JPS6248292B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6248292B2 JPS6248292B2 JP1789281A JP1789281A JPS6248292B2 JP S6248292 B2 JPS6248292 B2 JP S6248292B2 JP 1789281 A JP1789281 A JP 1789281A JP 1789281 A JP1789281 A JP 1789281A JP S6248292 B2 JPS6248292 B2 JP S6248292B2
- Authority
- JP
- Japan
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- polishing
- resistance
- resistance value
- resistor
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 54
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘツドの研摩装置に関する。
更に詳しくは、研摩装置に用いられる研摩探知用
抵抗の改良に関するものである。
更に詳しくは、研摩装置に用いられる研摩探知用
抵抗の改良に関するものである。
磁気抵抗ヘツド，薄膜インダクテイブ・ヘツ
ド，ホールヘツド等の薄膜磁気ヘツドにおいて
は、そのマルチトラツク化に伴い研摩装置に精度
及び効率の良さ等が要求される。
ド，ホールヘツド等の薄膜磁気ヘツドにおいて
は、そのマルチトラツク化に伴い研摩装置に精度
及び効率の良さ等が要求される。
第１図は従来の磁気ヘツド研摩装置の概略図、
第２図は第１図の装置に用いられる研摩探知用抵
抗及び研摩進行時における抵抗変化を示す図であ
る。第１図において、１はガラス等の基板、１ａ
はその研摩面、２，２ａ，２ｂ，２ｃは研摩面１
ａに平行、かつ一列に並べた磁気ヘツド素子、
３，３ａ〜３ｅ及び４，４ａ〜４ｅは研摩面１ａ
から順次距離をはなして平行に並べ、かつ抵抗値
Ｒをもつ同一幅の数個の研摩探知用抵抗、５，５
ａ，５ｂ及び６，６ａ，６ｂはそれぞれ抵抗３及
び４を並列に接続して抵抗測定器７及び８に導く
引出し電極である。
第２図は第１図の装置に用いられる研摩探知用抵
抗及び研摩進行時における抵抗変化を示す図であ
る。第１図において、１はガラス等の基板、１ａ
はその研摩面、２，２ａ，２ｂ，２ｃは研摩面１
ａに平行、かつ一列に並べた磁気ヘツド素子、
３，３ａ〜３ｅ及び４，４ａ〜４ｅは研摩面１ａ
から順次距離をはなして平行に並べ、かつ抵抗値
Ｒをもつ同一幅の数個の研摩探知用抵抗、５，５
ａ，５ｂ及び６，６ａ，６ｂはそれぞれ抵抗３及
び４を並列に接続して抵抗測定器７及び８に導く
引出し電極である。
上記の抵抗３及び４の抵抗変化は第２図に示す
ように、研摩量に対して階段的に急激な変化を示
す。このため、研摩位置の検出が精度良くできる
利点を有する。この抵抗３，４を第２図のように
素子列２の両端に設け、その抵抗変化を抵抗測定
器７，８でモニターする。研摩面１ａが素子列２
に対して傾いていると、左右の測定器７，８の抵
抗測定値が変化する研摩位置は異なる。この傾き
角度（平行度）は、抵抗値の変化する位置の差よ
り容易に算出できるので、この量だけ研摩角度を
調整して更に研摩を進める。そして左右の測定器
７，８の抵抗測定値変化が同時に起きるようにな
つたら、研摩の角度調整を終了させる。研摩の最
終停止点は抵抗３，４の抵抗値が無限大（オープ
ン）になつた時である。上記方法によれば、研摩
面の傾き検出及び調整が精度良くできるため、容
易に平行度の良い研摩ができる。しかし、第２図
に示すように、この方法は研摩初めにおける抵抗
変化が小さいので、研摩初めでは精度が良くない
という欠点を有する。
ように、研摩量に対して階段的に急激な変化を示
す。このため、研摩位置の検出が精度良くできる
