JPS6256931A - 投写型液晶表示装置 - Google Patents
投写型液晶表示装置Info
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- JPS6256931A JPS6256931A JP60197911A JP19791185A JPS6256931A JP S6256931 A JPS6256931 A JP S6256931A JP 60197911 A JP60197911 A JP 60197911A JP 19791185 A JP19791185 A JP 19791185A JP S6256931 A JPS6256931 A JP S6256931A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、ライトパルプ上に書込んだ画像を投映して表
示するための投写型液晶表示装置に関する。
示するための投写型液晶表示装置に関する。
(従来技術とその問題点)
投写型の表示装置は、大画面表示が可能であることから
、教育用、余塵・講演用、娯楽用等に広く需要が見込ま
れており、その方式もカンード・レイ・テニープ(en
’r) 表示画面を直接拡大投映する方式や油膜上に
書込んだ画像を投映する方式等が実用化されている。し
かし、c la T方式は画面が暗いという欠点を鳴し
、更に両方式とも装置が極めて高価である点が共通した
欠点である。
、教育用、余塵・講演用、娯楽用等に広く需要が見込ま
れており、その方式もカンード・レイ・テニープ(en
’r) 表示画面を直接拡大投映する方式や油膜上に
書込んだ画像を投映する方式等が実用化されている。し
かし、c la T方式は画面が暗いという欠点を鳴し
、更に両方式とも装置が極めて高価である点が共通した
欠点である。
近年、これらの欠点を克服した新しい投写型大画面表示
方式として液晶表示装置を用いる方式が盛んに研究され
ている。
方式として液晶表示装置を用いる方式が盛んに研究され
ている。
投写1(lll両画面表示用いられる液晶表示装置は画
像書込方法によって、マl−IJクス電極による電界書
込型、Cル゛Pによる光書込型、レーザにょる熱書込型
に大別される。これらの中で、熱書込型は、低価格であ
るという液晶表示装置共通の長所に加えて、高分解能が
得られる等の優れた性能をを有しており、投写型液晶表
示装置の研究開発の主流となっている。この方式は、レ
ーザ光を吸収して熱に変換する機能をもった光吸収膜を
備えた液晶パネル上を、レーザ光を強度変調しながら二
次元的に走査し、液晶の熱光学効果に基づいて、強いレ
ーザ光の照射を受けて昇温した部分の液晶が光散乱状態
になるのを利用して表示画像を書込む方式である。すな
わち、レーザ光は極めて細く絞り込むことができるので
、高解像度の表示が可能な反面、レーザ光を二次元的に
走査して一画面を構成するために書込速度が遅く、TV
画1面等の動画表示ができない欠点を有している。一方
、マトリクス115方式電界書込型や、CB、T方式光
書込型はいずれも動画表示の可能な高速書込み性を有し
ているが、前者は電極形成上、高解像度化に限界があり
、後者もCB、T画面で解像度が制約されて、いずれも
レーザ熱書込型はどの高解像度は得られない。このよう
に従来は、高解像度でかつ動画表示がb」能な投写型液
晶表示装置というものは得られず、低価格の液晶表示装
置で、例えば大画面の高精細°Pv表示を行なうのは不
可能であった。
像書込方法によって、マl−IJクス電極による電界書
込型、Cル゛Pによる光書込型、レーザにょる熱書込型
に大別される。これらの中で、熱書込型は、低価格であ
るという液晶表示装置共通の長所に加えて、高分解能が
得られる等の優れた性能をを有しており、投写型液晶表
示装置の研究開発の主流となっている。この方式は、レ
ーザ光を吸収して熱に変換する機能をもった光吸収膜を
備えた液晶パネル上を、レーザ光を強度変調しながら二
次元的に走査し、液晶の熱光学効果に基づいて、強いレ
ーザ光の照射を受けて昇温した部分の液晶が光散乱状態
になるのを利用して表示画像を書込む方式である。すな
わち、レーザ光は極めて細く絞り込むことができるので
、高解像度の表示が可能な反面、レーザ光を二次元的に
走査して一画面を構成するために書込速度が遅く、TV
画1面等の動画表示ができない欠点を有している。一方
、マトリクス115方式電界書込型や、CB、T方式光
書込型はいずれも動画表示の可能な高速書込み性を有し
ているが、前者は電極形成上、高解像度化に限界があり
