JPS624814B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS624814B2 JPS624814B2 JP54048230A JP4823079A JPS624814B2 JP S624814 B2 JPS624814 B2 JP S624814B2 JP 54048230 A JP54048230 A JP 54048230A JP 4823079 A JP4823079 A JP 4823079A JP S624814 B2 JPS624814 B2 JP S624814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- cylindrical ceramic
- collectors
- electron beam
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/027—Collectors
- H01J23/0275—Multistage collectors
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、増幅作用に寄与した電子ビームを最
終的に捕獲するコレクタを有する電子ビーム管の
うち、能率改善のため、前記コレクタを多段に構
成した多段コレクタ形電子ビーム管に関する。
終的に捕獲するコレクタを有する電子ビーム管の
うち、能率改善のため、前記コレクタを多段に構
成した多段コレクタ形電子ビーム管に関する。
進行波管などの電子ビーム管において、電子銃
から発せられた電子ビームは、高周波回路部で高
周波の増幅作用を行なつた後コレクタに捕獲され
る。この際、電子ビームをしてコレクタに衝突す
るエネルギーが小さくなるような状態でコレクタ
に到達させると電子ビーム管の能率は大となる。
このような能率改善のため、コレクタ電圧を高周
波回路部電圧より下げる方法が一般に用いられて
来た。しかし、高周波の増幅作用に関与した電子
ビームの速度にはバラツキがあるから、これら速
度のバラツキを有する電子ビームを単一コレクタ
で捕獲するには、最も速度が遅い電子がコレクタ
に到達し得る電圧をコレクタ電圧としなければな
らず、能率の大幅な改善は難しい。このため、さ
らに能率を改善する目的で、コレクタを複数個に
分割した種々の電子ビーム管が考えられている。
たしかに、コレクタの分割数を増し、高周波回路
部より離れるに従つて高周波回路電圧より順次低
い電圧を各コレクタに個々に印加すれば、高周波
の増幅作用に関与した電子ビームはコレクタに速
度選別されて捕獲される。すなわち、速度の遅い
電子ビームは高い電位のコレクタに、また、速度
の速い電子ビームは低い電位のコレクタに捕獲さ
れるので能率が改善される。しかしながら、コレ
クタを複数個に分割するには各コレクタ間を電気
的に絶縁する必要があると共に、各コレクタの冷
却のため、個々のコレクタ外周部には接地点より
電気的に絶縁された放熱体を装着する必要があ
り、コレクタ部の構造が複雑化し、放熱体などを
含めたコレクタ部の大形化、重量増などの欠点が
あつた。また、個々のコレクタの冷却のため各コ
レクタ間または各コレクタと接地点間の電気的絶
縁を十分とりにくい欠点もあつた。特にコレクタ
を３段以上に分割した場合前記の欠点が顕著に現
われる。
から発せられた電子ビームは、高周波回路部で高
周波の増幅作用を行なつた後コレクタに捕獲され
る。この際、電子ビームをしてコレクタに衝突す
るエネルギーが小さくなるような状態でコレクタ
に到達させると電子ビーム管の能率は大となる。
このような能率改善のため、コレクタ電圧を高周
波回路部電圧より下げる方法が一般に用いられて
来た。しかし、高周波の増幅作用に関与した電子
ビームの速度にはバラツキがあるから、これら速
度のバラツキを有する電子ビームを単一コレクタ
で捕獲するには、最も速度が遅い電子がコレクタ
に到達し得る電圧をコレクタ電圧としなければな
らず、能率の大幅な改善は難しい。このため、さ
らに能率を改善する目的で、コレクタを複数個に
分割した種々の電子ビーム管が考えられている。
たしかに、コレクタの分割数を増し、高周波回路
部より離れるに従つて高周波回路電圧より順次低
い電圧を各コレクタに個々に印加すれば、高周波
