JPS6247167Y2 - - Google Patents
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- JPS6247167Y2 JPS6247167Y2 JP1478981U JP1478981U JPS6247167Y2 JP S6247167 Y2 JPS6247167 Y2 JP S6247167Y2 JP 1478981 U JP1478981 U JP 1478981U JP 1478981 U JP1478981 U JP 1478981U JP S6247167 Y2 JPS6247167 Y2 JP S6247167Y2
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- magnetic permeability
- high magnetic
- permeability material
- electric heater
- heater
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電熱ヒータが発生する磁場をシールド
するようになした加熱装置に関する。
するようになした加熱装置に関する。
電子顕微鏡では、電子ビーム通路上に配置され
た金属試料を加熱して、金属試料の温度による像
を観察している。又、電子顕微鏡や電子ビーム露
光装置等の荷電ビーム加工装置では、ビーム通路
上に配置された絞を加熱して、該絞へのコンタミ
付着を軽減している。所で、前記金属試料や絞等
の加熱は、一般にニクロム又はタングステンの如
き金属の線状又は板状のものに電流を流すように
構成した電熱ヒータを、加熱すべき金属試料や絞
に接触させて行なつている。即ち、電熱ヒータを
ビーム通路近傍に設けている。従つて、この電熱
ヒータが発生する磁場がビームに磁気的影響を及
ぼし、結果的に試料上のビーム位置がドリフトし
てしまい、特にビームの位置精度に高いものが要
求される電子ビーム露光装置等においては、大き
な問題となる。周知の様に、磁気遮蔽という外部
磁場の影響を減少させる方法がある。この方法
は、例えば保護したい装置の回りを強磁性体の筒
で囲い、磁束線を中空部分に入り込まないように
したものである。しかし乍ら、従来この様な方法
は、前記荷電ビーム通路に配置された金属試料や
絞を加熱する為の電熱ヒータが発生する磁場の遮
蔽には使用されてない。又、保護したい金属試料
や絞を構造上強磁性体で囲うことは出来ないの
で、強磁性体で加熱ヒータを直接囲つても、通常
斯くの如き加熱ヒータを400℃近くに昇温させね
ばならず、該昇温により強磁性体はキユリーヴア
イスの法則に従い、常磁性と化し、磁場遮蔽が出
来なくなる。然りとて、キユリー点の高い磁性体
でヒータを囲つても、概してキユリー点の高い磁
性体の透磁率は十分に高くないので、十分な磁場
遮蔽が出来ない。
た金属試料を加熱して、金属試料の温度による像
を観察している。又、電子顕微鏡や電子ビーム露
光装置等の荷電ビーム加工装置では、ビーム通路
上に配置された絞を加熱して、該絞へのコンタミ
付着を軽減している。所で、前記金属試料や絞等
の加熱は、一般にニクロム又はタングステンの如
き金属の線状又は板状のものに電流を流すように
構成した電熱ヒータを、加熱すべき金属試料や絞
に接触させて行なつている。即ち、電熱ヒータを
ビーム通路近傍に設けている。従つて、この電熱
ヒータが発生する磁場がビームに磁気的影響を及
ぼし、結果的に試料上のビーム位置がドリフトし
てしまい、特にビームの位置精度に高いものが要
求される電子ビーム露光装置等においては、大き
な問題となる。周知の様に、磁気遮蔽という外部
磁場の影響を減少させる方法がある。この方法
は、例えば保護したい装置の回りを強磁性体の筒
で囲い、磁束線を中空部分に入り込まないように
したものである。しかし乍ら、従来この様な方法
は、前記荷電ビーム通路に配置された金属試料や
絞を加熱する為の電熱ヒータが発生する磁場の遮
蔽には使用されてない。又、保護したい金属試料
や絞を構造上強磁性体で囲うことは出来ないの
で、強磁性体で加熱ヒータを直接囲つても、通常
斯くの如き加熱ヒータを400℃近くに昇温させね
ばならず、該昇温により強磁性体はキユリーヴア
イスの法則に従い、常磁性と化し、磁場遮蔽が出
来なくなる。然りとて、キユリー点の高い磁性体
でヒータを囲つても、概してキユリー点の高い磁
