JPS624862A - 真空蒸着用電子銃 - Google Patents
真空蒸着用電子銃Info
- Publication number
- JPS624862A JPS624862A JP60143079A JP14307985A JPS624862A JP S624862 A JPS624862 A JP S624862A JP 60143079 A JP60143079 A JP 60143079A JP 14307985 A JP14307985 A JP 14307985A JP S624862 A JPS624862 A JP S624862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- magnet
- electron beam
- electron
- orbit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は真空蒸着に用いられる磁場偏向型の電子銃の改
良に関するものである。
良に関するものである。
（従来の技術）
従来使用されている磁場偏向型の電子銃として第３図お
よび第４図に示すものが周知である。図において、電子
銃本体の所定位置には偏向体１が配設されており、この
偏向体１は電磁石又は永久磁石からなる偏向磁石２と、
この偏向磁石２の両端部から対向伸設された一対の継鉄
３および同４とから構成されている。継鉄３および同４
の中間下方位置には電子源５が配設され、この電子源５
から発射された電子ビームは前記偏向体１の継鉄３およ
び同４間に生じる空隙磁界６によってその軌道７が制御
され、水冷ハース８のルツボ９に収容されている試料１
ｏを照射するようになっている。この電子ビームの照射
によって試料１０が蒸発し、ウェハ等の基板（図示せず
）に蒸発物質の半導体膜が形成されるのである。
よび第４図に示すものが周知である。図において、電子
銃本体の所定位置には偏向体１が配設されており、この
偏向体１は電磁石又は永久磁石からなる偏向磁石２と、
この偏向磁石２の両端部から対向伸設された一対の継鉄
３および同４とから構成されている。継鉄３および同４
の中間下方位置には電子源５が配設され、この電子源５
から発射された電子ビームは前記偏向体１の継鉄３およ
び同４間に生じる空隙磁界６によってその軌道７が制御
され、水冷ハース８のルツボ９に収容されている試料１
ｏを照射するようになっている。この電子ビームの照射
によって試料１０が蒸発し、ウェハ等の基板（図示せず
）に蒸発物質の半導体膜が形成されるのである。
この半導体膜の形成に際しては、半導体蒸着膜に不純物
の混入をできるだけ避けるため、超高真空環境下で行う
必要がある。しかし、この超高真空環境をつくり出すた
めには真空蒸着室を長時間かけて真空排気する必要があ
り、試料１０を補充交換する度に長時間の真空排気作業
をしなければならず非能率的である。そこで、試料１０
の形状をロッド状（棒状）に形成し、第５図に示すよう
に、試料１０が蒸発によって減った分だけ順次このロッ
ド状の試料１０を上方へ連続的に押し上げ補給する、い
わゆる押し上げ方式が提案されている。しかし第３図の
ように偏向磁石２が試料１０の下方あるいは第４図のよ
うに偏向磁石２が試料１０の下方に配置されている従来
装置においてはこの押し上げ方式を採用できないという
問題がある。なぜならば、第３図に示すものにあっては
、偏向磁石２が邪魔となり、試料１０の下方に押し上げ
機構を構成することが困難となるからであり、また第４
図のものにあっては、例えば試料１０にシリコンロッド
を使用するような場合には電子ビームによって中央部の
みが蒸発し縁が蒸発されないで残るため、シリコンロッ
ドを順次押し上げて行くとその上端縁が偏向磁石２に当
接してしまうという不都合があるからである。
の混入をできるだけ避けるため、超高真空環境下で行う
必要がある。しかし、この超高真空環境をつくり出すた
めには真空蒸着室を長時間かけて真空排気する必要があ
り、試料１０を補充交換する度に長時間の真空排気作業
をしなければならず非能率的である。そこで、試料１０
の形状をロッド状（棒状）に形成し、第５図に示すよう
に、試料１０が蒸発によって減った分だけ順次このロッ
ド状の試料１０を上方へ連続的に押し上げ補給する、い
わゆる押し上げ方式が提案されている。しかし第３図の
ように偏向磁石２が試料１０の下方あるいは第４図のよ
うに偏向磁石２が試料１０の下方に配置されている従来
装置においてはこの押し上げ方式を採用できないという
問題がある。なぜならば、第３図に示すものにあっては
、偏向磁石２が邪魔となり、試料１０の下方に押し上げ
機構を構成することが困難となるからであり、また第４
図のものにあっては、例えば試料１０にシリコンロッド
を使用するような場合には電子ビームによって中央部の
みが蒸発し縁が蒸発されないで残るため、シリコンロッ
ドを順次押し上げて行くとその上端縁が偏向磁石２に当
接してしまうという不都合があるからである。
近年、このような不都合を除去するものとして第３図お
よび第４図の鎖線に示すように、偏向磁石を２゛の位置
