JPS6243544B2 - - Google Patents
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- JPS6243544B2 JPS6243544B2 JP56092335A JP9233581A JPS6243544B2 JP S6243544 B2 JPS6243544 B2 JP S6243544B2 JP 56092335 A JP56092335 A JP 56092335A JP 9233581 A JP9233581 A JP 9233581A JP S6243544 B2 JPS6243544 B2 JP S6243544B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyamic acid
- layer
- acid composition
- weight
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Description
本発明は半導体集積回路または混成集積回路の
配線構造体、とくに配線構造が２層以上に及ぶ多
層配線構造体の製造方法に関するものである。 半導体集積回路または混成集積回路におけるポ
リイミド樹脂を用いた多層配線構造体は従来、第
１図に示す方法で製造されている。すなわち、必
要な素子が形成された基板１上に所定のパターン
の下部導体層２を周知のフオトエツチング技術に
より形成する。しかる後、ポリアミド酸（ポリイ
ミド前駆体）ワニスを塗布、硬化してポリイミド
樹脂層３とする（第１図ａ）。次いでポリイミド
樹脂層３上にフオトレジスト４を塗布、乾燥する
（第１図ｂ）。フオトレジスト４は所定のフオトマ
スクを用いて露光、現像、乾燥し、所定のパター
ンを得る（第１図ｃ）。ポリイミド樹脂層３はエ
ツチングにより所定の部分を選択的に除去して、
貫通孔５とし、この部分の下部導体層２を露出さ
せる（第１図ｄ）。さらに不要となつたフオトレ
ジスト４を除去することでポリイミド樹脂層３の
パターンが形成される（第１図ｅ）。上部導体層
６は真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積さ
れ、フオトエツチング技術によつて下部導体層２
とポリイミド樹脂層３の貫通孔５の部分で電気的
に接続された所定のパターンに形成される（第１
図ｆ）。かかる従来技術においては、ポリイミド
樹脂層はフオトレジストを用いて間接的にパター
ン化を行わねばならず、上記の如く工数が多いた
めコストが高くなるという問題がある。また、上
記問題点を解決すべく種々検討が行われ、例えば
特開昭54―149754に示される耐熱性感光材料が提
案された。しかしながら、この材料は感度が数千
mj／cm2と低いうえに、現像すると膜が割れやす
く、多層配線構造体を製造するには実用的でなか
つた。一方、感度を改良したポリアミド酸組成物
が感光性耐熱重合体組成物として出願されている
（特願昭54―99421）。しかし、この組成物は現像
時に露光部のパターンが溶出され易く、特に微細
パターンが形成されないという別の問題が生じ、
実用に供するには不十分であつた。 本発明の目的は上記した従来技術の種々の問題
点を解決するとともにコストパーフオーマンスの
高い多層配線構造体の製造方法を提供するにあ
る。 上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結
果、以下に詳述する多層配線構造体の製造方法を
見い出した。 すなわち、本発明は基板上の少なくとも一部に
所定のパターンを有する下部導体層を形成する第
１工程と、該下部導体層上に光または放射線で反
応するポリアミド酸組成物〔Ａ〕の溶液を塗布
し、室温以上120℃以下の温度で乾燥する第２工
程と、該ポリアミド酸組成物を所定のマスクを用
いて露光、次いで現像し、少なくとも所定の場所
に貫通孔を有するポリアミド酸組成物層を形成す
る第３工程と、該ポリアミド酸組成物層を150℃
以上500℃以下の温度で加熱硬化してポリイミド
樹脂層に転化する第４工程と、該ポリイミド樹脂
層の貫通孔の部分で該下部導体層と電気的に接続
され、かつ該ポリイミド樹脂層上の少なくともそ
の一部が延在する所定のパターンの上部導体層を
形成する第５工程と、必要に応じて上記第２工程
から第５工程に至る工程を繰り返して複数層の配
線導体層を形成することで多層配線構造体が製造
される。 〔Ａ〕 (1) 一般式 （但し、式中R1は３価または４価の有機
基、R2は２価の有機基、Ｍは水素またはアン
モニウムイオン、ｎは１または２を表わす。）
で示される繰り返し単位を有するポリマと、 (2) 一般式N3―R3―N3〔〕（但し、式中R3は２
価または３価の有機基を表わす。）で示される
ビスアジド化合物と、 (3) 分子内に３級炭素に結合した水素を有する基
または２級炭素に結合した水素を有する基また
は不飽和結合を有するアミン化合物〔〕と、 (4) 必要に応じて加える増感剤とから成るポリア
ミド酸組成物。 なお、上記のビスアジド化合物〔〕は前記
〔〕で示される繰り返し単位を有するポリマ100
重量部に対して0.1重量部以上100重量部以下、前
記アミン化合物〔〕は前記〔〕で示される繰
り返し単位を有するポリマ100重量部に対して１
重量部以上400重量部以下の割合で配合されたも
のが好ましい。 本発明の特徴は光または放射線に感度良く反応
するポリアミド酸組成物を用いて、所定の貫通孔
を有するパターンを形成し、さらに加熱処理する
ことにより絶縁膜として化学的に安定なポリイミ
樹脂層に転化せしめ、容易に微細な多層配線構造
体を製造できた点にある。 本発明による多層配線構造体の製造方法を第２
図を用いて述べる。 必要な素子が作り込まれた基板７上に、導体金
属を真空蒸着法などにより堆積し、周知のフオト
エツチング技術により所定のパターンの下部導体
層８を形成する。次に前記ポリアミド酸組成物
〔Ａ〕の溶液を塗布し、室温以上100℃以下で溶媒
を蒸発させて、ポリアミド酸組成物層９を形成す
る（第２図ａ）。次に、所定のフオトマスクを用
いて露光、次いで現像し、貫通孔１０を形成す
る。しかる後、ポリアミド酸組成物層９を150℃
以上500℃以下の範囲の温度でポリイミド樹脂層
１１に転化する（第２図ｂ）。上部導体層１２は
真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積され、フ
