JPS6243749A

JPS6243749A - セキユリテイキ−

Info

Publication number: JPS6243749A
Application number: JP60182899A
Authority: JP
Inventors: Tei Fuaagason Terii; テリー・テイ・フアーガソン; Masao Okubo; 昌男大久保; Kazumasa Okubo; 和正大久保
Original assignee: Japan Electronic Materials Corp
Current assignee: Japan Electronic Materials Corp
Priority date: 1985-08-20
Filing date: 1985-08-20
Publication date: 1987-02-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の利用分呵コ本発明は、セキュリティキーに関し、特に、コンビュー
タンステムのメモリ、外部記憶装置等に格納されたセン
シティブな（機密性のある）情報のアクセスを制限し、
制御する電ｒ装置用安全／ステムに使用されるセキュリ
ティキーに関する。

［従来の技術］電子装置に格納されたセンシテブな情報のアクセスを制
限し制御するために種々の安全装置が提案されている。

従来技術の　例として、キー口、り装置をイｌするｌｕ
ｆ”Ａ置があるが、かかる／ステｌ、は、口、りを解除
するのに必殻な情報が、イモリ、例えば装置内に配置−
没されたＰ　ＲＯＭ等に格納されていて、これと入力さ
れた暗椙＝１−ド”７１　、：を照合することでその口
、りが解除され、７殼な情報かアクセスできるというも
のである。

また、他の＋に置を備えるンステノ、では、ターゲット
／ステノ、によって＋Ｉ、しいと認識されたとき、アク
セス命令４：、畳、を発生する。

さらに、プロセッサをイ「するメモリカード等にあって
は、それがターゲット／ステムに挿入される、と、ター
ゲット／ステノ、が動作して特定の情報がアクセスでき
るようになり、ターゲット／ステムからメモリカードを
除去すると、ターゲット／ステｌ、をＪ１動作状態にす
るようなシステムを挙げることかできる。

［解決しようとする問題点コこのような従来の／ス＝Ａにあっては、ターゲ、トノス
テムのメＬす“９に格納された情報の安全を１−分に保
障できない。そこで、このような問題を解決するために
、プログラノ・情報とか、多くのフード情報とかを記憶
したメモリを内蔵するキー又はカードで構成されるセキ
ュリティキーを提案して、すでに出願済みである。

このセキュリティキーにあっては、それに内蔵されたメ
モリがターゲット／ステムのメモリの部をなすようなン
ステｌ、であって、セキュリティキーのメモリにプログ
ラム等を記憶することにより、セキュリティキーが挿着
されない限り、ターゲット／ステムが動作しないもので
ある。その結果として、機密情報専の安全性を保障し、
不当な機密情報のアクセスを禁市し、かつターゲット／
ステｔ、のメモリの・品が２’ｌ弓された便用期間以外
ではル実１−除去されるようにして、ターゲット／ステ
ム側のメモリ又は外部記憶装置δに格納された情報の安
全をさらに保障する。

しかしながら、このようなシステムにあっては、キー又
はカードが数丁回動ヤは数万回抜き差しされた場合であ
ってもキー又はカード側とターゲット／ステｌ、側との
接続がｌ−分保障されることが実用ｌ・必安きされる。

そこで、数丁″回動子は数万回の抜き差しに対しても、
より確実にキー又はカード側とターゲット／ステム側止
の接続がなされるような接続方式が゛及請される。

［発明の目的］本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決し、先
１１″技術の安請に応えるものであって、通常のキー又
はカードとしての繰り返し使用においてターゲット／ス
テムとの接続を１−分保障できるようなセキュリティキ
ーを提供することにある。

なお、この明細書において使用しているセキュリティキ
ーとは、その外観がキ一様のものに限定されるものでは
なく、通常のキーをはじめとして、その外観形状が棒状
のキー、そしてその外観形状がカード状のもの９・を含
むものとして使用している。

［問題点を解決するためのＬ段］しかして、ｌｌ’ｌ記の問題点を解決するためのこの発
明のセキュリティキーにおける１段は、メモリとこのメ
モリの端子に直接又は間接的に接続された接触端子とを
有するキー若しくはカードで構成されたセキュリティキ
ーにおいて、キー若しくはカードがターゲットシステム
に設けられたレセプタタルに挿着され、さらに接触端子
がこのレセプタクルに設けられた接触ビンに接触するこ
とにより、メモリがターゲット／ステムのメモリの一部
分となるものであって、接触端子にリング状の導体を設
けるというものである。