利点を有する。この抵抗３，４を第２図のように
素子列２の両端に設け、その抵抗変化を抵抗測定
器７，８でモニターする。研摩面１ａが素子列２
に対して傾いていると、左右の測定器７，８の抵
抗測定値が変化する研摩位置は異なる。この傾き
角度（平行度）は、抵抗値の変化する位置の差よ
り容易に算出できるので、この量だけ研摩角度を
調整して更に研摩を進める。そして左右の測定器
７，８の抵抗測定値変化が同時に起きるようにな
つたら、研摩の角度調整を終了させる。研摩の最
終停止点は抵抗３，４の抵抗値が無限大（オープ
ン）になつた時である。上記方法によれば、研摩
面の傾き検出及び調整が精度良くできるため、容
易に平行度の良い研摩ができる。しかし、第２図
に示すように、この方法は研摩初めにおける抵抗
変化が小さいので、研摩初めでは精度が良くない
という欠点を有する。
他の従来例を第３図に示す。この例は、上記の
欠点を無くすために、研摩探知用抵抗９ａ〜９ｅ
を研摩方向に対して近い方から、Ｒ／８，Ｒ／
４，Ｒ／２，Ｒ，Ｒと順次膜厚を変えることによ
り、抵抗値を大にしている。このようにすれば、
図示のように、研摩初めの抵抗変化が大になり、
測定精度が向上する。しかし、膜厚を変えるため
には作製に多大の手間がかかるという欠点があ
る。
欠点を無くすために、研摩探知用抵抗９ａ〜９ｅ
を研摩方向に対して近い方から、Ｒ／８，Ｒ／
４，Ｒ／２，Ｒ，Ｒと順次膜厚を変えることによ
り、抵抗値を大にしている。このようにすれば、
図示のように、研摩初めの抵抗変化が大になり、
測定精度が向上する。しかし、膜厚を変えるため
には作製に多大の手間がかかるという欠点があ
る。
他の従来例を第４図に示す。これは研摩探知用
抵抗１０ａ〜１０ｅの幅を変えて抵抗値を変える
ものである。研摩探知用抵抗の作製は簡単である
が、その抵抗値変化が図示のようになだらかにな
つてしまい、精度の向上にはならないという欠点
がある。
抵抗１０ａ〜１０ｅの幅を変えて抵抗値を変える
ものである。研摩探知用抵抗の作製は簡単である
が、その抵抗値変化が図示のようになだらかにな
つてしまい、精度の向上にはならないという欠点
がある。
本発明の目的は、上記の従来技術の欠点をなく
し、研摩初めにおいても抵抗値変化が大きく、し
かも作製の簡単な研摩探知用抵抗を備えた研摩装
置を提供することにある。
し、研摩初めにおいても抵抗値変化が大きく、し
かも作製の簡単な研摩探知用抵抗を備えた研摩装
置を提供することにある。
本発明による研摩探知用抵抗は、各抵抗素子を
同じ膜厚とし、かつ該素子に研摩面と反対側から
研摩面に直角に細い切り込みを入れて、研摩面に
近い側に各素子の抵抗値に対応した細い抵抗部分
を形成してなるものである。
同じ膜厚とし、かつ該素子に研摩面と反対側から
研摩面に直角に細い切り込みを入れて、研摩面に
近い側に各素子の抵抗値に対応した細い抵抗部分
を形成してなるものである。
本発明の実施例を第５図を用いて具体的に説明
する。図の１１，１１ａ〜１１ｅは本発明の特徴
とする研摩探知用抵抗であつて、同一膜厚で、良
好な研摩探知精度が得られるような抵抗値比例を
持つている。この抵抗１１ａ〜１１ｅの一部に切
り込み１２ａ，１２ｂ，１２ｃを入れる。この切
り込みは、研摩面に対して遠い方から入れ、研摩
面に近い方に非常に狭い抵抗部分１３ａ，１３
ｂ，１３ｃを形成する。
する。図の１１，１１ａ〜１１ｅは本発明の特徴
とする研摩探知用抵抗であつて、同一膜厚で、良
好な研摩探知精度が得られるような抵抗値比例を
持つている。この抵抗１１ａ〜１１ｅの一部に切
り込み１２ａ，１２ｂ，１２ｃを入れる。この切
り込みは、研摩面に対して遠い方から入れ、研摩
面に近い方に非常に狭い抵抗部分１３ａ，１３
ｂ，１３ｃを形成する。
本実施例では、研摩探知用抵抗１１はNi―Fe
等の高抵抗薄膜を、取出し電極５はAu，Al等の
導電性薄膜を用いている。抵抗１１ｅの形状を、
幅５μｍ，長さ100μｍ、厚さ0.05μｍとする
と、抵抗値Ｒは80Ωとなる。また、抵抗１１ａの