の増幅作用に関与した電子ビームはコレクタに速
度選別されて捕獲される。すなわち、速度の遅い
電子ビームは高い電位のコレクタに、また、速度
の速い電子ビームは低い電位のコレクタに捕獲さ
れるので能率が改善される。しかしながら、コレ
クタを複数個に分割するには各コレクタ間を電気
的に絶縁する必要があると共に、各コレクタの冷
却のため、個々のコレクタ外周部には接地点より
電気的に絶縁された放熱体を装着する必要があ
り、コレクタ部の構造が複雑化し、放熱体などを
含めたコレクタ部の大形化、重量増などの欠点が
あつた。また、個々のコレクタの冷却のため各コ
レクタ間または各コレクタと接地点間の電気的絶
縁を十分とりにくい欠点もあつた。特にコレクタ
を３段以上に分割した場合前記の欠点が顕著に現
われる。
本発明は、複数個に分割したコレクタを有し、
複数個のコレクタが接地点から電気的に絶縁され
ている電子ビーム管において、コレクタ部の真空
封止面を増大させることなくコレクタに発生する
熱を簡単な構造でもつて外部に効果的に伝達させ
ることにより、十分な冷却効果を得るようにし
て、加えて接地点よりコレクタの電気的絶縁を容
易とした多段コレクタ形電子ビーム管を提供する
ことにある。
複数個のコレクタが接地点から電気的に絶縁され
ている電子ビーム管において、コレクタ部の真空
封止面を増大させることなくコレクタに発生する
熱を簡単な構造でもつて外部に効果的に伝達させ
ることにより、十分な冷却効果を得るようにし
て、加えて接地点よりコレクタの電気的絶縁を容
易とした多段コレクタ形電子ビーム管を提供する
ことにある。
本発明は、電子ビームを発生する電子銃と、高
周波の相互作用が行なわれる高周波回路部と、電
子ビームを集束するための磁界集束装置と、相互
作用が行なわれた電子ビームを捕獲するコレクタ
とを具備し、かつ、コレクタは複数個のコレクタ
からなる多段コレクタ形電子ビーム管において、
高周波回路部の出力側端部に真空外囲器の一部と
なる円筒セラミツクの一端をロー付などにより固
定し、円筒セラミツクの内面に接触するように複
数個のコレクタを同軸的に軸方向に間隔を置いて
配設し、円筒セラミツクの他の端部はセラミツク
板または金属板により真空封止され、各コレクタ
への印加電圧は円筒セラミツクの側面に明けられ
た複数個の穴を通して突出されたコレクタリード
により供給するようにしたことを特徴とする。
周波の相互作用が行なわれる高周波回路部と、電
子ビームを集束するための磁界集束装置と、相互
作用が行なわれた電子ビームを捕獲するコレクタ
とを具備し、かつ、コレクタは複数個のコレクタ
からなる多段コレクタ形電子ビーム管において、
高周波回路部の出力側端部に真空外囲器の一部と
なる円筒セラミツクの一端をロー付などにより固
定し、円筒セラミツクの内面に接触するように複
数個のコレクタを同軸的に軸方向に間隔を置いて
配設し、円筒セラミツクの他の端部はセラミツク
板または金属板により真空封止され、各コレクタ
への印加電圧は円筒セラミツクの側面に明けられ
た複数個の穴を通して突出されたコレクタリード
により供給するようにしたことを特徴とする。
つぎに図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。第１図ａ，ｂは本発明を実施した３段のコレ
クタを有する進行波管を示し、この進行波管は電
子銃１、高周波回路部（遅波回路）２、高周波入
力部３、高周波出力部４、磁界集束装置５、コレ
クタ１０及び放熱体１７などを含み、電子銃側は
支持台１８を介して保持板６の上に載置固定され
ている。しかし、コレクタ１０は第１コレクタ
７、第２コレクタ８、第３コレクタ９とを軸方向
に間隔を置いて分配された状態で円筒セラミツク
１１の内周面に配設される。円筒セラミツク１１
の内部は段状になつており、第１〜第３コレクタ
７，８，９は段部に突き当るように挿入され軸方
向の位置出しが行なわれ、コレクタ７，８，９は
各々電気的に絶縁される。円筒セラミツク１１は
絶縁石類の中で熱伝導率がよく緻密質のベリリ
ア、セラミツク、またはアルミナセラミツクから
なり、その両端面にはメタライズ加工が施されて
おり一端は高周波回路部２の端面にロー付により
固着され、反対側の端面はセラミツク波１２がロ
ー付により固着され真空封止される。また円筒セ
ラミツク１１の側面にはコレクタリード取り出し
