JPS6255662A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6255662A JPS6255662A JP60195111A JP19511185A JPS6255662A JP S6255662 A JPS6255662 A JP S6255662A JP 60195111 A JP60195111 A JP 60195111A JP 19511185 A JP19511185 A JP 19511185A JP S6255662 A JPS6255662 A JP S6255662A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nip
- film
- photoreceptor
- layer
- substrate
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、産業上の利用分野
本発明は、電子写真法において用いられる感光体に関し
、詳しくはレーザプリンタ等の光プリンタの感光体に関
する。
、詳しくはレーザプリンタ等の光プリンタの感光体に関
する。
従来の技術
従来より画像形成法の１つとして電子写真法が広く知ら
れている。「電子写真法とは、一般に光導電性の感光体
をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せしめ、
次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散せし
めて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの着色
剤と高分子物質などの結合剤とから構成される検電微粒
子（トナー）で現像し、可視化して画像を形成する方法
である。
れている。「電子写真法とは、一般に光導電性の感光体
をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せしめ、
次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散せし
めて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの着色
剤と高分子物質などの結合剤とから構成される検電微粒
子（トナー）で現像し、可視化して画像を形成する方法
である。
このような電子写真法において用いられる感光体に要求
される基本的な特性としては （１）暗所で適当な電位に帯電できること（２）暗所に
おいて電荷の逸散が少ないこと（３）光照射によってす
みやかに電荷を逸散せしめうろこと などがあげられる。
される基本的な特性としては （１）暗所で適当な電位に帯電できること（２）暗所に
おいて電荷の逸散が少ないこと（３）光照射によってす
みやかに電荷を逸散せしめうろこと などがあげられる。
上記した特性を発揮させるためには、光導電材料の選択
、膜厚等が重要視されるが、導電性基体と光導電層との
間に介在する層（以下中間導電層と呼ぶ）の材料、膜厚
も重要である。即ち、同一光導電材料を導電性基体に、
同一膜厚に付着させた場合、中間導電層の材料が異なる
と、その電子写真特性、寿命が太き（変動する。
、膜厚等が重要視されるが、導電性基体と光導電層との
間に介在する層（以下中間導電層と呼ぶ）の材料、膜厚
も重要である。即ち、同一光導電材料を導電性基体に、
同一膜厚に付着させた場合、中間導電層の材料が異なる
と、その電子写真特性、寿命が太き（変動する。
ここで、中間導電層とは感光体上に帯電を与えた場合、
基体側からキャリアの移動を容易に行わしめるための層
である。
基体側からキャリアの移動を容易に行わしめるための層
である。
即ち電子写真手段においては、感光体上に帯電させ、こ
の帯電された電荷に基づき静電像が形成されるものであ
るが、帯電々荷を決定する一因は基体側からのキャリア
の注入によって定まるものである。従って、キャリアの
注入を良好にすることは極めて重要なことである。
の帯電された電荷に基づき静電像が形成されるものであ
るが、帯電々荷を決定する一因は基体側からのキャリア
の注入によって定まるものである。従って、キャリアの
注入を良好にすることは極めて重要なことである。
また、この注入の程度は中間導電層の材料自体によるこ
とは勿論であるが、この他には基体及び光導電層との均
一な密着性によって定まるものである。
とは勿論であるが、この他には基体及び光導電層との均
一な密着性によって定まるものである。