オトエツチング技術によつて下部導体層８とポリ
イミド樹脂層１１の貫通孔１０の部分で電気的に
接続された所定のパターンに形成される（第２図
ｃ）。 前記組成物〔Ａ〕はポリアミド酸〔〕のカル
ボキシル基とアミン化合物〔〕のアミノ基をイ
オン結合によつて反応させ、これにビスアジド化
合物〔〕を配合したもので、光または放射線照
射時にビスアジドから生じたビスナイトレンが不
飽和結合等と反応することによりポリマを架橋さ
せ、溶媒に不溶化せしめんとするものである。し
たがつて〔Ａ〕はネガ型の画像を与える。 本発明に用いる基板はシリコンウエハ，ガラ
ス，セラミツクなどであり、目的に応じて
SiO2，Ta2O5，In2O3などの金属酸化膜を設ける
ことができる。 下部導体層および上部導体層は真空蒸着、スパ
ツタリング等の手段で堆積される。導体金属とし
ては主としてAlが用いられるが、Cu，Au，Pt，
Cr，Ti，Mo，Ｗ，Ta，Mnなどの金属あるいは
これらの２種以上の合金膜または多重膜であつて
もよい。 本発明に用いるポリアミド酸は繰り返し単位
〔〕のみからなるものであつても良いし、他の
繰り返し単位との共重合体であつてもよい。
〔〕式中、R1，R2はポリイミドとしたときの耐
熱性の面から含芳香族有機基、含複素環有機基が
望ましいがこれに限定はされない。R1としては
配線構造体、とくに配線構造が２層以上に及ぶ多
層配線構造体の製造方法に関するものである。 半導体集積回路または混成集積回路におけるポ
リイミド樹脂を用いた多層配線構造体は従来、第
１図に示す方法で製造されている。すなわち、必
要な素子が形成された基板１上に所定のパターン
の下部導体層２を周知のフオトエツチング技術に
より形成する。しかる後、ポリアミド酸（ポリイ
ミド前駆体）ワニスを塗布、硬化してポリイミド
樹脂層３とする（第１図ａ）。次いでポリイミド
樹脂層３上にフオトレジスト４を塗布、乾燥する
（第１図ｂ）。フオトレジスト４は所定のフオトマ
スクを用いて露光、現像、乾燥し、所定のパター
ンを得る（第１図ｃ）。ポリイミド樹脂層３はエ
ツチングにより所定の部分を選択的に除去して、
貫通孔５とし、この部分の下部導体層２を露出さ
せる（第１図ｄ）。さらに不要となつたフオトレ
ジスト４を除去することでポリイミド樹脂層３の
パターンが形成される（第１図ｅ）。上部導体層
６は真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積さ
れ、フオトエツチング技術によつて下部導体層２
とポリイミド樹脂層３の貫通孔５の部分で電気的
に接続された所定のパターンに形成される（第１
図ｆ）。かかる従来技術においては、ポリイミド
樹脂層はフオトレジストを用いて間接的にパター
ン化を行わねばならず、上記の如く工数が多いた
めコストが高くなるという問題がある。また、上
記問題点を解決すべく種々検討が行われ、例えば
特開昭54―149754に示される耐熱性感光材料が提
案された。しかしながら、この材料は感度が数千
mj／cm2と低いうえに、現像すると膜が割れやす
く、多層配線構造体を製造するには実用的でなか
つた。一方、感度を改良したポリアミド酸組成物
が感光性耐熱重合体組成物として出願されている
（特願昭54―99421）。しかし、この組成物は現像
時に露光部のパターンが溶出され易く、特に微細
パターンが形成されないという別の問題が生じ、
実用に供するには不十分であつた。 本発明の目的は上記した従来技術の種々の問題
点を解決するとともにコストパーフオーマンスの
高い多層配線構造体の製造方法を提供するにあ
る。 上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結
果、以下に詳述する多層配線構造体の製造方法を
見い出した。 すなわち、本発明は基板上の少なくとも一部に
所定のパターンを有する下部導体層を形成する第
１工程と、該下部導体層上に光または放射線で反
応するポリアミド酸組成物〔Ａ〕の溶液を塗布
し、室温以上120℃以下の温度で乾燥する第２工
程と、該ポリアミド酸組成物を所定のマスクを用
いて露光、次いで現像し、少なくとも所定の場所
に貫通孔を有するポリアミド酸組成物層を形成す
る第３工程と、該ポリアミド酸組成物層を150℃
以上500℃以下の温度で加熱硬化してポリイミド
樹脂層に転化する第４工程と、該ポリイミド樹脂
層の貫通孔の部分で該下部導体層と電気的に接続
され、かつ該ポリイミド樹脂層上の少なくともそ
の一部が延在する所定のパターンの上部導体層を
形成する第５工程と、必要に応じて上記第２工程
から第５工程に至る工程を繰り返して複数層の配
線導体層を形成することで多層配線構造体が製造
される。 〔Ａ〕 (1) 一般式 （但し、式中R1は３価または４価の有機
基、R2は２価の有機基、Ｍは水素またはアン
モニウムイオン、ｎは１または２を表わす。）
で示される繰り返し単位を有するポリマと、 (2) 一般式N3―R3―N3〔〕（但し、式中R3は２
価または３価の有機基を表わす。）で示される
ビスアジド化合物と、 (3) 分子内に３級炭素に結合した水素を有する基
または２級炭素に結合した水素を有する基また
は不飽和結合を有するアミン化合物〔〕と、 (4) 必要に応じて加える増感剤とから成るポリア
ミド酸組成物。 なお、上記のビスアジド化合物〔〕は前記
〔〕で示される繰り返し単位を有するポリマ100
重量部に対して0.1重量部以上100重量部以下、前
記アミン化合物〔〕は前記〔〕で示される繰
り返し単位を有するポリマ100重量部に対して１
重量部以上400重量部以下の割合で配合されたも
のが好ましい。 本発明の特徴は光または放射線に感度良く反応
するポリアミド酸組成物を用いて、所定の貫通孔
を有するパターンを形成し、さらに加熱処理する
ことにより絶縁膜として化学的に安定なポリイミ
樹脂層に転化せしめ、容易に微細な多層配線構造
体を製造できた点にある。 本発明による多層配線構造体の製造方法を第２
図を用いて述べる。 必要な素子が作り込まれた基板７上に、導体金
属を真空蒸着法などにより堆積し、周知のフオト
エツチング技術により所定のパターンの下部導体
層８を形成する。次に前記ポリアミド酸組成物
〔Ａ〕の溶液を塗布し、室温以上100℃以下で溶媒
を蒸発させて、ポリアミド酸組成物層９を形成す
る（第２図ａ）。次に、所定のフオトマスクを用
いて露光、次いで現像し、貫通孔１０を形成す
る。しかる後、ポリアミド酸組成物層９を150℃
以上500℃以下の範囲の温度でポリイミド樹脂層