用の小さな直径１mm程度の穴１３があらかじめ明
けられ、この穴１３にはメタライズ加工が施され
ている。コレクタリード１４，１５，１６は穴１
３部にロー付により各々固定され、コレクタリー
ド１４，１５，１６を介して第１〜第３コレクタ
７，８，９に電圧が印加される。コレクタ１０の
材料には熱伝導率がよく溶融点温度が高い銅、モ
リブデンまたはニツケルなどが使用される。第１
〜第３コレクタ７，８，９の外面と円筒セラミツ
ク１１の内面の接触をよくするには、第１〜第３
コレクタ７，８，９の外径と円筒セラミツク１１
の内径とをほぼ等しくしてかん合をよくすればよ
いが、第１〜第３コレクタ７，８，９の側面に長
手方向に延在した割り溝を設けて円筒セラミツク
１１の内径よりコレクタ７，８，９の外径を大き
目にして軸方向に機械的な力を加えてコレクタ
７，８，９を円筒セラミツク１１へ挿入すれば、
コレクタ１０と円筒セラミツク１１との接触はさ
らに改善され、コレクタ７，８，９は安定に保持
固定される。また、第１〜第３コレクタ７，８，
９と接触する円筒セラミツク１１の内面にあらか
じめ局部的にメタライズ加工を施しておけば円筒
セラミツク１１と第１〜第３コレクタ７，８，９
をロー付により保持固定することも出来る。この
ような進行波管において、電子銃１から発せられ
た電子ビームは磁界集束装置５により集束され、
高周波回路部２の中心軸部を通過しこの間に高周
波入力部３から印加された高周波と相互作用によ
る増幅作用が行なわれて高周波出力は高周波出力
部４から取り出される。高周波増幅作用を行なつ
た電子ビームの速度にはバラツキがあるので、電
子ビームの速度に応じて、電子ビームは各々電位
の異なる第１〜第３コレクタ７，８，９のいずれ
かに捕獲される。この場合、第１〜第３コレクタ
７，８，９で発生する熱を円筒セラミツク１１及
び放熱体１７へ伝達させ、コレクタ７，８，９を
冷却している。このような構造にすれば、第１〜
第３コレクタ７，８，９で発生する熱は円筒セラ
ミツク１１を介して放熱体１７へ伝達されるの
で、第１〜第３コレクタ７，８，９に各々放熱体
を直接取付けて各コレクタ７，８，９を冷却する
必要はなく、コレクタの分割数に関係なく、熱流
し場（保持板６）へ通じる放熱体１７への熱伝導
路は一径路だけとなり、コレクタ部構造が簡単化
されると共にコレクタ部の小形化、軽量化に対し
て極めて有利となる。また、第１〜第３コレクタ
７，８，９外面に露出しておらず接地点に対して
円筒セラミツク１１により十分電気的に絶縁する
ことが出来る。第１〜第３コレクタ７，８，９と
放熱体１７間の熱抵抗は、円筒セラミツク１１の
熱伝導率及び寸法で決まり、第１〜第３コレクタ
７，８，９に消費される電力及びコレクタ許容温
度を考慮して円筒セラミツク１１の寸法を選定す
ることで円筒セラミツク１１は熱伝導径路として
の役目を十分はたすことが出来る。放熱体１７と
円筒セラミツク１１の接触部には伝導性の良い接
着材を介在させることにより放熱体と円筒セラミ
ツク１１間の熱抵抗を改善することが可能であ
る。
る。第１図ａ，ｂは本発明を実施した３段のコレ
クタを有する進行波管を示し、この進行波管は電
子銃１、高周波回路部（遅波回路）２、高周波入
力部３、高周波出力部４、磁界集束装置５、コレ
クタ１０及び放熱体１７などを含み、電子銃側は
支持台１８を介して保持板６の上に載置固定され
ている。しかし、コレクタ１０は第１コレクタ
７、第２コレクタ８、第３コレクタ９とを軸方向
に間隔を置いて分配された状態で円筒セラミツク
１１の内周面に配設される。円筒セラミツク１１
の内部は段状になつており、第１〜第３コレクタ
７，８，９は段部に突き当るように挿入され軸方
向の位置出しが行なわれ、コレクタ７，８，９は
各々電気的に絶縁される。円筒セラミツク１１は
絶縁石類の中で熱伝導率がよく緻密質のベリリ
ア、セラミツク、またはアルミナセラミツクから
なり、その両端面にはメタライズ加工が施されて
おり一端は高周波回路部２の端面にロー付により
固着され、反対側の端面はセラミツク波１２がロ
ー付により固着され真空封止される。また円筒セ
ラミツク１１の側面にはコレクタリード取り出し
用の小さな直径１mm程度の穴１３があらかじめ明
けられ、この穴１３にはメタライズ加工が施され
ている。コレクタリード１４，１５，１６は穴１