［作用］このように接触端子にリング状の導体を設けることによ
り、ターゲット／ステムのレセプタクル側の接触ピンが
リングの内側で案内されるので、これらの間の接続が確
実となる。しかも接触端子が導電性のリングであって、
この縁がバッファ作用を持つことから、数千回乃至は数
刀回の抜き差ししても、数１回乃至は数刀回の接触が行
われた結果レセプタクル側の１妾触ピ／側とか、キーの
接触端子側において摩耗が発生したり、位置すれか１１
シたとしても、リングの周囲に接触することで（信ｎが
矯１１：され、接触状態が確保され、さらには１と触面
のはがれの防市にも没＼ｒつ。

したがって、数Ｔ回動子は数万回の抜き差し使用に対し
てもその接続が確実なものとなる。

［実施例コ以ドこの発明の一実施例について図面を用いて詳細に説
明する。

第１図は、キーとレセプタクルを示す安全システムのブ
ロック図、第２図は、レセプタクルから分離したキーの
透視図、第３図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれキー側の
接触端子とレセプタクルのポゴピン（接触ピン）、ｌ！
：の接続関係の説明図、第４図は、そのヘッド部分の拡
大断面図、第５図は、キーの積層前の各セラミックス層
を構成する基板の説明図である。

第１図及び第２図においては、キー１０とレセプタクル
５０とターゲットシステム１００を全体的に示す。

この実施例の特徴は、キー１０が、電ｒ的にプログマブ
ルであり、電ｒ的に変更＋１■能であり、電ｒ的に読出
（−１１ｆ　’１−）　’＋’＋Ｉ能であり、そして不
揮発的な随時アクセスデジタルメモリ４０　（Ｅ２　Ｆ
ＲＯＭ）を備える点にある。

そして、メモリ４０が、レセプタクル５０に挿入される
とターゲットシステム１００のメモリの重要な部分を構
成する少なくとも一部となる。また、キー１０が、レセ
プタタル５０から抜かれると、ターゲットシステム１０
０は、メモリの重要な部分又は大部分が事実上はずれる
ので、確実に動作しなくなる。

ここで、レセプタクル５０は、ソケット５１とシリンダ
５２、リミットスイッチ５３、そしてばね負荷のポゴピ
ン５４．５５からなる２列のポゴピン群５４，５４．　
　・・・、５５．５５．−・・とを自していて、これら
ポゴピンは、キー１０に設けられた導電性の接触端ｆ’
１７．１８からなる２列の接触端子群群１７．１７．　
　・東・１８，１８、・・・に対応して設けられている
。

第２図において、キー１０は、ヘッド部１２および／セ
フ８部１３を自゛する酋通のキーの一般的形状をしたセ
ラミ、り基板からなる。キー１０の接触端Ｊ’７ｆｆ１
７，１７．−−−及び１８，１８゜ｅ・・は、それぞれ
円形の接触端子であって、メモリ４０を内蔵している而
と同一面側の表面側にそれぞれ所定間隔で配タリされて
設けられている。

接触端ｆ’１７，１８は、それぞれ第３図（ａ）及び（
ｂ）に見るように円形の金の接触面１７ａ。

１８ａに対してその周囲を囲むようにその上に金属ワノ
／ヤ１５，１６がそれぞれ固定して形成されている。

方、キー１０には、第２図に見るように、（ぼみ２０が
、随時アクセスメモリ４０を受は入れるために、へ、ド
部１２に形成されている。そして配線１４が、くぼみ２
０と接触端子Ｊ！Ｈ７，１７、・・・及び１８．１８．
　　・・・との間に設けられ、このへ線１４によりくぼ
み２０に設けられたメモリ４０の端子と接触端子ＲＮ７
．１７．　　・・・及び１８，１８．　　・・・とがそ
れぞれ接続される。

また、第４図に見るように、メモリ４０のチップ又はこ
のチップがボンディングされた基板がンエナーダイオー
ドの静電防市層４２の［〕に載置されているそして、多層のセラミックス層が、セラミックス基板」
−に設けられていて、外側には金属板層３０（裏面では
金属板層４３ａが対応、第４図参照）がセラミックス層
上に埋設され、通常の金属製キーの外観をキー１０に対
して与えている。ここで金属板層３０（金属板層４３ａ
）は、付加的に静電気を最小に保持する。なお、その詳
細は、後述の第４図、第５図にて説明する。

