JPS6249607B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光学変調素子の駆動方法に係り、詳
しくは表示素子や光シヤツターアレイ等の光学変
調素子の時分割駆動方法に関する。

従来より、走査線とデータ線をマトリクス状に
構成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数
の画素を形成して画像或いは情報の表示を行う液
晶表示素子はよく知られている。この表示素子の
駆動法としては、走査線に順次周期的にアドレス
信号を選択印加し、データ線には所定の情報信号
をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加す
る時分割駆動が採用されているが、この表示素子
及びその駆動法には以下に述べる如き致命的とも
言える大きな欠点を有していた。

即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくす
るのが難しいことである。従来の液晶の中で応答
速度が比較的高く、しかも消費電力が小さいこと
から、表示素子として実用に供されているのは殆
んどが、例えばエム．シヤツト（M.Schadt）と
タブリユー．ヘルフリツヒ（W.Heltrich）著
“アプライド・フイジイツクス・レターズ”ボリ
ユーム18、ナンバー４（1971.2.15）、ページ127
〜128（“Applied Physics Letters”Vo18、No.４
（1971.2.15）、P127〜128）の“ボルテージ−デイ
ペンダント・オプテイカル・アクテイビテイー・
オブ・ア・ツイステツド・ネマチツク・リキツ
ド・クリスタル”（“Voltage−Dependent
Optical Activity of ａ Twisted Nematic
Liquid Crystal”に示されたテイー・エヌ
（TN）［ツイステツド・ネマチツク（Twisted
Nematic）］型の液晶を用いたものであり、この
型の液晶は無電界状態で正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶の分子が液晶層厚方向で捩れた構造
（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶
の分子が並行に配列した構造を形成している。一
方、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶が電界方向に配列し、この結果光調
変調を起こすことができる。この型の液晶を用い
てマトリクス電極構造によつて表示素子を構成し
た場合、走査線とデータ線が共に選択される領域
（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配列
させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査
線とデータ線が共に選択されない領域（非選択
点）には電圧は印加されず、したがつて液晶分子
は電極面に対して並行な安定配列を保つている。
このような液晶セルの上下に互いにクロスニコル
関係にある直線偏光子を配置することにより、選
択点では光が透過せず、非選択点では光が透過す
るため画線素子とすることが可能となる。然し乍
ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、走
査線が選択され、データ線が選択されない領域或
いは走査線が選択されず、データ線が選択される
領域（所謂“半選択点”）にも有限の電界がかか
つてしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点に
かかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界
に垂直に配列させるに要する電圧閾値がこの中間
の電圧値に設定されるならば、表示素子は正常に
動作するわけであるが、走査線数（Ｎ）を増やし
て行つた場合、画面全体（１フレーム）を走査す
る間に一つの選択点に有効な電界がかかつている
時間（duty比）が1/Nの割合で減少してしまう。
このために、くり返し走査を行つた場合の選択点
と非選択点にかかる実効値としての電圧差は走査
線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には
画像コントラストの低下やクロストークが避け難
い欠点となつている。このような現象は、双安定
性を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有
効に印加されている間のみ垂直に配向する）を時
間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査）ときに生ずる本質的には避け難い問題点
である。この点を改良するために、電圧平均化
法、２周波駆動法や多重マトリクス法等が既に提
安されているが、いずれの方法でも不充分であ
り、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによつて頭打ちになつて
いるのが現状である。

本発明の目的は、前述したような従来の液晶表
示素子或いは液晶光シヤツターにおける問題点を
悉く解決した新規な液晶素子駆動法を提供するこ
とにある。

本発明の別の目的は、高速応答性を有する液晶
素子の駆動法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度の画素を有する液
晶素子の駆動法を提供することにある。