３部にロー付により各々固定され、コレクタリー
ド１４，１５，１６を介して第１〜第３コレクタ
７，８，９に電圧が印加される。コレクタ１０の
材料には熱伝導率がよく溶融点温度が高い銅、モ
リブデンまたはニツケルなどが使用される。第１
〜第３コレクタ７，８，９の外面と円筒セラミツ
ク１１の内面の接触をよくするには、第１〜第３
コレクタ７，８，９の外径と円筒セラミツク１１
の内径とをほぼ等しくしてかん合をよくすればよ
いが、第１〜第３コレクタ７，８，９の側面に長
手方向に延在した割り溝を設けて円筒セラミツク
１１の内径よりコレクタ７，８，９の外径を大き
目にして軸方向に機械的な力を加えてコレクタ
７，８，９を円筒セラミツク１１へ挿入すれば、
コレクタ１０と円筒セラミツク１１との接触はさ
らに改善され、コレクタ７，８，９は安定に保持
固定される。また、第１〜第３コレクタ７，８，
９と接触する円筒セラミツク１１の内面にあらか
じめ局部的にメタライズ加工を施しておけば円筒
セラミツク１１と第１〜第３コレクタ７，８，９
をロー付により保持固定することも出来る。この
ような進行波管において、電子銃１から発せられ
た電子ビームは磁界集束装置５により集束され、
高周波回路部２の中心軸部を通過しこの間に高周
波入力部３から印加された高周波と相互作用によ
る増幅作用が行なわれて高周波出力は高周波出力
部４から取り出される。高周波増幅作用を行なつ
た電子ビームの速度にはバラツキがあるので、電
子ビームの速度に応じて、電子ビームは各々電位
の異なる第１〜第３コレクタ７，８，９のいずれ
かに捕獲される。この場合、第１〜第３コレクタ
７，８，９で発生する熱を円筒セラミツク１１及
び放熱体１７へ伝達させ、コレクタ７，８，９を
冷却している。このような構造にすれば、第１〜
第３コレクタ７，８，９で発生する熱は円筒セラ
ミツク１１を介して放熱体１７へ伝達されるの
で、第１〜第３コレクタ７，８，９に各々放熱体
を直接取付けて各コレクタ７，８，９を冷却する
必要はなく、コレクタの分割数に関係なく、熱流
し場（保持板６）へ通じる放熱体１７への熱伝導
路は一径路だけとなり、コレクタ部構造が簡単化
されると共にコレクタ部の小形化、軽量化に対し
て極めて有利となる。また、第１〜第３コレクタ
７，８，９外面に露出しておらず接地点に対して
円筒セラミツク１１により十分電気的に絶縁する
ことが出来る。第１〜第３コレクタ７，８，９と
放熱体１７間の熱抵抗は、円筒セラミツク１１の
熱伝導率及び寸法で決まり、第１〜第３コレクタ
７，８，９に消費される電力及びコレクタ許容温
度を考慮して円筒セラミツク１１の寸法を選定す
ることで円筒セラミツク１１は熱伝導径路として
の役目を十分はたすことが出来る。放熱体１７と
円筒セラミツク１１の接触部には伝導性の良い接
着材を介在させることにより放熱体と円筒セラミ
ツク１１間の熱抵抗を改善することが可能であ
る。
第２図ａ，ｂは本発明による電子ビーム管の他
の実施例を示し、第１図ａ，ｂと同一あるいは相
当部分は同一番号を付している。第２図ａにおい
ては、円筒セラミツク１１の内径は段状を有して
おらず、一様にほぼ一定であり、円筒セラミツク
１１は高周波回路部２の端面にロー付により固着
され、絶縁性磁器筒１９が高周波回路部２の端部
と第１コレクタ間及び第１〜第３コレクタ７，
８，９の各コレクタ間に介在されている。
の実施例を示し、第１図ａ，ｂと同一あるいは相
当部分は同一番号を付している。第２図ａにおい
ては、円筒セラミツク１１の内径は段状を有して
おらず、一様にほぼ一定であり、円筒セラミツク
１１は高周波回路部２の端面にロー付により固着
され、絶縁性磁器筒１９が高周波回路部２の端部
と第１コレクタ間及び第１〜第３コレクタ７，
８，９の各コレクタ間に介在されている。
円筒セラミツク１１の他の端部にはセラミツク
板１２が第３コレクタ９の底部を挿さえるように
してロー付により固着され真空封止される。円筒
セラミツク１１の外周には、欠き溝２１が明けら
れた羽根付放熱体２０が配置されている。コレク
タリード１４，１５，１６は欠き溝２１より取り
出され、高電圧印加用のリード（図示せず）が半
田付などにより接続され、欠き溝２１には絶縁の
ためシリコンゴム（図示せず）などが充填され
る。第２図ａ，ｂの実施例によれば、第１図ａ，
ｂの実施例に比較して軸方向の第１〜第３コレク