ここで、キー１０は、事実り容易に着脱でき、制御でき
及び持ち運べるデータ格納媒体として用いることができ
、通常のＦＲＯＭまたはＲＯＭ装置として使用できるも
のであって、しかも通常のキーと同じ機能ように機能す
るものである。

さて、第３図（ａ）に見るように、レセプタクル５０の
／す／ダ５２内には、プレート５６が１−ドに移動ｉ＋
Ｊ能に支承されていて、このプレート５６には、２列に
配列されたポゴピンＪ！Ｔ５４．５４゜・拳−，５５，
５５，・・・が接触端子群１７゜１７、・・・及び１８
，１８．　　・・・に対応して植設されている。

プレート５６は、キー１０が挿着されて、所定のセット
位置に来たときに、キー１０に対して降ドしてポゴピン
群５４，５４．　　・・・、５５．５５、・・・を接触
端子群１７，１７．　　・・・及び１８．１８．　　・
・・にそれぞれ接触させるものである。

なお、プレート５６は、通常、ばね５７，５７により降
ド方向に付勢されていて、図示しないカム溝にプレート
５６に設けられた爪が落ちることに降下する。

さて、ポゴピン群５４．　５４．−・・、５５゜５５、
・・・と接触端子群１７．１７．−・・及びｔｓ、ｔｓ
、　　・・Ｏとの接触関係は、第３図（ｂ）に見るよう
に、それぞれの接触端子に１役けられた金属ワ、ンヤ１
５．１６の内側周面にｔ妾して円形の金の接触面１７ａ
、１８ａに接触することによる。したがって、ポゴピン
１！Ｔ５４，５４．　　・・・、５５，５５．　　・争
・が摩耗しても、まｌこ、金の接触面１７ａ、１８ａが
へこんでもリング状の内周而に案内されて確実にこれら
の間の［触が確保される。しかも接触に際してリングの
周囲が力学的にバッファ作用を持つ。

なお、この場合接触ピンであるポゴピン５４゜５５の先
端径は、金属ワッシャ１５．ｌＥ３の内径よりも小さい
径となっている。ここに、接触ピン（ポゴピン群５４．
　５４．　　・・・、　　５５．　５５゜・・・）は、
通常、その先端側の径は小さく、ドーナ、ツ状に内側に
孔をあけたワ、ンヤであれば通常、この先端径より大き
い関係となる。

したがって、ポゴピン５４．５５と接触端子群１７．１
８との位置が相対的にづれた状態でも、ポゴピンの先端
側がリング状の内周而に案内されてより確実な接触状態
に入る。

さらに、多くの場合、縁に当たることからこのリング状
の縁は、ポゴピンの先端が接触端子に接触する際にバッ
ファ効果を持っていて、リング内面の接触面１７ａ　（
１８ａ）に対する圧力を和らげてそのはがれを防上する
役割も果たす。しかも仝属ワブンヤ１５（１Ｂ）の縁で
接触した状態でもポゴピン（接触ピン）側との接触が採
れ、数千回、数万回の接触に耐え（する接触を確保し得
る。

また、このようにリングの内側に接触ピンが配置される
構造となることから、接触状態でのユーザーの不注意な
キーの引き抜きが不可能となり、ターゲラトンステムに
対して安全に接触状態が維持できる。

ところで、この場合はこり等を回避するために、キーｌ
Ｏとプレート５６との位置関係を逆転させて、ポゴピン
群５４．５４．　　・拳・、５５，５５゜・・−を）°
側に配置して、これらを上界させて、キー１０の接触端
子ＪｔＨ７，１７，・・・及び１８．１８．　　・・・
と接触させるようにしてもよい。

このように下側から上へと移動させて接触させることに
より、接触端子ＪｔＨ７，１７，・・拳及び１８，１８
．　　・・・に付着するほこり、ゴミ等を落下させて、
確実により安定した状態で接触させることが可能となる
。

次にこの静電破壊防ＩＦに対するキー１０の構造につい
て第２図、第４図に従って説明する。

先の第２図に見るように、キー１０は、そのヘッド部１
２のくぼみ２０にメモリ４０が挿ｉｔされていて、メモ
リ４０のチップ４１は、第４図に見るようにツェナーダ
イオード基板層４２１−に載置されている。モしてチッ
プ４１．！：ツェナーダイオード基板層４２とは金メッ
キ層４２ａを介して相互に融召されており、ツェナーダ
イオード基板層４２の融着面と反対側の而には、グラン
ドとして同様に金のメッキ層４２ｂか設けられていて、
第１セラミックス層４３に設けられたグランド配線と接
続している。