すなわち、本発明のかかる目的は、走査線とデ
ータ線を有し、該走査線とデータ線の間に電界に
対して双安定性を有する光学変調物質を配置した
構造を有する光学変調素子の駆動法に於て、前記
走査線の選択された走査線と前記データ線のうち
の新たな画像情報を書換えるべきデータ線にそれ
ぞれ書込みステツプ時の走査選択信号と情報選択
信号の極性と逆極性とした電気信号を印加するこ
とによつて、新たな画像情報を書換える部分に対
応した光学変調物質を第１の安定状態に配向させ
て、前の書込みステツプ時に書込まれた画像を部
分的に消去する消去ステツプと、新たな画像情報
を書換える部分の走査線に走査選択信号を印加
し、前記データ線に書換え画像情報に応じて光学
変調物質を第２の安定状態に配向させる情報選択
信号を前記走査選択信号と同期させて印加する部
分書込みステツプとを有する光学変調素子の駆動
法によつて達成される。

本発明の駆動法で用いる光学変調物質は、電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安
定状態からなる双安定状態を有しており、特に電
界に対して前述の如き双安定性を有する液晶が用
いられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性
を有する液晶としては、強誘電性を有するカイラ
ルスメクテイツクＣ相（SmC^*）又はＨ相
（SmH^*）の液晶が適している。この強誘電性液
晶については、“ル・ジユルナール・ド・フイジ
イク・レツトル”（“LE JOURNAL DE
PHYSIQUE LETTERS”）36（Ｌ−69）1975、
「フエロエレクトリツク・リキツド・クリスタル
ス」（「Ferroelectic Liquid Crystals」）；“アブ
ライド・フイジツクス・レターズ”（“Applied
Physics Letters”）36（11）1980「サブミクロ・
セカンド・バイステイブル・エレクトロオプテイ
ク・スイツチング・イン・リキツド・クリスタル
ス」（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Crystals」）；“固体物
理”16（141）1981「液晶」等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶
を用いることができる。

又、本発明では前述のSmC^*やSmH^*の他
に、カイラルスメクテイツクＩ相（SmI^*）、Ｊ
相（SmJ^*）、Ｇ相（SmG^*）、Ｆ相（SmF^*）
やＫ相（SmK^*）を用いることができる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描
いたものである。１１と１１′は、In₂O₃、SnO₂
やITO（Indium−Tin Oxide）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に層
１２がガラス面に垂直になるよるに配向した
SmC^*相又はSmH^*相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線１３が液晶分子を表わしてお
り、この液晶分子１３はその分子に直交した方向
に双極子モーメント１４（Ｐ⊥）を有している。
基板１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上の
電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント１４はすべて電界方向
に向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子１３は細長い形状を有して
おり、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従つて例えば、ガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によ
つて光学特性が変わる液晶変調素子となること
は、容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを
充分に薄くした場合（例えば１μ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造はほどけ（非らせん構造）、そ
の双極子モーメントＰ又はP′は上向き２４又は下
向き２４′のどちらかの状態をとる。このような
セルに第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の
異る電界Ｅ又はE′を与えてやると、双極子モー
メントは電界Ｅ又はE′の電界ベクトルに対応し
て上向き２４又は下向き２４′と向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は第１の安定状態２３かある
いは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向す
る。このような強誘電性液晶を光学変調素子とし
て用いることの利点は２つある。第１に応答速度
が極めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安
定性を有することである。第２の点を例えば第２
図によつて説明すると、電界Ｅを印加すると液晶
分子は第１の安定状態２３に配向するが、この状
態は電界を切つても安定である。又、逆向きの電
界E′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態
２３′に配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切つてもこの状態に留つている。又、
与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それ
ぞれの配向状態にやはり維持されている。このよ
うな、応答速度の速さと双安定性が有効に実現さ
れるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好し
く、一般的には0.5μ〜20μ、特に0.5μ〜５μが
適している。この種の強誘電性液晶を用いたマト
リクス電極構造を有する液晶電気光学装置は、例
えばクラークとラガバルにより米国特許第
4367924号公報で提案されている。

