JPS6247357B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6247357B2 JPS6247357B2 JP55071084A JP7108480A JPS6247357B2 JP S6247357 B2 JPS6247357 B2 JP S6247357B2 JP 55071084 A JP55071084 A JP 55071084A JP 7108480 A JP7108480 A JP 7108480A JP S6247357 B2 JPS6247357 B2 JP S6247357B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric layer
- display panel
- glass substrate
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表示装置、特に低電圧駆動化を図つた
エレクトロルミネツセンス（以下ELと略称す
る）表示パネルのような表示装置の改良に関する
ものである。
エレクトロルミネツセンス（以下ELと略称す
る）表示パネルのような表示装置の改良に関する
ものである。
近年EL層を誘電体層でサンドイツチ状にはさ
んだ、いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成した
EL表示パネルが開発、実用化されている。この
ようなEL表示パネルの低電圧駆動化を図る一手
段として誘電体層をチタン酸鉛（PbTiO3）のよう
な強誘電体物質で形成してEL層に印加される電
圧を実質的に大きくするという方法が採られてい
る。
んだ、いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成した
EL表示パネルが開発、実用化されている。この
ようなEL表示パネルの低電圧駆動化を図る一手
段として誘電体層をチタン酸鉛（PbTiO3）のよう
な強誘電体物質で形成してEL層に印加される電
圧を実質的に大きくするという方法が採られてい
る。
このようなEL表示パネルの構成は一般に第１
図に示すように支持基板として透明なガラス基板
１を用い、そのガラス基板１上に細条の透明電極
２を平行に多数配設し、透明電極２表面を含むガ
ラス基板１表面に誘電体層３を介してEL層４を
形成し、さらに該EL層４上に誘電体層５を介し
て細条の背面電極６を前記透明電極２と直交する
関係で配設してある。そして透明電極２と背面電
極６との間に選択的に駆動電圧を印加することに
より、その交点部のEL層４を発光することを利
用して所望の形象を表示するようになつている。
ところで誘電体層３，５をPbTiO3のような強誘
電体物質で構成する場合、特に誘電体層３におい
て、非晶質であるガラス基板１上面と結晶性の良
好な透明電極２〔たとえば酸化インジウム
（In2O3）膜〕上面とでは、下地層の違いによりそ
の上に形成されるPbTiO3膜の結晶性に不均一を
生じる。すなわち結晶性の良好な透明電極２上で
はPbTiO3膜も良好な結晶性を示すが、ガラス基
板１上に直接形成されたPbTiO3膜は結晶性が悪
くなる。その結果誘電体層３における透明電極２
の端縁部近傍で結晶性が急変する箇所を生じ、そ
の結晶性の急変箇所で誘電体層３が剥離するとい
う問題があつた。またPbTiO3は結晶性が良好な
程、誘電率も高くなるので、誘電体層３における
結晶性の急変箇所で誘電率が急変し、電界分布の
不均一を招き、表示輝度にむらを生じるなどの問
題もあつた。
図に示すように支持基板として透明なガラス基板
１を用い、そのガラス基板１上に細条の透明電極
２を平行に多数配設し、透明電極２表面を含むガ
ラス基板１表面に誘電体層３を介してEL層４を
形成し、さらに該EL層４上に誘電体層５を介し
て細条の背面電極６を前記透明電極２と直交する
関係で配設してある。そして透明電極２と背面電
極６との間に選択的に駆動電圧を印加することに
より、その交点部のEL層４を発光することを利
用して所望の形象を表示するようになつている。
ところで誘電体層３，５をPbTiO3のような強誘
電体物質で構成する場合、特に誘電体層３におい
て、非晶質であるガラス基板１上面と結晶性の良
好な透明電極２〔たとえば酸化インジウム
（In2O3）膜〕上面とでは、下地層の違いによりそ
の上に形成されるPbTiO3膜の結晶性に不均一を
生じる。すなわち結晶性の良好な透明電極２上で
はPbTiO3膜も良好な結晶性を示すが、ガラス基
板１上に直接形成されたPbTiO3膜は結晶性が悪
くなる。その結果誘電体層３における透明電極２
の端縁部近傍で結晶性が急変する箇所を生じ、そ
の結晶性の急変箇所で誘電体層３が剥離するとい
う問題があつた。またPbTiO3は結晶性が良好な