１１に転化する（第２図ｂ）。上部導体層１２は
真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積され、フ
オトエツチング技術によつて下部導体層８とポリ
イミド樹脂層１１の貫通孔１０の部分で電気的に
接続された所定のパターンに形成される（第２図
ｃ）。 前記組成物〔Ａ〕はポリアミド酸〔〕のカル
ボキシル基とアミン化合物〔〕のアミノ基をイ
オン結合によつて反応させ、これにビスアジド化
合物〔〕を配合したもので、光または放射線照
射時にビスアジドから生じたビスナイトレンが不
飽和結合等と反応することによりポリマを架橋さ
せ、溶媒に不溶化せしめんとするものである。し
たがつて〔Ａ〕はネガ型の画像を与える。 本発明に用いる基板はシリコンウエハ，ガラ
ス，セラミツクなどであり、目的に応じて
SiO2，Ta2O5，In2O3などの金属酸化膜を設ける
ことができる。 下部導体層および上部導体層は真空蒸着、スパ
ツタリング等の手段で堆積される。導体金属とし
ては主としてAlが用いられるが、Cu，Au，Pt，
Cr，Ti，Mo，Ｗ，Ta，Mnなどの金属あるいは
これらの２種以上の合金膜または多重膜であつて
もよい。 本発明に用いるポリアミド酸は繰り返し単位
〔〕のみからなるものであつても良いし、他の
繰り返し単位との共重合体であつてもよい。
〔〕式中、R1，R2はポリイミドとしたときの耐
熱性の面から含芳香族有機基、含複素環有機基が
望ましいがこれに限定はされない。R1としては
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】（式中、結合手はポリマ主鎖
のカルボニル基との結合を表わし、カルボキシル
基は結合手に対してオルト位に位置する。）が好
ましいが、これらに限定されない。R2の例とし
ては、
基は結合手に対してオルト位に位置する。）が好
ましいが、これらに限定されない。R2の例とし
ては、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】などが挙げられ
る。
繰り返し構造単位〔〕で表わされるポリアミ
ド酸は通常、非プロトン性極性溶媒に溶解した状
態で使用に供せられる。非プロトン性極性溶媒と
して、Ｎ―メチル―２―ピロリドン、Ｎ，Ｎ―ジ
メチルホルムアミド、、Ｎ，Ｎ―ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ―アセチル―
ε―カプロラクタム、１，３―ジメチル―２―イ
ミダゾリジノンなどが好ましく用いられる。また
上記溶媒の２種以上を混合して用いてもよい。 本発明に用いられるビスアジド化合物〔〕の
例として、４，4′―ジアジドシフエニルメタン、
４，4′―ジアジドジフエニル、４，4′―ジアジド
アセトフエノン、４，4′―ジアジドスチルベン、
４，4′―ジアジドカルコン、４，4′―ジアジドベ
ンザルアセトン、２，６―ジ（4′―アジドベンザ
ル）―シクロヘキサノン、２，６―ジ（4′―アジ
ドベンザル）―４―メチルシクロヘキサノン、
２，６―ジ（4′―アジドベンザル）―４―ヒドロ
キシシクロヘキサノン、２，６―ジ（4′―アジド
ベンザル）―４―ヒドロキシメチルシクロヘキサ
ノン、４，4′―ジアジド―３，3′―ジカルボキシ
スチルベン、２―ジ（４―アジドシンナモイルオ
キシ）エタン、２，６―ジ（4′―アジドシンナミ
リデン）―４―ヒドロキシメチルシクロヘキサノ
ン、６―アジド―２―（4′―アジドスチリル）ベ
ンズイミダゾール、６―アジド―２―（4′―アジ
ドスチリル）ベンズチアゾール、５―アジド―２
―（4′アジドスチリル）ベンズオキサゾールなど
が挙げられるがこれらに制約されない、ビスアジ
ド化合物〔〕の配合割合は〔〕なる繰り返し
単位を有するポリマ100重量部に対して0.1重量部
以上100重量部以下で用いるのが望ましい。さら
に好ましくは0.5重量部以上50重量部以下で用い
るのが望ましい。この範囲を逸脱すると、現像
性、ワニスの保存安定性等に悪影響を及ぼす。 本発明に用いるアミン化合物〔〕の例として
は、アリルアミン、ジアリルアミントリアリルア
ミン、２―メチル―２―ブテニルアミン、１，３
―ジメチル―１―プロペニルアミン、２，４―ペ
ンタジエニルアミン、トリ（２―ブテニル）アミ
ン、ジ（２―メチル―２―プロペニル）アミン、
２―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）エチルシンナメ
ート、３―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）プロピル
アクリレート、３―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）
プロピルメタリレート、３―（Ｎ，Ｎ―ジメチル
アミノ）プロピルシンナメート、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルアミン、Ｎ―メチル―ジアリルアミン、Ｎ―プ
ロピルジアリルアミン、２―ビニルピリジン、２
―ビニル―６―メチルピリジン、２―ビニル―５
―エチルピリジン、４―ブテニルピリジン、４―
（１―プロペニルブテニル）ピリジン、４―ペン
テニルピリジン、４―（１―ブテニルペンテニ
ル）ピリジン、２―（４―ピリジル）アリルアル
コールなどが挙げられる。アミン化合物〔〕の
配合割合は〔〕なる繰り返し単位を有するポリ
マ100重量部に対して１重量部以上400重量部以下
で用いるのが望ましく、さらに好ましくは10重量
部以上400重量部以下で用いるのが望ましい。上
記範囲を逸脱すると、現像性または最終生成物の
ポリイミドの膜質に悪影響をもたらす。 光または放射線で反応するポリアミド酸組成物
にはさらに感度を向上する目的で適宜増感剤を添
加してもさしつかえない。添加量は〔〕，
〔〕，〔〕で表わされる化合物の総重量の0.1％
以上10％以下で用いるのが望ましい。この範囲を
逸脱すると現像性、最終生成物のポリイミドの膜
質に悪影響を与える。ビスアジド化合物の増感剤
としてはアントロン、１，９―ベンゾアントロ
ン、アクリジン、シアノアクリジン、ニトロピレ
ン、１，８―ジニトロピレン、ミヒラケトン、５
―ニトロアセナフテン、２―ニトロフルオレン、
ピレン―1.6―キノン、９―フルオレノン、１，
２―ベンズアントラキノン、２―クロロ―１，２
―ベンズアントラキノン、２―ブロモベンズアン