、後者もCB、T画面で解像度が制約されて、いずれも
レーザ熱書込型はどの高解像度は得られない。このよう
に従来は、高解像度でかつ動画表示がb」能な投写型液
晶表示装置というものは得られず、低価格の液晶表示装
置で、例えば大画面の高精細°Pv表示を行なうのは不
可能であった。
(発明の目的)
本発明の目的は、高解像度のTV表示が可能でかつ低価
格化の可能な投写型液晶表示装置を提供することにある
。
格化の可能な投写型液晶表示装置を提供することにある
。
(発明の構成)
本発明の投写型液晶表示装置は、線状光源と、一次元の
画素配列を形成する透明電極を設けた2枚の基板の間隙
に強誘電性液晶を挾持してなる液晶光シャッターと、1
枚には光導電体膜を設けた2枚の電極基板の間隙に液晶
を挾持してなる液晶パネルと、前記線状光源から発光さ
れ前記液晶光シャッターによって一次元方向に空間的に
強度変調を受けた線状光束を前記導電体膜上に前記一次
元方向と直交する方向に走督する走査手段と、前記線状
光束が前記光導電体膜の光導電効果によって生じさせる
前記液晶に印加される電圧の強度分布に従って電気光学
効果によって前記液晶に形成される画像をスクリーン上
に投写する投写平膜を含んで構成される。
画素配列を形成する透明電極を設けた2枚の基板の間隙
に強誘電性液晶を挾持してなる液晶光シャッターと、1
枚には光導電体膜を設けた2枚の電極基板の間隙に液晶
を挾持してなる液晶パネルと、前記線状光源から発光さ
れ前記液晶光シャッターによって一次元方向に空間的に
強度変調を受けた線状光束を前記導電体膜上に前記一次
元方向と直交する方向に走督する走査手段と、前記線状
光束が前記光導電体膜の光導電効果によって生じさせる
前記液晶に印加される電圧の強度分布に従って電気光学
効果によって前記液晶に形成される画像をスクリーン上
に投写する投写平膜を含んで構成される。
(発明の作用・原理)
本発明の投写型液晶表示装置の動作を説明するために、
まず液晶光シャッターの動作を説明する。
まず液晶光シャッターの動作を説明する。
第2図は本発明の投写型液晶表示装置を構成する液晶光
シャッターに用いられる強誘電性液晶の動作を説明する
図である。第2図に示すように自発分極21をもった液
晶分子22が層構造をとると同時にらせん構造を形成し
ている。このような液晶の一例はカイラルスメクチ、り
液晶とよはれる種類のものである。このままでは自発分
極性らせん軸23のまわりに均一に分布して打消しあっ
ているが、このような液晶を、そのらせん軸と平行な2
枚の基板で挾み、かつその間隙、すなわち液晶の厚さを
少なくともらせん構造のピッチ長以下に薄くすると、液
晶分子22は自発分極21が基板に対して垂直となるよ
うな2つの配向状態のいずれかに強制的に配向させられ
る。第3図はその様子を示す図であり領域Aは自発分極
21が下側の基板31に向いた状態、領域Bは自発外@
21が上側の基板32に向いた状態である。第4図は、
第3図に示す状態を基板の上面からみた図であり、領域
Aと領域Bとでは液晶分子が41,42の異なる配向状
た4をとっていることを示[7ている。
シャッターに用いられる強誘電性液晶の動作を説明する
図である。第2図に示すように自発分極21をもった液
晶分子22が層構造をとると同時にらせん構造を形成し
ている。このような液晶の一例はカイラルスメクチ、り
液晶とよはれる種類のものである。このままでは自発分
極性らせん軸23のまわりに均一に分布して打消しあっ
ているが、このような液晶を、そのらせん軸と平行な2
枚の基板で挾み、かつその間隙、すなわち液晶の厚さを
少なくともらせん構造のピッチ長以下に薄くすると、液
晶分子22は自発分極21が基板に対して垂直となるよ
うな2つの配向状態のいずれかに強制的に配向させられ
る。第3図はその様子を示す図であり領域Aは自発分極
21が下側の基板31に向いた状態、領域Bは自発外@
21が上側の基板32に向いた状態である。第4図は、
第3図に示す状態を基板の上面からみた図であり、領域
Aと領域Bとでは液晶分子が41,42の異なる配向状
た4をとっていることを示[7ている。
例えば、第4図に示すような状態を2枚の互いに偏光方
向が直交する偏光板で挾み、かつ1枚の偏光板の偏光方
向43を配向状態・11の液晶分子の方向に一致させて
観察すると、領域Aは暗くみえ、領域Bは明るくみえる
。1)6域Bが最も明るくみえるのは配向状態42の液
晶分子の方向が2枚の偏光板の偏光方向(互いに直交)
の中間方向、すなわち2枚の偏光板の偏光方向そ九ぞれ
から45゜すれた場合であることは容易にわかる。
向が直交する偏光板で挾み、かつ1枚の偏光板の偏光方
