板の他
の例を示す概略断面図であり、第７図はコヒーレント光
での下地吸収特性を示す特性図である。 ■・・・半４体基板 ２ａ、２ｂ・・・酸化シリコン膜 ３・・・不純物含有ポリシリコン ４・・・薄膜 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小池 見間 田村榮− へ ４ 次 噌智・齢ｄ Ｎ 沫超
ト光の５ｉ０２膜厚に対する干渉効果を示する特性図で
あり、第２図は赤外線照射ハロゲンランプ光の波長分布
を示す特性図であり、第３図は本発明の半導体装置の製
造方法に用いられる薄膜を形成した半導体基板の一例を
示す概略断面図であり、第４図は本発明に係る各種５ｉ
Ｏｚ膜厚をキャッピング膜とした時のＩＲアニール（イ
オン注入層Ｂ＋）のｐＳ値と干渉効果を示す特性図であ
る。また、第５図及び第６図は各々本発明の半導体装置
の製造方法に用いられる薄膜を形成した半導体基板の他
の例を示す概略断面図であり、第７図はコヒーレント光
での下地吸収特性を示す特性図である。 ■・・・半４体基板 ２ａ、２ｂ・・・酸化シリコン膜 ３・・・不純物含有ポリシリコン ４・・・薄膜 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小池 見間 田村榮− へ ４ 次 噌智・齢ｄ Ｎ 沫超
Claims (1)
- 半導体基板の表面に該半導体基板と光吸収率の異なる薄
膜を選択的に形成し、インコヒーレント光線を照射して
上記半導体基板を熱処理する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181998A JPS6242519A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181998A JPS6242519A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242519A true JPS6242519A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16110533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181998A Pending JPS6242519A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063863A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007525844A (ja) * | 2004-02-26 | 2007-09-06 | ウルトラテック インク | フォトアニール時に温度を均一化させるためのシリコン層 |
| JP2014120664A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 剥離補助方法および剥離補助装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60181998A patent/JPS6242519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063863A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007525844A (ja) * | 2004-02-26 | 2007-09-06 | ウルトラテック インク | フォトアニール時に温度を均一化させるためのシリコン層 |
| JP2014120664A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 剥離補助方法および剥離補助装置 |
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