に移した改良型装置や第６図に示すような改良型の装置
が提供されている。この改良型の装置は偏向磁石２を電
子源５に対し試料１０と同−又は反対側に十分能して設
は前記ロッド状の試料１０の押し上げ供給を可能にして
いる。
よび第４図の鎖線に示すように、偏向磁石を２゛の位置
に移した改良型装置や第６図に示すような改良型の装置
が提供されている。この改良型の装置は偏向磁石２を電
子源５に対し試料１０と同−又は反対側に十分能して設
は前記ロッド状の試料１０の押し上げ供給を可能にして
いる。
〈発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記改良型装置にあっては図から明らかな
ように、偏向磁石２および同２′を電子ビームの軌道７
の外に配置しかつ試料１０から十分能して設けているた
め、継鉄３および同４の長さが必゛然的に長くなり、こ
の継鉄３および同４からの漏洩磁束の損失が大きくなっ
てしまうという不都合がある。したがって、この種の偏
向磁石２の設計にあって、所望の空隙磁界を得るために
は、前記漏洩磁束を見込んで断面積の大きな永久磁石又
はコイル巻き数の大きな電磁石を用いなければならない
、そのため、電子銃全体が大型かつ重量化してしまうと
いう問題があった。
ように、偏向磁石２および同２′を電子ビームの軌道７
の外に配置しかつ試料１０から十分能して設けているた
め、継鉄３および同４の長さが必゛然的に長くなり、こ
の継鉄３および同４からの漏洩磁束の損失が大きくなっ
てしまうという不都合がある。したがって、この種の偏
向磁石２の設計にあって、所望の空隙磁界を得るために
は、前記漏洩磁束を見込んで断面積の大きな永久磁石又
はコイル巻き数の大きな電磁石を用いなければならない
、そのため、電子銃全体が大型かつ重量化してしまうと
いう問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的は、試料の押し上げ供給を可能とし
かつ電子銃全体の小型化および軽量化を十分に図ること
ができる真空蒸着用電子銃を提供することにある。
のであり、その目的は、試料の押し上げ供給を可能とし
かつ電子銃全体の小型化および軽量化を十分に図ること
ができる真空蒸着用電子銃を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために次のように構成され
ている。すなわち、本発明は、電子ビームを発射する電
子源と、偏向磁石の両端部から一対の継鉄が伸設されこ
の継鉄間の空隙磁界によって電子源から試料に至る電子
ビームの軌道を制御する偏向体とを備えた真空蒸着用電
子銃において、前記偏向体の偏向磁石は電子ビームの円
弧状軌道の内側でかつ試料の電子源側に設けられている
真空蒸着用電子銃である。
ている。すなわち、本発明は、電子ビームを発射する電
子源と、偏向磁石の両端部から一対の継鉄が伸設されこ
の継鉄間の空隙磁界によって電子源から試料に至る電子
ビームの軌道を制御する偏向体とを備えた真空蒸着用電
子銃において、前記偏向体の偏向磁石は電子ビームの円
弧状軌道の内側でかつ試料の電子源側に設けられている
真空蒸着用電子銃である。
（作用）
上記構成からなる本発明において、偏向磁石は電子ビー
ムの軌道の内側でかつ試料の電子源側に設けられている
ので、電子ビームの軌道制御用空隙磁界を発生する継鉄
の長さく磁路長）のうち徒長部は短くできる。したがっ
て、継鉄からの漏洩磁束も小さくなり、これに伴い偏向
磁石を構成する永久磁石の断面積あるいは電磁石のコイ
ル巻き数を小さくでき、電子銃の小型化および軽量化が
図れるのである。また、偏向磁石は電子ビームの軌道の
内側でかつ試料の電子源側に配置されているからこの偏
向磁石が試料の押し上げに邪魔になることがなく、ロッ
ド状試料の連続的押上げ供給も可能となるものである。
ムの軌道の内側でかつ試料の電子源側に設けられている
ので、電子ビームの軌道制御用空隙磁界を発生する継鉄
の長さく磁路長）のうち徒長部は短くできる。したがっ
て、継鉄からの漏洩磁束も小さくなり、これに伴い偏向
磁石を構成する永久磁石の断面積あるいは電磁石のコイ
ル巻き数を小さくでき、電子銃の小型化および軽量化が
図れるのである。また、偏向磁石は電子ビームの軌道の
内側でかつ試料の電子源側に配置されているからこの偏
向磁石が試料の押し上げに邪魔になることがなく、ロッ
ド状試料の連続的押上げ供給も可能となるものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお
、本実施例の説明において前記従来例と同一の構成部分
は同一符号を付してその説明を省略する。
、本実施例の説明において前記従来例と同一の構成部分
は同一符号を付してその説明を省略する。
第１図（ａ）および同図（ｂ）には本発明の第１の実施
例の構成が示されている。この第１実施例において特徴
的なことは、偏向磁石２が電子ビームの円弧状軌道７の
内側でかつ試料の電子源側に設けられていることである
。さらに、本第１実施例ではこの偏向磁石２は電子ビー
ムの軌道面に垂直でかつ軌道７の円のほぼ中心位置に配