向43を配向状態・11の液晶分子の方向に一致させて
観察すると、領域Aは暗くみえ、領域Bは明るくみえる
。1)6域Bが最も明るくみえるのは配向状態42の液
晶分子の方向が2枚の偏光板の偏光方向(互いに直交)
の中間方向、すなわち2枚の偏光板の偏光方向そ九ぞれ
から45゜すれた場合であることは容易にわかる。
このように、強ej電性を示すカイラルスメクチック液
晶を極めて間隙の挾い2枚の基板で挾むと、液晶分子は
光学的に識別される2つの配向状態のいずれかをとるよ
うになる。しかも、強蒋電性液晶はその自発分極が外部
電界と直接的に応答して、電界方向に配向する。従って
、外部から基板と直交する方向の直流電界を印加して、
その向きを反転すると、それに応じて自発分極の向きが
反転する。すなわち、第4図の領域Aと領域Bとが電気
的にスイッチングされる訳で、これは2枚の基板の内面
に透明電極の類を形成しておくことによって容易に実現
できる。しかも、この電気的スイッチング現象が自発分
極と外部電界との直接的な応答によるものであるために
極めて高速であり、例えばアプライド・フィツクス・レ
ターズ(AppliedPhysics Letter
s)の第36巻、第11号(1980年発行)の899
頁から901頁にかけて掲載されたノーxルーx−−ク
ラーク(Noel A、 C1ark)とスペア−チー
・ラゲルパル(Sven T、Lagerwall)の
論文によるとマイクロ秒程度の高速応答も確認されてい
る。
晶を極めて間隙の挾い2枚の基板で挾むと、液晶分子は
光学的に識別される2つの配向状態のいずれかをとるよ
うになる。しかも、強蒋電性液晶はその自発分極が外部
電界と直接的に応答して、電界方向に配向する。従って
、外部から基板と直交する方向の直流電界を印加して、
その向きを反転すると、それに応じて自発分極の向きが
反転する。すなわち、第4図の領域Aと領域Bとが電気
的にスイッチングされる訳で、これは2枚の基板の内面
に透明電極の類を形成しておくことによって容易に実現
できる。しかも、この電気的スイッチング現象が自発分
極と外部電界との直接的な応答によるものであるために
極めて高速であり、例えばアプライド・フィツクス・レ
ターズ(AppliedPhysics Letter
s)の第36巻、第11号(1980年発行)の899
頁から901頁にかけて掲載されたノーxルーx−−ク
ラーク(Noel A、 C1ark)とスペア−チー
・ラゲルパル(Sven T、Lagerwall)の
論文によるとマイクロ秒程度の高速応答も確認されてい
る。
(実施例)
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。紙面と直交
する方向の線状光源1を発した光束2は、液晶光シャ、
ター3で強度変調を受けて光束2′となり、回転多面鏡
4によって反射され液晶パネル5に達する。
する方向の線状光源1を発した光束2は、液晶光シャ、
ター3で強度変調を受けて光束2′となり、回転多面鏡
4によって反射され液晶パネル5に達する。
第5図は、第1図に示す液晶光シャッター3の正面図で
、強誘電性液晶を挾む2枚の基板51および52に形成
する電極53および54を例えば図示のような形状にし
て電極53および54の交差する部分で形成される画素
55が一次元の配列(第1図における紙面と直角な方向
の配夕1袷なすようにし、この画素55の配列と並行の
線状光源1からの光束2を画素55の配列に入射させる
と共に、この画素55の配列の各電極53に画像に応じ
た信号電圧を印加することによって、画素55の配列を
通過した線状光束2′は一次元方向に空間的に強度変調
を受けることになる。
、強誘電性液晶を挾む2枚の基板51および52に形成
する電極53および54を例えば図示のような形状にし
て電極53および54の交差する部分で形成される画素
55が一次元の配列(第1図における紙面と直角な方向
の配夕1袷なすようにし、この画素55の配列と並行の
線状光源1からの光束2を画素55の配列に入射させる
と共に、この画素55の配列の各電極53に画像に応じ
た信号電圧を印加することによって、画素55の配列を
通過した線状光束2′は一次元方向に空間的に強度変調
を受けることになる。
次に、この強度変調を受けた線状光束2′を照射するこ
とによって、液晶パネル5に画像を書込む動作について
説明する。第6図は第1図に示す液晶パネル5の断面図
である。61および62はガラス基板で、その内面には
それぞれ透明電極63および64が形成され、さらに1
枚の基板61には光導電体膜65、遮光膜66、ミラー