本発明の駆動法の好ましい具体例を第３図に示
す。

第３図Ａは、走査線（走査電極群）とデータ線
（信号電極群）の間に双安定性光学変調物質が挾
まれたマトリクス画素構造を有するセル３１の模
式図である。３２は、走査電極群であり、３３は
信号電極群である。今、説明を簡略化するために
白黒の二値信号を表示する場合を例にとつて示
す。第３図Ａに於いて斜線で示される画素が
「黒」に、その他の画素が「白」に対応するもの
とする。最初の、画面を「白」に揃える（このス
テツプを消去ステツプという）ためには、双安定
性光学変調物質を第１の安定状態に揃えることが
できる。このためには、全走査電極群に所定の電
圧パルス（例えば＋2V₀、時間幅△ｔ）の信号を
印加し、全信号電極群に所定のパルス（例えば、
電圧−V₀、△ｔ）の信号を印加すればよい。す
なわち、この消去ステツプで走査電極群は下述す
る書込みステツプ時の走査選択信号と逆極性の電
気信号が印加され、信号電極群は書込みステツプ
時の情報選択信号（書込み信号）と逆極性の電気
信号がそれぞれ同期して印加される。

第３図Ｂ−ａとＢ−ｂはそれぞれ選択された走
査電極に与えられる電気信号（走査選択信号）と
それ以外の走査電極（選択されない走査電極）に
与えられる電気信号を示し、第３図Ｂ−ｃとＢ−
ｄはそれぞれ選択された（これを黒とする）信号
電極に与えられる電気信号（情報選択信号位相
T₁で印加されるV₀）と選択されない（これを白と
する）信号電極に与えられる電気信号を表わす。
第３図Ｂ−ａ〜ｄそれぞれ横軸が時間を、縦軸が
電圧を表わす。T₁とT₂はそれぞれ情報信号（及
び走査信号）が印加される位相及び補助信号が印
加される位相をあらわす。本例では、T₁＝T₂＝
△ｔの例が示されている。

走査電極群３２は逐次選択される。今、双安定
性を有する液晶セルの第１の安定状態（白）を与
えるための印加時間△ｔでの閾値電圧を−Vth₂
とし、第２の安定状態（黒）を与えるための印加
時間△ｔでの閾値電極をVth₁とすると選択され
た走査電極に与えられる電気信号は第３図Ｂ−ａ
に示される如く位相（時間）T₁では−2V₀を、位
相（時間）T₂では０となるような電圧である。
又、それ以外の走査電極は、第３図Ｂ−ｂに示す
如くアース状態となつており電気信号Ｏである。
一方、選択された信号電極に与えられる電気信号
は第３図Ｂ−ｃに示される如く位相t₁においてV₀
で、位相t₂において−V₀であり、又選択されない
信号電極に与えられる電気信号は第３図Ｂ−ｄに
示される如く位相T₁において−V₀で、位相T₂に
おいて＋V₀である。以上において、電圧値V₀は
V₀＜Vth₁＜3V₀と−V₀＞−Vth₂＞−3V₀を満足す
る所望の値に設定される。

このような電気信号が与えられたときの、各画
素に印加される電圧波形を第３図Ｃに示す。

第３図Ｃに於て、ａとｂはそれぞれ選択された
走査線上にあつて、「黒」及び「白」を表示され
るべき画素に、又ｃとｄはそれぞれ選択されてい
ない走査線上の画素に印加される電圧波形であ
る。

第１の位相T₁で走査選択信号−2V₀が印加され
ている走査線上にあつて、「黒」と表示すべき画
素では情報選択信号＋V₀が印加され、このため
この画素では閾値電圧Vth₁を越える電圧3V₀が印
加され、双安定性液晶が第２の光学的安定状態に
配向し、その画素は「黒」に書込まれることにな
る（書込みステツプ）。又、同一走査線上に存在
し、「白」と表示すべき画素では第１の位相T₁に
於ける印加電圧は閾値電圧Vth₁を越えない電圧
V₀であるために、第１の光学的安定状態に留つ
たまま即ち白である。

一方、選択されない走査線上では、すべての画
素に印加される電圧は±Ｖ又はＯであつて、いず
れも閾値電圧を越えない。従つて、液晶分子は、
配向状態を変えることなく走査されたときの信号
状態に対応した配向をそのまま保持している。即
ち、一担一方の光学的安定状態「白」に揃えられ
た状態において、走査電極が選択されたときに第
１の位相T₁において一ライン分の信号の書き込
みが行われ、一フレームが終了した後でも、その
信号状態を保持し得るわけである。

