JPS6244566A - 溶射被覆によるグラスライニング方法 - Google Patents
溶射被覆によるグラスライニング方法Info
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- JPS6244566A JPS6244566A JP60185491A JP18549185A JPS6244566A JP S6244566 A JPS6244566 A JP S6244566A JP 60185491 A JP60185491 A JP 60185491A JP 18549185 A JP18549185 A JP 18549185A JP S6244566 A JPS6244566 A JP S6244566A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
- B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
- B01J2219/0209—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components of glass
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
木兄ＢＡｉ−１、化学工業、医薬品工業１食品工業等に
おける厳しい防用条件に＃えるグラスライニング機）さ
；類を得るためのグラスライニング施上方法に関する。
おける厳しい防用条件に＃えるグラスライニング機）さ
；類を得るためのグラスライニング施上方法に関する。
（従来の技術）
この種のグラスライニング機器類は、素地金団上に素地
金用との密着性に富む下引ガラスを焼付け、その上に化
学的耐蝕性の優れた下引ガラスを焼成して２種類のガラ
スの融合したグラスライニング層を形成させてつくられ
る。下引ガラス層は長期間の苛酷な腐蝕条件に耐え得る
工う約１Ｎ前後と厚くする必要がある。
金用との密着性に富む下引ガラスを焼付け、その上に化
学的耐蝕性の優れた下引ガラスを焼成して２種類のガラ
スの融合したグラスライニング層を形成させてつくられ
る。下引ガラス層は長期間の苛酷な腐蝕条件に耐え得る
工う約１Ｎ前後と厚くする必要がある。
そのため、施釉、乾燥、焼成による従来のグラスライニ
ング施工法では下引ガラスについてＶｉ１〜２Ｌ上引ガ
ラスについては５〜６回この過程を反りして完成される
。
ング施工法では下引ガラスについてＶｉ１〜２Ｌ上引ガ
ラスについては５〜６回この過程を反りして完成される
。
施釉は湿式釉のスプレー掛法、浸漬法、流し掛法等があ
り、また乾式釉の振掛法がある。
り、また乾式釉の振掛法がある。
（発明が解決しようとする問題点）
下引ガラスのグラスライニング層を厚くするために、従
来の湿式釉のスプレー掛法では、−回のＭ釉コを多くす
ると、焼成中にガラスが剥れ落ちたり、ガラス中の泡が
粗大化してビンホ−／し発生の原因となる等の問題があ
るので、一度に厚く姉釉する施工法はとれない。そのた
め最適の施柚厚みで何回も施釉、乾燥、焼成を繰返すこ
とに１つ所要の下引ガラスのｌゾみを確保するようにし
ている。１回の焼成は８００〜９００での温度で３０分
〜２時間加熱することに工り行われる。従って反覆施工
は１作業時間の延長。
来の湿式釉のスプレー掛法では、−回のＭ釉コを多くす
ると、焼成中にガラスが剥れ落ちたり、ガラス中の泡が
粗大化してビンホ−／し発生の原因となる等の問題があ
るので、一度に厚く姉釉する施工法はとれない。そのた
め最適の施柚厚みで何回も施釉、乾燥、焼成を繰返すこ
とに１つ所要の下引ガラスのｌゾみを確保するようにし
ている。１回の焼成は８００〜９００での温度で３０分
〜２時間加熱することに工り行われる。従って反覆施工
は１作業時間の延長。
然エネルギーの消費を伴い、加えて高温焼成の繰返しに
する素地金属の熱歪による製品機器の歪の発生、下引ガ
ラス中の泡の粗大化等による欠陥の発生に結び付くこと
があり１合格製品の率が低下する。
する素地金属の熱歪による製品機器の歪の発生、下引ガ
ラス中の泡の粗大化等による欠陥の発生に結び付くこと
があり１合格製品の率が低下する。
浸漬法や流し掛法は、高粘度釉薬を使うなどすれば、厚
掛けできるものの、やはり焼成時に大きな泡の発生を避
けることができない。
掛けできるものの、やはり焼成時に大きな泡の発生を避
けることができない。
その上、湿式釉の性状調整に用いた有機物、電解質、粘