形状を、幅130μｍ，長さ100μｍ，厚さ0.05μｍ
とし、切込み１２ａを幅75μｍ，長さ５μｍとす
ると、細い部分１３ａの抵抗値は４Ωとなり、１
１ａの抵抗値はＲ／８＝10Ωとなる。本実施例に
よると、抵抗１１ａの抵抗変化は細い部分１３ａ
が切断される量、即ち研摩量にして５μｍ以内で
生ずる。このため、抵抗変化がシヤープになり、
研摩位置検出の精度は第４図の従来例に比べ著し
く向上する。しかも抵抗素子の作製は、膜厚が同
じであるから非常に簡単である。第５図の実施例
においては、抵抗１１ａ〜１１ｅの抵抗値は、順
にＲ／８，Ｒ／４，Ｒ／２，Ｒ，Ｒ，（Ｒ＝80
Ω）とし、その抵抗変化は研摩量に対し、Ｒ／16
→Ｒ／８→Ｒ／４→Ｒ／２→Ｒ→∞となる。な
お、本実施例では、取出し電極５に研摩探知用抵
抗１１と別の材料を用いたが、同一材料を用いて
もよい。
等の高抵抗薄膜を、取出し電極５はAu，Al等の
導電性薄膜を用いている。抵抗１１ｅの形状を、
幅５μｍ，長さ100μｍ、厚さ0.05μｍとする
と、抵抗値Ｒは80Ωとなる。また、抵抗１１ａの
形状を、幅130μｍ，長さ100μｍ，厚さ0.05μｍ
とし、切込み１２ａを幅75μｍ，長さ５μｍとす
ると、細い部分１３ａの抵抗値は４Ωとなり、１
１ａの抵抗値はＲ／８＝10Ωとなる。本実施例に
よると、抵抗１１ａの抵抗変化は細い部分１３ａ
が切断される量、即ち研摩量にして５μｍ以内で
生ずる。このため、抵抗変化がシヤープになり、
研摩位置検出の精度は第４図の従来例に比べ著し
く向上する。しかも抵抗素子の作製は、膜厚が同
じであるから非常に簡単である。第５図の実施例
においては、抵抗１１ａ〜１１ｅの抵抗値は、順
にＲ／８，Ｒ／４，Ｒ／２，Ｒ，Ｒ，（Ｒ＝80
Ω）とし、その抵抗変化は研摩量に対し、Ｒ／16
→Ｒ／８→Ｒ／４→Ｒ／２→Ｒ→∞となる。な
お、本実施例では、取出し電極５に研摩探知用抵
抗１１と別の材料を用いたが、同一材料を用いて
もよい。
本発明の他の実施例を第６図に示す。本発明に
よれば、研摩量に対する抵抗変化をシヤープにし
たまま、各抵抗素子の抵抗値を任意に変えること
ができる利点を有するため、第６図のような抵抗
配列、即ち研摩探知用抵抗１４ａ〜１４ｅを、順
に２／5R，６／5R，12／5R，4R，Ｒとすること
により、抵抗値をＲ／５ずつ等間隔で変化させる
ことができる。更に、ｎ段の研摩探知用抵抗につ
いてＲ／ｎずつ抵抗値を変化させるためには、研
摩面側より抵抗配列を、２／ｎＲ，２・３／ｎＲ，…… （ｎ−１）（ｎ−２）／ｎＲ，ｎ（ｎ−１）／ｎＲ，Ｒ
とすればよい。
よれば、研摩量に対する抵抗変化をシヤープにし
たまま、各抵抗素子の抵抗値を任意に変えること
ができる利点を有するため、第６図のような抵抗
配列、即ち研摩探知用抵抗１４ａ〜１４ｅを、順
に２／5R，６／5R，12／5R，4R，Ｒとすること
により、抵抗値をＲ／５ずつ等間隔で変化させる
ことができる。更に、ｎ段の研摩探知用抵抗につ
いてＲ／ｎずつ抵抗値を変化させるためには、研
摩面側より抵抗配列を、２／ｎＲ，２・３／ｎＲ，…… （ｎ−１）（ｎ−２）／ｎＲ，ｎ（ｎ−１）／ｎＲ，Ｒ
とすればよい。
以上述べたように、本発明によれば、非常に簡
単な構造の研摩探知用抵抗をもつて、研摩位置の
精度の良い測定が可能となつた。
単な構造の研摩探知用抵抗をもつて、研摩位置の
精度の良い測定が可能となつた。
第１図は従来の研摩装置の平面概略図、第２
図，第３図及び第４図は従来の研摩探知用抵抗の
平面図及び特性図、第５図及び第６図はそれぞれ
本発明の各実施例を示す平面図及び特性図であ
る。 １…基板、１ａ…研摩面、２ａ，２ｂ，２ｃ…
磁気ヘツド素子列、５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ…取
出し電極、７，８…抵抗測定器、１１ａ〜１１
ｅ，１４ａ〜１４ｅ…研摩探知用抵抗、１２ａ〜
１２ｃ…切込み、１３ａ〜１３ｃ…細い抵抗部
分。
図，第３図及び第４図は従来の研摩探知用抵抗の