67が設けられ、2枚のガラス基板61.62の間隙に
は液晶68が挾まれている。液晶68は例えは)1イプ
リ、ド電界効果モードの名称で公知の動作をするネマチ
、り液晶である。このような構造の液晶パネル5に、第
6図の紙面に垂直な方向に一次元の空間的強度変調を受
けた前述の線状光束2を照射し、画像信号を線順次に切
換えつつ、線状光束2を第6図の下方、71の方向に走
査する。すなわち強度変調を受けて液晶光シャッター3
を透過した光束rは回転多面鏡4によって反射され、第
6図の構成の液晶パネル5の光導電体膜65上に集光さ
れる。光束2′は回転多面鏡4の回転によって光導電膜
65上を第1図の右から左の方向に走査される。
とによって、液晶パネル5に画像を書込む動作について
説明する。第6図は第1図に示す液晶パネル5の断面図
である。61および62はガラス基板で、その内面には
それぞれ透明電極63および64が形成され、さらに1
枚の基板61には光導電体膜65、遮光膜66、ミラー
67が設けられ、2枚のガラス基板61.62の間隙に
は液晶68が挾まれている。液晶68は例えは)1イプ
リ、ド電界効果モードの名称で公知の動作をするネマチ
、り液晶である。このような構造の液晶パネル5に、第
6図の紙面に垂直な方向に一次元の空間的強度変調を受
けた前述の線状光束2を照射し、画像信号を線順次に切
換えつつ、線状光束2を第6図の下方、71の方向に走
査する。すなわち強度変調を受けて液晶光シャッター3
を透過した光束rは回転多面鏡4によって反射され、第
6図の構成の液晶パネル5の光導電体膜65上に集光さ
れる。光束2′は回転多面鏡4の回転によって光導電膜
65上を第1図の右から左の方向に走査される。
この光束2′の走査によシ二次元画像が液晶パネル5の
光導電体膜65上に形成される。前述の液晶光シャ、タ
ー3はマイクロ秒台で険めて高速にオンオフするので、
例えば線順次走査で走査本数が1000本の画面をフレ
ーム時間30ミリ秒で形成することも容易に可能である
。(この場合は1本あたり30マイクロ秒の走査となる
。)しかし、このようにして光導電体膜65上に形成さ
れた画像は線順次に消滅し、このままでは二次元画像と
して視認することはできない。液晶パネル5はCの画像
をiJ視化するだめのものである。
光導電体膜65上に形成される。前述の液晶光シャ、タ
ー3はマイクロ秒台で険めて高速にオンオフするので、
例えば線順次走査で走査本数が1000本の画面をフレ
ーム時間30ミリ秒で形成することも容易に可能である
。(この場合は1本あたり30マイクロ秒の走査となる
。)しかし、このようにして光導電体膜65上に形成さ
れた画像は線順次に消滅し、このままでは二次元画像と
して視認することはできない。液晶パネル5はCの画像
をiJ視化するだめのものである。
液晶パネル5の液晶68の階には電極63>よび64を
介して、電源69によって交流電圧が全面に印加されて
いる。しかし、 ftff163と64の間隙には液晶
68の層と直列に光導電体1ii165が挿入されてお
り、この膜65は光照射をうけない一暗状態においては
液晶と較べて高抵抗であるために外部から印加された″
i也圧は液晶には作用しない。
介して、電源69によって交流電圧が全面に印加されて
いる。しかし、 ftff163と64の間隙には液晶
68の層と直列に光導電体1ii165が挿入されてお
り、この膜65は光照射をうけない一暗状態においては
液晶と較べて高抵抗であるために外部から印加された″
i也圧は液晶には作用しない。
しかし、前述のごとくして光導電体膜65上に形成され
た画像に対応して、光照射をうけた部分は光導電体膜6
5が部分的に低抵抗となり、この部分に対応する液晶6
8には外部からの電圧が作用する。このようにして、光
導電体膜65上に形成された明暗による画像は、液晶6
8に作用する電圧の強度分布像に変換され、それに応じ
て液晶68が公知の電気光学効果によって可視画像を形
成する。
た画像に対応して、光照射をうけた部分は光導電体膜6
5が部分的に低抵抗となり、この部分に対応する液晶6
8には外部からの電圧が作用する。このようにして、光
導電体膜65上に形成された明暗による画像は、液晶6
8に作用する電圧の強度分布像に変換され、それに応じ
て液晶68が公知の電気光学効果によって可視画像を形
成する。
例にあげたハイプリ、ド電界効果モードは印加電圧の高
速変化に対応して累積応答を示し、残像効果によって、
液晶パネル5の液晶層に形成された画像は線順次リフレ
ッシュ簀込みによっても可視像として視認される。累積