さて、この様にして消去ステツプと書込みステ
ツプとによつて１画面を形成した画像例を第３図
Ａに示す。次に、この画面を部分的に書換えを行
つた時の例を第３図Ｄに示す。図に示す様に、走
査線Ｘとデータ線ＹからなるＸ−Ｙ領域を新たな
画像情報に書換える場合には、書換える部分（Ｘ
−Ｙ領域）に対応する走査線S₁，S₂とS₃に前の書
込みステツプ時の走査選択信号（例えば、第４図
に示す−2V₀）の極性と逆極性の電気信号（例え
ば、第４図に示す2V₀）を１時に又は順次印加
し、書換える部分（Ｘ−Ｙ領域）に対応するデー
タ線I₁とI₂に前の書込みステツプ時の情報選択信
号（例えば、第４図に示すI₁のV₀）の極性と逆極
性の電気信号（例えば、第４図に示すI₁の−V₀）
を印加することによつて、１画面のうち部分的な
個所、すなわちＸ−Ｙ領域のみを消去することが
できる（部分消去ステツプ）。

次いで、この様にして部分的に消去された領域
のデータ線に先の書込みステツプ時と同様の方法
で、すなわち書換え画像情報に応じた情報選択信
号（＋V₀）と情報非選択信号（−V₀）を−2V₀の走
査選択信号と同期させて印加することによつて、
この領域における書込みを行なうことができる
（部分書込みステツプ）。

一方、書換えを行なわない領域、すなわち走査
線X′とデータ線Y′からなるX′−Y′領域には、こ
のX′−Y′領域における各画素の書込み状態が保
持される様に、この領域の各画素には強誘電性液
晶の閾値電圧以下の電気信号が印加される。

具体的には、部分消去ステツプ時に、新たな画
像情報を書換える部分以外の部分（X′−Y′領
域）に対応するデータ線に、消去ステツプ時の信
号（例えば、第４図に示す2V₀）の極性と同極性
とした電気信号（例えば、第４図に示すI₃のV₀）
を印加する。さらに、部分書込みステツプ時に、
X′−Y′領域に対応するデータ線には部分書込み
ステツプ時の走査選択信号（例えば、第４図に示
すS₁，S₂，S₃の一2V₀）と同期させて同一極性の
電気信号（例えば、第４図に示すI₃の−V₀）を印
加する。又、このX′−Y′領域に対応する走査線
の電位は、基準電位（例えば０ボルト）とする。

以上述べた駆動信号を時系列的に示したのが第
４図である。S₁〜S₅は走査電極に印加される電気
信号、I₁とI₃は信号電極に印加される電気信号
で、Ａ、ＣとＤはそれぞれ第３図Ａ及びＤに示し
た画素Ａ，ＣとＤに印加される電圧波形である。

又、本発明は、カーソルによつて書換え部分を
指定することができる。

さて、双安定性を有する状態での強誘電液晶の
電界によるスイツチングのメカニズムは微視的に
は必ずしも明らかではないが、一般に所定の安定
状態に所定時間の強い電界でスイツチングした
後、全く電界が印加されない状態に放置する場合
には、ほぼ半永久的にその状態を保つことは可能
であるが、所定時間ではスイツチングしないよう
な弱い電界（先に説明した例で言えば、Vth以下
の電圧に対応）であつても、逆極性の電界が長時
間に渉つて印加される場合には、逆の安定状態へ
再び配向状態が反転してしまい、その結果正しい
情報の表示や変調が達成できない現象が生じ得
る。当発明者等は、このような弱電界の長時間印
加による、配向状態の転移反転現象（一種のクロ
ストーク）の生じ易さが基板表面の材質、粗さや
液晶材料等によつて影響を受けることは認識した
が、定量的には未だ把みきつていない。ただ、ラ
ビングやSiO等の斜方蒸着等液晶分子の配向のた
めの一軸性基板処理を行うと、上記反転現象の生
じ易さが増す傾向にあることは確認した。特に、
高い温度の時に低い温度の場合に較べて、その傾
向が強く現われることも確認した。

