JPS624875A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents
プラズマ気相成長装置Info
- Publication number
- JPS624875A JPS624875A JP60142918A JP14291885A JPS624875A JP S624875 A JPS624875 A JP S624875A JP 60142918 A JP60142918 A JP 60142918A JP 14291885 A JP14291885 A JP 14291885A JP S624875 A JPS624875 A JP S624875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electrode
- plasma
- tape
- vacuum container
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ ｃａｌ
ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ １ｏｎ）法によって
試料表面にプラズマＣＶＤ膜を形成するプラズマ気相成
長装置に関するものである。
ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ １ｏｎ）法によって
試料表面にプラズマＣＶＤ膜を形成するプラズマ気相成
長装置に関するものである。
従来の技術
プラズマＣＶＤ法は、真空容器内に試料を加熱状態で保
持し、形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを一
定流量で真空容器内に供給し、かつ、真空容器内の圧力
を大気圧以下の所定の真空度に維持した状態で、試料を
含む空間に低温プラズマを発生させることによって試料
表面に所望のプラズマＣＶＤ膜を形成する方法である。
持し、形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを一
定流量で真空容器内に供給し、かつ、真空容器内の圧力
を大気圧以下の所定の真空度に維持した状態で、試料を
含む空間に低温プラズマを発生させることによって試料
表面に所望のプラズマＣＶＤ膜を形成する方法である。
以下、図面を参照しながら、上述した従来のプラズマ気
相成長装置の一例について説明する。
相成長装置の一例について説明する。
第２図において、１は、真空状態の維持が可能な真空容
器、２は、プラズマＣＶＤ膜が形成される試料、３は試
料２を保持し、かつ、内部に加熱用のヒーターを有し、
試料２を加熱することが可能な試料台、４は試料台３の
内部に搭載されたヒーター、５は交流電源、６は６０ｋ
Ｉ（Ｚの高周波電力が供給され、かつ試料２を含む空間
に低温プラズマを発生させるだめの電極、７は試料２の
表面に形成される薄膜の組成元素を含む化合物ガスを真
空容器１内に流量制御装置を介して供給するだめの供給
口、８は周波数５０曲の高周波電源、９は真空容器１内
の圧力を大気圧以下の真空度に真空排気するための真空
ポンプ、１０は真空容器１と真空ポンプ９の間を気密に
接続する真空排気用のパイプ、１１は真空容器１内の圧
力を管内抵抗を可変にして、制御するバタフライバルブ
である。
器、２は、プラズマＣＶＤ膜が形成される試料、３は試
料２を保持し、かつ、内部に加熱用のヒーターを有し、
試料２を加熱することが可能な試料台、４は試料台３の
内部に搭載されたヒーター、５は交流電源、６は６０ｋ
Ｉ（Ｚの高周波電力が供給され、かつ試料２を含む空間
に低温プラズマを発生させるだめの電極、７は試料２の
表面に形成される薄膜の組成元素を含む化合物ガスを真
空容器１内に流量制御装置を介して供給するだめの供給
口、８は周波数５０曲の高周波電源、９は真空容器１内
の圧力を大気圧以下の真空度に真空排気するための真空
ポンプ、１０は真空容器１と真空ポンプ９の間を気密に
接続する真空排気用のパイプ、１１は真空容器１内の圧
力を管内抵抗を可変にして、制御するバタフライバルブ
である。
以上のように構成されたプラズマ気相成長装置について
、以下その動作について説明する。
、以下その動作について説明する。
まず、真空容器１内を真空ポンプ９によｐ 、ｃｓ。
ｍｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後、試料２表
面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを、流
量を流量制御装置で制御しながら供給ロアから真空容器
１内に導入する。さらに、バタフライバルブ１１を操作
し、薄膜形成条件である圧力すなわち１００〜４０Ｑｍ
ｔｏｒｒに真空容器１内も制御する。また試料２は試料
台３によって３ｏｏ℃程度の温度に加熱制御する。
面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを、流
量を流量制御装置で制御しながら供給ロアから真空容器