効果・残像効果によらず、例えば前述の強誘電性液晶の
高速メモ+7−型の電気光学効果を用いても液晶パネル
に可視画像を形成できるのは勿論であり、液晶パネルに
用いられる液晶の動作モードはどのようなものでもよい
。
速変化に対応して累積応答を示し、残像効果によって、
液晶パネル5の液晶層に形成された画像は線順次リフレ
ッシュ簀込みによっても可視像として視認される。累積
効果・残像効果によらず、例えば前述の強誘電性液晶の
高速メモ+7−型の電気光学効果を用いても液晶パネル
に可視画像を形成できるのは勿論であり、液晶パネルに
用いられる液晶の動作モードはどのようなものでもよい
。
本実施例では、このようにして液晶パネル5に形成され
た画像は、第1図に示すキセノンランプ6を光源とする
通常の投写光学系8を用いてスクリーン7上に投写され
る。第6図の液晶パネル5では投写光72を反射するミ
ラー67と、投写光が光導電体膜に照射されて誤動作す
るのを防ぐための遮光膜66が形成されている。
た画像は、第1図に示すキセノンランプ6を光源とする
通常の投写光学系8を用いてスクリーン7上に投写され
る。第6図の液晶パネル5では投写光72を反射するミ
ラー67と、投写光が光導電体膜に照射されて誤動作す
るのを防ぐための遮光膜66が形成されている。
このように本実施例においては、高速動作が可能な液晶
光シャッター3を用いることによって線順次で高速の画
像書込みが可能となり、T、V画面のような動画表示も
可能で、かつ画素数・走査本数ともに充分に多くするこ
とができるので高M像就の表示が可能となる。表示画面
の大きさは、投写型であるので任意に設定できることは
言うまでもない。また、液晶光シャッター3や液晶パネ
ル5等の光学素子が極めて低コストで製造できることは
周知であり、従来の投写型表示装置と較べて充分に低価
格化が可能である。
光シャッター3を用いることによって線順次で高速の画
像書込みが可能となり、T、V画面のような動画表示も
可能で、かつ画素数・走査本数ともに充分に多くするこ
とができるので高M像就の表示が可能となる。表示画面
の大きさは、投写型であるので任意に設定できることは
言うまでもない。また、液晶光シャッター3や液晶パネ
ル5等の光学素子が極めて低コストで製造できることは
周知であり、従来の投写型表示装置と較べて充分に低価
格化が可能である。
本実施例においては、液晶光シャッター3の画素55の
配列は、1ミリメートルあたり16画素で約64ミリメ
ートル長にわたって1024画素が形成され、駆動回路
素子数を低減して低価格化を図る目的で8画素毎が画素
群を形成して、いわゆる8分の1デユーテイの時分割駆
動を行なっている。1 ti素あたりの駆動時間は4マ
イクロ秒であるので、全画累の駆動時間に′i、32マ
イクロ秒である。
配列は、1ミリメートルあたり16画素で約64ミリメ
ートル長にわたって1024画素が形成され、駆動回路
素子数を低減して低価格化を図る目的で8画素毎が画素
群を形成して、いわゆる8分の1デユーテイの時分割駆
動を行なっている。1 ti素あたりの駆動時間は4マ
イクロ秒であるので、全画累の駆動時間に′i、32マ
イクロ秒である。
I巳1転多jiit説4の回転による光束2′の光叫電
体膜65上の走査長は約64ミリメートルであり、フレ
ーム時間は33ミリ秒、1走査本あたりの所要駆動時間
32マイクロ秒であるから、走M本1024本がhJ能
である。すなわち、33ミリ秒のフレーム時間で102
4X1024画素の書込みが可能となり、高昂、1.i
R’11’ V両’a6の表示がn]能である。
体膜65上の走査長は約64ミリメートルであり、フレ
ーム時間は33ミリ秒、1走査本あたりの所要駆動時間
32マイクロ秒であるから、走M本1024本がhJ能
である。すなわち、33ミリ秒のフレーム時間で102
4X1024画素の書込みが可能となり、高昂、1.i
R’11’ V両’a6の表示がn]能である。
本実施例の液晶パネル5の光導′r一体膜65は、硫化
カドミウム腔であり、悪光模66はカドミウムデルルル
膜、ミラー67す、訪寛体ミラーである。
カドミウム腔であり、悪光模66はカドミウムデルルル
膜、ミラー67す、訪寛体ミラーである。
’、!: 7′i:本実に例の液晶4・具体的に示せば
、通常のツ・fスト洋マチック型のネマチック沿Jムで
あり、ハイブリッド電界効果モードで動作する。従って
、1反晶パネル5には偏光子が取付けられているが図で
は省略しプζ。これは液晶光シャッター3についでも同
じである。本実施例の泣品パネル5における画体表示の
応答速朋は約30ミリυ)である。