トラキノン、２―クロロ―１，８―フタロイルナ
フタレンなどが好ましく用いられる。 本発明に用いるポリアミド酸組成物は通常のフ
オトリソグラフイー技術でパターン加工が可能で
ある。基板への塗布には、回転塗布、浸漬、噴
霧、印刷などの手段から適宜選択できる。塗布前
処理として、接着助剤を用いる周知のカツプリン
グ処理を行うと良好な接着性が得られることが多
い。接着助剤としてはγ―アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ―グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ―メタクリルオキシプロピルト
リメトキシシランなどの有機ケイ素化合物、ある
いはアルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレート、アルミニウムトリス（エチル
アセトアセテート）、アルミニウムトリス（マロ
ン酸エチレート）などのアルミニウムキレート化
合物などが用いられる。 乾燥は室温以上100℃以下の範囲から選ばれる
温度で行われる。室温より低いと溶媒の蒸発に時
間がかかり実用的でない。100℃より高いとビス
アジド化合物の熱分解が起り感光基として働かな
くなる。また減圧乾燥を行うと良い結果が得られ
ることが多い。 露光は通常紫外線が用いられるが、可視光線、
遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオンビームであつて
もよい。 現像液としてはＮ―メチル―２―ピロリドン、
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、、Ｎ，Ｎ―ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホリツクトリアミド、Ｎ―アセチル
―ε―カプロラクタム、１，３―ジメチル―２―
イミダゾリジノンなどの非プロトン性極性溶媒を
単独あるいはメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メチルセロソルブなどのポリアミド酸の非溶
媒との混合液として用いることができる。 現像により形成したパターンはリンス液によつ
て洗浄し現像溶媒を除去する。リンス液には現像
液と混和性のよいポリアミド酸の非溶媒を用いる
が、メタノール、エタノール、イソプロピルアル
コール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチル
セロソルブなどが好適な例として挙げられる。 上記の処理によつて得られたポリアミド酸組成
物は加熱処理することによつて、イミド環や他の
環状基を持つ耐熱性ポリマのパターンとなる。加
熱温度は150℃以上、500℃以下の範囲から選ばれ
る。150℃より低いと、閉環反応が起らないかあ
るいは極端に遅くなり実用的ではない。500℃よ
り高くなるとポリマの熱分解が起り、好ましくな
い。加熱処理温度が300℃を越えるときはN2など
の不活性ガス雰囲気にするのが望ましい。 上部導体金属を堆積する前に、ポリイミドをあ
らかじめプラズマ放電雰囲気中で処理すると、ポ
リマと上部導体との接着性が向上する。この目的
のため酸素プラズマが通常用いられる。また貫通
孔の部分で下部導体と上部導体の電気的接続をよ
り確実なものにするため、表面処理を行うことが
できる。これは下部導体の表面にできる薄い酸化
被膜を取り除くための処理で、下部導体金属のエ
ツチング液あるいは酸化物のエツチング液などを
用いることで達成される。 以下本発明を実施例により説明する。あらかじ
め下記の如くして第１表No.１，No.２に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 窒素気流下に４，4′―ジアミノジフエニルエー
テル100ｇ（0.5モル）をＮ―メチル―２―ピロリ
ドン1791ｇに溶解した。次にこの溶液を氷冷によ
つて約15℃の温度に保ちながら撹拌下にピロメリ
ツト酸二無水物109ｇ（0.5モル）を加えた。加え
終えてからさらに約15℃で３時間反応させて、粘
度60ポイズ（30℃）のポリアミド酸 の溶液〔Ｂ〕を得た。 溶液〔Ｂ〕20ｇに２―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６―ジ
（4′―アジドベンザル）―４―メチルシクロヘキ
サノン0.37ｇを溶解し、次いで５μｍ孔のフイル
タを用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表
のNo.１の溶液を得た。 同様にして、窒素気流下、ジアミノジフエニル
エーテル90ｇ（0.45モル）、４，4′―ジアミノジ
フエニルエーテル―３―アルボンアミド11.4ｇ
（0.05モル）をＮ―メチル―２―ピロリドンと
Ｎ，Ｎ―ジメチルアセトアミドの同容量比の混合
溶媒1764ｇに溶解し、この溶液を氷冷によつて約
15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリツト
酸二無水物54.5ｇ（0.25モル）、３，3′，４，4′―
ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物80.5ｇ
（0.25モル）を加えた。加え終えてから、さらに
約15℃で３時間反応させて粘度55ポイズ（30℃）
ホリアミド酸
ド酸は通常、非プロトン性極性溶媒に溶解した状
態で使用に供せられる。非プロトン性極性溶媒と
して、Ｎ―メチル―２―ピロリドン、Ｎ，Ｎ―ジ
メチルホルムアミド、、Ｎ，Ｎ―ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ―アセチル―
ε―カプロラクタム、１，３―ジメチル―２―イ
ミダゾリジノンなどが好ましく用いられる。また
上記溶媒の２種以上を混合して用いてもよい。 本発明に用いられるビスアジド化合物〔〕の
例として、４，4′―ジアジドシフエニルメタン、
４，4′―ジアジドジフエニル、４，4′―ジアジド
アセトフエノン、４，4′―ジアジドスチルベン、
４，4′―ジアジドカルコン、４，4′―ジアジドベ
ンザルアセトン、２，６―ジ（4′―アジドベンザ
ル）―シクロヘキサノン、２，６―ジ（4′―アジ
ドベンザル）―４―メチルシクロヘキサノン、
２，６―ジ（4′―アジドベンザル）―４―ヒドロ
キシシクロヘキサノン、２，６―ジ（4′―アジド