１内に導入する。さらに、バタフライバルブ１１を操作
し、薄膜形成条件である圧力すなわち１００〜４０Ｑｍ
ｔｏｒｒに真空容器１内も制御する。また試料２は試料
台３によって３ｏｏ℃程度の温度に加熱制御する。
次に電標６に周波数５０ｋＨｘの高周波電力を供給する
ことによって、前記化合物ガスを励起し、試料２の表面
をそのプラズマ雰囲気にさらすことによって、試料２の
表面にプラズマＣＶＤ膜を形成することができる。
ことによって、前記化合物ガスを励起し、試料２の表面
をそのプラズマ雰囲気にさらすことによって、試料２の
表面にプラズマＣＶＤ膜を形成することができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、プラズマＣＶＤ
膜を試料２表面に形成した際、電極６表面にも、プラズ
マＣＶＤ膜が付着し、膜が堆積されていくと、その付着
力が弱いため、粒子として試料２の表面上に落下するこ
とにより、試料２の表面にピンホールやパーティクルが
発生する。
膜を試料２表面に形成した際、電極６表面にも、プラズ
マＣＶＤ膜が付着し、膜が堆積されていくと、その付着
力が弱いため、粒子として試料２の表面上に落下するこ
とにより、試料２の表面にピンホールやパーティクルが
発生する。
このように従来のプラズマ気相成長装置では、膜を試料
２の表面に形成する際、化合物ガスの分子の試料２の表
面上への堆積すなわちいわゆるデポジションの回数が増
えるとともに、電極ｅの表面へ付着するプラズマＣＶＤ
膜の堆積量が多くなシ、付着力が弱いために粒子として
試料２の表面上に落下するという問題点を有していた。
２の表面に形成する際、化合物ガスの分子の試料２の表
面上への堆積すなわちいわゆるデポジションの回数が増
えるとともに、電極ｅの表面へ付着するプラズマＣＶＤ
膜の堆積量が多くなシ、付着力が弱いために粒子として
試料２の表面上に落下するという問題点を有していた。
本発明は、上記問題点に鑑み、電極表面をテープ状にし
、ローラーによシ巻き取ることにより常に新しい電極表
面でデポジションが行なえることができ、その結果試料
表面上に堆積物俟落下することが防止され、ピンホール
、パーティクルなどの膜欠陥を減少させることが可能な
プラズマ気相成長装置を提供するものである。
、ローラーによシ巻き取ることにより常に新しい電極表
面でデポジションが行なえることができ、その結果試料
表面上に堆積物俟落下することが防止され、ピンホール
、パーティクルなどの膜欠陥を減少させることが可能な
プラズマ気相成長装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のプラズマ気相成長
装置は、真空容器内に、低温プラズマを発生させるため
に高周波電力を供給する電極として、テープ状の電極表
面と、これを巻き取るなどして移動させる手段とが一体
となった電極を適用したものである。
装置は、真空容器内に、低温プラズマを発生させるため
に高周波電力を供給する電極として、テープ状の電極表
面と、これを巻き取るなどして移動させる手段とが一体
となった電極を適用したものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、プラズマＣＶＤ膜を形
成する際、テープ状の電極表面が移動して、常に新しい
面でデポジションが行なうことがテキ、その結果電極表
面の堆積物が試料表面上に落下することが防止され、ピ
ンホール、パーティクルなどの膜欠陥を減少することが
できる。
成する際、テープ状の電極表面が移動して、常に新しい
面でデポジションが行なうことがテキ、その結果電極表
面の堆積物が試料表面上に落下することが防止され、ピ
ンホール、パーティクルなどの膜欠陥を減少することが
できる。
実施例
以下本発明の一実施例のプラズマ気相成長装置について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第１図において、１０１は、真空状態の維持が可能な真
空容器、１０２は、プラズマＣＶＤ膜が形成される試料
、１０３は試料１０２を保持し、かつ、内部に加熱用の
ヒーターを有し、試料１０２を加熱することが可能な試
料台、１０４は試料台１０３の内部に搭載されたヒータ
ー、１０５は交。
空容器、１０２は、プラズマＣＶＤ膜が形成される試料
、１０３は試料１０２を保持し、かつ、内部に加熱用の
ヒーターを有し、試料１０２を加熱することが可能な試
料台、１０４は試料台１０３の内部に搭載されたヒータ
ー、１０５は交。
流電源、１０６は５０曲の高周波電力が供給され、かつ
試料１０２を含む空間に低温プラズマを発生させるため
の電極、１０７は試料１０２の表面に形成される薄膜の
組成元素を含む化合物ガスを真空容器１０１内に流量制
御装置を介して供給するだめのガス供給口１０８は周波
数６０曲の高周波電源、１０９は真空容器１０１内の圧
力を大気圧以下の真空度に真空排気するだめの排気手段
としての真空ポンプ、１１０は真空容器１０１と真空ポ
ンプ１０９の間を気密に接続する真空排気用のパイプ、
１１１は真空容器１ｏ１内の圧力を管内抵抗を可変にし