置されている。このように、偏向磁石２を軌道７の内側
に設けることで、電子ビームの軌道制御を行うための継
鉄３および同４の長さく磁路長）を短くでき、継鉄３お
よび同４からの漏洩磁束の量を小さく出来る。したがっ
て、偏向磁石２の設計にあっては、所望の空隙磁界６を
得るために大きな漏洩磁束の損失量を考慮することを要
しないので、永久磁石の断面積あるいは電磁石のコイル
巻数を小さくでき、これにより電子銃全体の小型化およ
び軽量化が図れる６また、前述のように、偏向磁石２は
軌道７の内側に配置されるから、該偏向磁石２が試料１
０の押し上げ機構を構成する上で邪魔になることもなく
、ロッド状試料の押し上げ供給方式も容易に採用するこ
とが可能である。
例の構成が示されている。この第１実施例において特徴
的なことは、偏向磁石２が電子ビームの円弧状軌道７の
内側でかつ試料の電子源側に設けられていることである
。さらに、本第１実施例ではこの偏向磁石２は電子ビー
ムの軌道面に垂直でかつ軌道７の円のほぼ中心位置に配
置されている。このように、偏向磁石２を軌道７の内側
に設けることで、電子ビームの軌道制御を行うための継
鉄３および同４の長さく磁路長）を短くでき、継鉄３お
よび同４からの漏洩磁束の量を小さく出来る。したがっ
て、偏向磁石２の設計にあっては、所望の空隙磁界６を
得るために大きな漏洩磁束の損失量を考慮することを要
しないので、永久磁石の断面積あるいは電磁石のコイル
巻数を小さくでき、これにより電子銃全体の小型化およ
び軽量化が図れる６また、前述のように、偏向磁石２は
軌道７の内側に配置されるから、該偏向磁石２が試料１
０の押し上げ機構を構成する上で邪魔になることもなく
、ロッド状試料の押し上げ供給方式も容易に採用するこ
とが可能である。
第２図（ａ）および同図（ｂ）には本発明の第２実施例
が示されている。本第２実施例の特徴的なことは、偏向
磁石２の近傍側方位置つまり、軌道７と偏向磁石２との
間に磁気遮蔽体１１が設けられていることであり、その
他の構成は前記第１実施例と同様である。このように、
磁気遮蔽体１１を設けることにより、偏向磁石２の側方
から漏れる漏洩磁束１２を効果的に遮蔽することが可能
となり、本発明のように継鉄部が短かくなって、偏向磁
石が軌道に近接しても、継鉄３および同４間の空隙磁束
密度をほぼ一様にでき、均一な磁場偏向が可能となる。
が示されている。本第２実施例の特徴的なことは、偏向
磁石２の近傍側方位置つまり、軌道７と偏向磁石２との
間に磁気遮蔽体１１が設けられていることであり、その
他の構成は前記第１実施例と同様である。このように、
磁気遮蔽体１１を設けることにより、偏向磁石２の側方
から漏れる漏洩磁束１２を効果的に遮蔽することが可能
となり、本発明のように継鉄部が短かくなって、偏向磁
石が軌道に近接しても、継鉄３および同４間の空隙磁束
密度をほぼ一様にでき、均一な磁場偏向が可能となる。
したがって、軌道７の制御を極めて正確かつ容易に行う
ことが可能である。
ことが可能である。
また、本第２実施例は前記磁気遮蔽体１１を設ける以外
は第１実施例と同様なので、第１実施例と同様に装置の
小型化および軽量化を図ることができるとともに、ロッ
ド状試料の押し上げ方式も何ら支障なく導入することが
可能である。
は第１実施例と同様なので、第１実施例と同様に装置の
小型化および軽量化を図ることができるとともに、ロッ
ド状試料の押し上げ方式も何ら支障なく導入することが
可能である。
（発明の効果）
本発明は以上説明したような構成と作用を有するので、
電子銃の小型化および軽量化を図ることができるととも
に、ロッド状試料の連続的な押し上げ供給方式を支障な
く導入することが可能である。
電子銃の小型化および軽量化を図ることができるととも
に、ロッド状試料の連続的な押し上げ供給方式を支障な
く導入することが可能である。
第１図は本発明の第１実施例を示す構成図で、そのうち
同図（ａ）は平面図、同図＜ｂ＞は正面図、第２図は本
発明の第２実施例を示す構成図で、そのうち同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は正面図、第３図は従来の電子銃
の構成を示し、そのうち同図（ａ）は側面図、同図（ｂ
）は正面図、第４図は従来の電子銃の他の構成を示す正
面図、第５図はロッド状試料の押し上げ供給方式の説明
図、第６図は従来の改良型電子銃の構成を示す正面図で
ある。 １・・・・・・偏向体、 ２，２′・・・・・・偏向磁
石、３．４・・・・・・継鉄、 ５・・・・・・電子源
、 ６・・・・・・空隙磁界、 ７・・・・・・軌道、
８・・・・・・水冷ハース、９・・・・・・ルツボ、
１０・・・・・・試料、 １１・・・・・・磁気遮蔽
体、 １２・・・・・・漏洩磁束。 代理人 弁理士 八 幡 義 薄 筒 １ 図 第２図 第 ３ 図。 （ａ） （ｔ）） ＄ ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 囚
同図（ａ）は平面図、同図＜ｂ＞は正面図、第２図は本
発明の第２実施例を示す構成図で、そのうち同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は正面図、第３図は従来の電子銃