性体の透磁率は十分に高くないので、十分な磁場
遮蔽が出来ない。
本考案は斯くの如き点に鑑みてなされたもの
で、荷電ビーム通路に配置された金属体の一部と
接触しており、且つ、該金属体を加熱する為の電
熱ヒータの回りを接触する様に囲つた該電熱ヒー
タの加熱温度より遥かに高いキユリー点を持つ第
１高透磁率材料と、前記金属体と全く接触せず、
且つ、前記第１高透磁率材料の回りを空間を介し
て囲つた該第１高透磁率材料の透磁率より遥かに
高い透磁率を持つ第２高透磁率材料を具備する事
により、電熱ヒータが発生する磁場のビームへの
磁気的影響を効率良く手段した新規な加熱装置を
提供するものである。
で、荷電ビーム通路に配置された金属体の一部と
接触しており、且つ、該金属体を加熱する為の電
熱ヒータの回りを接触する様に囲つた該電熱ヒー
タの加熱温度より遥かに高いキユリー点を持つ第
１高透磁率材料と、前記金属体と全く接触せず、
且つ、前記第１高透磁率材料の回りを空間を介し
て囲つた該第１高透磁率材料の透磁率より遥かに
高い透磁率を持つ第２高透磁率材料を具備する事
により、電熱ヒータが発生する磁場のビームへの
磁気的影響を効率良く手段した新規な加熱装置を
提供するものである。
第１図は本発明の一実施例として示した加熱装
置の概略図、第２図はその一部断面を拡大した図
である。
置の概略図、第２図はその一部断面を拡大した図
である。
図中１は適宜に排気された鏡筒のビーム通路を
表わしており、２は該通路上に位置する孔３を持
つ絞である。４は電熱ヒータで、該ヒータの回り
を、該ヒータの最高加熱温度（例、約400℃）よ
り遥かに高いキユリー点（約780℃）を持つ第１
高透磁率材料（例、純鉄）５で直接、即ち接触す
る様に囲う。該材料の回りを、空間を介して該材
料の透磁率より遥かに高い透磁率を持つ第２高透
磁率材料６（例、パーマロイ）で囲う。尚、前記
第１高透磁率材料５は前記絞２の端部と接触し、
前記第２高透磁率材料６は絞と全く接触しないよ
うに構成する。７は該第２高透磁率材料を直接包
む様に設けられた熱良導体材料（例、銅）で、適
宜な箇所に冷却水の通路８を持つ。尚、前記加熱
ヒータ４としては、実際には、例えば、第３図に
示す様に一本のヒータ用ニクロム線（アルミナで
電気的に絶縁したもの）Ｎを円状に往復させた形
状のものを使用し、前記第１高透磁率材料５、第
２高透磁率材料６及び熱良導体材料７に外側（光
軸の反対方向）から貫く小穴（図示せず）を開
け、該穴に該ニクロム線の端部を通し、該ニクロ
ム線に鏡筒外の加熱電源Ｋから電流を流す様に構
成している。
表わしており、２は該通路上に位置する孔３を持
つ絞である。４は電熱ヒータで、該ヒータの回り
を、該ヒータの最高加熱温度（例、約400℃）よ
り遥かに高いキユリー点（約780℃）を持つ第１
高透磁率材料（例、純鉄）５で直接、即ち接触す
る様に囲う。該材料の回りを、空間を介して該材
料の透磁率より遥かに高い透磁率を持つ第２高透
磁率材料６（例、パーマロイ）で囲う。尚、前記
第１高透磁率材料５は前記絞２の端部と接触し、
前記第２高透磁率材料６は絞と全く接触しないよ
うに構成する。７は該第２高透磁率材料を直接包
む様に設けられた熱良導体材料（例、銅）で、適
宜な箇所に冷却水の通路８を持つ。尚、前記加熱
ヒータ４としては、実際には、例えば、第３図に
示す様に一本のヒータ用ニクロム線（アルミナで
電気的に絶縁したもの）Ｎを円状に往復させた形
状のものを使用し、前記第１高透磁率材料５、第
２高透磁率材料６及び熱良導体材料７に外側（光
軸の反対方向）から貫く小穴（図示せず）を開
け、該穴に該ニクロム線の端部を通し、該ニクロ
ム線に鏡筒外の加熱電源Ｋから電流を流す様に構
成している。
斯くの如き装置において、加熱電源Ｋから電熱
ヒータ４に電流を流し、該電熱ヒータ４を400℃
前後に昇温すれば、第１高透磁率材料５を介して
絞２は加熱される。この際、前記電熱ヒータ４が
発生した磁場は、次に説明するように処理され
る。第１高透磁率材料５は高透磁率材料の中では
然程透磁率の高い材料ではないが、キユリー点が
高いので、前記ヒータ４が発生する熱によつて高
温になつても高い透磁率を維持するので、ヒータ
４が発生した磁束線のある程度のものは該第１高
透磁率材料５内に集中し、それ以外のものが該材
料外へ漏れる。次に、空間を介して該第１高透磁
率材料の周囲に配置された第２高透磁率材料６
は、キユリー点こそ然程高くはないが透磁率が著
しく高く、前記ヒータ４、第１高透磁率材料５及