ベンザル）―４―ヒドロキシメチルシクロヘキサ
ノン、４，4′―ジアジド―３，3′―ジカルボキシ
スチルベン、２―ジ（４―アジドシンナモイルオ
キシ）エタン、２，６―ジ（4′―アジドシンナミ
リデン）―４―ヒドロキシメチルシクロヘキサノ
ン、６―アジド―２―（4′―アジドスチリル）ベ
ンズイミダゾール、６―アジド―２―（4′―アジ
ドスチリル）ベンズチアゾール、５―アジド―２
―（4′アジドスチリル）ベンズオキサゾールなど
が挙げられるがこれらに制約されない、ビスアジ
ド化合物〔〕の配合割合は〔〕なる繰り返し
単位を有するポリマ100重量部に対して0.1重量部
以上100重量部以下で用いるのが望ましい。さら
に好ましくは0.5重量部以上50重量部以下で用い
るのが望ましい。この範囲を逸脱すると、現像
性、ワニスの保存安定性等に悪影響を及ぼす。 本発明に用いるアミン化合物〔〕の例として
は、アリルアミン、ジアリルアミントリアリルア
ミン、２―メチル―２―ブテニルアミン、１，３
―ジメチル―１―プロペニルアミン、２，４―ペ
ンタジエニルアミン、トリ（２―ブテニル）アミ
ン、ジ（２―メチル―２―プロペニル）アミン、
２―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）エチルシンナメ
ート、３―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）プロピル
アクリレート、３―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）
プロピルメタリレート、３―（Ｎ，Ｎ―ジメチル
アミノ）プロピルシンナメート、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルアミン、Ｎ―メチル―ジアリルアミン、Ｎ―プ
ロピルジアリルアミン、２―ビニルピリジン、２
―ビニル―６―メチルピリジン、２―ビニル―５
―エチルピリジン、４―ブテニルピリジン、４―
（１―プロペニルブテニル）ピリジン、４―ペン
テニルピリジン、４―（１―ブテニルペンテニ
ル）ピリジン、２―（４―ピリジル）アリルアル
コールなどが挙げられる。アミン化合物〔〕の
配合割合は〔〕なる繰り返し単位を有するポリ
マ100重量部に対して１重量部以上400重量部以下
で用いるのが望ましく、さらに好ましくは10重量
部以上400重量部以下で用いるのが望ましい。上
記範囲を逸脱すると、現像性または最終生成物の
ポリイミドの膜質に悪影響をもたらす。 光または放射線で反応するポリアミド酸組成物
にはさらに感度を向上する目的で適宜増感剤を添
加してもさしつかえない。添加量は〔〕，
〔〕，〔〕で表わされる化合物の総重量の0.1％
以上10％以下で用いるのが望ましい。この範囲を
逸脱すると現像性、最終生成物のポリイミドの膜
質に悪影響を与える。ビスアジド化合物の増感剤
としてはアントロン、１，９―ベンゾアントロ
ン、アクリジン、シアノアクリジン、ニトロピレ
ン、１，８―ジニトロピレン、ミヒラケトン、５
―ニトロアセナフテン、２―ニトロフルオレン、
ピレン―1.6―キノン、９―フルオレノン、１，
２―ベンズアントラキノン、２―クロロ―１，２
―ベンズアントラキノン、２―ブロモベンズアン
トラキノン、２―クロロ―１，８―フタロイルナ
フタレンなどが好ましく用いられる。 本発明に用いるポリアミド酸組成物は通常のフ
オトリソグラフイー技術でパターン加工が可能で
ある。基板への塗布には、回転塗布、浸漬、噴
霧、印刷などの手段から適宜選択できる。塗布前
処理として、接着助剤を用いる周知のカツプリン
グ処理を行うと良好な接着性が得られることが多
い。接着助剤としてはγ―アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ―グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ―メタクリルオキシプロピルト
リメトキシシランなどの有機ケイ素化合物、ある
いはアルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレート、アルミニウムトリス（エチル
アセトアセテート）、アルミニウムトリス（マロ
ン酸エチレート）などのアルミニウムキレート化
合物などが用いられる。 乾燥は室温以上100℃以下の範囲から選ばれる
温度で行われる。室温より低いと溶媒の蒸発に時
間がかかり実用的でない。100℃より高いとビス
アジド化合物の熱分解が起り感光基として働かな
くなる。また減圧乾燥を行うと良い結果が得られ
ることが多い。 露光は通常紫外線が用いられるが、可視光線、
遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオンビームであつて
もよい。 現像液としてはＮ―メチル―２―ピロリドン、
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、、Ｎ，Ｎ―ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホリツクトリアミド、Ｎ―アセチル
―ε―カプロラクタム、１，３―ジメチル―２―
イミダゾリジノンなどの非プロトン性極性溶媒を
単独あるいはメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メチルセロソルブなどのポリアミド酸の非溶
媒との混合液として用いることができる。 現像により形成したパターンはリンス液によつ
て洗浄し現像溶媒を除去する。リンス液には現像
液と混和性のよいポリアミド酸の非溶媒を用いる
が、メタノール、エタノール、イソプロピルアル
コール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチル
セロソルブなどが好適な例として挙げられる。 上記の処理によつて得られたポリアミド酸組成
物は加熱処理することによつて、イミド環や他の
環状基を持つ耐熱性ポリマのパターンとなる。加
熱温度は150℃以上、500℃以下の範囲から選ばれ
る。150℃より低いと、閉環反応が起らないかあ
るいは極端に遅くなり実用的ではない。500℃よ
り高くなるとポリマの熱分解が起り、好ましくな
い。加熱処理温度が300℃を越えるときはN2など
の不活性ガス雰囲気にするのが望ましい。 上部導体金属を堆積する前に、ポリイミドをあ
らかじめプラズマ放電雰囲気中で処理すると、ポ