平面図及び特性図、第５図及び第６図はそれぞれ
本発明の各実施例を示す平面図及び特性図であ
る。 １…基板、１ａ…研摩面、２ａ，２ｂ，２ｃ…
磁気ヘツド素子列、５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ…取
出し電極、７，８…抵抗測定器、１１ａ〜１１
ｅ，１４ａ〜１４ｅ…研摩探知用抵抗、１２ａ〜
１２ｃ…切込み、１３ａ〜１３ｃ…細い抵抗部
分。
Claims (1)
- １ 基板の研摩面に対して平行、かつ一列に並べ
た磁気ヘツド素子列の両側前方に、研摩面から順
次距離をはなして平行に並べ、かつ適当な抵抗値
比率をもつ数個の研摩探知用抵抗を設け、該両側
の研摩探知用抵抗を取出し電極で並列に接続し
て、それぞれ抵抗測定器に導き、研摩に際して前
記の両側の研摩探知用抵抗の抵抗値変化を検知し
て研摩の平行度を調整する薄膜磁気ヘツドの研摩
装置において、前記の研摩探知用抵抗の各素子を
同一膜厚とし、かつ該素子に研摩面と反対側から
研摩面に直角に細い切り込みを入れて、研摩面に
近い側に各素子の抵抗値に対応した細い抵抗部分
を形成してなる研摩探知用抵抗を備えたことを特
徴とする薄膜磁気ヘツドの研摩装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1789281A JPS57133517A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Polishing device of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1789281A JPS57133517A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Polishing device of thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57133517A JPS57133517A (en) | 1982-08-18 |
| JPS6248292B2 true JPS6248292B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=11956362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1789281A Granted JPS57133517A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Polishing device of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57133517A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117717A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Sharp Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US8082658B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-12-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Controlled lapping for an ABS damascene process |
-
1981
- 1981-02-09 JP JP1789281A patent/JPS57133517A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57133517A (en) | 1982-08-18 |
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