、通常のツ・fスト洋マチック型のネマチック沿Jムで
あり、ハイブリッド電界効果モードで動作する。従って
、1反晶パネル5には偏光子が取付けられているが図で
は省略しプζ。これは液晶光シャッター3についでも同
じである。本実施例の泣品パネル5における画体表示の
応答速朋は約30ミリυ)である。
表示画像は500Wのキセノンランプ6を光源とする投
写ブC二学糸によって1.5ツートル角のスクリーン7
上に投写される。スクリーン上での明るさは約300フ
ートランバートでちり、表示コントラストは5:1であ
る。
写ブC二学糸によって1.5ツートル角のスクリーン7
上に投写される。スクリーン上での明るさは約300フ
ートランバートでちり、表示コントラストは5:1であ
る。
(発明の効果)
以上述べたように1本発明によれば高解像度のTV表示
が可能な画面を投写でき、かつ低価格化の可能な投写型
液晶表示装置が得られる。
が可能な画面を投写でき、かつ低価格化の可能な投写型
液晶表示装置が得られる。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は液晶光シ
ャッターに用いられる強誘電性液晶の液晶分子が形成す
るらせん配列状態を示す模式図、第3図および第4図は
それぞれ強誘電性液晶分子のらせんが消滅した記号11
状態を模式的に示す側面図および平面図、笥5図は第1
図に示す液晶光シャッターの正面図、456図は第1図
に示す液晶パネル5の断面図である。 図において、1・・・・・・線状光源、2,2′・・・
・・・光束、3・・・・・・液晶光シャッター、4・・
・・・・回転多面鏡、5・・・・・・液晶パネル、6・
・・・・・投写用光源、7・・・・・・スクリーン、2
1・・・・・・自発分極、22・・・・・・液晶分子、
23・・・・・・らせん軸、31.32・・・・・・基
板、41゜42・・・・・・液晶分子がとる配向方向テ
〒モ、43・・・・・・直交する2枚の偏光板のうちの
1枚の偏光方向、51.52・・・・・・ガラス基板、
53.54・・・・・・透明電極、55・・・・・・画
素、61.62・・・・・・ガラス基板、63.64は
透明電極、65・・・・・・光導電体膜、66・・・・
・・遮光膜、67・・・・・・ミラー、68・・・・・
・液晶、69・・・・・・電源、71・・・・・・光束
2の走査方向、72・・・・・・投写光を表わす。 奉l 図 第2図 らぜんヒーツケ 磐3 凹 第4目 革S 凹 第6 凹
ャッターに用いられる強誘電性液晶の液晶分子が形成す
るらせん配列状態を示す模式図、第3図および第4図は
それぞれ強誘電性液晶分子のらせんが消滅した記号11
状態を模式的に示す側面図および平面図、笥5図は第1
図に示す液晶光シャッターの正面図、456図は第1図
に示す液晶パネル5の断面図である。 図において、1・・・・・・線状光源、2,2′・・・
・・・光束、3・・・・・・液晶光シャッター、4・・
・・・・回転多面鏡、5・・・・・・液晶パネル、6・
・・・・・投写用光源、7・・・・・・スクリーン、2
1・・・・・・自発分極、22・・・・・・液晶分子、
23・・・・・・らせん軸、31.32・・・・・・基
板、41゜42・・・・・・液晶分子がとる配向方向テ
〒モ、43・・・・・・直交する2枚の偏光板のうちの
1枚の偏光方向、51.52・・・・・・ガラス基板、
53.54・・・・・・透明電極、55・・・・・・画
素、61.62・・・・・・ガラス基板、63.64は
透明電極、65・・・・・・光導電体膜、66・・・・
・・遮光膜、67・・・・・・ミラー、68・・・・・
・液晶、69・・・・・・電源、71・・・・・・光束
2の走査方向、72・・・・・・投写光を表わす。 奉l 図 第2図 らぜんヒーツケ 磐3 凹 第4目 革S 凹 第6 凹
Claims (1)
- 線状光源と、一次元の画素配列を形成する透明電極を設
けた2枚の基板の間隙に強誘電性液晶を挾持してなる液
晶光シャッターと、1枚には光導電体膜を設けた2枚の
電極基板の間隙に液晶を挾持してなる液晶パネルと、前
記線状光源から発光され前記液晶光シャッターによって
一次元方向に空間的に強度変調を受けた線状光束を前記
導電体膜上に前記一次元方向と直交する方向に走査する
走査手段と、前記線状光束が前記光導電体膜の光導電効
果によって生じさせる前記液晶に印加される電圧の強度
分布に従って電気光学効果によって前記液晶に形成され
る画像をスクリーン上に投写する投写手段を含むことを