発明が解決しようとする問題点
ところで、従来この種の電子写真感光体の中間導電層は
、通常アルミニウム（以下ＡＩと略す）等の金属基体に
電気メツキ法やアルマイト法により薄膜を被覆して使用
されてきたが、厚さの不均一性、密着性の不良、また薄
膜にピンホールが発生する等の点で光導電層に安定した
特性が得られ難かった。
、通常アルミニウム（以下ＡＩと略す）等の金属基体に
電気メツキ法やアルマイト法により薄膜を被覆して使用
されてきたが、厚さの不均一性、密着性の不良、また薄
膜にピンホールが発生する等の点で光導電層に安定した
特性が得られ難かった。
そこで、本発明は先に述べた従来の感光体の中間導電層
のもつ種々の欠点を解消し、高感度、耐久性に優れ、か
つ画像鮮明な電子写真用感光体を提供することを目的と
する。
のもつ種々の欠点を解消し、高感度、耐久性に優れ、か
つ画像鮮明な電子写真用感光体を提供することを目的と
する。
問題点を解決するための手段
上記従来の問題を解決するため、本発明の電子写真感光
体は、ＡＩ等の導電性基体上に無電解複合メッキ法によ
りＮｉＰ−Ｃｏの中間導電層を形成し、更にその上に光
導電層を形成してなるものである。
体は、ＡＩ等の導電性基体上に無電解複合メッキ法によ
りＮｉＰ−Ｃｏの中間導電層を形成し、更にその上に光
導電層を形成してなるものである。
作 用
本構成により、高感度、長寿命２画像鮮明な電子写真感
光体を得ることができる。
光体を得ることができる。
実施例
第４図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断
面図を示したものであり、図において１はＡＩ等の導電
性基体、４はＮｉＰ−Ｃｏ薄膜層、３は光導電層である
。また第３図は比較例を示す電子写真感光体であり、第
４図と異なる部分は第４図のＮｉＰ−Ｃｏ薄膜層４をＮ
ｉ薄膜層としたところである。
面図を示したものであり、図において１はＡＩ等の導電
性基体、４はＮｉＰ−Ｃｏ薄膜層、３は光導電層である
。また第３図は比較例を示す電子写真感光体であり、第
４図と異なる部分は第４図のＮｉＰ−Ｃｏ薄膜層４をＮ
ｉ薄膜層としたところである。
ところで、本発明に係るＮｉＰ−Ｃｏ薄膜の製法を簡単
に説明すると、Ｎｉ化合物とＰ化合物とを適当な錯化剤
と共に等モル数になるように配合した温浴中にＣｏ粒子
を添加し、撹拌しなからＡ１等の導電性基体を浸し、１
ヒ学的還元作用及び複合作用によりＮｉＰ中にＣｏを共
析させるものである。本性により得られるＮｉＰ−Ｃａ
′Ｐｔ膜は、均一１１１こ優れ、密着性大で、かつピン
ホールも極めて少ないという特徴を有する。
に説明すると、Ｎｉ化合物とＰ化合物とを適当な錯化剤
と共に等モル数になるように配合した温浴中にＣｏ粒子
を添加し、撹拌しなからＡ１等の導電性基体を浸し、１
ヒ学的還元作用及び複合作用によりＮｉＰ中にＣｏを共
析させるものである。本性により得られるＮｉＰ−Ｃａ
′Ｐｔ膜は、均一１１１こ優れ、密着性大で、かつピン
ホールも極めて少ないという特徴を有する。
尚、薄膜の厚さは自由におこなえるが、電子写真用の感
光体として用いる場合は、約０．１〜３０μｍの厚さの
範囲で形成すべきである。なぜなら、約０．１μｍ以下
より薄い場合は、中間導電層の作用は期待できず、また
３０μｍ以上の場合は電気的抵抗が大となって中間導電
層としての効果が発揮され難い。次に実験データを用い
て更に詳述する。
光体として用いる場合は、約０．１〜３０μｍの厚さの
範囲で形成すべきである。なぜなら、約０．１μｍ以下
より薄い場合は、中間導電層の作用は期待できず、また
３０μｍ以上の場合は電気的抵抗が大となって中間導電
層としての効果が発揮され難い。次に実験データを用い
て更に詳述する。
Ａ１金属板を次ベージの第１表に示す組成の無電解複合
メッキ液を用いて９０℃の温浴中に２０分間撹拌しなが
ら浸漬し、化学還元作用により約２μｍの厚さのＮｉＰ
−Ｃｏ薄膜をＡＩ金属板上に得た。この薄膜が形成され
たＡＩ金属板を試料第１表：無電解複合ＮｉＰ−Ｃｏメ
ッキ液八とする。
メッキ液を用いて９０℃の温浴中に２０分間撹拌しなが
ら浸漬し、化学還元作用により約２μｍの厚さのＮｉＰ
−Ｃｏ薄膜をＡＩ金属板上に得た。この薄膜が形成され
たＡＩ金属板を試料第１表：無電解複合ＮｉＰ−Ｃｏメ
ッキ液八とする。
次いでＡＩ金属板のみを試料Ｂとし、ＡＩ金属板上に電
気メツキ法によりＮｉ膜を約２μｍ設けたものを試料Ｃ
とした。
気メツキ法によりＮｉ膜を約２μｍ設けたものを試料Ｃ
とした。
一方、光導電体としてフタロシアニン混合物（β型鋼フ
タロシアニンとＰＶＫ （ポリビニルカルバゾール）、