土類などのミｌｖ添加物がｆｄＪ薬中に含まれ、これら
が泡の発生、ガラス表面組成の局部的不均一化の原因と
なる。
土類などのミｌｖ添加物がｆｄＪ薬中に含まれ、これら
が泡の発生、ガラス表面組成の局部的不均一化の原因と
なる。
一方、乾式釉の振掛法にｘｒｔば、ミル添加物を含まな
い釉薬が使用できるが、 ８００〜９００’ｃ圧加熱さ
れた状態の機器類に振掛ける施工法によるため、対象機
器の大きさ、形状が限定され、また振掛けた釉薬が圧密
化さｎないので、−回あるいは少数回の施釉焼成で厚い
ガラス層を得ることは困難である。
い釉薬が使用できるが、 ８００〜９００’ｃ圧加熱さ
れた状態の機器類に振掛ける施工法によるため、対象機
器の大きさ、形状が限定され、また振掛けた釉薬が圧密
化さｎないので、−回あるいは少数回の施釉焼成で厚い
ガラス層を得ることは困難である。
木兄８Ａｌ′を従来のグラスライニングの各種施工法の
問題点を解決し、少ない高温焼成回数を以って上グｔガ
ラス層の厚い健全グラスライニング層を得ることができ
、施工時間の短縮、熟エネルギーのｅｔａを実現するこ
とのできるグラスライニング施工法を提供することを目
的とする。
問題点を解決し、少ない高温焼成回数を以って上グｔガ
ラス層の厚い健全グラスライニング層を得ることができ
、施工時間の短縮、熟エネルギーのｅｔａを実現するこ
とのできるグラスライニング施工法を提供することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記目的達成のため１本発明のグラスライニング方法は
、高温焼成に１つ素地金属面に下引ガラスを融着被覆し
たのち、下引ガラスの粉末を半溶融状態で下引ガラス面
に溶射して被覆し、後熟処理Ｃ４−より溶射付着状態の
下引ガラスｔ−溶融軟化させてガラス被覆層を形成させ
ることを特徴とする。
、高温焼成に１つ素地金属面に下引ガラスを融着被覆し
たのち、下引ガラスの粉末を半溶融状態で下引ガラス面
に溶射して被覆し、後熟処理Ｃ４−より溶射付着状態の
下引ガラスｔ−溶融軟化させてガラス被覆層を形成させ
ることを特徴とする。
さらに本発明方法のポイントとなる半溶融状態での下引
ガラス粉末の溶Ｑｆに関しては、プラズマジェットに外
部から粉末を供給するタイプのプラズマ溶射機により実
施する態様が含まれる。
ガラス粉末の溶Ｑｆに関しては、プラズマジェットに外
部から粉末を供給するタイプのプラズマ溶射機により実
施する態様が含まれる。
以下１本発明方法を工程順序にエリ具体的に説明する。
（１） 先づ、従来技術の湿式釉スプレー掛施釉法等に
より素地金属上に下グ【ガラスを簿〈融着被覆する。
より素地金属上に下グ【ガラスを簿〈融着被覆する。
（Ｉｔ） 次だ、下引ガラス被渋面上に、充分に乾燥
された粒度１５０〜３００ ｍｅｓｈの下引ガラス粉末
を速やかにプラズマ溶射する。溶射に用いるプラズマ溶
射ガンは溶射粉末をプラズマジェットに外部より供給す
るタイプを使用する等して１作用項で詳細後述するよう
に、下引ガラス粉末を半溶融状態として溶射する。
された粒度１５０〜３００ ｍｅｓｈの下引ガラス粉末
を速やかにプラズマ溶射する。溶射に用いるプラズマ溶
射ガンは溶射粉末をプラズマジェットに外部より供給す
るタイプを使用する等して１作用項で詳細後述するよう
に、下引ガラス粉末を半溶融状態として溶射する。
溶射中は、溶射距離、ガンの送り速度などの渭射条件？
コントロールして〆射部分を適当・な温度条件に維持す
る必要がある。
コントロールして〆射部分を適当・な温度条件に維持す
る必要がある。
この場合、下引ガラス粒子が半に融状懲で溶射するので
８射而、か凸凹面化する。その結果として１次工程の後
熟処理をすることにより溶射面の下引ガラスが完全溶融
して平滑化したときにはガラス厚みが約半分に減少する
ことになるので、予めこのことを計算し、溶射は所定の
厚み１（なるまで連続して行う。
８射而、か凸凹面化する。その結果として１次工程の後
熟処理をすることにより溶射面の下引ガラスが完全溶融
して平滑化したときにはガラス厚みが約半分に減少する
ことになるので、予めこのことを計算し、溶射は所定の
厚み１（なるまで連続して行う。
価） 慇射完了後、焼成炉中において下引ガラス施工の
作業温度において後熟処理し溶着下引ガラスを溶融軟化
させる。この後熟処理は従来の下引ガラスの焼成と同じ
要頭でよい。
作業温度において後熟処理し溶着下引ガラスを溶融軟化
させる。この後熟処理は従来の下引ガラスの焼成と同じ
要頭でよい。
炉出し冷却後、ガラス面検査を実施して欠陥がないこと