リマと上部導体との接着性が向上する。この目的
のため酸素プラズマが通常用いられる。また貫通
孔の部分で下部導体と上部導体の電気的接続をよ
り確実なものにするため、表面処理を行うことが
できる。これは下部導体の表面にできる薄い酸化
被膜を取り除くための処理で、下部導体金属のエ
ツチング液あるいは酸化物のエツチング液などを
用いることで達成される。 以下本発明を実施例により説明する。あらかじ
め下記の如くして第１表No.１，No.２に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 窒素気流下に４，4′―ジアミノジフエニルエー
テル100ｇ（0.5モル）をＮ―メチル―２―ピロリ
ドン1791ｇに溶解した。次にこの溶液を氷冷によ
つて約15℃の温度に保ちながら撹拌下にピロメリ
ツト酸二無水物109ｇ（0.5モル）を加えた。加え
終えてからさらに約15℃で３時間反応させて、粘
度60ポイズ（30℃）のポリアミド酸 の溶液〔Ｂ〕を得た。 溶液〔Ｂ〕20ｇに２―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６―ジ
（4′―アジドベンザル）―４―メチルシクロヘキ
サノン0.37ｇを溶解し、次いで５μｍ孔のフイル
タを用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表
のNo.１の溶液を得た。 同様にして、窒素気流下、ジアミノジフエニル
エーテル90ｇ（0.45モル）、４，4′―ジアミノジ
フエニルエーテル―３―アルボンアミド11.4ｇ
（0.05モル）をＮ―メチル―２―ピロリドンと
Ｎ，Ｎ―ジメチルアセトアミドの同容量比の混合
溶媒1764ｇに溶解し、この溶液を氷冷によつて約
15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリツト
酸二無水物54.5ｇ（0.25モル）、３，3′，４，4′―
ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物80.5ｇ
（0.25モル）を加えた。加え終えてから、さらに
約15℃で３時間反応させて粘度55ポイズ（30℃）
ホリアミド酸
【式】（但し、R4は
【式】と
【式】が１：
１、R5は
【式】と
【式】が９：１）の溶液
〔Ｃ〕を得た。
溶液〔Ｃ〕20ｇに２―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６―ジ
（4′―アジドベンザル）―４―メチルシクロヘキ
サノン0.74ｇを溶解し、次いで５μｍ孔のフイル
タを用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表
No.２の溶液を得た。 以下同様にして第１表No.３〜No.９に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 実施例 １ 第３図に本発明により製造した感熱記録ヘツド
の断面図を示す。グレーズドアルミナ基板１３上
にエツチングバリアとして約1000ÅのTa2O5層１
４を設け、スパツタリングにより順次約1000Åの
Cr―Si層１５、約100ÅのCr層１６、約２μｍの
Al層１７を堆積し、OMR―83（東京応化製ネガ
型レジスト）を用いてレジストパターンを得た。
次いでリン酸、硝酸、酢酸、水からなるエツチン
グ液でAl層１７を、硝酸第２セリウムアンモニ
ウム水溶液Cr層１６を、沸酸、硝酸の混酸でCr
―Si層１５を順次選択エツチングした。しかる後
Ｓ―502（東京応化製）でレジストを除去し、配
線幅90μｍ、配線間隔35μｍの第１層配線導体層
を形成する。次に別のマスクを用い上記と同様に
Al，Crをエツチングして一辺が90μｍもう一辺
が250μｍの矩形のCr―Siの抵抗体パターンを得
た。抵抗体上にマスクスパツタで順次２μｍの
SiO2、３μｍのTa2O5を設けて抵抗体保護層１８
とする。 ポリイミド層と下地との接着強度を増すため１
％のアルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレートの溶液を塗布し、酸素雰囲気中
350℃で熱処理してAlの酸化皮膜を得た。 ポリイミド層１９は以下の如くにして形成し
た。第１表No.１の組成物溶液を回転塗布し、80℃
で30分間乾燥して４μｍ厚の塗膜として、所定の
乳剤マスクを用いて紫外線露光した。次いでＮ―
メチル―２―ピロリドン４容、エタノール１容か
らなる混液で現像し、エタノールでリンスして直
径50μｍの円形の貫通孔２０を得た。なお感度は
118mj／cm2でありパターンエツジは鮮明であつ
た。次に窒素雰囲気中、350℃で30分間加熱処理
して約２μｍのポリイミド層１９を形成した。パ
ターンエツジは熱処理前と同等であつた。次に
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６―ジ
（4′―アジドベンザル）―４―メチルシクロヘキ
サノン0.74ｇを溶解し、次いで５μｍ孔のフイル
タを用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表
No.２の溶液を得た。 以下同様にして第１表No.３〜No.９に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 実施例 １ 第３図に本発明により製造した感熱記録ヘツド
の断面図を示す。グレーズドアルミナ基板１３上
にエツチングバリアとして約1000ÅのTa2O5層１
４を設け、スパツタリングにより順次約1000Åの
Cr―Si層１５、約100ÅのCr層１６、約２μｍの
Al層１７を堆積し、OMR―83（東京応化製ネガ
型レジスト）を用いてレジストパターンを得た。
次いでリン酸、硝酸、酢酸、水からなるエツチン
グ液でAl層１７を、硝酸第２セリウムアンモニ
ウム水溶液Cr層１６を、沸酸、硝酸の混酸でCr
―Si層１５を順次選択エツチングした。しかる後
Ｓ―502（東京応化製）でレジストを除去し、配
線幅90μｍ、配線間隔35μｍの第１層配線導体層
を形成する。次に別のマスクを用い上記と同様に
Al，Crをエツチングして一辺が90μｍもう一辺
が250μｍの矩形のCr―Siの抵抗体パターンを得
た。抵抗体上にマスクスパツタで順次２μｍの
SiO2、３μｍのTa2O5を設けて抵抗体保護層１８