その他）を上記試料Ａ、Ｂ、Ｃ上にワイヤーバーを用い
て塗布し、乾燥後の膜厚が約ｌＯμｍになるようにした
。
タロシアニンとＰＶＫ （ポリビニルカルバゾール）、
その他）を上記試料Ａ、Ｂ、Ｃ上にワイヤーバーを用い
て塗布し、乾燥後の膜厚が約ｌＯμｍになるようにした
。
その後、８０℃で３時間乾燥し、２４時間以上暗中した
ものを試料とした。評価は、この３者の感光体に＋ＤＣ
６，５ＫＶコロナ帯電をさせ、次いで５Ｌｕｘ−ｓｅｃ
（白色灯）の露光で電子写真特性（表面電位一時間）
を得た。（第１図）更に、これらの感光体に対し、ウレ
タンゴムブレードで１５０ ｇ ／ ｃｎ？の圧力を加
え摩擦させた場合の光導電膜の剥離特性を得た。（第２
図）尚、第１図及び第２図に於いてＩは本発明一実施例
に係る感光体く試料Ａ）の特性曲線図、■は中間導電層
としてＮｉメッキを施した感光体（試料Ｂ）の特１１曲
線図、■は中間導電層を有しない感光体（試料Ｃ）の特
性曲線図である。
ものを試料とした。評価は、この３者の感光体に＋ＤＣ
６，５ＫＶコロナ帯電をさせ、次いで５Ｌｕｘ−ｓｅｃ
（白色灯）の露光で電子写真特性（表面電位一時間）
を得た。（第１図）更に、これらの感光体に対し、ウレ
タンゴムブレードで１５０ ｇ ／ ｃｎ？の圧力を加
え摩擦させた場合の光導電膜の剥離特性を得た。（第２
図）尚、第１図及び第２図に於いてＩは本発明一実施例
に係る感光体く試料Ａ）の特性曲線図、■は中間導電層
としてＮｉメッキを施した感光体（試料Ｂ）の特１１曲
線図、■は中間導電層を有しない感光体（試料Ｃ）の特
性曲線図である。
実験の結果、試料Ａが試料Ｂ、試料Ｃに比較し、かなり
良い特性を得ることができた。これらの特性が得られた
理由をあげると、まず電子写真特性（表面電位一時間）
において試料への感光体は基板からのキャリアの注入が
良好なため、表面電位の向上が達成されたものと考えら
れる。
良い特性を得ることができた。これらの特性が得られた
理由をあげると、まず電子写真特性（表面電位一時間）
において試料への感光体は基板からのキャリアの注入が
良好なため、表面電位の向上が達成されたものと考えら
れる。
次に先導Ｔ、膜の剥離特性において、試料Ａの感光体は
ＡＩ金属板と中間導電層（ＮｉＰ−Ｃｏ薄膜）の密着性
が良好で、がっＮｉＰ−Ｃｏ薄膜の硬度が大（Ｈｖ５０
０）でビンポールが極めて少ない等の理由により、寿命
の向上が達成されたものと考えられる。
ＡＩ金属板と中間導電層（ＮｉＰ−Ｃｏ薄膜）の密着性
が良好で、がっＮｉＰ−Ｃｏ薄膜の硬度が大（Ｈｖ５０
０）でビンポールが極めて少ない等の理由により、寿命
の向上が達成されたものと考えられる。
発明の効果
以上の説明にて明らがとなったように、本発明の電子写
真感光体は、導電性金属基体表面にＮｉＰ−Ｃｏ薄膜を
被覆形成し、更にこのＮｉＰ−ＣＯ薄膜上に光導電層を
形成したものであり、中間導電体にＮｉＰ−Ｃｏを用い
たこ七により、導電性金属基体上光導電体との密着性、
均一膜性において優れ、またピンホールの発生も低減さ
れ、高感度、長寿命の電子写真感光体が提供でき、その
効果は非常に大きいものがある。
真感光体は、導電性金属基体表面にＮｉＰ−Ｃｏ薄膜を
被覆形成し、更にこのＮｉＰ−ＣＯ薄膜上に光導電層を
形成したものであり、中間導電体にＮｉＰ−Ｃｏを用い
たこ七により、導電性金属基体上光導電体との密着性、
均一膜性において優れ、またピンホールの発生も低減さ
れ、高感度、長寿命の電子写真感光体が提供でき、その
効果は非常に大きいものがある。
第１図は電子写真感光体における露光時間−表面電位の
関係を示す特性曲線図（図中 Ｉは本発明一実施例に係
る感光体く試料Ａ）の特性曲線図、■は中間導電層とし
てＮｉメッキを施した感光体（試料Ｂ）の特性曲線図、
■は中間導電層を有しない感光体（試料Ｃ）の特性曲線
図を示す）第２図はウレタンゴムブレードによる摩擦回
数と光導電層の剥離状態との関係を示す特性図（但し、
図において１．ｎ、Ｉ［Ｉは第１図におけるＩ。 ■、■に同じ） 第３図は従来の電子写真感光体の断面図、第４図は本発
明一実施例に係る電子写真感光体の断面図である。 １・・・・Ａ１等の導電性金属基体 ２・・・・Ｎｉメッキ層 ３・・・・光導電
層４・・・・ＮｉＰ−Ｃｏ層
関係を示す特性曲線図（図中 Ｉは本発明一実施例に係
る感光体く試料Ａ）の特性曲線図、■は中間導電層とし
てＮｉメッキを施した感光体（試料Ｂ）の特性曲線図、
■は中間導電層を有しない感光体（試料Ｃ）の特性曲線
図を示す）第２図はウレタンゴムブレードによる摩擦回
数と光導電層の剥離状態との関係を示す特性図（但し、