を確認すればグラスライニングが完成したことになる。
を確認すればグラスライニングが完成したことになる。
（作用）
本発明方法においては、プラズマジェットに外部工り下
引ガラス粉末を供給する等の手段を用いて等射するので
、この場合、然伝導度の低いガラス粉末が１０．０００
’ｃを越える超高温のプラズマジェットの中心部まで到
達する以前ＩＣ音速以上の超ｔ′う逮で飛／′ｉされ、
従ってガラス粉末は完全溶融する以前の表面のみが溶融
した状態で溶Ｑｆさ几て下引力゛ラス面上に接着する。
引ガラス粉末を供給する等の手段を用いて等射するので
、この場合、然伝導度の低いガラス粉末が１０．０００
’ｃを越える超高温のプラズマジェットの中心部まで到
達する以前ＩＣ音速以上の超ｔ′う逮で飛／′ｉされ、
従ってガラス粉末は完全溶融する以前の表面のみが溶融
した状態で溶Ｑｆさ几て下引力゛ラス面上に接着する。
この溶ｑｔ層Ｖｉ接着したガラス粒子間お工びガラス粒
子。
子。
下引ガラス面間が完全に〆重結合した状態に立到らない
。その結果、溶射層の熱応力は拡散され、かつ落射粒子
の概して少ない保有熱ＩＫ−よっては母材および溶射層
の温度が高温にまで上らず、これらが持て冷却時の熱応
力による溶射層の割れ、剥離を発生させないようにする
のに有利に作用していると考えられる。
。その結果、溶射層の熱応力は拡散され、かつ落射粒子
の概して少ない保有熱ＩＫ−よっては母材および溶射層
の温度が高温にまで上らず、これらが持て冷却時の熱応
力による溶射層の割れ、剥離を発生させないようにする
のに有利に作用していると考えられる。
上記の推論は本発明と異なり内部供給タイプノカス式溶
射法により完全溶融さ九たガラス粉末を溶着した場合に
は冷却過程にだ対局の割れ、剥離を起すこと、また溶射
粉末をプラズマジェツトに外部から供給するタイプのに
射機でも溶φｆ距離が短くて溶射層かプラズマフレーム
ＶＣよって加熱されてガラス粒子が完全溶融する場合に
は冷却過程に剥離を生ずることなどに１って裏旬けられ
る。
射法により完全溶融さ九たガラス粉末を溶着した場合に
は冷却過程にだ対局の割れ、剥離を起すこと、また溶射
粉末をプラズマジェツトに外部から供給するタイプのに
射機でも溶φｆ距離が短くて溶射層かプラズマフレーム
ＶＣよって加熱されてガラス粒子が完全溶融する場合に
は冷却過程に剥離を生ずることなどに１って裏旬けられ
る。
一般に、ガラスの工うに然伝３ｇ率の低い物質の８射を
行う場合には、吐出速度の遅いガス式溶Ｑｆ機のほうが
〆射粉末に充分に与熱でき完全溶融の±、心射できるの
でプラズマ溶射機よりも有利であるとするのが通説であ
る。こｆＬＫ反し本発明では上記理由にょクガラス粉末
を半溶融状態で溶射し、そのために外部供給式プラズマ
溶射機を使用することとしている。
行う場合には、吐出速度の遅いガス式溶Ｑｆ機のほうが
〆射粉末に充分に与熱でき完全溶融の±、心射できるの
でプラズマ溶射機よりも有利であるとするのが通説であ
る。こｆＬＫ反し本発明では上記理由にょクガラス粉末
を半溶融状態で溶射し、そのために外部供給式プラズマ
溶射機を使用することとしている。
本発明においては、前記のＩうに溶射ガラス粉子Ｉ？＋
１おＬび溶射ガラス粒子、Ｔ引ガラス顔間の結合が完全
でないとはいえ、ガラス粒子は音速以上の超高速で射出
されて圧着積層さ八るので、重力に依存するだけの乾式
釉振掛は法と比較して高密度の圧密状態が得られる。こ
の＠質に工９１連続の溶射工程で所定の下引ガラス厚み
まで到達させることか可能である。この溶射下引ガラス
層は後熱処理を施すことに工９．厚みの収縮を伴いなが
ら完全溶融結合状屏に移行するので、泡が粗大化するこ
ともなぐ、従来の常法のグラスライニングと同時の良好
な施工状態がｆＵられる。
１おＬび溶射ガラス粒子、Ｔ引ガラス顔間の結合が完全
でないとはいえ、ガラス粒子は音速以上の超高速で射出
されて圧着積層さ八るので、重力に依存するだけの乾式
釉振掛は法と比較して高密度の圧密状態が得られる。こ
の＠質に工９１連続の溶射工程で所定の下引ガラス厚み
まで到達させることか可能である。この溶射下引ガラス
層は後熱処理を施すことに工９．厚みの収縮を伴いなが
ら完全溶融結合状屏に移行するので、泡が粗大化するこ
ともなぐ、従来の常法のグラスライニングと同時の良好
な施工状態がｆＵられる。
（実施例）
次て１本発明の好適実施例を不適例とともに示す。
と九ら語例は、供試体として呼び径５２１１１１鋼管を
使用し、その外面に工程（１１を通常の施釉焼成に工り