程、誘電率も高くなるので、誘電体層３における
結晶性の急変箇所で誘電率が急変し、電界分布の
不均一を招き、表示輝度にむらを生じるなどの問
題もあつた。
本発明は前述の問題点を除去することを目的と
してなされたもので、その特徴は支持基板上に所
定パターンの電極を配設し、該電極表面を含む支
持基板表面に結晶性誘電体層を介して表示媒体層
をそなえてなる表示装置において、前記誘電体層
と前記支持基板との間に結晶性絶縁体よりなる下
地層を設けたところにある。
してなされたもので、その特徴は支持基板上に所
定パターンの電極を配設し、該電極表面を含む支
持基板表面に結晶性誘電体層を介して表示媒体層
をそなえてなる表示装置において、前記誘電体層
と前記支持基板との間に結晶性絶縁体よりなる下
地層を設けたところにある。
以下本発明の一実施例をEL表示パネルに適用
した場合につき図面を参照して説明する。
した場合につき図面を参照して説明する。
第２図は本発明によるEL表示パネルの構造を
説明するための要部断面図であつて、第１図と同
等部分には同一符号を用いて示してある。同図に
おいて１は透明ガラス基板であつて、そのガラス
基板１上には結晶性絶縁体からなる下地層７が形
成してある。そしてその下地層７上には、従来の
EL表示パネルと同じく、In2O3などの細条の透明
電極２を配設し、透明電極２上を含む下地層７上
にPbTiO3のような強誘電体物質からなる誘電体
層３を介してマンガンを添加した硫化亜鉛
（ZnS：Mn）のようなEL材料からなるEL層４が
形成してある。さらにそのEL層４上にPbTiO3か
らなる誘電体層５を介してアルミニウム（Al）
などからなる細条の背面電極６が前記透明電極２
と直交する関係で配設してある。図からも明らか
なように本発明によるEL表示パネルと従来のEL
表示パネルとの構造上の相異点は非晶質であるガ
ラス基板１上にあらかじめ結晶性の良好な透光性
の絶縁体からなる下地層７を形成したところにあ
る。
説明するための要部断面図であつて、第１図と同
等部分には同一符号を用いて示してある。同図に
おいて１は透明ガラス基板であつて、そのガラス
基板１上には結晶性絶縁体からなる下地層７が形
成してある。そしてその下地層７上には、従来の
EL表示パネルと同じく、In2O3などの細条の透明
電極２を配設し、透明電極２上を含む下地層７上
にPbTiO3のような強誘電体物質からなる誘電体
層３を介してマンガンを添加した硫化亜鉛
（ZnS：Mn）のようなEL材料からなるEL層４が
形成してある。さらにそのEL層４上にPbTiO3か
らなる誘電体層５を介してアルミニウム（Al）
などからなる細条の背面電極６が前記透明電極２
と直交する関係で配設してある。図からも明らか
なように本発明によるEL表示パネルと従来のEL
表示パネルとの構造上の相異点は非晶質であるガ
ラス基板１上にあらかじめ結晶性の良好な透光性
の絶縁体からなる下地層７を形成したところにあ
る。
この下地層７はたとえば硫化亜鉛（ZnS）から
なり、ガラス基板１の温度を200℃程度に維持し
た状態でZnSを蒸着することにより、非晶質のガ
ラス基板１上に結晶性の良好なZnS膜として成膜
したものである。このように非晶質のガラス基板
１上に結晶性絶縁体からなる下地層７を形成して
おくことにより、誘電体層３をスパツタ法で蒸着
成膜する際に、誘電体層３を均一な結晶性誘電体
膜として形成することができる。つまり従来の
EL表示パネルにおいては結晶性の良好な透明電
極２と非晶質であるガラス基板１とが下地層とな
るので、その上に形成される誘電体層３に結晶性
の不均一を生じていたが、本発明によるEL表示
パネルの誘電体層３は非晶質のガラス基板１上に
前記のような結晶性絶縁体からなる下地層７を介
して形成されるので、従来のように結晶性の不均
一を生じることなく均一な結晶性誘電体層３を容
易に形成できる。かくして誘電体層３の結晶性の
不均一に起因して生じていた誘電体層３の剥離や
表示輝度のむらなどといつた障害を除去すること
ができ、PbTiO3などの強誘電体物質を用いた低
電圧駆動が可能な高性能なEL表示パネルを容易
に実現できる利点がある。
なり、ガラス基板１の温度を200℃程度に維持し
た状態でZnSを蒸着することにより、非晶質のガ
ラス基板１上に結晶性の良好なZnS膜として成膜
したものである。このように非晶質のガラス基板
１上に結晶性絶縁体からなる下地層７を形成して
おくことにより、誘電体層３をスパツタ法で蒸着
成膜する際に、誘電体層３を均一な結晶性誘電体
膜として形成することができる。つまり従来の
EL表示パネルにおいては結晶性の良好な透明電
極２と非晶質であるガラス基板１とが下地層とな
るので、その上に形成される誘電体層３に結晶性
の不均一を生じていたが、本発明によるEL表示
パネルの誘電体層３は非晶質のガラス基板１上に