タ７，８，９の相互位置は絶縁磁器筒１９の寸法
によつて決まり、円筒セラミツク１１と第１〜第
３コレクタ７，８，９をロー付などにより強固に
保持固定しなくとも、第１〜第３コレクタ７，
８，９を円筒セラミツク１１の内部の所定位置に
保持固定することが出来る。このため、絶縁磁気
筒１９の長さ調整により各コレクタ間の軸方向位
置調整を行なうことが出来ると共に、コレクタ１
０の材料には許容温度が高い炭素化合物を装分解
して作られるパイロリテイツクグラフアイト（熱
分解黒鉛）を選定することも可能となる。また羽
根付放熱体１９が円筒セラミツク１１の外周の全
域にわたつて包囲されており、円筒セラミツク１
１からの放熱効果が改善されコレクタの冷却のた
めには有利となる。
板１２が第３コレクタ９の底部を挿さえるように
してロー付により固着され真空封止される。円筒
セラミツク１１の外周には、欠き溝２１が明けら
れた羽根付放熱体２０が配置されている。コレク
タリード１４，１５，１６は欠き溝２１より取り
出され、高電圧印加用のリード（図示せず）が半
田付などにより接続され、欠き溝２１には絶縁の
ためシリコンゴム（図示せず）などが充填され
る。第２図ａ，ｂの実施例によれば、第１図ａ，
ｂの実施例に比較して軸方向の第１〜第３コレク
タ７，８，９の相互位置は絶縁磁器筒１９の寸法
によつて決まり、円筒セラミツク１１と第１〜第
３コレクタ７，８，９をロー付などにより強固に
保持固定しなくとも、第１〜第３コレクタ７，
８，９を円筒セラミツク１１の内部の所定位置に
保持固定することが出来る。このため、絶縁磁気
筒１９の長さ調整により各コレクタ間の軸方向位
置調整を行なうことが出来ると共に、コレクタ１
０の材料には許容温度が高い炭素化合物を装分解
して作られるパイロリテイツクグラフアイト（熱
分解黒鉛）を選定することも可能となる。また羽
根付放熱体１９が円筒セラミツク１１の外周の全
域にわたつて包囲されており、円筒セラミツク１
１からの放熱効果が改善されコレクタの冷却のた
めには有利となる。
なお上記実施例においては、いずれも電子ビー
ム管としてコレクタを３段に分割した進行波管を
用いた場合について言及したけれども、本発明は
これに限定されることなくコレクタを多段に分割
した多重空胴クライストロンなどの電子ビーム管
に適用出来ることはもちろんである。
ム管としてコレクタを３段に分割した進行波管を
用いた場合について言及したけれども、本発明は
これに限定されることなくコレクタを多段に分割
した多重空胴クライストロンなどの電子ビーム管
に適用出来ることはもちろんである。
以上のように本発明によれば、コレクタの分割
数に関係なくコレクタに発生する熱を各コレクタ
と接地点間の電気的絶縁を劣化させることなく、
またコレクタ部の真空封止面を増大させることな
く、外部に効果的に伝達させることが出来、能率
を改善する目的でコレクタを分割してもコレクタ
部の大形化、重量増を防止することが可能とな
る。特に３〜５段以上にコレクタを分割した電子
ビーム管に本発明を適用した場合に大なる効果が
得られる。
数に関係なくコレクタに発生する熱を各コレクタ
と接地点間の電気的絶縁を劣化させることなく、
またコレクタ部の真空封止面を増大させることな
く、外部に効果的に伝達させることが出来、能率
を改善する目的でコレクタを分割してもコレクタ
部の大形化、重量増を防止することが可能とな
る。特に３〜５段以上にコレクタを分割した電子
ビーム管に本発明を適用した場合に大なる効果が
得られる。
第１図ａは本発明による多段コレクタ形電子ビ
ーム管の一例を示す軸方向断面図、第１図ｂは同
じくコレクタ側からみた側面図、第２図ａ，ｂは
本発明の他の実施例のコレクタ部を示す軸方向断
面図及び側面図である。 １……電子銃、２……高周波回路部（遅波回
路）、３……高周波入力部、４……高周波出力
部、５……磁気集束装置、６……保持板、７，
８，９……第１、第２、第３コレクタ…１０……
第１、第２、第３コレクタを含めたコレクタ、１
１……円筒セラミツク、１２……セラミツク板、
１３……円筒セラミツク１１の側面に明けられた
穴、１４，１５，１６……コレクタリード、１７
……放熱体、１８……支持台、１９……絶縁磁器
筒、２０……羽根付放熱体、２１……欠き溝。
ーム管の一例を示す軸方向断面図、第１図ｂは同
じくコレクタ側からみた側面図、第２図ａ，ｂは