下引ガラスをライニングしたのち、工程（Ｉｌｌの下引
ガラス粉末溶射被覆を次の諸条件を一定として施工した
。
使用し、その外面に工程（１１を通常の施釉焼成に工り
下引ガラスをライニングしたのち、工程（Ｉｌｌの下引
ガラス粉末溶射被覆を次の諸条件を一定として施工した
。
１、 ガラス粉末の調％ ： １５０〜３００ ｍｅｓ
ｈ 、 １１０でで充分に乾燥したも の ２ プラズマ溶射ガン二メテフ社製１０ＭＢ型５、 ガ
ンの送り速度： ２．２５ ｍ／ｅ （第１メテコ社製
ＡＲ−１０００型ロボット を使用し送りを行なった） ４、 供試体の周速： ２３ｍ／ｆ） ５、下引ガラス粉末供給速度： ４０ ｇｒ／分６、
溶射厚み：２轄 各側の変化させた実施条件とともＫその結果を次表に示
す。例番号２け好適例であり、他は不適９Ｊ例とその理
由を説明する。
ｈ 、 １１０でで充分に乾燥したも の ２ プラズマ溶射ガン二メテフ社製１０ＭＢ型５、 ガ
ンの送り速度： ２．２５ ｍ／ｅ （第１メテコ社製
ＡＲ−１０００型ロボット を使用し送りを行なった） ４、 供試体の周速： ２３ｍ／ｆ） ５、下引ガラス粉末供給速度： ４０ ｇｒ／分６、
溶射厚み：２轄 各側の変化させた実施条件とともＫその結果を次表に示
す。例番号２け好適例であり、他は不適９Ｊ例とその理
由を説明する。
（４） 供試体予熱温度
予熱温度の低い例４では、濱射中に剥離が生じた。予熱
温度の高い例５では、冷却中に剥離が生じた。
温度の高い例５では、冷却中に剥離が生じた。
（Ｂｌ 溶射距離
射対距離の短い例１では１作用説明でも述べたように、
浴射部の温度が上り過ぎて冷却時に剥離が生じた。
浴射部の温度が上り過ぎて冷却時に剥離が生じた。
に射距離の長い例３では、ガラス粒子の溶射中の固化が
起り接着不良となることが；Ｊつた。
起り接着不良となることが；Ｊつた。
（Ｃ） ガス
Ｎ 意−Ｈｘガスによる例６では、プラズマ速度が小さ
いためガラス粒子が完全溶融しガス式溶射法に近い状態
となった。
いためガラス粒子が完全溶融しガス式溶射法に近い状態
となった。
次に好適例２について説明する。
本発明の実施上、溶射の供試体ｔ−２００’ｃに予熱し
、 Ａｒ−Ｈａガスを使用し、プラズマフレームの長さ
エリ少し大きい溶射距離で溶射を実施すると、工程ｆｌ
ｌｌｌの後熱処理後も良好なグラスライニング面が得ら
ｎ、その含、泡率は約１５９６で、従来の常法のグラス
ライニング施工法によるものと同等であった。
、 Ａｒ−Ｈａガスを使用し、プラズマフレームの長さ
エリ少し大きい溶射距離で溶射を実施すると、工程ｆｌ
ｌｌｌの後熱処理後も良好なグラスライニング面が得ら
ｎ、その含、泡率は約１５９６で、従来の常法のグラス
ライニング施工法によるものと同等であった。
他の施工条件については、下引ガラスは膨張いてみたが
、溶層傾向の差はなかった。
、溶層傾向の差はなかった。
溶射粉末粒度については、安定した供給を行うというこ
とで、前記粒度で実施したが、この粕囲外であっても安
定供給が可能７２装置を使用すれば採用可能である。
とで、前記粒度で実施したが、この粕囲外であっても安
定供給が可能７２装置を使用すれば採用可能である。
（発明の効果）
以上のように本発明方法に工ろと、多くの焼成回数を繰
返すことなく、１回の溶射と下引施工の他は１回の後熟
処理だけの焼成で上引ガラス居を形成することができる
。このことは作業時間と然エネルギーの大幅減少を可能
とする。
返すことなく、１回の溶射と下引施工の他は１回の後熟
処理だけの焼成で上引ガラス居を形成することができる
。このことは作業時間と然エネルギーの大幅減少を可能
とする。
また品質面においては、従来の湿式施釉と異りミル添加
物を含まないのでガラス被覆表面組成の均質化が向上し
％また従来の他の方法による釉薬厚掛けのＬうに泡が粗
大化することもなく、従来の適正施工厚さで何度もライ
ニングを繰返して到達できるものと同程度の品質とする
ことができ、ま几焼成回数が少ないので素地金用機器の
熱歪も少い。
物を含まないのでガラス被覆表面組成の均質化が向上し
％また従来の他の方法による釉薬厚掛けのＬうに泡が粗
大化することもなく、従来の適正施工厚さで何度もライ
ニングを繰返して到達できるものと同程度の品質とする
ことができ、ま几焼成回数が少ないので素地金用機器の
熱歪も少い。
また素地金ｌＪ４を高温に予熱せずに下引ガラスが溶射
被覆てきるので、大型機器類の外面は勿論、内面に対し
ても遠隔制御による下引ガラスの自動溶射が可能となり
、適用可能なグラスライニング機器類のＩｌｉ［ｉ囲が