図において１．ｎ、Ｉ［Ｉは第１図におけるＩ。 ■、■に同じ） 第３図は従来の電子写真感光体の断面図、第４図は本発
明一実施例に係る電子写真感光体の断面図である。 １・・・・Ａ１等の導電性金属基体 ２・・・・Ｎｉメッキ層 ３・・・・光導電
層４・・・・ＮｉＰ−Ｃｏ層
Claims (1)
- 導電性金属基板表面にＮｉＰ−Ｃｏ薄膜を被覆形成し、
更にこのＮｉＰ−Ｃｏ薄膜上に光導電層を形成したこと
を特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19511185A JPH0656499B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19511185A JPH0656499B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255662A true JPS6255662A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH0656499B2 JPH0656499B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=16335679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19511185A Expired - Lifetime JPH0656499B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656499B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4935322A (en) * | 1988-01-09 | 1990-06-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising a bisazo compound |
| US4939053A (en) * | 1987-02-12 | 1990-07-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member including azo compound |
| US4945021A (en) * | 1988-02-16 | 1990-07-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising bisazo pigment |
| US4983480A (en) * | 1987-12-29 | 1991-01-08 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising an azo compound |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19511185A patent/JPH0656499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939053A (en) * | 1987-02-12 | 1990-07-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member including azo compound |
| US4983480A (en) * | 1987-12-29 | 1991-01-08 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising an azo compound |
| US4935322A (en) * | 1988-01-09 | 1990-06-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising a bisazo compound |
| US4945021A (en) * | 1988-02-16 | 1990-07-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising bisazo pigment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0656499B2 (ja) | 1994-07-27 |
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