ツェナーダイオード基板層４２には、その周囲にボンデ
ング端子２１，２１．　　・・φがチップ４１のボンデ
ングパ、ソド４１　ａ＋　　４１　ａ、・拳−（こ対応
するようにそれぞれ設けられていて、チ、プ４１の各ボ
ンデングパノド４１ａに対する配線は、そのボンデング
パノド部分からこのボンデング端Ｊ”２１，２１．　　
・・・にワイヤ２２，２２．　　・・・により−件１−
落とされてワイヤボンデングされ、このボンデング端Ｊ
’−２１からそのそれぞれに対応して設けられた外部端
子２３．２３．　　・・・へとワイヤ２４，２４．　　
・拳拳により再びワイヤボンデングされて、外部のリー
ド端子２３とチップ４１とがワイヤボンデングされるも
のである。

ところで、外部端子２３，２３．　　・・・は、第３セ
ラミックス層４５の端部に形成されていて、第１セラミ
ックス層４３には、その裏面側に比較的厚い金属板層４
３ａが埋設されていて、その上面側に信号の配線４３ｂ
がなされ、それがスルーホールヲ介して前記第３セラミ
ックス層４５の対応する所定の外部端子２３，２３．　
　・・・へと接続されている。なお、金属板層４３ａは
、説明の都合状金属板層３０と別のものとして説明して
いるが、金属板層４３ａとは、金属板層３０に連続して
いて、これは、金属板層３０に相当する裏面側部分であ
って、これらは、金属のメッキが表面に施されて一体的
なものとなっている。

−−方、第３セラミックス層４５の１〕面には、アドレ
ス信号の配線４５ａがなされていて、これらも同様にそ
の対応する所定の外部端−ｆ’２３，２３゜・拳・に接
続されている。

そして、第１及び第３のセラミックス層の間にある第２
のセラミックス層４４のト面には、ノイズの影響を除去
するために、スルーホールＲ分を除きグランド而４４ａ
が設けられている。さらに第４のセラミックス層４６も
同様なグランド而４６ａがその上面に設けられていて、
第５セラミックス層４７に電源ライン４７ａが走ってい
る。

最上部となる第６のセラミックス層４８専には、グラン
ド層としての比較的厚い金属板層３０が埋設されている
。

第５図は、これら各層を積層する前の状態を各層に展開
したものであって、第１のセラミックス層４３から第６
のセラミックス層４８までは、それぞれセラミックス基
板４３Ｓから４８Ｓまでを順次積層して・体化されて形
成されたものであって、これらは個々に焼成されたもの
を積層してもよいし、同時に焼成処理して多層化されて
もよい。

また、各グランド而４４ａ、４６ａは、それぞれ各セラ
ミックス基板４８８．４４８の表面の金属メッキ層とし
て形成されるものであって、金属プレー）４３ａＳ、３
０８は、それぞれ補強と静電破壊防ｌｌ’、、そしてノ
イズの影響を回避するために最上層のセラミックス層４
３と最上層のセラミ、クス層４８に一体的に埋め込まれ
、これらが金属板層３０及び金属板層４３ａを構成する
ものである。そしてこれらとセラミックス基板とはセラ
ミックス基板に施された金属メッキ層で接合されて、さ
らにこれら金属プレート４３ａＳ、３０８は、その表面
トに金属メッキが施され、表裏一体内な補強兼静電破壊
防］［・、ノイズ防止層となる。

また、各セラミックス基板における孔は、それぞれスル
ーホール又は接触端子を構成する部分であって、これら
の部分は、グランド而となる金属メッキ而から除外され
てメッキがなされる。そしてこれらは、各層に設けられ
た配線のうち必要なものと接続される。

ところで、以−Ｆのように、信号配線、アドレス配線、
そして電源ラインをグランド而配線でサンドウィッチし
た構造とすることで、静電破壊及びノイズに強い構造と
することができる。なお、前記信号線の配線４３ｂ、ア
ドレス線の配線４５ａ。

そして電源ライン４７ａ等の総称としてこれらが第１図
における配線１４として現れている。

さて、このように構成することにより、キーを持った人
の体等から高圧静電気がキーに入っても、ツェナーダイ
オード層４２が受けてこれがブレークダウンし、高圧静
電気は、その裏面側の金の層からグランドへと落ちる。

その結果、ＲＯＭチップには、高電圧が印加されること
はなく、静電気でＲＯＭを破壊するおそれがない。

したがって、通常の使用状態において、キーを持った人
の体から高圧静電気がキーに加わっても、また、キーに
帯電又は印加される静電気があっても内蔵されたメモリ
が破壊される危険性はほとんどなく、通常のキーき同様
に安易な使用ができる。