いずれにしても、正しい情報の表示や変調を達
成するために一定方向の電界が長時間に渉つて印
加されることは、避けるのに好ましい。

従つて本発明の駆動法に於ける第２の位相T₂
は一定方向の弱電界が印加され続けることを防止
するための位相であつて、その好ましい具体例と
して第３図Ｂ−ｃ及びｄに示すごとく、信号電極
群に位相T₁に於て印加した情報信号（ｃは黒、
ｄは白に対応）と極性の異る信号を位相T₂に於
て印加するものである。たとえば第３図Ａに示し
たパターンを表示しようとする場合、位相T₂を
持たない駆動方法を行うと、走査電極S₁を走査し
たとき、画素Ａは黒となるが、S₂以降では、信号
電極I₁に印加される電気信号は、−V₀が連続し、
その電圧は、そのまま画素Ａに印加されるため画
素Ａが、やがて白に反転してしまう可能性が大き
い。

あらかじめ画面は一担すべて「白」となる消去
ステツプとし、第１の位相T₁に於て、情報に応
じて対応する画素を「黒」と書込む書込みステツ
プとによつて表示形成され、本実施例では第１の
位相T₁で「黒」に書き込むための電圧は3V₀であ
り、印加時間は△ｔである。又、走査時以外に於
て各画素に加わる電圧は最大｜±V₀｜であり、
これが連続して印加される最も長い時間は、第４
図で示す40の個所で２△ｔであり、又、情報信号
が、白→白→黒と続く場合で、２番目の「白」
が、走査時に相当するときが最も厳しい条件であ
るが、これでも４△ｔ（41）であつて、印加時間
としては短く、クロストークは全く起こらず、全
画面の走査が一度終了すると、表示された情報
は、半永久的に保持されるための双安定性を有さ
ない通常のTN液晶を用いた表示素子における如
き、リフレツシユ工程や全く必要ない。

さて、第２の位相T₂の最適時間間隔として
は、この位相に於て、信号電極に印加される電圧
の大きさにも依存し、第１の位相T₁に於て情報
信号として付加される電圧と逆極性の電圧を印加
する場合、一般的には電圧が大きい場合には、時
間間隔は短く、電圧が小さい場合には時間間隔は
長くするのが好ましいが、時間間隔が長いと、一
画面全体を走査するに長い時間を要することにな
る。このため、好ましくはT₂≦T₁と設定するの
がよい。

第５図ないし第６図には本発明外に基づく別の
駆動形態例を時系列的に表したものが示されてい
る。これらの駆動形態では、配向転移のための閾
値はパルス幅△ｔに対して、｜V₀｜と２｜V₀｜
の間の値となるようにV₀の値が設定される。

第５図では、画像を消去する信号が消去ステツ
プで走査電極群に＋V₀、情報信号電極群に−V₀
という電気信号で印加された後、間髪を入れず、
次の書込みステツプではS₁から順次−V₀の走査
信号が印加され、この走査信号と同期して情報選
択信号＋V₀が信号電極に印加されて第３図Ａに
示す状態に書込みが行われる。

次に、部分消去ステツプで第３図Ｄに示すＸ−
Ｙ領域における前のステツプで書込まれた画素に
−2V₀の電気信号が印加されて１時に消去される
（この際第５図で１時に消去した例で示したがV₀
の電気信号を走査選択信号として走査線に順次印
加して部分消去ステツプを行なつてもよい）。次
いでＸ−Ｙ領域に新たな画像情報に応じた電気信
号を印加して第３図Ｄに示す状態にＸ−Ｙ領域を
部分的に書込むことができる。

第５図と第６図の例は、それぞれ補助信号が無
い場合であつて、第７図の例は補助信号が有る場
合である。それぞれの駆動パルスの電圧値は図中
に記載してあるが、第７図の例では、消去ステツ
プ時の走査電極及び信号電極に印加される消去信
号は、それぞれ情報の書込み時とは極性が反転し
ており且つ絶対値がそれより小さく（2/3Vo）、
しかもパルス幅が大きい（２△ｔ）電気信号とな
つている。このような消去方法は、液晶の閾値電
圧がパルス幅依存性をもつており、幅２△ｔに対
する閾値Vth²△^tが、Vth²△^t≦４／３V₀を満足してい る場合可能である。