とする。 ポリイミド層と下地との接着強度を増すため１
％のアルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレートの溶液を塗布し、酸素雰囲気中
350℃で熱処理してAlの酸化皮膜を得た。 ポリイミド層１９は以下の如くにして形成し
た。第１表No.１の組成物溶液を回転塗布し、80℃
で30分間乾燥して４μｍ厚の塗膜として、所定の
乳剤マスクを用いて紫外線露光した。次いでＮ―
メチル―２―ピロリドン４容、エタノール１容か
らなる混液で現像し、エタノールでリンスして直
径50μｍの円形の貫通孔２０を得た。なお感度は
118mj／cm2でありパターンエツジは鮮明であつ
た。次に窒素雰囲気中、350℃で30分間加熱処理
して約２μｍのポリイミド層１９を形成した。パ
ターンエツジは熱処理前と同等であつた。次に
【表】
【表】
再度、塗布、乾燥、露光、現像、加熱処理を繰り
返し合計約４μｍ層のポリイミド層１９を得た。 第２層配線導体は次の如くして形成した。ポリ
イミド層を形成した上記基板を酸素プラズマで処
理し、約500ÅのCr21、約1.2μｍのCu22を順次
スパツタリングで堆積し、フオトレジストの画像
を形成する。しかる後電気メツキによりCu22を
約６μｍ、Pbを２μｍ、Snを３μｍ形成する。
次にレジストを除去、Cu、Crを順次エツチング
で選択除去した。メツキされたPbとSnは380℃の
熱処理により溶融してはんだ２３となり第２層配
線は完成する。 実施例 ２〜９ 第１表のNo.２〜No.９のポリアミド酸組成物を用
いて実施例１と同様に感熱記録ヘツドの多層配線
構造体を製造した。いずれの実施例においてもポ
リアミド酸の感度およびパターン精度は優れてお
り、容易い感熱記録ヘツドの２層配線構造体を製
造できた。 実施例 10 第４図は本発明により製造した半導体集積回路
の断面図を示す。シリコンウエハ２４に作り込ま
れたたエミツタ２５、コレクタ２６、ベース２７
の各領域から電極を取り出すため、SiO228に開
孔部を設ける。第１層配線導体は約２μｍの
Al29を真空蒸着により堆積し、フオトエツチン
グ技術により所定のパターンを得る。ポリイミド
層と下地との接着強度を上げるためアルミニウム
モノエチルアセトアセテートジイソプロピレート
の薄膜を形成し、酸素中350℃で熱処理する。ポ
リイミド層３０は第１表No.１のポリアミド酸組成
物を用い実施例１と同様にしてパターン化し、貫
通孔３１を得、窒素雰囲気中400℃の熱処理をし
て形成した。ポリアミド酸の感度は100mj／cm2で
あり、パターン精度は良好であつた。なおポリイ
ミド層３０の膜厚は約４μｍであり、貫通孔２９
は１辺が10μｍの正方形である。ポリイミド層と
第２層配線導体との接着強度を上げるため、ポリ
イミド層を酸素プラズマで処理する。次に約３μ
ｍのAl32を真空蒸着法で堆積し、フオトエツチ
ング技術によりパターン化して第２層配線導体と
する。 実施例 11〜14 実施例10と同様にして第１表のNo.２、No.６、No.
８、No.９のポリアミド酸組成物を用いて半導体集
積回路を製造した。いずれの場合もポリアミド酸
組成物の感度およびパターン精度は優れており、
容易に２層配線構造体を製造できた。 比較例 １ 前述した特開昭54−145794による実験結果を比
較例として示す。 実施例で調製した溶液〔Ｂ〕20ｇに２―〔Ｎ，
Ｎ―ジメチルアミノ）エチルメタクリレート1.57
ｇを溶解し、５μｍ孔のフイルタを用いて加圧
過した。この組成物（膜厚４μｍ）用いて実施例
１と同様にして感熱記録ヘツドの多層配線構造体
の製造を試みたが、感度が3200mj／cm2と第１表
No.１〜No.９のいずれのポリアミド酸組成物より低
く、かつ現像して得られたパターンは貫通孔の開
孔部の端からクラツクが入り、多層配線構造体は
製造できなかつた。 以上詳述した如く本発明による多層配線構造体
の製造方法は上、下部導体間の絶縁層であるポリ
イミドのパターン化にフオトレジストを用いるこ
となく直接的にフオトマスクから図形を転写でき
るため、通常のフオトエツチング工程が不要とな
り工程の合理化に大きく寄与する。またポリアミ
ド酸組成物の感度が高くかつ解像度が良いため、
作業時間が短縮されかつ微細なパターンを得るこ
とができる。このためコストパーフオーマンスの
高い製造方法となり本発明の経済的効果は大き
い。
返し合計約４μｍ層のポリイミド層１９を得た。 第２層配線導体は次の如くして形成した。ポリ
イミド層を形成した上記基板を酸素プラズマで処
理し、約500ÅのCr21、約1.2μｍのCu22を順次
スパツタリングで堆積し、フオトレジストの画像
を形成する。しかる後電気メツキによりCu22を
約６μｍ、Pbを２μｍ、Snを３μｍ形成する。
次にレジストを除去、Cu、Crを順次エツチング
で選択除去した。メツキされたPbとSnは380℃の
熱処理により溶融してはんだ２３となり第２層配
線は完成する。 実施例 ２〜９ 第１表のNo.２〜No.９のポリアミド酸組成物を用
いて実施例１と同様に感熱記録ヘツドの多層配線
構造体を製造した。いずれの実施例においてもポ
リアミド酸の感度およびパターン精度は優れてお
り、容易い感熱記録ヘツドの２層配線構造体を製
造できた。 実施例 10 第４図は本発明により製造した半導体集積回路
の断面図を示す。シリコンウエハ２４に作り込ま
れたたエミツタ２５、コレクタ２６、ベース２７
の各領域から電極を取り出すため、SiO228に開
孔部を設ける。第１層配線導体は約２μｍの
Al29を真空蒸着により堆積し、フオトエツチン
グ技術により所定のパターンを得る。ポリイミド
層と下地との接着強度を上げるためアルミニウム
モノエチルアセトアセテートジイソプロピレート
の薄膜を形成し、酸素中350℃で熱処理する。ポ
リイミド層３０は第１表No.１のポリアミド酸組成
物を用い実施例１と同様にしてパターン化し、貫
通孔３１を得、窒素雰囲気中400℃の熱処理をし
て形成した。ポリアミド酸の感度は100mj／cm2で
あり、パターン精度は良好であつた。なおポリイ
ミド層３０の膜厚は約４μｍであり、貫通孔２９
は１辺が10μｍの正方形である。ポリイミド層と
第２層配線導体との接着強度を上げるため、ポリ
イミド層を酸素プラズマで処理する。次に約３μ
ｍのAl32を真空蒸着法で堆積し、フオトエツチ
ング技術によりパターン化して第２層配線導体と
する。 実施例 11〜14 実施例10と同様にして第１表のNo.２、No.６、No.