広く、その製造費用が大幅に低減さｎる。
被覆てきるので、大型機器類の外面は勿論、内面に対し
ても遠隔制御による下引ガラスの自動溶射が可能となり
、適用可能なグラスライニング機器類のＩｌｉ［ｉ囲が
広く、その製造費用が大幅に低減さｎる。
Claims (2)
- （１）高温焼成により素地金属面に下引ガラスを融着被
覆したのち、上引ガラスの粉末を半溶融状態で下引ガラ
ス面に溶射して被覆し、後熱処理により溶射付着状態の
上引ガラスを溶融軟化させてガラス被覆層を形成させる
ことを特徴とする溶射被覆によるグラスライニング方法
。 - （２）上引ガラス粉末の溶射を、プラズマジェットに外
部から粉末を供給するタイプのプラズマ溶射機により行
う特許請求の範囲第１項記載のグラスライニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185491A JPS6244566A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 溶射被覆によるグラスライニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185491A JPS6244566A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 溶射被覆によるグラスライニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244566A true JPS6244566A (ja) | 1987-02-26 |
| JPH0469225B2 JPH0469225B2 (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=16171699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185491A Granted JPS6244566A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 溶射被覆によるグラスライニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244566A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144269A (en) * | 1990-03-20 | 1992-09-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric filter having external connection formed on dielectric substrate |
| US6703912B2 (en) | 2001-08-10 | 2004-03-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric resonator devices, dielectric filters and dielectric duplexers |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60185491A patent/JPS6244566A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144269A (en) * | 1990-03-20 | 1992-09-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric filter having external connection formed on dielectric substrate |
| US6703912B2 (en) | 2001-08-10 | 2004-03-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric resonator devices, dielectric filters and dielectric duplexers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469225B2 (ja) | 1992-11-05 |
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