て、制御するバタフライバルブ、１１２は電極１０６に
搭載されたテープ状の電極表面、１１３は電極表面１１
２を送るための送シローラー、１１４は電極表面１１２
を巻き取るだめの巻き取りローラーであり、送りローラ
ー１１３および巻き取りローラー１１４は電極表面１１
２を移動させる手段を構成する。
試料１０２を含む空間に低温プラズマを発生させるため
の電極、１０７は試料１０２の表面に形成される薄膜の
組成元素を含む化合物ガスを真空容器１０１内に流量制
御装置を介して供給するだめのガス供給口１０８は周波
数６０曲の高周波電源、１０９は真空容器１０１内の圧
力を大気圧以下の真空度に真空排気するだめの排気手段
としての真空ポンプ、１１０は真空容器１０１と真空ポ
ンプ１０９の間を気密に接続する真空排気用のパイプ、
１１１は真空容器１ｏ１内の圧力を管内抵抗を可変にし
て、制御するバタフライバルブ、１１２は電極１０６に
搭載されたテープ状の電極表面、１１３は電極表面１１
２を送るための送シローラー、１１４は電極表面１１２
を巻き取るだめの巻き取りローラーであり、送りローラ
ー１１３および巻き取りローラー１１４は電極表面１１
２を移動させる手段を構成する。
以上のように構成されたプラズマ気相成長装置について
、以下第１図を用いてその動作について説明する。
、以下第１図を用いてその動作について説明する。
まず真空容器１０１内を真空ポンプ１０９によって、６
０ ｍ ｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後、試
料１１２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガス、すなわち、モノシラン（Ｓ ＩＨ４）、アンモニ
ア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）の混合ガスを各ｈ １ｏ
ＳＣＣＭ、 ３１ＳαＭ、８０Ｓαｙのガス流量で、ガ
ス供給口１０７から流量制御装置で制御しながら、真空
容器１０１内に導入する。さらにバタフライバルブ１１
１を操作し、０．３０ ｔｏｒｒに保持する。まだ試料
１０２は試料台１０３によって、３５０℃の温度に加熱
制御する。また、電極表面１１２は、一度もデポジショ
ンのされていない新しい面が出るまで送シローラー１１
３と、巻き取りローラー１１４によって、送られ、停止
する。
０ ｍ ｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後、試
料１１２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガス、すなわち、モノシラン（Ｓ ＩＨ４）、アンモニ
ア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）の混合ガスを各ｈ １ｏ
ＳＣＣＭ、 ３１ＳαＭ、８０Ｓαｙのガス流量で、ガ
ス供給口１０７から流量制御装置で制御しながら、真空
容器１０１内に導入する。さらにバタフライバルブ１１
１を操作し、０．３０ ｔｏｒｒに保持する。まだ試料
１０２は試料台１０３によって、３５０℃の温度に加熱
制御する。また、電極表面１１２は、一度もデポジショ
ンのされていない新しい面が出るまで送シローラー１１
３と、巻き取りローラー１１４によって、送られ、停止
する。
次に電極１０６に周波数５０ｋ）ｈの高周波電力を供給
することによって、試料１０２を含む空間に低温プラズ
マを発生させ、上記の結果として試料１０２の表面に窒
化シリコン膜が形成される。
することによって、試料１０２を含む空間に低温プラズ
マを発生させ、上記の結果として試料１０２の表面に窒
化シリコン膜が形成される。
次のデポジションが行なわれるとき、再び、電極表面テ
ープは、新しい面が出るまで巻き取られ、停止する。
ープは、新しい面が出るまで巻き取られ、停止する。
以上のように本実施例によれば電極６ａに搭載されるテ
ープ状の電極表面１１２と、それを送る送りローラー１
１３と、巻き取るための巻き取シローラー１１４を設け
ることによシ、試料１０２に膜を形成する際、常に新し
い電極でデポジションすることと同様になるため、試料
１０２表面上への粒子の落下を防ぐことができる。
ープ状の電極表面１１２と、それを送る送りローラー１
１３と、巻き取るための巻き取シローラー１１４を設け
ることによシ、試料１０２に膜を形成する際、常に新し
い電極でデポジションすることと同様になるため、試料
１０２表面上への粒子の落下を防ぐことができる。
なお本発明の実施例において、電極表面テープ１１２は
新しい面が出るまで巻き取られると停止するとしたが、
デポジション中に、低速で常時巻き取られるようにして
もよい。
新しい面が出るまで巻き取られると停止するとしたが、
デポジション中に、低速で常時巻き取られるようにして
もよい。
発明の効果
以上のように本発明は真空容器内に低温プラズマを発生
させるために高周波電力を供給する電極として、テープ
状の電極表面をもち、これを巻き取るなどして移動させ