８、No.９のポリアミド酸組成物を用いて半導体集
積回路を製造した。いずれの場合もポリアミド酸
組成物の感度およびパターン精度は優れており、
容易に２層配線構造体を製造できた。 比較例 １ 前述した特開昭54−145794による実験結果を比
較例として示す。 実施例で調製した溶液〔Ｂ〕20ｇに２―〔Ｎ，
Ｎ―ジメチルアミノ）エチルメタクリレート1.57
ｇを溶解し、５μｍ孔のフイルタを用いて加圧
過した。この組成物（膜厚４μｍ）用いて実施例
１と同様にして感熱記録ヘツドの多層配線構造体
の製造を試みたが、感度が3200mj／cm2と第１表
No.１〜No.９のいずれのポリアミド酸組成物より低
く、かつ現像して得られたパターンは貫通孔の開
孔部の端からクラツクが入り、多層配線構造体は
製造できなかつた。 以上詳述した如く本発明による多層配線構造体
の製造方法は上、下部導体間の絶縁層であるポリ
イミドのパターン化にフオトレジストを用いるこ
となく直接的にフオトマスクから図形を転写でき
るため、通常のフオトエツチング工程が不要とな
り工程の合理化に大きく寄与する。またポリアミ
ド酸組成物の感度が高くかつ解像度が良いため、
作業時間が短縮されかつ微細なパターンを得るこ
とができる。このためコストパーフオーマンスの
高い製造方法となり本発明の経済的効果は大き
い。
第１図は従来技術による多層配線構造体の製造
方法を示す図、第２図は本発明による多層配線構
造体の製造方法を示す図、第３図は本発明による
多層配線構造体の実施例１〜９を示す断面図、第
４図は本発明による多層配線構造体の実施例10〜
14を示す断面図である。 ７：基板、８：下部導体層、９：ポリアミド酸
組成物層、１０：貫通孔、、１１：ポリイミド樹
脂層、１２：上部導体層。
方法を示す図、第２図は本発明による多層配線構
造体の製造方法を示す図、第３図は本発明による
多層配線構造体の実施例１〜９を示す断面図、第
４図は本発明による多層配線構造体の実施例10〜
14を示す断面図である。 ７：基板、８：下部導体層、９：ポリアミド酸
組成物層、１０：貫通孔、、１１：ポリイミド樹
脂層、１２：上部導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の少なくとも一部に所定のパターンを
有する下部導体層を形成する第１工程と、該下部
導体層上に光または放射線で反応する下記のポリ
アミド酸組成物〔Ａ〕の溶液を塗布し、室温以上
120℃以下の温度で乾燥する第２工程と、該ポリ
アミド酸組成物を所定のマスクを用いて露光、次
いで現像し、少なくとも所定の場所に貫通孔を有
するポリアミド酸組成物層を形成する第３工程
と、該ポリアミド酸組成物層を150℃以上500℃以
下の温度で加熱硬化してポリイミド樹脂層に転化
する第４工程と、該ポリイミド樹脂層の貫通孔の
部分で該下部導体層と電気的に接続され、かつ該
ポリイミド樹脂層上の少なくともその一部が延在
する所定のパターンの上部導体層を形成する第５
工程と、必要に応じて上記第２工程から第５工程
に至る工程を繰り返して複数層の配線導体層を形
成する工程を含むことを特徴とする多層配線構造
体の製造方法。 但し、上記のポリアミド酸組成物〔Ａ〕は、以
下(1)〜(3)もしくは(1)〜(4)よりなるものである。 (1) 一般式 （但し、式中R1は３価または４価の有機
基、R2は２価の有機基、、Ｍは水素またはアン
モニウムイオン、ｎは１または２を表わす。）
で示される繰り返し単位を有するポリマと、 (2) 一般式N3―R3―N3〔〕（但し、式中R3は２
価または３価の有機基を表わす。）で示される
ビスアジド化合物と、 (3) 分子内に３級炭素に結合した水素を有する基
または２級炭素に結合した水素を有する基また
は不飽和結合を有するアミン化合物〔〕と、 (4) 必要に応じて加える増感剤とから成るポリア
ミド酸組成物。 ２ 前記ビスアジド化合物〔〕は前記〔〕で
示される繰り返し単位を有するポリマ100重量部
に対して0.1重量部以上100重量部以下、前記アミ
ン化合物〔〕は前記〔〕で示される繰り返し
単位を有するポリマ100重量部に対して１重量部
以上400重量部以下の割合で配合されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配線構
造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092335A JPS57208158A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Manufacture of multilayer wiring structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092335A JPS57208158A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Manufacture of multilayer wiring structure |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2851884A Division JPS60121740A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 多層配線構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57208158A JPS57208158A (en) | 1982-12-21 |
| JPS6243544B2 true JPS6243544B2 (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=14051515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56092335A Granted JPS57208158A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Manufacture of multilayer wiring structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57208158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014154873A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Ichia Technologies Inc | 多層型フレキシブル印刷回路板及びその製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119790A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 多層印刷配線板およびその製造方法 |
| JPS61121393A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 旭化成株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
| JPH025596A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Nec Corp | 多層配線基板の製造方法 |
| JP2014216623A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
| TWI767436B (zh) * | 2016-02-26 | 2022-06-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 積層體的製造方法、半導體元件的製造方法及再配線層的製造方法 |
| TWI810158B (zh) * | 2016-08-01 | 2023-08-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法、 積層體的製造方法及半導體元件 |
| KR102212731B1 (ko) * | 2016-08-25 | 2021-02-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
1981
- 1981-06-17 JP JP56092335A patent/JPS57208158A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014154873A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Ichia Technologies Inc | 多層型フレキシブル印刷回路板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57208158A (en) | 1982-12-21 |
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