又、部分消去ステツプではＸ−Ｙ領域の画素
に、−４／３V₀の電気信号が印加されて部分的に消去 され、次の部分書込みステツプでＸ−Ｙ領域に新
たな画像が書込まれる。

強誘電液晶化合物の例としては、前述の実施例
１で用いたDOBAMBCの他に、ヘキシルオキシ
ベンジリデン−P′−アミノ−２−クロロプロピル
シンナメート（HOBACPC）、４−０−（２−メ
チル）−ブチル−レゾルシリデン−4′−オクチル
アニリン（MBRA8）などを用いることができ
る。又、強誘電性液晶としては、前述のSmC^*
やSmH^*の他にカイラルスメクテイツクＩ相、
Ｆ相、Ｇ相、Ｊ相やＫ相を用いることができる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合液
晶化合物がカイラルスメクテイツク相となるよう
な温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒ
ーターが埋め込まれた銅ブロツク等により支持す
ることができる。

本発明の方法は、液晶−光シヤツタや液晶テレ
ビなどの光学シヤツタあるいはデイスプレイ分野
に広く応用することができる。

以下、本発明の具体的な実施例を示す。

実施例 １ 透明導電膜（ITO）が互いに500×500のマトリ
クスを構成するようパターニングされた１組のガ
ラス板のうちの１枚に、スピンコートにより約
300Åのポリイミド膜を形成した。その基板を表
面にテレン布が巻きつけられたローラによつてラ
ビング処理を施し、ポリイミド膜が塗布してない
他方の基板と貼りあわせてセルを形成した。この
ときのセル間隔は約1.6μである。このセルに、
強誘電液晶であるデシロキシベンジリデン−P′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）を注入し、加熱溶融状態より除冷
することにより、SmC状態で均一なモノドメイ
ン状態を得た。セル温度を70℃にコントロール
し、第３図と第４図に示した駆動方法に基づき、
V₀＝10V、T₁＝T₂＝△ｔ＝80μsecと設定して、
線順次走査を行つたところ、極めて良好な画像が
形成され、次いでこの画面の一部を新たな画像書
換えを第４図に示す方法で行なつたところ、書換
え画面を有する良好な画像が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の駆動法で用い
る液晶素子の斜視図である。第３図Ａ及び第３図
Ｄは、本発明の駆動法で用いる電極構造の平面図
である。第３図Ｂ ａ〜ｄは、電極に印加する電
気信号の波形を表わす説明図である。第３図
Ca〜ｄは、画素に印加される電圧波形を表わす
説明図である。第４図、第５図、第６図及び第７
図は、時系列で電圧を印加した時の電圧波形を表
わす説明図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 走査電極群と信号電極群との交差部に強誘電
   性液晶を配置して画素を形成した液晶装置におい
   て、強誘電性液晶の一方の閾値電圧を越えた電圧
   の印加によつて形成した第１配向状態の画素と、
   強誘電性液晶の他方の閾値を越えた電圧の印加に
   よつて形成した第２配向状態の画素とによつて画
   像領域を形成する液晶装置であつて、前記画像領
   域のうち書換え対象領域を指定し、該書換え対象
   領域で、第１ステツプで走査電極群と信号電極群
   との交差部に強誘電性液晶の一方の閾値電圧を越
   えた電圧を印加し、第２ステツプで走査電極に走
   査選択信号を印加し、該走査選択信号と同期し
   て、選択された信号電極に、該走査選択信号との
   合成により強誘電性液晶の他方の閾値電圧を越え
   た電圧を与える情報選択信号と、補助信号とを印
   加し、該補助信号が走査非選択電極上の画素に、
   該画素に印加される同一極性電圧の印加時間が走
   査選択時に選択された強誘電性液晶の安定状態を
   反転させる印加時間に到達する前に、走査非選択
   電極への印加電圧との合成により、前記同一極性
   電圧と逆極性の電圧を与えることを特徴とする液
   晶装置。