なお、第４図において、（ぼみ２０のに部において点線
で小めす部分は、くぼに２０部分を封１）二するキ？７
ブ２５である。

次に、全体的な動作を説明すると、キー１０がレセプタ
クル５０に挿入されて、所定の回転がなされたとき、レ
セプタクル５０の底部に配置されたスイッチ５３が“Ｏ
Ｎ”してターゲット７ステム１００のプロセッサ１０１
が起動をかけられ又は割込みが発生する。このとき同時
にカム溝にプレート５６の爪か落ち込み、レセプタクル
５０のポゴピン群５４，５４．　　拳・−，５５，５５
，−・・が降トしてキー１０の対応する接触端子群１７
．１７．　　・φ・、１８，１８・φ・とそれぞれ接触
する。

そこで、プロセッサｌｏｔは、バス１０４とレセプタク
ル５０のポゴピン群５４．　５４．　　・・・。

５５．５５．　　・・・のうち選択されたものと、キー
の接触端子群１７，１７．　　・Φ・、そして接触端子
７！ＴＩ８，１８．　　・拳・のうち選択されたちのと
を介してキー１０のメモリ４０をアクセスする信シシを
キー１０側に送る。このアクセスイ、７弓がメモリ４０
に送出されて、メモリ４０のアクセスされた番地から所
定のデータが読出される。

読み出されたデータは、キー１０側の接触Ｍ＋Ａｉ、／
Ｊ！０７，１７．　　・・・、１８．１８．　　・・・
のうち選択されたもの、レセプタクル５０側の接触１１
群５４．　５４．　　・・・、５５．５５のうち選択さ
れたもの、舎・・バス１０４を経てプロセッサｌＯ１へ
と渡されて所定の処理がなされる。

さて、ここで、キー１０のメモリ４０は、プロセッサ１
０１の持つアドレス空間の一部に割り当てられていて、
ターゲットシステム１００のンステム内のＲＡＭ　１０
２とか、プログラムＲＯＭ　１０３と同様にアクセスさ
れるものとなる。

そして、メモリ４０に格納された指令等のプログラムの
情報又はデータ情報を得て、プロセッサ１０１は、あら
かじめ定められた所定の動作をして、ターゲットシステ
ム１００のメモリ又は外部記憶装置の特定の情報がアク
セスされることになる。

キー１０のメモリ４０にＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ。

Ｅ２　ＰＲＯＭ等を用いた場合には、プログラマ−で１
杯プログラムし得る。キーは、ハイブリッド技術を介し
て例えば１６３８４ビツトの情報を含み得て、同様な他
のＦＲＯＭを１８３８４ビツトまでエミュレーションし
得る。

メモリ４０に格納されたデータは、キー１０がレセプタ
クル５０に挿入されると全体または１軍分的に書込み、
読出しまたは！Ｊ［ｉされ得るものである。

キー１０におけるメモリ４０の記憶情報は、主システム
にアクセスを許容する非常に多くの個人的な個別コード
（５０〜１００字）を含むんでもよい。キー１０は、ま
たターミナル装置の、Ｔｌな部分を含み、それなくして
ターミナルは適当に動作しないものとすることができる
。

以−に説明してきたが、実施例では、キーの接触端子と
して、円形の金の接触而を用いているが、これは金に限
定されるものではない。また、この接触而の周囲に固定
されたり、／ヤは、金属を使用しているが、これは、接
触而が金のときには、製造過程で金のワッシャを融着す
るとよく、これらを容易に一体化し１！Ｊる。また、全
以外の金属ワッシャを使用するときには、低融点はんだ
５を介在させて固定するとよい。

なお、ワッシャは、リング状のものならば円形のものに
限定されるものではなく、四角リングであってもよい。

また、実施例では、接触端子、メモリを内蔵している面
と同一面側の表面側に設けているが、これは、裏面側若
しくは表裏側にそれぞれ設けてもよく、また、通常のキ
ーの山／谷溝を設ける而となる上又は下若しくは−Ｌ下
のサイドに設けてもよい。

さらに、実施例では、キーにメモリを内蔵して、いるが
、このメモリにＲＡＭを用いて書込みできるようにする
場合には、キーに電池を内蔵させることができる。そし
て接触端子とメモリの端子との間に、増幅器等のバ、フ
ァ回路等を介してこれ、、か接続されてもよいことはも
ちろんである。