前記のような結晶性絶縁体からなる下地層７を介
して形成されるので、従来のように結晶性の不均
一を生じることなく均一な結晶性誘電体層３を容
易に形成できる。かくして誘電体層３の結晶性の
不均一に起因して生じていた誘電体層３の剥離や
表示輝度のむらなどといつた障害を除去すること
ができ、PbTiO3などの強誘電体物質を用いた低
電圧駆動が可能な高性能なEL表示パネルを容易
に実現できる利点がある。
なお前述の実施例ではEL表示パネルについて
述べたが、これに限らず表示媒体層として易放電
ガスを用いたガス放電表示パネルのようなその他
の表示装置に適用しても同様の効果を得ることが
できる。さらにまた表示装置に限らず光導波路や
表面弾性波フイルタなどの強誘電体膜の形成にも
適用可能である。
述べたが、これに限らず表示媒体層として易放電
ガスを用いたガス放電表示パネルのようなその他
の表示装置に適用しても同様の効果を得ることが
できる。さらにまた表示装置に限らず光導波路や
表面弾性波フイルタなどの強誘電体膜の形成にも
適用可能である。
第１図は従来のEL表示パネルの構造を説明す
るための要部断面図、第２図は本発明によるEL
表示パネルの構造を説明するための要部断面図で
ある。 １：ガラス基板、２，６：電極、３，５：誘電
体層、４：EL層、７：結晶性絶縁体からなる下
地層。
るための要部断面図、第２図は本発明によるEL
表示パネルの構造を説明するための要部断面図で
ある。 １：ガラス基板、２，６：電極、３，５：誘電
体層、４：EL層、７：結晶性絶縁体からなる下
地層。
Claims (1)
- １ 支持基板上に所定パターンの電極を配設し、
該電極表面を含む支持基板表面に結晶性誘電体層
を介して表示媒体層をそなえてなる表示装置にお
いて、前記誘電体層と前記支持基板との間に結晶
性絶縁体よりなる下地層を設けたことを特徴とす
る表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108480A JPS56167296A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Display unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108480A JPS56167296A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Display unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56167296A JPS56167296A (en) | 1981-12-22 |
| JPS6247357B2 true JPS6247357B2 (ja) | 1987-10-07 |
Family
ID=13450301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7108480A Granted JPS56167296A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Display unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56167296A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486865A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Ultrasonic thawer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113386A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-25 | 新技術事業団 | 薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法 |
-
1980
- 1980-05-27 JP JP7108480A patent/JPS56167296A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486865A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Ultrasonic thawer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56167296A (en) | 1981-12-22 |
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