本発明の他の実施例のコレクタ部を示す軸方向断
面図及び側面図である。 １……電子銃、２……高周波回路部（遅波回
路）、３……高周波入力部、４……高周波出力
部、５……磁気集束装置、６……保持板、７，
８，９……第１、第２、第３コレクタ…１０……
第１、第２、第３コレクタを含めたコレクタ、１
１……円筒セラミツク、１２……セラミツク板、
１３……円筒セラミツク１１の側面に明けられた
穴、１４，１５，１６……コレクタリード、１７
……放熱体、１８……支持台、１９……絶縁磁器
筒、２０……羽根付放熱体、２１……欠き溝。
Claims (1)
- １ 複数個のコレクタからなる多段コレクタ形電
子ビーム管において、高周波回路部の出力側端部
に真空外囲器の一部となる円筒セラミツクの一端
をロー付などにより固定し、円筒セラミツクの内
面に接触するように複数個のコレクタを同軸的に
軸方向に間隔を置いて配設し、円筒セラミツクの
他の端部は真空封止され、各コレクタへの電圧の
印加は円筒セラミツクの側面に明けられた複数個
の穴を通して突出されたコレクタリードにより供
給されることを特徴とする多段コレクタ形電子ビ
ーム管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4823079A JPS55139740A (en) | 1979-04-19 | 1979-04-19 | Multistage collector type electron beam tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4823079A JPS55139740A (en) | 1979-04-19 | 1979-04-19 | Multistage collector type electron beam tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55139740A JPS55139740A (en) | 1980-10-31 |
| JPS624814B2 true JPS624814B2 (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=12797628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4823079A Granted JPS55139740A (en) | 1979-04-19 | 1979-04-19 | Multistage collector type electron beam tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55139740A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124834A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nec Corp | Microwave tube |
| US5780970A (en) * | 1996-10-28 | 1998-07-14 | University Of Maryland | Multi-stage depressed collector for small orbit gyrotrons |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370659A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Nec Corp | Multi stage collector type electron beam tube |
| JPS5384269U (ja) * | 1976-12-14 | 1978-07-12 |
-
1979
- 1979-04-19 JP JP4823079A patent/JPS55139740A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55139740A (en) | 1980-10-31 |
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