び絞２に接触していないので、然程高温にならず
に著しく高い透磁率を維持する。従つて、空間に
漏れた磁束線はすべて該第２高透磁率材料内に集
中し、ビーム通路１側に漏れることは無い。尚、
前記第１高透磁率材料５から熱放射があつても、
第２高透磁率材料６は冷却水を循環させた熱良導
体材料７で直接包まれているので、高温になるこ
とはない。
ヒータ４に電流を流し、該電熱ヒータ４を400℃
前後に昇温すれば、第１高透磁率材料５を介して
絞２は加熱される。この際、前記電熱ヒータ４が
発生した磁場は、次に説明するように処理され
る。第１高透磁率材料５は高透磁率材料の中では
然程透磁率の高い材料ではないが、キユリー点が
高いので、前記ヒータ４が発生する熱によつて高
温になつても高い透磁率を維持するので、ヒータ
４が発生した磁束線のある程度のものは該第１高
透磁率材料５内に集中し、それ以外のものが該材
料外へ漏れる。次に、空間を介して該第１高透磁
率材料の周囲に配置された第２高透磁率材料６
は、キユリー点こそ然程高くはないが透磁率が著
しく高く、前記ヒータ４、第１高透磁率材料５及
び絞２に接触していないので、然程高温にならず
に著しく高い透磁率を維持する。従つて、空間に
漏れた磁束線はすべて該第２高透磁率材料内に集
中し、ビーム通路１側に漏れることは無い。尚、
前記第１高透磁率材料５から熱放射があつても、
第２高透磁率材料６は冷却水を循環させた熱良導
体材料７で直接包まれているので、高温になるこ
とはない。
本考案によれば、電熱ヒータが発生する磁場の
ビームへの磁気的影響を効率良く遮蔽することが
出来る。
ビームへの磁気的影響を効率良く遮蔽することが
出来る。
第１図は本発明の一実施例として示した加熱装
置の概略図、第２図はその一部断面を拡大した
図、第３図は電熱ヒータの一例を示したものであ
る。 １：ビーム通路、２：絞、４：電熱ヒータ、
５：第１高透磁率材料、６：第２高透磁率材料、
７：熱良導体材料。
置の概略図、第２図はその一部断面を拡大した
図、第３図は電熱ヒータの一例を示したものであ
る。 １：ビーム通路、２：絞、４：電熱ヒータ、
５：第１高透磁率材料、６：第２高透磁率材料、
７：熱良導体材料。
Claims (1)
- 荷電ビーム通路１に配置された金属体２の一部
と接触しており、且つ、該金属体２を加熱する為
の電熱ヒータ４の回りを接触する様に囲つた該電
熱ヒータ４の加熱温度より遥かに高いキユリー点
を持つ第１高透磁率材料５と、前記金属体２と全
く接触せず、且つ、前記第１高透磁率材料５の回
りを空間を介して囲つた該第１高透磁率材料５の
透磁率より遥かに高い透磁率を持つ第２高透磁率
材料６を具備した加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1478981U JPS6247167Y2 (ja) | 1981-02-04 | 1981-02-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1478981U JPS6247167Y2 (ja) | 1981-02-04 | 1981-02-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57128759U JPS57128759U (ja) | 1982-08-11 |
| JPS6247167Y2 true JPS6247167Y2 (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=29812817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1478981U Expired JPS6247167Y2 (ja) | 1981-02-04 | 1981-02-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247167Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-02-04 JP JP1478981U patent/JPS6247167Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57128759U (ja) | 1982-08-11 |
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