特徴とする投写型液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60197911A JPS6256931A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 投写型液晶表示装置 |
| US06/905,009 US4699498A (en) | 1985-09-06 | 1986-09-08 | Image projector with liquid crystal light shutter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60197911A JPS6256931A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 投写型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256931A true JPS6256931A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16382322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60197911A Pending JPS6256931A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 投写型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256931A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0566414A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Victor Co Of Japan Ltd | カラー表示装置 |
| US5784168A (en) * | 1995-07-03 | 1998-07-21 | U.S. Philips Corporation | Position detection system for an object with at least five degrees of freedom |
| US5789743A (en) * | 1996-07-03 | 1998-08-04 | U.S. Philips Corporation | Optical scanning device, and apparatus provided with such a device, employing scanning element having reflective measuring reference face |
| US6278538B1 (en) | 1997-05-16 | 2001-08-21 | U.S. Philips Corporation | Optical scanner |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60197911A patent/JPS6256931A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0566414A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Victor Co Of Japan Ltd | カラー表示装置 |
| US5784168A (en) * | 1995-07-03 | 1998-07-21 | U.S. Philips Corporation | Position detection system for an object with at least five degrees of freedom |
| US5789743A (en) * | 1996-07-03 | 1998-08-04 | U.S. Philips Corporation | Optical scanning device, and apparatus provided with such a device, employing scanning element having reflective measuring reference face |
| US6278538B1 (en) | 1997-05-16 | 2001-08-21 | U.S. Philips Corporation | Optical scanner |
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