る手段とが一体となった電極を適用することによシ、プ
ラズマＣＶＤ膜を形成する際、常に新しい電極表面で、
デポジションができるので、デポジションの回数が増し
ても、電極表面に多量に膜が堆積されることがなくなる
ため、粒子となって試料表面上へ落下することを防止し
、試料表面に形成されるプラズマＣＶＤ膜のピンホール
及びパーティクルなどの膜欠陥を減少することができ、
その実用的効果は大である。
させるために高周波電力を供給する電極として、テープ
状の電極表面をもち、これを巻き取るなどして移動させ
る手段とが一体となった電極を適用することによシ、プ
ラズマＣＶＤ膜を形成する際、常に新しい電極表面で、
デポジションができるので、デポジションの回数が増し
ても、電極表面に多量に膜が堆積されることがなくなる
ため、粒子となって試料表面上へ落下することを防止し
、試料表面に形成されるプラズマＣＶＤ膜のピンホール
及びパーティクルなどの膜欠陥を減少することができ、
その実用的効果は大である。
第１図は、本発明の一実施例におけるプラズマ気相成長
装置の概略正面断面図、第２図は、従来のプラズマ気相
成長装置の概略正面断面図である。 １０１・・・・・・真空容器、１Ｑ３・・・・・・試料
台、１０４・・・・・・加熱装置、１０６・・・・・・
電極、１０７・・・・・・ガス供給口、１０８・・・・
・・高周波電源、１０９・・・・・・真空ポンプ、１１
２・・・・・・電極表面、１１３・・・・・・送りロー
ラー、１１４・・・・・・巻き取りローラー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 イー／−具を参禾イ０
ご？−−−試シー半１ｔジ ｆσ”−ｊ７’１４’Ａｆｔｒｙ ｆＯＢ−４，叱浸史源 イｏｑ−−１を１；“、７・ 男２図
装置の概略正面断面図、第２図は、従来のプラズマ気相
成長装置の概略正面断面図である。 １０１・・・・・・真空容器、１Ｑ３・・・・・・試料
台、１０４・・・・・・加熱装置、１０６・・・・・・
電極、１０７・・・・・・ガス供給口、１０８・・・・
・・高周波電源、１０９・・・・・・真空ポンプ、１１
２・・・・・・電極表面、１１３・・・・・・送りロー
ラー、１１４・・・・・・巻き取りローラー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 イー／−具を参禾イ０
ご？−−−試シー半１ｔジ ｆσ”−ｊ７’１４’Ａｆｔｒｙ ｆＯＢ−４，叱浸史源 イｏｑ−−１を１；“、７・ 男２図
Claims (1)
- 真空状態の維持が可能な真空容器と、前記真空容器の内
部を減圧雰囲気にするための排気手段と、前記真空容器
の内部に位置し、プラズマＣＶＤ膜が少なくとも一方の
表面に形成される試料を保持する試料保持手段と、前記
試料を加熱するための加熱手段と、前記真空容器の内部
へ原料ガスを導入するためのガス導入手段と、前記真空
容器の内部に位置し、低温プラズマを発生させるための
高周波電極と、前記高周波電極に高周波電力を供給する
手段とを備え、前記高周波電極は、テープ状の電極表面
と前記電極表面を移動させる手段とからなることを特徴
とするプラズマ気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142918A JPS624875A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142918A JPS624875A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624875A true JPS624875A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15326650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142918A Pending JPS624875A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5392090B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2014-01-22 | コニカミノルタ株式会社 | 超音波受信用振動子、その製造方法、超音波探触子及び超音波医用画像診断装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60142918A patent/JPS624875A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5392090B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2014-01-22 | コニカミノルタ株式会社 | 超音波受信用振動子、その製造方法、超音波探触子及び超音波医用画像診断装置 |
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