の構成を示し、そのうち同図（ａ）は側面図、同図（ｂ
）は正面図、第４図は従来の電子銃の他の構成を示す正
面図、第５図はロッド状試料の押し上げ供給方式の説明
図、第６図は従来の改良型電子銃の構成を示す正面図で
ある。 １・・・・・・偏向体、 ２，２′・・・・・・偏向磁
石、３．４・・・・・・継鉄、 ５・・・・・・電子源
、 ６・・・・・・空隙磁界、 ７・・・・・・軌道、
８・・・・・・水冷ハース、９・・・・・・ルツボ、
１０・・・・・・試料、 １１・・・・・・磁気遮蔽
体、 １２・・・・・・漏洩磁束。 代理人 弁理士 八 幡 義 薄 筒 １ 図 第２図 第 ３ 図。 （ａ） （ｔ）） ＄ ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 囚
Claims (2)
- （１）電子ビームを発射する電子源と、偏向磁石の両端
部から一対の継鉄が伸設されこの継鉄間の空隙磁界によ
って電子源から試料に至る電子ビームの軌道を制御する
偏向体とを備えた真空蒸着用電子銃において、前記偏向
体の偏向磁石は電子ビームの円弧状軌道の内側でかつ試
料の電子源側に設けられていることを特徴とする真空蒸
着用電子銃。 - （２）偏向体には偏向磁石に体向させて該偏向磁石から
の漏洩磁束を遮蔽する磁気遮蔽体が設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の真空蒸着
用電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143079A JPS624862A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 真空蒸着用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143079A JPS624862A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 真空蒸着用電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624862A true JPS624862A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15330422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143079A Pending JPS624862A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 真空蒸着用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540574A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-11-26 | ティーエフアイ・テレマーク | 無アーク電子銃 |
| JP5037630B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2012-10-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5187180A (en) * | 1974-12-24 | 1976-07-30 | Bantoshutaaru Konbinaato Herum | Tokunishinkujochakusetsubiniokerukadojohatsusochinodenshibiimutenkosochi |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP60143079A patent/JPS624862A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5187180A (en) * | 1974-12-24 | 1976-07-30 | Bantoshutaaru Konbinaato Herum | Tokunishinkujochakusetsubiniokerukadojohatsusochinodenshibiimutenkosochi |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540574A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-11-26 | ティーエフアイ・テレマーク | 無アーク電子銃 |
| JP5037630B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2012-10-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
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