赴１］１！１例では、キーにＥ２ＰＲＯＭのメモリを内
蔵しているか、これは、ＥＰＲＯＭ、ＦＲＯＭ等を使用
できることはもちろんである。

さＪ、に、実施例ではキーにメモリを内蔵しているか、
メモ］！を内蔵するキーに変えてメモリを内蔵するカー
ドを用いてもよいこ乏はもちろんである。

［発明の効果］以ｌ、の説明から理解できるように、この発明によれば
、イモ１１とこのメモリの端子に直接又は間接的に接続
された接触端子とをイ１″するキー若しくはカードで構
成されたセキュリティキーにおいて、キー７°、シ＜は
カードがターゲット／ステムに設けられたレセプタクル
に挿着され、接触端子がこのレセプタクルに設けられた
接触ピンに接触することにより、メモリがターゲット／
ステムのメモリの一部分きなるものであって、接触端子
にリング状の導体を設けているので、ターゲット／ステ
ムのレセプタタル側の接触ピンをリングの内側で案内す
ることかできる。

その結果、これらの間の１ｉ続が確′太となる。しかも
接触端γが導・ｈ性のリングであって、その縁がバッフ
１作用を持つことから、数丁間乃至は数万回の抜き差し
しＣも、数１回乃至は数力回の（Ｘ触が行われた結果レ
セプタクル側の接触ピン側とか、キーの接触端子　（ｉ
ｌｌにおいて摩耗が発生したり、位置すれが生じたとし
ても、リングの周囲に接触することで位置が矯正され、
接触状態が確保され、さらには接触面のはがれの防１１
にも役＼γ−）。

したがって、数丁・回乃至は数カ回の抜き差し使用に対
してもその接続が確実になされる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、キーとレセプタクルを示す安全／ステムのブ
ロック図、第２図は、レセプタタルから分離したキーの
透視図、第３図（ａ）及び（ｂ　）は、それぞれキー側
の接触端子とレセプタタルのポゴピン（接触ピン）との
接続関係の説明図、第４図は、そのヘッド部分の拡大断
面図、第５図は、キーの積層前の各セラミックス層を構
成する基板の説明図である。１０・・・キー、１３・・・ンヤフト部、１２・・・ヘ
ッド、Ｌ　　１５，１６・・・ワノ／ヤ、１７．１８・
・・接触端子、２０・・・くぼみ、２１・・・ボンデン
グ端子１２４・・・セラミックス層、２３・・・配線、３０．４
３ａ・・・金属板層、４０・・・メモリ、４１・・・チ
ｌブ、４２・・・ンエナーダイオード基板層、４３・・
・第１セラミックス層、４４・・・第２セラミックス層、４５・・・第３セラミックス層、４６・・・第４セラミ、クス層、４７・・・第５セラミックス層、４７・・・第６セラミ
ノクス層、５０・・・レセプタタル、５１・・・ソケット、５２・・・／リンダ、５３・・・
スイｌチ、５４．５５・・・ポゴピン。特許ｊ１１願人　Ｌ１本電子材料株式会社代理人　　　
弁理二）４　梶　山　拮　是第３図（（１）第４図５図４３ａＳ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）メモリとこのメモリの端子に直接又は間接的に接
続された接触端子とを有するキー若しくはカードで構成
されたセキュリティキーにおいて、前記キー若しくはカ
ードがターゲットシステムに設けられたレセプタクルに
挿着され、前記接触端子がこのレセプタクルに設けられ
た接触ピンに接触することにより、前記メモリがターゲ
ットシステムのメモリの一部分となるものであって、前
記接触端子にはリング状の導体が設けられていることを
特徴とするセキュリティキー。
（２）キーは、そのヘッド部分にメモリが内蔵され、そ
のシャフト部分に複数の接触端子が配列されているもの
であり、接触ピンはポゴピンであって、前記接触端子は
このポゴピンに接触してターゲットシステムに接続され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセキュ
リティキー。
（３）キーは、積層されたセラミックス層からなる基板
を有していて、リング状の導体は導電性の金属ワッシャ
であり、接触端子は金のコンタクト上に前記金属ワッシ
ャを固定して形成され、かつ前記メモリを内蔵している
面と同一面側の表面側又は裏面側若しくは表裏側におい
てメモリの端子に対応してそれぞれ設けられ、前記メモ
リのチップ又はこのチップがボンディングされた基板が
ツェナーダイオードの静電防止層の上に載置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のセキュリ
ティキー。